JPH05201142A - 液晶特性を有する光電導体、これを含有する光電導性層、これを有する電子写真記録材料ならびにその光電導性を高める方法 - Google Patents
液晶特性を有する光電導体、これを含有する光電導性層、これを有する電子写真記録材料ならびにその光電導性を高める方法Info
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- JPH05201142A JPH05201142A JP4202358A JP20235892A JPH05201142A JP H05201142 A JPH05201142 A JP H05201142A JP 4202358 A JP4202358 A JP 4202358A JP 20235892 A JP20235892 A JP 20235892A JP H05201142 A JPH05201142 A JP H05201142A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 液晶特性を有し、液晶状態において非液晶状
態におけるよりも高い光電導性を示す、有機の光電導体
を提供すること。 【構成】 液晶特性を有する低分子量もしくは高分子量
有機化合物から成る光電導体であって、光電導性が非液
晶相におけるよりもディスコチック相において高く、こ
れがトリフェニレンもしくはトリフェニレン誘導体であ
ることを特徴とする光電導体。
態におけるよりも高い光電導性を示す、有機の光電導体
を提供すること。 【構成】 液晶特性を有する低分子量もしくは高分子量
有機化合物から成る光電導体であって、光電導性が非液
晶相におけるよりもディスコチック相において高く、こ
れがトリフェニレンもしくはトリフェニレン誘導体であ
ることを特徴とする光電導体。
Description
【０００１】
【技術分野】本発明は液晶特性を有する、低分子量もし
くは高分子量の有機化合物から成る光電導体に関するも
のである。本発明はことに液晶特性を有し、液晶状態に
おいて増大せしめられた光電導性を有する、この種の有
機光電導体に関するものである。本発明はさらに液晶体
における分子配列を行なうことにより光電導性を高める
方法に関するものである。本明細書において「状態」な
る語と「相」なる語が使用されるが、両者間に本質的な
差違はない。
くは高分子量の有機化合物から成る光電導体に関するも
のである。本発明はことに液晶特性を有し、液晶状態に
おいて増大せしめられた光電導性を有する、この種の有
機光電導体に関するものである。本発明はさらに液晶体
における分子配列を行なうことにより光電導性を高める
方法に関するものである。本明細書において「状態」な
る語と「相」なる語が使用されるが、両者間に本質的な
差違はない。
【０００２】
【従来技術】光電導性重合体は素材として興味ある一分
野を占め、フォトコピアー、レーザプリンター、オフセ
ット印刷版体などの産業分野において広く使用されてい
る。
野を占め、フォトコピアー、レーザプリンター、オフセ
ット印刷版体などの産業分野において広く使用されてい
る。
【０００３】液晶材料の電荷転送特性を、液晶状態にお
ける配向により改善しようとする若干の試みがすでにな
されており、これには大別して２種類の方法がある。
ける配向により改善しようとする若干の試みがすでにな
されており、これには大別して２種類の方法がある。
【０００４】すなわち、一方では室温でネマチック相を
成す低分子量液晶をカルバゾールでドーピング処理する
方法がある。しかしながら、この方法では液晶マトリッ
クスの処理能力が著しく制約される。著しく低い濃度
（例えば数重量％）の場合でもカルバゾールは結晶化し
始める。従って、カルバゾールでドーピング処理される
液晶試料にはわずかな光電流が生ずるに過ぎない（「モ
レキュラークリスタルズ、リクイドクリスタルズ」１０
５（１９８４）３５３におけるＬ．Ｌ．チャポイ、Ｄ．
Ｋ．マンク、Ｋ．Ｈ．ラスマセン、Ｅ．ジュールディー
クマン、Ｒ．Ｋ．セティ、Ｄ．ビドルの論稿参照）。
成す低分子量液晶をカルバゾールでドーピング処理する
方法がある。しかしながら、この方法では液晶マトリッ
クスの処理能力が著しく制約される。著しく低い濃度
（例えば数重量％）の場合でもカルバゾールは結晶化し
始める。従って、カルバゾールでドーピング処理される
液晶試料にはわずかな光電流が生ずるに過ぎない（「モ
