JPH05200585A - 半田付用水溶性フラックス - Google Patents
半田付用水溶性フラックスInfo
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- JPH05200585A JPH05200585A JP1221892A JP1221892A JPH05200585A JP H05200585 A JPH05200585 A JP H05200585A JP 1221892 A JP1221892 A JP 1221892A JP 1221892 A JP1221892 A JP 1221892A JP H05200585 A JPH05200585 A JP H05200585A
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- Japan
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- flux
- soldering
- water
- soluble
- lead
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-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/3489—Composition of fluxes; Application thereof; Other processes of activating the contact surfaces
Landscapes
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】ハイブリッド集積回路(HIC)のフロー半田
付けにおいて、フラックスが塗布された状態で長時間放
置してもフラックスが塗布された部分のオーバーコート
ガラスが溶融することのない半田付用水溶性フラックス
を提供する。 【構成】本発明の半田付用水溶性フラックスは、鉛(P
b)及びスズ(Sn)を飽和状態で含有する水溶性フラ
ックスであるため、HICのフロー半田付けにおいて、
フラックスを塗布したのち、半田付用ランド8とフロー
半田付用部品9からなるフラックス塗布部10を溶融半
田中に浸漬し長時間放置しても、塗布されたフラックス
が接触する部分の絶縁膜であるオーバーコートガラスが
溶融してピンホールを生じることがない。従って、絶縁
不良を生じることもない。
付けにおいて、フラックスが塗布された状態で長時間放
置してもフラックスが塗布された部分のオーバーコート
ガラスが溶融することのない半田付用水溶性フラックス
を提供する。 【構成】本発明の半田付用水溶性フラックスは、鉛(P
b)及びスズ(Sn)を飽和状態で含有する水溶性フラ
ックスであるため、HICのフロー半田付けにおいて、
フラックスを塗布したのち、半田付用ランド8とフロー
半田付用部品9からなるフラックス塗布部10を溶融半
田中に浸漬し長時間放置しても、塗布されたフラックス
が接触する部分の絶縁膜であるオーバーコートガラスが
溶融してピンホールを生じることがない。従って、絶縁
不良を生じることもない。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半田付用水溶性フラック
ス、特にハイブリッド集積回路(HIC)のフロー半田
付けにおける半田付用水溶性フラックスの腐食性の改良
に関するものである。
ス、特にハイブリッド集積回路(HIC)のフロー半田
付けにおける半田付用水溶性フラックスの腐食性の改良
に関するものである。
【0002】
【従来の技術】一般的に、電子部品の半田付けに用いら
れるフラックスは、ロジン(松やに)系樹脂を主成分と
するロジン系フラックスであり、このロジン系フラック
スは、半田付け、絶縁性に優れ、腐食性、毒性がない点
でも適したものであった。このようなロジン系フラック
スでも精密電子機器に用いる場合は、フラックス残渣を
洗浄除去しなければならないことがある。これは、ロジ
ン系フラックスがいかに絶縁性に優れていても、フラッ
クスに含まれるロジンが粘着性を有することから、長時
間のうちにフラックス残渣に埃やごみが付着し、これら
の付着によって絶縁性が劣化するという問題があったか
らである。そのため、ロジン系フラックスの半田付け後
のフラックス残渣の除去に、ロジンに対する溶解性の良
いフッ素系有機溶剤が使用されていた。しかしながら、
フッ素系有機溶剤は地球を取り巻くオゾン層を破壊し、
人体に有害な紫外線を多量に地球上に到達させることか
ら、世界的に使用が規制されるようになった。
れるフラックスは、ロジン(松やに)系樹脂を主成分と
