JPH05200642A - 半導体基板研磨機 - Google Patents
半導体基板研磨機Info
- Publication number
- JPH05200642A JPH05200642A JP4031477A JP3147792A JPH05200642A JP H05200642 A JPH05200642 A JP H05200642A JP 4031477 A JP4031477 A JP 4031477A JP 3147792 A JP3147792 A JP 3147792A JP H05200642 A JPH05200642 A JP H05200642A
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- JP
- Japan
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- wafer
- electrostatic chuck
- polished
- polishing machine
- semiconductor substrate
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- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 本発明は半導体ウエハーを安全に、かつ安
価に研磨することができる半導体基板研磨機の提供を目
的とするものである。 【構成】 本発明の半導体基板研磨機は、基板保持装
置が静電チャックを具備したものであることを特徴とす
るものである。
価に研磨することができる半導体基板研磨機の提供を目
的とするものである。 【構成】 本発明の半導体基板研磨機は、基板保持装
置が静電チャックを具備したものであることを特徴とす
るものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体基板研磨機、特に
は半導体の基板を静電的に吸着保持する静電チャック使
用する半導体基板研磨機に関するものである。
は半導体の基板を静電的に吸着保持する静電チャック使
用する半導体基板研磨機に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＩＣやＬＳＩなどの半導体は集積
度、歩留りを向上させるためにそのウエハー基板が次第
に大口径化されてきているが、この半導体基板としての
シリコン単結晶ウエハーの製造は、まず多結晶金属シリ
コンを溶融させ、これからＣＺ法またはＦＺ法によって
シリコン単結晶のインゴットを作り、その後この単結晶
インゴットを厚さ約１mmに切断するという方法で行なわ
れている。
度、歩留りを向上させるためにそのウエハー基板が次第
に大口径化されてきているが、この半導体基板としての
シリコン単結晶ウエハーの製造は、まず多結晶金属シリ
コンを溶融させ、これからＣＺ法またはＦＺ法によって
シリコン単結晶のインゴットを作り、その後この単結晶
インゴットを厚さ約１mmに切断するという方法で行なわ
れている。
【０００３】そして、このスライスされたシリコンウエ
ハーはその表面の荒研磨とほぼ仕上げの厚さとするため
に通常ラップ研磨され、ついでこの表面を鏡面状に仕上
げるためにポリッシュ研磨されるのであるが、この研磨
は研磨するウエハーをガラス製またはセラミック製のプ
レートにワックスまたは真空チャックで固定してから研
磨用の布に保持板を押しつけ、細かい研磨砥粒を介在さ
せて鏡面加工するという方法で行なわれている。
ハーはその表面の荒研磨とほぼ仕上げの厚さとするため
に通常ラップ研磨され、ついでこの表面を鏡面状に仕上
げるためにポリッシュ研磨されるのであるが、この研磨
は研磨するウエハーをガラス製またはセラミック製のプ
レートにワックスまたは真空チャックで固定してから研
磨用の布に保持板を押しつけ、細かい研磨砥粒を介在さ
せて鏡面加工するという方法で行なわれている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このプレート
にワックスを用いてウエハーを固定する方法では、１）
ワックスの塗布量が一定になるように塗布することが難
しいし、人が塗布するときには個人差が生じ易く、また
自動化装置を用いても塗布条件によりバラツキが生じ易
い、２）ワックスは固化してもその硬さが金属やセラミ
ックスなどにくらべて柔かいために、シリコンウエハー
を研磨する効率がわるく、平面度も出しにくい、３）研
磨後、このワックスを除去する工程が必要で、工数が多
くなり、コストアップとなる、４）このワックスはよく
洗浄しないとシリコンウエハー表面に混入してウエハー
の性能を低下させるので、このワックスの除去には溶解
性の高い有機溶剤が使用されるのであるが、この溶剤は
人体に悪影響を与えるし、環境面からもこの使用は好ま
しいものではない、という各種の欠点をもっている。