レキュラークリスタルズ、リクイドクリスタルズ」１０
５（１９８４）３５３におけるＬ．Ｌ．チャポイ、Ｄ．
Ｋ．マンク、Ｋ．Ｈ．ラスマセン、Ｅ．ジュールディー
クマン、Ｒ．Ｋ．セティ、Ｄ．ビドルの論稿参照）。
【０００５】第２の方法は、ヨーロッパ特許出願公開２
５４０６０号公報に記載されており、これには厚さが２
０μｍ以下であり、以下の式（Ｉ）
５４０６０号公報に記載されており、これには厚さが２
０μｍ以下であり、以下の式（Ｉ）
【０００６】
【化１】 で表わされる反覆単位（式中Ｒは炭素原子１から２０個
のアルキレン、Ｐは光導電性基を意味する）を有する重
合体の濃水溶液から形成されるフィルムが開示されてい
る。
のアルキレン、Ｐは光導電性基を意味する）を有する重
合体の濃水溶液から形成されるフィルムが開示されてい
る。
【０００７】本発明の目的は、液晶特性を有し、液晶状
態において非液晶状態におけるよりも高い光電導性を示
す、有機の光電導体を提供することである。
態において非液晶状態におけるよりも高い光電導性を示
す、有機の光電導体を提供することである。
【０００８】
【発明の要約】しかるに、この目的はディスコチック特
性を有する液晶光電導体により達成され得ることが本発
明者らにより見出された。
性を有する液晶光電導体により達成され得ることが本発
明者らにより見出された。
【０００９】すなわち、本発明の対象は、液晶特性を有
する低分子量もしくは高分子量有機化合物から成る光電
導体であって、光電導性が非液晶相におけるよりもディ
スコチック相において高く、これがトリフェニレンもし
くはトリフェニレン誘導体であることを特徴とする光電
導体。
する低分子量もしくは高分子量有機化合物から成る光電
導体であって、光電導性が非液晶相におけるよりもディ
スコチック相において高く、これがトリフェニレンもし
くはトリフェニレン誘導体であることを特徴とする光電
導体。
【００１０】
【発明の構成】本発明によるディスコチック特性を有す
る、低分子量の液晶光電導体の例としては、トリフェニ
レンおよびその誘導体、ことにアルコキシ置換トリフェ
ニレン誘導体、フタロシアニン、ヘキサ置換ベンゼンお
よびトルキセンが挙げられる。
る、低分子量の液晶光電導体の例としては、トリフェニ
レンおよびその誘導体、ことにアルコキシ置換トリフェ
ニレン誘導体、フタロシアニン、ヘキサ置換ベンゼンお
よびトルキセンが挙げられる。
【００１１】また本発明による高分子量の光電導体とし
ては、重合体連鎖中に光電導性基を含有するか、あるい
は可撓性スペーサを介して重合体連鎖に結合されている
光電導性基を含有するものであって、その例としては、
米国特許４８６５７６２号明細書に記載されているポリ
シロキサンあるいは以下の重合体（Ａ−１）から（Ａ−
５）である。
ては、重合体連鎖中に光電導性基を含有するか、あるい
は可撓性スペーサを介して重合体連鎖に結合されている
光電導性基を含有するものであって、その例としては、
米国特許４８６５７６２号明細書に記載されているポリ
シロキサンあるいは以下の重合体（Ａ−１）から（Ａ−
５）である。
【００１２】
【化２】 式中のＲはｎ−フェニルを意味する。
【００１３】
【化３】 式中のＲは３，６−ジオキサ−１−ヘプチルを意味す
る。
る。
【００１４】
【化４】 式中のｘは（Ａ−３）では１０、（Ａ−４）では１４、
（Ａ−５）では２０の数値を意味し、Ｒはこれら３種類
の重合体のいずれにおいてもｎ−ペンチルを意味する。
（Ａ−５）では２０の数値を意味し、Ｒはこれら３種類
の重合体のいずれにおいてもｎ−ペンチルを意味する。
【００１５】層の感光性を増大させるため、電荷担体を
形成する化合物を増感剤として添加することができる。
このような化合物の例として、西独特許出願公開２２３
７５３９号および３１１０９５５号各公報に記載されて
いるペリレンテトラカルボン酸誘導体が挙げられる。
形成する化合物を増感剤として添加することができる。
このような化合物の例として、西独特許出願公開２２３
７５３９号および３１１０９５５号各公報に記載されて
いるペリレンテトラカルボン酸誘導体が挙げられる。
【００１６】同様に電荷担体をもたらすため電荷転送錯
体を形成することもできる。
体を形成することもできる。
【００１７】本発明によれば、液晶特性を有する低分子
量の、もしくは高分子量の化合物は、電荷転送錯体中に