するロジン系フラックスであり、このロジン系フラック
スは、半田付け、絶縁性に優れ、腐食性、毒性がない点
でも適したものであった。このようなロジン系フラック
スでも精密電子機器に用いる場合は、フラックス残渣を
洗浄除去しなければならないことがある。これは、ロジ
ン系フラックスがいかに絶縁性に優れていても、フラッ
クスに含まれるロジンが粘着性を有することから、長時
間のうちにフラックス残渣に埃やごみが付着し、これら
の付着によって絶縁性が劣化するという問題があったか
らである。そのため、ロジン系フラックスの半田付け後
のフラックス残渣の除去に、ロジンに対する溶解性の良
いフッ素系有機溶剤が使用されていた。しかしながら、
フッ素系有機溶剤は地球を取り巻くオゾン層を破壊し、
人体に有害な紫外線を多量に地球上に到達させることか
ら、世界的に使用が規制されるようになった。
【0003】そこで、近年構成成分を全て水溶性物質と
した水溶性の半田付用フラックスが、注目されるに至っ
ている。このような水溶性の半田付用フラックスは、半
田付け後のフラックス残渣を水または温水で洗浄除去で
きるので、有害な有機溶剤を使用しなくても済む。
した水溶性の半田付用フラックスが、注目されるに至っ
ている。このような水溶性の半田付用フラックスは、半
田付け後のフラックス残渣を水または温水で洗浄除去で
きるので、有害な有機溶剤を使用しなくても済む。
【0004】また、このような水溶性の半田付用フラッ
クスとしては、塩化亜鉛または塩化アンモニウムのよう
な無機塩をグリセリンやワセリンで溶解させたもの、ま
たはギ酸やギ酸アンモニウムのような有機酸を水溶性溶
剤で溶解したものがある。
クスとしては、塩化亜鉛または塩化アンモニウムのよう
な無機塩をグリセリンやワセリンで溶解させたもの、ま
たはギ酸やギ酸アンモニウムのような有機酸を水溶性溶
剤で溶解したものがある。
【0005】しかしながら、無機塩を含む水溶性の半田
付用フラックスは活性が強過ぎるため、半田付けした部
分に極微量のフラックス残渣があるだけでも、その部分
から腐食が進行してしまう。従って、無機塩を含む水溶
性の半田付用フラックスを用いて半田付けをしたもの
は、入念に水洗いする必要があった。また、従来の水溶
性の半田付用フラックスは、これが塗布される表面の保
護作用が十分でないために、グリセリンまたはワセリン
等の溶剤を併用していた。しかし、これらの溶剤は、半
田付け時に高温に熱せられると、この後の洗浄において
容易に除去できなくなるため、精密電子機器の半田付け
には適さなかった。
付用フラックスは活性が強過ぎるため、半田付けした部
分に極微量のフラックス残渣があるだけでも、その部分
から腐食が進行してしまう。従って、無機塩を含む水溶
性の半田付用フラックスを用いて半田付けをしたもの
は、入念に水洗いする必要があった。また、従来の水溶
性の半田付用フラックスは、これが塗布される表面の保
護作用が十分でないために、グリセリンまたはワセリン
等の溶剤を併用していた。しかし、これらの溶剤は、半
田付け時に高温に熱せられると、この後の洗浄において
容易に除去できなくなるため、精密電子機器の半田付け
には適さなかった。
【0006】これを解決するものとしては、カルボキシ
ル基含有化合物とトリス- (2,3- エポキシプロピ
ル)- イシシアネートとの反応生成物である樹脂状物質
および活性剤を含有する水溶性半田付け用フラックスが
あり、これは特開平3−18498号公報に記載されて
いる。この従来の水溶性半田付用フラックスは、半田付
け性が良好で、かつ半田付け後のフラックス残渣を水の
みで容易に洗浄除去できるものである。
ル基含有化合物とトリス- (2,3- エポキシプロピ
ル)- イシシアネートとの反応生成物である樹脂状物質
および活性剤を含有する水溶性半田付け用フラックスが
あり、これは特開平3−18498号公報に記載されて
いる。この従来の水溶性半田付用フラックスは、半田付
け性が良好で、かつ半田付け後のフラックス残渣を水の
みで容易に洗浄除去できるものである。
【0007】一方、特開昭62−16899号公報にお
いては、グリセリンまたはワセリン等の溶剤に替えて、
ポリエーテル、ポリアミン、ポリグリコール等の樹脂を
用いることによって、耐熱性を著しく向上させ、また半
田付けの際にフラックスが熱酸化を受けて異質化するこ
とを防止し、さらにスラッジまたは有害ガスの発生を抑
制して、作業効率と作業環境の向上を図った水溶性半田
付け用フラックスが開示されている。このフラックス
は、水による洗浄性も向上し、洗浄後における半田付け
部分に対する腐食等の悪影響も及ぼさない。さらに、活
性剤として一塩基酸または二塩基酸を樹脂と併用するこ