にワックスを用いてウエハーを固定する方法では、１）
ワックスの塗布量が一定になるように塗布することが難
しいし、人が塗布するときには個人差が生じ易く、また
自動化装置を用いても塗布条件によりバラツキが生じ易
い、２）ワックスは固化してもその硬さが金属やセラミ
ックスなどにくらべて柔かいために、シリコンウエハー
を研磨する効率がわるく、平面度も出しにくい、３）研
磨後、このワックスを除去する工程が必要で、工数が多
くなり、コストアップとなる、４）このワックスはよく
洗浄しないとシリコンウエハー表面に混入してウエハー
の性能を低下させるので、このワックスの除去には溶解
性の高い有機溶剤が使用されるのであるが、この溶剤は
人体に悪影響を与えるし、環境面からもこの使用は好ま
しいものではない、という各種の欠点をもっている。
【０００５】そのため、これには真空チャックにより保
持板にシリコンウエハーを固定するという方法も提案さ
れており、これによればワックスを使用せずにウエハー
を保持することができるけれども、この真空チャックを
使用する方法にはウエハーを保持するときに吸引孔から
真空に引っ張るためにウエハーが変形し、研磨後に真空
吸引を止めると、この吸引孔で引っ張られていた部分が
逆に飛び出てくる現象が起きるという欠点がある。
持板にシリコンウエハーを固定するという方法も提案さ
れており、これによればワックスを使用せずにウエハー
を保持することができるけれども、この真空チャックを
使用する方法にはウエハーを保持するときに吸引孔から
真空に引っ張るためにウエハーが変形し、研磨後に真空
吸引を止めると、この吸引孔で引っ張られていた部分が
逆に飛び出てくる現象が起きるという欠点がある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明はこのような不
利、欠点を解決した半導体基板研磨機に関するものであ
り、これは基板保持装置として静電チャックを具備して
なることを特徴とするものである。
利、欠点を解決した半導体基板研磨機に関するものであ
り、これは基板保持装置として静電チャックを具備して
なることを特徴とするものである。
【０００７】すなわち、本発明者らは従来の不利を解決
することのできる半導体基板研磨機を開発すべく種々検
討した結果、基板を保持するのに前記の欠点をもつワッ
クスや真空チャックを使用せず、これを静電チャックを
使用するものとすれば、簡単にかつ安価に半導体基板を
研磨することができることを見出し、この静電チャック
の種類についての研究を進めてこれには双極型電極を有
するものとすることがよいということ、またこの静電チ
ャックの絶縁性誘電体層としては石英からなるものとす
れば不純物の混入もなく良好な結果の得られることを確
認して本発明を完成させた。以下にこれをさらに詳述す
る。
することのできる半導体基板研磨機を開発すべく種々検
討した結果、基板を保持するのに前記の欠点をもつワッ
クスや真空チャックを使用せず、これを静電チャックを
使用するものとすれば、簡単にかつ安価に半導体基板を
研磨することができることを見出し、この静電チャック
の種類についての研究を進めてこれには双極型電極を有
するものとすることがよいということ、またこの静電チ
ャックの絶縁性誘電体層としては石英からなるものとす
れば不純物の混入もなく良好な結果の得られることを確
認して本発明を完成させた。以下にこれをさらに詳述す
る。
【０００８】
【作用】本発明は半導体基板研磨機に関するものであ
り、これは基板保持装置が静電チャックを具備したもの
であることを特徴とするものであるが、これによればウ
エハーをチャックするときにワックスや真空チャックを
使用することなく、この静電チャックを使用するので、
ウエハー全面を均一に保持することができ、半導体基板
の研磨を簡単かつ安価に行なうことができるという有利
性が与えられる。
り、これは基板保持装置が静電チャックを具備したもの
であることを特徴とするものであるが、これによればウ
エハーをチャックするときにワックスや真空チャックを
使用することなく、この静電チャックを使用するので、
ウエハー全面を均一に保持することができ、半導体基板
の研磨を簡単かつ安価に行なうことができるという有利
性が与えられる。
【０００９】本発明の半導体基板研磨機はプラス電極と
マイナス電極とからなる一対の電極の上下を絶縁性誘電
体層で被覆してなる静電チャックが基板保持装置として
具備されている。この静電チャックを構成する電極は
銀、パラジウム、銅、アルミニウム、チタン、モリブデ
ン、タングステンなどの導電性金属で作られたものとす
ればよく、この形成はスクリーン印刷法、溶射法、フォ
トリソグラフィーあるいはメッキ、箔状のものの接着な
どで行えばよいが、これは導電性の有機接着剤により形
成してもよい。
マイナス電極とからなる一対の電極の上下を絶縁性誘電
体層で被覆してなる静電チャックが基板保持装置として