おいて電子供与体あるいは電子受容体として作用し得
る。液晶特性を有する上記の低分子量もしくは高分子量
化合物は、一般に電荷供与体として作用する。
量の、もしくは高分子量の化合物は、電荷転送錯体中に
おいて電子供与体あるいは電子受容体として作用し得
る。液晶特性を有する上記の低分子量もしくは高分子量
化合物は、一般に電荷供与体として作用する。
【００１８】本発明による電荷転送錯化合物中のことに
好ましい低分子量電子受容体は、２，４，７−トリニト
ロフルオレノンであり、他の好ましい電子受容体は２，
４，７−トリニトロフルオレニリデン−９−マロンニト
リルである。
好ましい低分子量電子受容体は、２，４，７−トリニト
ロフルオレノンであり、他の好ましい電子受容体は２，
４，７−トリニトロフルオレニリデン−９−マロンニト
リルである。
【００１９】本発明によることに好ましい電荷転送錯化
合物は、電子供与体としてヘキサペンチルオキシトリフ
ェニレンを、電子受容体として２，４，７−トリニトロ
フルオレノンを有する。
合物は、電子供与体としてヘキサペンチルオキシトリフ
ェニレンを、電子受容体として２，４，７−トリニトロ
フルオレノンを有する。
【００２０】本発明による光電導体中に在る低分子量も
しくは高分子量有機化合物は、それ自体公知であるか、
あるいは慣用の方法で製造され得る（例えば重合体（Ａ
−１）から（Ａ−５）の製法が記載されている「アンゲ
バンテ、ヘミー」１０１（１９８９）９３４および１０
２（１９９０）１５２５参照）。
しくは高分子量有機化合物は、それ自体公知であるか、
あるいは慣用の方法で製造され得る（例えば重合体（Ａ
−１）から（Ａ−５）の製法が記載されている「アンゲ
バンテ、ヘミー」１０１（１９８９）９３４および１０
２（１９９０）１５２５参照）。
【００２１】本発明による光電導体は、一般に光電導性
薄層の状態で使用されるが、電子写真技術において使用
されているように、二層構造として電荷の生起と転送を
分けることもできる。この場合には、本発明による光電
導体は、電荷担体を生起させる慣用の増感剤層に隣接す
る光電導性電荷転送層中に存在する。この場合電荷は一
般に高電圧コロナ放電によりもたらされる。
薄層の状態で使用されるが、電子写真技術において使用
されているように、二層構造として電荷の生起と転送を
分けることもできる。この場合には、本発明による光電
導体は、電荷担体を生起させる慣用の増感剤層に隣接す
る光電導性電荷転送層中に存在する。この場合電荷は一
般に高電圧コロナ放電によりもたらされる。
【００２２】本発明による光電導性層は、化合物の溶融
体あるいは溶液をドクタナイフで担体層上に塗布するこ
とにより形成される。その際例えば均染特性改善のため
に種々の助剤を溶液に添加し得る。使用される溶媒は、
例えばテトラヒドロフラン、ジクロロメタンである。
体あるいは溶液をドクタナイフで担体層上に塗布するこ
とにより形成される。その際例えば均染特性改善のため
に種々の助剤を溶液に添加し得る。使用される溶媒は、
例えばテトラヒドロフラン、ジクロロメタンである。
【００２３】光電導性層の厚さは一般的に２から１００
μｍ、好ましくは４から５０μｍ、ことに４から３０μ
ｍになされる。
μｍ、好ましくは４から５０μｍ、ことに４から３０μ
ｍになされる。
【００２４】光電導体ないし光電導性層は、導電性コー
ティングを施こした２枚の透明基板、すなわちガラス板
または光学的透過性プラスチック、例えばポリ（メチル
メタクリレート）、ポリカーボネートの板の間に置かれ
る。基板上の導電性コーティングは導電性重合体、半導
体あるいは金属から構成されるが、その厚さは光学的電
導性を著しく阻害しないようになされる。ことに好まし
いコーティング材料はＩＴＯ（酸化インジウム錫）であ
る。
ティングを施こした２枚の透明基板、すなわちガラス板
または光学的透過性プラスチック、例えばポリ（メチル
メタクリレート）、ポリカーボネートの板の間に置かれ
る。基板上の導電性コーティングは導電性重合体、半導
体あるいは金属から構成されるが、その厚さは光学的電
導性を著しく阻害しないようになされる。ことに好まし
いコーティング材料はＩＴＯ（酸化インジウム錫）であ
る。
【００２５】この場合に光電流を生起せしめるため、導
電性コーティングを施こした両板体に５から５０Ｖの直
流電圧を印加する。
電性コーティングを施こした両板体に５から５０Ｖの直
流電圧を印加する。