とによって、半田付けしにくいものにも良好な半田付け
が行えるようになっている。
いては、グリセリンまたはワセリン等の溶剤に替えて、
ポリエーテル、ポリアミン、ポリグリコール等の樹脂を
用いることによって、耐熱性を著しく向上させ、また半
田付けの際にフラックスが熱酸化を受けて異質化するこ
とを防止し、さらにスラッジまたは有害ガスの発生を抑
制して、作業効率と作業環境の向上を図った水溶性半田
付け用フラックスが開示されている。このフラックス
は、水による洗浄性も向上し、洗浄後における半田付け
部分に対する腐食等の悪影響も及ぼさない。さらに、活
性剤として一塩基酸または二塩基酸を樹脂と併用するこ
とによって、半田付けしにくいものにも良好な半田付け
が行えるようになっている。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、電子部
品の半田付けの中でも特にハイブリッド集積回路(HI
C)のフロー半田付けに、このような水溶性半田付け用
フラックスを用いると、フロー半田付けの工程の特殊性
からフラックスを塗布した部分の基材が腐食されるとい
う問題があった。すなわち、図2に示すようにハイブリ
ッド集積回路(HIC)のフロー半田付けは、浸漬等に
よって半田付用ランド8とフロー半田付用部品9にフラ
ックスを塗布し、その後に半田付用ランド8とフロー半
田付用部品9からなるフラックス塗布部10を、溶融半
田中に浸漬することによって半田付けを行うものであ
り、主に外部との接続ピン等の半田付け技術として用い
られる半田付け方法である。従って、この半田付けにお
いて、HICの基材にフラックスが塗布された状態で、
長時間放置されるので、塗布されたフラックスが接触す
る部分のオーバーコートガラス4の材質が溶融して、そ
の結果オーバーコートガラス4が腐食するという欠点が
あった。すなわち、図3に示めすように、例えばポリア
ミン系またはポリグリコール系樹脂と、ジフェニル酸、
プロピオン酸またはリンゴ酸等の有機酸と、トリエタノ
ールアミン等のアミン系活性剤からなり、金属酸化物除
去作用を有する半田付用水溶性フラックスが、半田付用
ランド8とフロー半田付用部品9に塗布された場合、こ
のフラックスと接触するHICの絶縁膜であるオーバー
コートガラス4の材質は、このフラックスの活性力によ
って溶融される。特に、半田付工程内の放置によって、
HICの絶縁膜であるオーバーコートガラス4がフラッ
クス塗布された状態で長時間放置されると、オーバーコ
ートガラス4にピンホールが生じて、これが絶縁不良の
原因になることがわかった。
品の半田付けの中でも特にハイブリッド集積回路(HI
C)のフロー半田付けに、このような水溶性半田付け用
フラックスを用いると、フロー半田付けの工程の特殊性
からフラックスを塗布した部分の基材が腐食されるとい
う問題があった。すなわち、図2に示すようにハイブリ
ッド集積回路(HIC)のフロー半田付けは、浸漬等に
よって半田付用ランド8とフロー半田付用部品9にフラ
ックスを塗布し、その後に半田付用ランド8とフロー半
田付用部品9からなるフラックス塗布部10を、溶融半
田中に浸漬することによって半田付けを行うものであ
り、主に外部との接続ピン等の半田付け技術として用い
られる半田付け方法である。従って、この半田付けにお
いて、HICの基材にフラックスが塗布された状態で、
長時間放置されるので、塗布されたフラックスが接触す
る部分のオーバーコートガラス4の材質が溶融して、そ
の結果オーバーコートガラス4が腐食するという欠点が
あった。すなわち、図3に示めすように、例えばポリア
ミン系またはポリグリコール系樹脂と、ジフェニル酸、
プロピオン酸またはリンゴ酸等の有機酸と、トリエタノ
ールアミン等のアミン系活性剤からなり、金属酸化物除
去作用を有する半田付用水溶性フラックスが、半田付用
ランド8とフロー半田付用部品9に塗布された場合、こ
のフラックスと接触するHICの絶縁膜であるオーバー
コートガラス4の材質は、このフラックスの活性力によ
って溶融される。特に、半田付工程内の放置によって、
HICの絶縁膜であるオーバーコートガラス4がフラッ
クス塗布された状態で長時間放置されると、オーバーコ
ートガラス4にピンホールが生じて、これが絶縁不良の
原因になることがわかった。
【0009】このような問題が生じる理由は、オーバー
コートガラス4の材質に対して、現在使用されている水
溶性の半田付用フラックスの活性力のほうが強いためで
ある。しかし、HICに用いられるオーバーコートガラ
ス4は、一般に焼成温度が摂氏500〜600度程度で
あり、セラミック基板7上に摂氏800〜900度で焼
成された導体5と抵抗体6とからなる回路パターン上に