具備されている。この静電チャックを構成する電極は
銀、パラジウム、銅、アルミニウム、チタン、モリブデ
ン、タングステンなどの導電性金属で作られたものとす
ればよく、この形成はスクリーン印刷法、溶射法、フォ
トリソグラフィーあるいはメッキ、箔状のものの接着な
どで行えばよいが、これは導電性の有機接着剤により形
成してもよい。
【００１０】また、この静電チャックにおける電極形式
には、電極の一方を吸着物にとる単極型と、内部に２つ
の電極を対向させた双極型があり、電解研磨を併用する
とき極は単極型を採用できるが、それ以外は双極型を採
用することがよい。さらに、この電極の形は櫛形、扇
形、同心円型などのどの形でもよいし、これは２つの電
極を１極づつにして２層に重ね合わせたものでもよい。
なお、この２つの電極のギャップ距離はできるだけ少な
くしたほうがよいが、あまりに少なくしすぎると放電を
起すので 0.8〜３mm程度が適当とされる。
には、電極の一方を吸着物にとる単極型と、内部に２つ
の電極を対向させた双極型があり、電解研磨を併用する
とき極は単極型を採用できるが、それ以外は双極型を採
用することがよい。さらに、この電極の形は櫛形、扇
形、同心円型などのどの形でもよいし、これは２つの電
極を１極づつにして２層に重ね合わせたものでもよい。
なお、この２つの電極のギャップ距離はできるだけ少な
くしたほうがよいが、あまりに少なくしすぎると放電を
起すので 0.8〜３mm程度が適当とされる。
【００１１】この半導体基板研磨機は研磨するときに水
にひたされることもあるので、水中でも作動するものと
することが必要とされるが、これはまた平面度の高いも
のでなければならないし、研磨中にウエハーに不純物が
混入しないようにすることが望ましい。
にひたされることもあるので、水中でも作動するものと
することが必要とされるが、これはまた平面度の高いも
のでなければならないし、研磨中にウエハーに不純物が
混入しないようにすることが望ましい。
【００１２】そのため、この静電チャックを構成する絶
縁性誘電体層は吸水せずに剛性が高く、不純物を含まな
い物質で作られたものとすることがよく、これには石
英、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化けい
素、酸化ジルコニウム、酸化チタン、サイアロン、窒化
ほう素あるいはこれらの混合物からなるセラミックスの
焼結体、あるいはこれらのセラックスのプラズマによる
溶射などにより作られたものが例示され、これはプラス
チックなどの高分子物質で作成したものであっても、さ
らには静電力を向上させるために高誘電体を添加してあ
ってもよい。しかし、不純物の混入がなく、吸水しない
ことからは合成石英からなるものとすることが望まし
い。
縁性誘電体層は吸水せずに剛性が高く、不純物を含まな
い物質で作られたものとすることがよく、これには石
英、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化けい
素、酸化ジルコニウム、酸化チタン、サイアロン、窒化
ほう素あるいはこれらの混合物からなるセラミックスの
焼結体、あるいはこれらのセラックスのプラズマによる
溶射などにより作られたものが例示され、これはプラス
チックなどの高分子物質で作成したものであっても、さ
らには静電力を向上させるために高誘電体を添加してあ
ってもよい。しかし、不純物の混入がなく、吸水しない
ことからは合成石英からなるものとすることが望まし
い。
【００１３】なお、この絶縁性誘電体層の厚さは、この
静電チャックの静電力が印加電圧の２乗に比例し、基板
を吸着する絶縁性誘電体層の厚さの２乗に反比例するこ
とから、薄ければ薄いほうがよいのであるが、加工のし
易さからは25μm 〜３mmの範囲とすればよい。
静電チャックの静電力が印加電圧の２乗に比例し、基板
を吸着する絶縁性誘電体層の厚さの２乗に反比例するこ
とから、薄ければ薄いほうがよいのであるが、加工のし
易さからは25μm 〜３mmの範囲とすればよい。
【００１４】本発明において使用される静電チャックは
上記した電極の上下に絶縁性誘電体層を被覆することに
よって形成されるか、絶縁性誘電体層の一方の表面に導
体層を形成させたものであるが、これはセラミックスの
台座やプラスチックなどの絶縁性の台座などに接着また
は接合させた構造であってもよい。なお、この静電チャ
ックの電極に供与される電圧は例えば直流±１KV〜±３
KV程度のものを印加すればよい。
上記した電極の上下に絶縁性誘電体層を被覆することに
よって形成されるか、絶縁性誘電体層の一方の表面に導
体層を形成させたものであるが、これはセラミックスの
台座やプラスチックなどの絶縁性の台座などに接着また
は接合させた構造であってもよい。なお、この静電チャ
ックの電極に供与される電圧は例えば直流±１KV〜±３
KV程度のものを印加すればよい。