【００２６】非配向状態におけるよりも高い光電導性が
もたらされる液晶ディスコチック相は、本発明により調
整される。この調整は種々の態様で行なわれ得るが、例
えば機械的に（伸張または剪断）あるいは電場もしくは
磁場により調整される。配向の調整は、また例えばポリ
イミドを含有しあるいはこれから成る下層の配向によっ
ても行なわれ得る。最も簡単な方法は加熱処理である。
もたらされる液晶ディスコチック相は、本発明により調
整される。この調整は種々の態様で行なわれ得るが、例
えば機械的に（伸張または剪断）あるいは電場もしくは
磁場により調整される。配向の調整は、また例えばポリ
イミドを含有しあるいはこれから成る下層の配向によっ
ても行なわれ得る。最も簡単な方法は加熱処理である。
【００２７】本発明による光電導体および光電導性フィ
ルムは、電子写真、レーザプリンター、オフセット印刷
あるいはマイクロエレクトロニクスにおける感光スイッ
チに使用され得る。
ルムは、電子写真、レーザプリンター、オフセット印刷
あるいはマイクロエレクトロニクスにおける感光スイッ
チに使用され得る。
【００２８】さらに分子配向による光電導性の増大を利
用し得るあらゆる技術領域において使用されることがで
きる。
用し得るあらゆる技術領域において使用されることがで
きる。
【００２９】
【実施例】以下の実施例１および２は、本発明による光
電導体および本発明による光電導性の増大方法の実施態
様に関するものであり、実施例３はその電子写真におけ
る使用態様に関するものである。
電導体および本発明による光電導性の増大方法の実施態
様に関するものであり、実施例３はその電子写真におけ
る使用態様に関するものである。
【００３０】有機光電導体は、実施例１および２におい
て以下のように使用された。
て以下のように使用された。
【００３１】有機光電導体は、導電性コーティングを施
こした２枚の透明ガラス基板間に配置し、測定セルとし
た。ガラス板間の間隔はスペーサにより５から１５μｍ
となるように調整され、導電性層を介して試料に電圧を
印加し、これにより生起せしめられる電流を測定した。
こした２枚の透明ガラス基板間に配置し、測定セルとし
た。ガラス板間の間隔はスペーサにより５から１５μｍ
となるように調整され、導電性層を介して試料に電圧を
印加し、これにより生起せしめられる電流を測定した。
【００３２】被験試料層を有するガラス測定セルは、測
定のため、室温から３００℃まで定常的割合で加熱され
得る加熱顕微鏡ステージ上に載置された。加熱ステージ
の被覆に形成された直径約５ｍの窓を経て、試料表面に
対し直角方向において、ハロゲンランプによりセルを照
射した（約０．０２ワット／ｃｍ2 ）。入射光束をチョ
ッパーで周波数１０Ｈｚに変調し、５０ｍｓｅｃパルス
の明期に同じ長さの暗期が続くようにした。
定のため、室温から３００℃まで定常的割合で加熱され
得る加熱顕微鏡ステージ上に載置された。加熱ステージ
の被覆に形成された直径約５ｍの窓を経て、試料表面に
対し直角方向において、ハロゲンランプによりセルを照
射した（約０．０２ワット／ｃｍ2 ）。入射光束をチョ
ッパーで周波数１０Ｈｚに変調し、５０ｍｓｅｃパルス
の明期に同じ長さの暗期が続くようにした。
【００３３】セルを２個の電極（透明ＩＴＯ電極）でピ
コ電流形と直列に、調節し得る電圧源に接続し、セルに
１０Ｖの直流電圧が印加され得るようにした。ピコ電流
計は試料を経てこれにより生起せしめられる電流、すな
わち光変調周波数で交番する暗期における暗流と、暗流
および明期における明流の合計とを測定した。
コ電流形と直列に、調節し得る電圧源に接続し、セルに
１０Ｖの直流電圧が印加され得るようにした。ピコ電流
計は試料を経てこれにより生起せしめられる電流、すな
わち光変調周波数で交番する暗期における暗流と、暗流
および明期における明流の合計とを測定した。
【００３４】ピコ電流計からのアナログ出力信号を、チ
ョッパからの基準周波数を受信するロックイン増幅器に
流した。変調周波数で変化する、ピコ電流計出力への電
圧貢献をここで測定した。これは明期および暗期に測定
されたセル電流の差に正比例し、従って光電流に比例し
た。
ョッパからの基準周波数を受信するロックイン増幅器に
流した。変調周波数で変化する、ピコ電流計出力への電
圧貢献をここで測定した。これは明期および暗期に測定
されたセル電流の差に正比例し、従って光電流に比例し
た。