焼成されるため、焼成温度または回路パターンへの影響
等を勘案して、通常は、主成分として二酸化鉛(PbO
2 )を40〜60wt. %含み、フィラーとしてSiO2
ガラス等が混入する組成を有する。また、半田付用フラ
ックスはその性質上、金属酸化物除去作用があり、特に
水溶性の半田付用フラックスはこれを構成する物質が水
溶性である必要があることから、これに使用される樹脂
及び活性剤の炭素数には制限が生じ、これに伴って、一
般にこのような水溶性の半田付用フラックスは活性力が
強い。そこで、常温でも従来のロジン系フラックスとは
異なり活性力を有するので、HIC用オーバーコートガ
ラス4の主成分である二酸化鉛(PbO2 )が、常温領
域で水溶性フラックスのよって溶融され、その結果オー
バーコートガラス4にピンホールが生じるのである。本
発明は以上のような課題を鑑みてなされたものであり、
その目的はハイブリッド集積回路(HIC)のフロー半
田付けにおいて、フラックスを塗布した後、長時間放置
しておいても、塗布された部分の基材であるオーバーコ
ートガラスの材質が溶融してオーバーコートガラスを腐
食するとがない半田付用水溶性フラックスを提供するこ
とにある。
コートガラス4の材質に対して、現在使用されている水
溶性の半田付用フラックスの活性力のほうが強いためで
ある。しかし、HICに用いられるオーバーコートガラ
ス4は、一般に焼成温度が摂氏500〜600度程度で
あり、セラミック基板7上に摂氏800〜900度で焼
成された導体5と抵抗体6とからなる回路パターン上に
焼成されるため、焼成温度または回路パターンへの影響
等を勘案して、通常は、主成分として二酸化鉛(PbO
2 )を40〜60wt. %含み、フィラーとしてSiO2
ガラス等が混入する組成を有する。また、半田付用フラ
ックスはその性質上、金属酸化物除去作用があり、特に
水溶性の半田付用フラックスはこれを構成する物質が水
溶性である必要があることから、これに使用される樹脂
及び活性剤の炭素数には制限が生じ、これに伴って、一
般にこのような水溶性の半田付用フラックスは活性力が
強い。そこで、常温でも従来のロジン系フラックスとは
異なり活性力を有するので、HIC用オーバーコートガ
ラス4の主成分である二酸化鉛(PbO2 )が、常温領
域で水溶性フラックスのよって溶融され、その結果オー
バーコートガラス4にピンホールが生じるのである。本
発明は以上のような課題を鑑みてなされたものであり、
その目的はハイブリッド集積回路(HIC)のフロー半
田付けにおいて、フラックスを塗布した後、長時間放置
しておいても、塗布された部分の基材であるオーバーコ
ートガラスの材質が溶融してオーバーコートガラスを腐
食するとがない半田付用水溶性フラックスを提供するこ
とにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】以上のような目的を達成
するために、本発明における半田付用水溶性フラックス
は、ポリアミン系またはポリグリコール系樹脂からなる
基材と、水溶性有機酸と、水溶性活性剤とからなる半田
付用水溶性フラックスにおいて、鉛または鉛とスズの合
金を添加し、前記水溶性フラックスに鉛または鉛及びス
ズを飽和状態で含有することを特徴とする。
するために、本発明における半田付用水溶性フラックス
は、ポリアミン系またはポリグリコール系樹脂からなる
基材と、水溶性有機酸と、水溶性活性剤とからなる半田
付用水溶性フラックスにおいて、鉛または鉛とスズの合
金を添加し、前記水溶性フラックスに鉛または鉛及びス
ズを飽和状態で含有することを特徴とする。
【0011】
【作用】以上のような構成を有する本発明に係る半田付
用水溶性フラックスにおいては、鉛または鉛とスズの合
金を水溶性フラックスに添加し、鉛または鉛及びスズを
飽和状態に含有するので、ハイブリッド集積回路(HI
C)のフロー半田付けにおいて、フラックスを塗布した
後、長時間放置しておいても、塗布された部分のHIC
の絶縁膜であるオーバーコートガラスの材質が溶融し
て、その結果オーバーコートガラスにピンホール等が生
じるということがない。
用水溶性フラックスにおいては、鉛または鉛とスズの合
金を水溶性フラックスに添加し、鉛または鉛及びスズを
飽和状態に含有するので、ハイブリッド集積回路(HI
C)のフロー半田付けにおいて、フラックスを塗布した
後、長時間放置しておいても、塗布された部分のHIC
の絶縁膜であるオーバーコートガラスの材質が溶融し
て、その結果オーバーコートガラスにピンホール等が生
じるということがない。
【0012】
【実施例】半田付用水溶性フラックスの調製 図1は、本発明に係る半田付用水溶性フラックスの調製