【００１５】本発明の半導体基板研磨機はその基板保持
装置として上記した静電チャックを具備したものである
が、この研磨機を用いてウエハーを研磨するときにこの
静電チャックの電極に所定の電圧を印加するとウエハー
がこの静電チャックに吸引されるので、これをラップ研
磨するか、または鏡面加工のためのポリッシュ研磨すれ
ばよく、これによれば大口径のシリコンウエハーも良好
に平面度よく研磨することができるという有利性が与え
られる。
装置として上記した静電チャックを具備したものである
が、この研磨機を用いてウエハーを研磨するときにこの
静電チャックの電極に所定の電圧を印加するとウエハー
がこの静電チャックに吸引されるので、これをラップ研
磨するか、または鏡面加工のためのポリッシュ研磨すれ
ばよく、これによれば大口径のシリコンウエハーも良好
に平面度よく研磨することができるという有利性が与え
られる。
【００１６】
【実施例】つぎに本発明の実施例、比較例をあげる。 実施例１ 厚さが50μm 、直径が 150mmφの合成石英の円盤に、ギ
ャップ距離の最小値が２mmとなるように櫛形の銅箔電極
を接着で形成し、この合成石英の電極接着面上に厚さ10
mmのアルミナ焼結体をさらに接着させて静電チャックを
作成した。
ャップ距離の最小値が２mmとなるように櫛形の銅箔電極
を接着で形成し、この合成石英の電極接着面上に厚さ10
mmのアルミナ焼結体をさらに接着させて静電チャックを
作成した。
【００１７】ついで、このようにして得た静電チャック
を基板保持装置に組み込んでこれを半導体研磨装置に取
りつけ、この電極に直流±２KVの電圧を印加したとこ
ろ、直径６インチのシリコンウエハーが強くこれに吸引
されたので、この研磨機を用いてシリコンウエハーをポ
リッシュ研磨したところ、平面度が２μm 以下と非常に
高く、また不純物混入もない鏡面のシリコンウエハーが
得られた。
を基板保持装置に組み込んでこれを半導体研磨装置に取
りつけ、この電極に直流±２KVの電圧を印加したとこ
ろ、直径６インチのシリコンウエハーが強くこれに吸引
されたので、この研磨機を用いてシリコンウエハーをポ
リッシュ研磨したところ、平面度が２μm 以下と非常に
高く、また不純物混入もない鏡面のシリコンウエハーが
得られた。
【００１８】実施例２ 厚さが１mm、直径が 250mmφの合成石英の円盤に、ギャ
ップ距離の最小値が１mmとなるように銀含有の有機接着
剤を同心円上にスクリーン印刷し、その後この合成石英
を 200℃でキェアーして銀の電極を焼き付け、この上に
厚さ15mmのアルミナ焼結体を接着させて静電チャックを
作成した。
ップ距離の最小値が１mmとなるように銀含有の有機接着
剤を同心円上にスクリーン印刷し、その後この合成石英
を 200℃でキェアーして銀の電極を焼き付け、この上に
厚さ15mmのアルミナ焼結体を接着させて静電チャックを
作成した。
【００１９】ついで、このようにして得た静電チャック
を基板保持装置に組み込んでこれを半導体研磨装置に取
りつけ、この電極に直流± 2.5KVの電圧を印加したとこ
ろ、直径８インチのシリコンウエハーが強くこれに吸引
されたので、この研磨機を用いてシリコンウエハーをラ
ップ研磨したところ、シリコンウエハーが大口径である
にもかかわらず良好に平面度よく研磨することができ
た。
を基板保持装置に組み込んでこれを半導体研磨装置に取
りつけ、この電極に直流± 2.5KVの電圧を印加したとこ
ろ、直径８インチのシリコンウエハーが強くこれに吸引
されたので、この研磨機を用いてシリコンウエハーをラ
ップ研磨したところ、シリコンウエハーが大口径である
にもかかわらず良好に平面度よく研磨することができ
た。
【００２０】比較例１ 直径 200mmφのガラス板を80℃に加熱し、溶融したワッ
クスを厚さ約５μm 程度にスプレーで塗布したのち、そ
のうえに直径６インチのシリコンウエハーを載せ、ガラ
ス板を冷却させ、ワックスを固化させてウエハーを保持
した。
クスを厚さ約５μm 程度にスプレーで塗布したのち、そ
のうえに直径６インチのシリコンウエハーを載せ、ガラ
ス板を冷却させ、ワックスを固化させてウエハーを保持
した。
【００２１】ついでこのガラス板を研磨機に取りつけて
ウエハーのポリッシュ研磨を行ない、研磨終了後、この
ガラス板を80℃に加熱したトリクロロエタン中に浸して
ウエハーを剥離し、純水洗浄を施し、このようにして研
磨したウエハーの数枚について平面度測定したところ、
このものは約３〜５μm と非常にバラツキのあるもので
あった。
ウエハーのポリッシュ研磨を行ない、研磨終了後、この
ガラス板を80℃に加熱したトリクロロエタン中に浸して
ウエハーを剥離し、純水洗浄を施し、このようにして研
磨したウエハーの数枚について平面度測定したところ、
このものは約３〜５μm と非常にバラツキのあるもので
あった。
【００２２】比較例２ 厚さが10mm、直径が 250mmφのステンレス板に直径１mm