【００３５】温度により変化する光電流を測定するた
め、セルを加熱ステージにおいて毎分５℃の割合で等方
性状態となるまで加熱した。この温度サイクルの間、上
述エレクトロニクス測定装置は作動状態に置かれた。温
度の関数としてのロックイン増幅器からの測定値が読取
られ、光電流単位に換算された。測定値は後掲の表に示
される。
め、セルを加熱ステージにおいて毎分５℃の割合で等方
性状態となるまで加熱した。この温度サイクルの間、上
述エレクトロニクス測定装置は作動状態に置かれた。温
度の関数としてのロックイン増幅器からの測定値が読取
られ、光電流単位に換算された。測定値は後掲の表に示
される。
【００３６】
【実施例１】数回の再結晶により精製された２，３，
６，７，１０，１１−ヘキサペンチルオキシトリフェニ
レン（ＨＰＴ）を、溶融体として導電性コーティングを
施こした２枚の透明ガラス板間に挿置してガラス測定セ
ル（層厚さ８μｍ）とし、１２５℃まで加熱する間の光
電流を上述したようにして測定した。その結果は下表に
示される。 上掲の表から、試料がディスコチック液晶範囲、すなわ
ち６０から１２５℃（最大限１２０℃）に在る間に光電
流は増大することが明らかである。ＨＰＴの相転移の文
献数値は６９℃であり、ディスコチック状態から等方性
状態への文献数値は１２２℃である（「ヌーボー、ジュ
ルナール、ド、シミー」２（１９７８）５３５における
Ｊ．ビリヤール、Ｊ．Ｃ．デュボア、レグエン、ユー、
ティンおよびＡ．ツァーンの論稿参照）。
６，７，１０，１１−ヘキサペンチルオキシトリフェニ
レン（ＨＰＴ）を、溶融体として導電性コーティングを
施こした２枚の透明ガラス板間に挿置してガラス測定セ
ル（層厚さ８μｍ）とし、１２５℃まで加熱する間の光
電流を上述したようにして測定した。その結果は下表に
示される。 上掲の表から、試料がディスコチック液晶範囲、すなわ
ち６０から１２５℃（最大限１２０℃）に在る間に光電
流は増大することが明らかである。ＨＰＴの相転移の文
献数値は６９℃であり、ディスコチック状態から等方性
状態への文献数値は１２２℃である（「ヌーボー、ジュ
ルナール、ド、シミー」２（１９７８）５３５における
Ｊ．ビリヤール、Ｊ．Ｃ．デュボア、レグエン、ユー、
ティンおよびＡ．ツァーンの論稿参照）。
【００３７】
【実施例２】数回にわたる再結晶で精製されたＨＰＴを
ジクロロメタンに溶解させ、これに混合物に対し１重量
％の２，４，７−トリニトロフルオレノン（ＴＮＦ）を
添加した。この混合物を１０分間撹拌し、溶媒を完全に
蒸散除去した。次いでこれを溶融させ、実施例１におけ
ると同様に導電性コーティングを施こした２枚の透明ガ
ラス板間に挿置した（層厚さ５μｍ）。相転移温度は、
結晶状態からディスコチック状態への場合が６６．５
℃、ディスコチック状態から等方性状態への場合が１２
６℃であった。
ジクロロメタンに溶解させ、これに混合物に対し１重量
％の２，４，７−トリニトロフルオレノン（ＴＮＦ）を
添加した。この混合物を１０分間撹拌し、溶媒を完全に
蒸散除去した。次いでこれを溶融させ、実施例１におけ
ると同様に導電性コーティングを施こした２枚の透明ガ
ラス板間に挿置した（層厚さ５μｍ）。相転移温度は、
結晶状態からディスコチック状態への場合が６６．５
℃、ディスコチック状態から等方性状態への場合が１２
６℃であった。
【００３８】実施例１と同様に行なわれた測定の結果、
定量的に同様な結果が得られた。ディスコチック相にお
ける光電導は、非液晶相におけるよりも著しく高度であ
った。
定量的に同様な結果が得られた。ディスコチック相にお
ける光電導は、非液晶相におけるよりも著しく高度であ
った。
【００３９】
【実施例３】 電子写真記録材料 電荷担体を生起させる層を形成するため、５ｇの増感剤
としてのＮ，Ｎ′−ビス−（２，６−ジクロロフェニ
ル）−ペリレン−３，４，９，１０−テトラカルボン酸
ジイミド（西独特許出願公開３１１０９５５号）を、ビ
ニルクロライド／アクリル酸／マレイン酸ジエステル共
重合体３ｇおよびテトラヒドロフラン２５ｇと混合し、
ビードミルで数時間混練した。さらに数時間ビードミル
で均質化した。
としてのＮ，Ｎ′−ビス−（２，６−ジクロロフェニ
ル）−ペリレン−３，４，９，１０−テトラカルボン酸
ジイミド（西独特許出願公開３１１０９５５号）を、ビ
ニルクロライド／アクリル酸／マレイン酸ジエステル共
重合体３ｇおよびテトラヒドロフラン２５ｇと混合し、