の一実施例を示した図である。図1(a)には、半田付
用水溶性フラックスの基本組成が調整されて用意されて
いる。この基本組成である半田付用水溶性フラックス1
は、変性ポリアミンをベース樹脂とし、有機酸のジフェ
ニル酢酸とジメチロールプロピオン酸と、アミン系活性
剤のトリエタノールアミンとからなる活性剤を、ベース
樹脂と一緒に溶剤であるブチルカルビトールに溶解して
得られるものである。
の一実施例を示した図である。図1(a)には、半田付
用水溶性フラックスの基本組成が調整されて用意されて
いる。この基本組成である半田付用水溶性フラックス1
は、変性ポリアミンをベース樹脂とし、有機酸のジフェ
ニル酢酸とジメチロールプロピオン酸と、アミン系活性
剤のトリエタノールアミンとからなる活性剤を、ベース
樹脂と一緒に溶剤であるブチルカルビトールに溶解して
得られるものである。
【0013】本実施例において特徴的なことは、図1
(b)に示すように、図1(a)の基本組成の半田付用
水溶性フラックス1に1wt. %の程度の鉛スズ(PbS
n)合金粒子2を添加する工程が設られたことであり、
この合金を添加した状態で常温で24時間放置すること
によって、図1(c)の鉛(Pb)が0.53g/L(L
=リットル)、スズ(Sn)が0.36g/L含有する鉛(P
b)及びスズ(Sn)を飽和状態で含有する水溶性フラ
ックス3が得られる。
(b)に示すように、図1(a)の基本組成の半田付用
水溶性フラックス1に1wt. %の程度の鉛スズ(PbS
n)合金粒子2を添加する工程が設られたことであり、
この合金を添加した状態で常温で24時間放置すること
によって、図1(c)の鉛(Pb)が0.53g/L(L
=リットル)、スズ(Sn)が0.36g/L含有する鉛(P
b)及びスズ(Sn)を飽和状態で含有する水溶性フラ
ックス3が得られる。
【0014】ここで、ベース樹脂として、ポリアミン系
のほかにポリグリコール系樹脂を用いてもよい。また、
有機酸として、プロピオン酸またはリンゴ酸等の水溶性
の一塩基酸または二塩基酸を用いてもよく、アミン系活
性剤としてモノエタノールアミン、ジエタノールアミン
等を用いてもよい。更に、活性剤は用途に応じて有機酸
またはアミン系活性剤のどちらかだけを用いてもよく、
あるいは両者を併用して使用してもよい。一方、本実施
例においては鉛スズ(PbSn)の合金を添加したが、
これに替えて鉛(Pb)を添加することも可能である。
のほかにポリグリコール系樹脂を用いてもよい。また、
有機酸として、プロピオン酸またはリンゴ酸等の水溶性
の一塩基酸または二塩基酸を用いてもよく、アミン系活
性剤としてモノエタノールアミン、ジエタノールアミン
等を用いてもよい。更に、活性剤は用途に応じて有機酸
またはアミン系活性剤のどちらかだけを用いてもよく、
あるいは両者を併用して使用してもよい。一方、本実施
例においては鉛スズ(PbSn)の合金を添加したが、
これに替えて鉛(Pb)を添加することも可能である。
【0015】本実施例の溶融抑制作用及びその効果 一方、一般に金属は酸化物状態の方が安定であり、また
イオン化傾向においてはスズ(Sn)のほうが鉛(P
b)よりイオン化し易い。そこで、本実施例の水溶性フ
ラックス3は、鉛(Pb)及び鉛(Pb)よりもイオン
化傾向が大きいスズ(Sn)を飽和状態に含有するの
で、オーバーコートガラス4に含まれる二酸化鉛(Pb
O2 )の鉛をイオン化する活性力はほとんど有しない。
従って、本実施例の水溶性フラックス3はオーバーコー
トガラス4に含まれる二酸化鉛(PbO2 )を溶融する
ことを抑制することができる。
イオン化傾向においてはスズ(Sn)のほうが鉛(P
b)よりイオン化し易い。そこで、本実施例の水溶性フ
ラックス3は、鉛(Pb)及び鉛(Pb)よりもイオン
化傾向が大きいスズ(Sn)を飽和状態に含有するの
で、オーバーコートガラス4に含まれる二酸化鉛(Pb
O2 )の鉛をイオン化する活性力はほとんど有しない。
従って、本実施例の水溶性フラックス3はオーバーコー
トガラス4に含まれる二酸化鉛(PbO2 )を溶融する
ことを抑制することができる。
【0016】そこで、常温において通常のHICのフロ
ー半田付けにおけるフラックス浸漬工程において、本実
施例の鉛(Pb)及びスズ(Sn)を飽和状態で含有す
る水溶性フラックス3と従来の水溶性フラックス、すな
わち金属を含まないポリアミン系またはポリグリコール
系樹脂と有機酸とアミン系活性剤からなる水溶性フラッ
クスとを、HICの絶縁膜であるオーバーコートガラス
4に塗布してそのまま放置する比較試験を行った。その
結果、従来の水溶性フラックスを用いた場合には、3日
間でオーバーコートガラス4の材質が溶融してオーバー