φの孔が多数穿設されている真空チャックに６インチの
シリコンウエハーを吸着させて研磨機に取りつけ、ポリ
ッシュ研磨を行なったところ、シリコンウエハーの表面
には直径 0.8mmφの凸部が多数発生しており、このもの
はウエハーとして使用することができないものとなっ
た。
φの孔が多数穿設されている真空チャックに６インチの
シリコンウエハーを吸着させて研磨機に取りつけ、ポリ
ッシュ研磨を行なったところ、シリコンウエハーの表面
には直径 0.8mmφの凸部が多数発生しており、このもの
はウエハーとして使用することができないものとなっ
た。
【００２３】
【発明の効果】本発明は半導体基板研磨機に関するもの
で、これは前記したように基板保持装置が静電チャック
を具備したものであることを特徴とするものであるが、
これによれば静電チャックの電極に電圧を印加、停止す
るだけでウエハーを吸着、脱着することができるので、
ウエハーの研磨を容易に、かつ工程を大幅に短縮して行
なうことができるし、この装置を使用すれば平面度が非
常に良好なウエハーを得ることができ、さらに有機溶剤
などを使用しないので安全性もよいという工業的な有利
性が与えられる。
で、これは前記したように基板保持装置が静電チャック
を具備したものであることを特徴とするものであるが、
これによれば静電チャックの電極に電圧を印加、停止す
るだけでウエハーを吸着、脱着することができるので、
ウエハーの研磨を容易に、かつ工程を大幅に短縮して行
なうことができるし、この装置を使用すれば平面度が非
常に良好なウエハーを得ることができ、さらに有機溶剤
などを使用しないので安全性もよいという工業的な有利
性が与えられる。
Claims (3)
- 【請求項１】基板保持装置が静電チャックを具備したも
のであることを特徴とする半導体基板研磨機。 - 【請求項２】静電チャックが双極型電極を有したもので
ある請求項１に記載した半導体基板研磨機。 - 【請求項３】静電チャックの絶縁性誘導体層が石英から
なるものである請求項１に記載した半導体基板研磨機。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4031477A JPH05200642A (ja) | 1992-01-22 | 1992-01-22 | 半導体基板研磨機 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4031477A JPH05200642A (ja) | 1992-01-22 | 1992-01-22 | 半導体基板研磨機 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05200642A true JPH05200642A (ja) | 1993-08-10 |
Family
ID=12332347
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4031477A Pending JPH05200642A (ja) | 1992-01-22 | 1992-01-22 | 半導体基板研磨機 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05200642A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61257733A (ja) * | 1986-05-21 | 1986-11-15 | Tokuda Seisakusho Ltd | 静電チヤツク |
| JPS6219060A (ja) * | 1985-07-16 | 1987-01-27 | Numata Seifun Kk | 手延べ麺の茹で上げ方法 |
| JPH03501191A (ja) * | 1988-06-02 | 1991-03-14 | ヒユーズ・エアクラフト・カンパニー | 処理されたシリコンウエハ上の光学的平坦面 |
-
1992
- 1992-01-22 JP JP4031477A patent/JPH05200642A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6219060A (ja) * | 1985-07-16 | 1987-01-27 | Numata Seifun Kk | 手延べ麺の茹で上げ方法 |
| JPS61257733A (ja) * | 1986-05-21 | 1986-11-15 | Tokuda Seisakusho Ltd | 静電チヤツク |
| JPH03501191A (ja) * | 1988-06-02 | 1991-03-14 | ヒユーズ・エアクラフト・カンパニー | 処理されたシリコンウエハ上の光学的平坦面 |
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