ビードミルで数時間混練した。さらに数時間ビードミル
で均質化した。
【００４０】これにより得られた懸濁液を、ドクタナイ
フ（間隙６０μｍ）で非処理アルミニウム板上に施こ
し、乾燥後の層厚さを約０．８μｍとした。層中の配向
を改善するため、これを３０℃において数日間保存し
た。
フ（間隙６０μｍ）で非処理アルミニウム板上に施こ
し、乾燥後の層厚さを約０．８μｍとした。層中の配向
を改善するため、これを３０℃において数日間保存し
た。
【００４１】このようにして得られた電子写真記録材料
は、１ｃｍの間隔で高電圧コロナ放電により−６５０Ｖ
の電位に帯電させ得る。これをネガチブパターンを介し
て露光処理し、電荷潜像を形成した。常法でトーナ処理
し、トーナ粉末画像は次いで紙に転写され、固定され
た。転写、固定されたトーナ粉末画像は細部に至るまで
ネガチブ原画に忠実なものであった。
は、１ｃｍの間隔で高電圧コロナ放電により−６５０Ｖ
の電位に帯電させ得る。これをネガチブパターンを介し
て露光処理し、電荷潜像を形成した。常法でトーナ処理
し、トーナ粉末画像は次いで紙に転写され、固定され
た。転写、固定されたトーナ粉末画像は細部に至るまで
ネガチブ原画に忠実なものであった。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 31/0344 // Ｂ４１Ｊ 2/385 9110−2Ｃ Ｂ４１Ｊ 3/16 １０１ (72)発明者 ディルク、フンホフ ドイツ連邦共和国、6900、ハイデルベル ク、パノラーマシュトラーセ、３アー (72)発明者 カール、ズィーメンスマイャー ドイツ連邦共和国、6710、フランケンター ル、エルンスト−ルートヴィヒ−キルヒナ ー−シュトラーセ、14 (72)発明者 ヘルムート、リングスドルフ ドイツ連邦共和国、6500、マインツ−ゴン ゼンハイム、ケールヴェーク、41 (72)発明者 ディートリッヒ、ハーラー ドイツ連邦共和国、8580、バイロイト、ハ ングヴェーク、30 (72)発明者 ペーター、シュトローリーグル ドイツ連邦共和国、8581、フムメルター ル、バイロイター、シュトラーセ、15アー
Claims (6)
- 【請求項１】 液晶特性を有する低分子量もしくは高分
子量有機化合物から成る光電導体であって、光電導性が
非液晶相におけるよりもディスコチック相において高
く、これがトリフェニレンもしくはトリフェニレン誘導
体であることを特徴とする光電導体。 - 【請求項２】 液晶特性を有する電荷転送錯体であっ
て、これが液晶特性を有する、少くとも１種類の低分子
量もしくは高分子量有機化合物から成る電子供与体もし
くは電子受容体により構成され、その光電導性が非液晶
相におけるよりもディスコチック相において高く、この
電子供与体がヘキサペンチルオキシトリフェニレン、電
子受容体が２，４，７−トリニトロフルオレノンである
ことを特徴とする光電導体。 - 【請求項３】 請求項（１）または（２）による光電導
体を含有することを特徴とする光電導性層。 - 【請求項４】 電導性層担体と、光電導性層とを有する
電子写真記録材であって、請求項（３）による光電導性
層が使用されていることを特徴とする記録材料。 - 【請求項５】 電導性担体、電荷担体を形成する増感剤
層および光電導性層を有する電子写真記録材料であっ
て、請求項（３）による光電導性層が使用されることを
特徴とする記録材料。 - 【請求項６】 液晶特性を有する光電導体における光電
導性を高める方法であって、光電導性の向上がディスコ
チック相の調整により行なわれ、このディスコチック相
の調整が加熱処理により行なわれることを特徴とする方
法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE4126496A DE4126496A1 (de) | 1991-08-10 | 1991-08-10 | Organische photoleiter mit fluessigkristallinen eigenschaften |
| DE4126496.7 | 1991-08-10 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05201142A true JPH05201142A (ja) | 1993-08-10 |
Family
ID=6438063