コートガラス4にピンホールが生じたが、本実施例の鉛
(Pb)及びスズ(Sn)を飽和状態で含有する水溶性
フラックス3を用いた場合には、塗布放置後10日間経
過した後でも、オーバーコートガラス4の材質の溶融は
認められなかった。
ー半田付けにおけるフラックス浸漬工程において、本実
施例の鉛(Pb)及びスズ(Sn)を飽和状態で含有す
る水溶性フラックス3と従来の水溶性フラックス、すな
わち金属を含まないポリアミン系またはポリグリコール
系樹脂と有機酸とアミン系活性剤からなる水溶性フラッ
クスとを、HICの絶縁膜であるオーバーコートガラス
4に塗布してそのまま放置する比較試験を行った。その
結果、従来の水溶性フラックスを用いた場合には、3日
間でオーバーコートガラス4の材質が溶融してオーバー
コートガラス4にピンホールが生じたが、本実施例の鉛
(Pb)及びスズ(Sn)を飽和状態で含有する水溶性
フラックス3を用いた場合には、塗布放置後10日間経
過した後でも、オーバーコートガラス4の材質の溶融は
認められなかった。
【0017】
【発明の効果】以上のように、本発明の半田付用水溶性
フラックスは、鉛(Pb)及びスズ(Sn)を飽和状態
で含有する水溶性フラックスであるため、オーバーコー
トガラスの材質の溶融が抑制される。従って、HICの
フロー半田付けにおけるフラックス浸漬の工程内で、フ
ラックスを塗布した状態で不測に放置された製品の劣化
も防止することができる。
フラックスは、鉛(Pb)及びスズ(Sn)を飽和状態
で含有する水溶性フラックスであるため、オーバーコー
トガラスの材質の溶融が抑制される。従って、HICの
フロー半田付けにおけるフラックス浸漬の工程内で、フ
ラックスを塗布した状態で不測に放置された製品の劣化
も防止することができる。
【0018】また、オーバーコートガラスの材質の溶融
が防止されるので、これに伴って塗布された表面は変化
せず、従って後工程でのコーティング樹脂等の密着不良
または密着強度劣化を防ぐことができる。
が防止されるので、これに伴って塗布された表面は変化
せず、従って後工程でのコーティング樹脂等の密着不良
または密着強度劣化を防ぐことができる。
【0019】更に、従来の水溶性フラックスに、添加粒
子として鉛及び鉛とスズの合金を添加するだけで上記の
効果が得られる。従って、水溶性フラックスの基本組成
に変更を加える必要がないので、半田付け性及び洗浄性
については、従来品と遜色がない。また、水溶性フラッ
クスに添加する添加粒子は、一般に製造されている半田
粒子を用いることができるので、入手が極めて容易であ
る。
子として鉛及び鉛とスズの合金を添加するだけで上記の
効果が得られる。従って、水溶性フラックスの基本組成
に変更を加える必要がないので、半田付け性及び洗浄性
については、従来品と遜色がない。また、水溶性フラッ
クスに添加する添加粒子は、一般に製造されている半田
粒子を用いることができるので、入手が極めて容易であ
る。
【図1】本発明に係る半田付用水溶性フラックスの調製
の一実施例の説明図である。
の一実施例の説明図である。
【図2】ハイブリッド集積回路(HIC)のフロー半田
付けを示す断面図である。
付けを示す断面図である。
【図3】図2中のYの部分を拡大した拡大断面図であ
る。
る。
4 オーバーコートガラス 7 セラミック基板 8 半田付用ランド 9 フロー半田付用部品 10 フラックス塗布部
Claims (1)
- 【請求項1】ポリアミン系またはポリグリコール系樹脂
からなる基材と、 水溶性有機酸と、 水溶性活性剤と、 からなる半田付用水溶性フラックスにおいて、 鉛または鉛とスズの合金を添加し、前記水溶性フラック
スに鉛または鉛及びスズを飽和状態で含有することを特
徴とする半田付用水溶性フラックス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1221892A JPH05200585A (ja) | 1992-01-27 | 1992-01-27 | 半田付用水溶性フラックス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1221892A JPH05200585A (ja) | 1992-01-27 | 1992-01-27 | 半田付用水溶性フラックス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05200585A true JPH05200585A (ja) | 1993-08-10 |
Family
ID=11799243