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4202358A Pending JPH05201142A (ja) | 1991-08-10 | 1992-07-29 | 液晶特性を有する光電導体、これを含有する光電導性層、これを有する電子写真記録材料ならびにその光電導性を高める方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5393626A (ja) |
| EP (1) | EP0527376B1 (ja) |
| JP (1) | JPH05201142A (ja) |
| DE (2) | DE4126496A1 (ja) |
| ES (1) | ES2109295T3 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0827284A (ja) * | 1994-05-13 | 1996-01-30 | Fuji Photo Film Co Ltd | 薄膜の製造方法、光学的異方性シートおよび液晶表示装置 |
| JP2003101060A (ja) * | 2001-09-20 | 2003-04-04 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 有機光電流増幅素子及びその製造方法 |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4325238A1 (de) * | 1993-07-28 | 1995-02-02 | Basf Ag | Organische Ladungstransportverbindungen mit flüssigkristallinen Eigenschaften |
| DE4343412A1 (de) * | 1993-12-18 | 1995-06-22 | Basf Ag | Elektrolumineszierende Anordnungen |
| DE4422332A1 (de) * | 1994-06-27 | 1996-01-04 | Basf Ag | Oligomere flüssigkristalline Triphenylenderivate und ihre Verwendung als Ladungstransportsubstanzen in der Elektrophotographie |
| DE4429597A1 (de) * | 1994-08-20 | 1996-02-22 | Basf Ag | Verwendung von in der kolumnar helicalen Phase vorliegenden niedermolekularen oder polymeren organischen Verbindungen mit flüssigkristallinen Eigenschaften |
| DE4445584A1 (de) * | 1994-12-20 | 1996-06-27 | Basf Ag | Verwendung von organischen Materialien hoher nichtionischer Ladungsträgerbeweglichkeit |
| DE19543637A1 (de) * | 1995-11-23 | 1997-05-28 | Basf Ag | Verwendung von in der plastisch-kolumnar diskotischen flüssigkristallinen Phase vorliegenden organischen Verbindungen zum Transport elektrischer Ladungen |
| US20010004107A1 (en) * | 1997-11-04 | 2001-06-21 | Junichi Hanna | Fluorescent liquid crystalline charge transfer materials |
| GB9827798D0 (en) * | 1998-12-17 | 1999-02-10 | Agency Ind Science Techn | Electron beam resist |
| DE10257711B4 (de) | 2001-12-27 | 2019-09-26 | Merck Patent Gmbh | Polymerisierbare monocyclische Verbindungen enthaltende Flüssigkristallmischungen |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3334056A1 (de) * | 1983-09-21 | 1985-04-18 | Basf Ag, 6700 Ludwigshafen | Fluessig-kristalline phasen bildende polymere |
| DE3906527A1 (de) * | 1989-03-02 | 1990-09-06 | Basf Ag | Polymere diskotisch fluessigkristalline ladungsuebertragungs(charge transfer)-komplexe, ihre herstellung und ihre verwendung |
| DE3907095A1 (de) * | 1989-03-06 | 1990-09-13 | Basf Ag | Niedermolekulare diskotisch fluessigkristalline ladungsuebertragungs(charge transfer)-komplexe |
| JPH02273338A (ja) * | 1989-04-13 | 1990-11-07 | Canon Inc | 情報記憶媒体 |
| US5030533A (en) * | 1989-11-27 | 1991-07-09 | Xerox Corporation | Photoconductive imaging members with liquid crystalline thermotropic polymers |
-
1991
- 1991-08-10 DE DE4126496A patent/DE4126496A1/de not_active Withdrawn
-
1992
- 1992-07-25 EP EP92112754A patent/EP0527376B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1992-07-25 ES ES92112754T patent/ES2109295T3/es not_active Expired - Lifetime
- 1992-07-25 DE DE59209057T patent/DE59209057D1/de not_active Expired - Fee Related
- 1992-07-29 JP JP4202358A patent/JPH05201142A/ja active Pending
-
1993
- 1993-12-16 US US08/167,066 patent/US5393626A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0827284A (ja) * | 1994-05-13 | 1996-01-30 | Fuji Photo Film Co Ltd | 薄膜の製造方法、光学的異方性シートおよび液晶表示装置 |
| JP2003101060A (ja) * | 2001-09-20 | 2003-04-04 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 有機光電流増幅素子及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0527376A1 (de) | 1993-02-17 |
| US5393626A (en) | 1995-02-28 |
| DE4126496A1 (de) | 1993-02-11 |
| EP0527376B1 (de) | 1997-12-10 |
| DE59209057D1 (de) | 1998-01-22 |
| ES2109295T3 (es) | 1998-01-16 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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