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1221892A Pending JPH05200585A (ja) | 1992-01-27 | 1992-01-27 | 半田付用水溶性フラックス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05200585A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5919317A (en) * | 1994-12-07 | 1999-07-06 | Nippondenso Co., Ltd. | Soldering flux, soldering paste and soldering method using the same |
| US6218030B1 (en) | 1995-03-24 | 2001-04-17 | Nippondenso Co., Ltd. | Soldered product |
| US6488781B1 (en) | 1998-08-27 | 2002-12-03 | Denso Corporation | Soldering paste, soldering method, and surface-mounted type electronic device |
| US6605357B1 (en) | 1999-07-28 | 2003-08-12 | Denso Corporation | Bonding method and bonding structure of thermoplastic resin material |
| JP2013149653A (ja) * | 2012-01-17 | 2013-08-01 | Mitsubishi Electric Corp | はんだ付け方法、はんだ付け装置およびプリント配線板 |
| US20230007787A1 (en) * | 2021-06-30 | 2023-01-05 | Samsung Electronics Co., Ltd | Flux dotting tool |
-
1992
- 1992-01-27 JP JP1221892A patent/JPH05200585A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5919317A (en) * | 1994-12-07 | 1999-07-06 | Nippondenso Co., Ltd. | Soldering flux, soldering paste and soldering method using the same |
| US6142363A (en) * | 1994-12-07 | 2000-11-07 | Nippondenso Co., Ltd. | Soldering method using soldering flux and soldering paste |
| US6218030B1 (en) | 1995-03-24 | 2001-04-17 | Nippondenso Co., Ltd. | Soldered product |
| US6562147B2 (en) | 1995-03-24 | 2003-05-13 | Denso Corporation | Soldered product |
| US6488781B1 (en) | 1998-08-27 | 2002-12-03 | Denso Corporation | Soldering paste, soldering method, and surface-mounted type electronic device |
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| JP2013149653A (ja) * | 2012-01-17 | 2013-08-01 | Mitsubishi Electric Corp | はんだ付け方法、はんだ付け装置およびプリント配線板 |
| US20230007787A1 (en) * | 2021-06-30 | 2023-01-05 | Samsung Electronics Co., Ltd | Flux dotting tool |
| US11818850B2 (en) * | 2021-06-30 | 2023-11-14 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Flux dotting tool |
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