JPH05201765A - 焼結炭化ケイ素モノリスの調製用バインダーとしてのボロシラザン - Google Patents
焼結炭化ケイ素モノリスの調製用バインダーとしてのボロシラザンInfo
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- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/515—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
- C04B35/56—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides
- C04B35/565—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides based on silicon carbide
- C04B35/571—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides based on silicon carbide obtained from Si-containing polymer precursors or organosilicon monomers
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 高温高圧を要せずに高密度、高強度セラミッ
ク成形体を作る方法を提供する。 【構成】 セラミック前駆体ボロシラザン、炭化ケイ素
粉末及び、随意に、ボロシラザン用硬化剤を含む混合物
の熱分解により高密度セラミック体を調製する。そのよ
うな高密度セラミック体は加圧下での焼結又は非加圧焼
結過程で調製しうる。
ク成形体を作る方法を提供する。 【構成】 セラミック前駆体ボロシラザン、炭化ケイ素
粉末及び、随意に、ボロシラザン用硬化剤を含む混合物
の熱分解により高密度セラミック体を調製する。そのよ
うな高密度セラミック体は加圧下での焼結又は非加圧焼
結過程で調製しうる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、セラミック前駆体ボロ
シラザン、炭化ケイ素粉末、及び随意に前記ボロシラザ
ン用硬化剤を含む新規な混合物の熱分解により、高密度
セラミック体を調製することに関する。そのような高密
度セラミック体は、加熱下の焼結により、又は非加圧法
により調製しうる。
シラザン、炭化ケイ素粉末、及び随意に前記ボロシラザ
ン用硬化剤を含む新規な混合物の熱分解により、高密度
セラミック体を調製することに関する。そのような高密
度セラミック体は、加熱下の焼結により、又は非加圧法
により調製しうる。
【0002】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】炭化ケ
イ素セラミックスは、高温で非常に望ましい化学的、物
理的安定性を有するものとして、当技術分野で周知であ
る。そのようなものとして、それらは、多数の構造体用
途、例えば航空機エンジン及び自動車類の部品として並
びに種々の化学過程工業において用途を見出している。
イ素セラミックスは、高温で非常に望ましい化学的、物
理的安定性を有するものとして、当技術分野で周知であ
る。そのようなものとして、それらは、多数の構造体用
途、例えば航空機エンジン及び自動車類の部品として並
びに種々の化学過程工業において用途を見出している。
【0003】従来、炭化ケイ素セラミックスは、炭化ケ
イ素粉末の熱圧により作られて来た。この方法は、有効
ではあるが高温高圧を要するため非常に高価である。加
うるに、この方法では複雑な形状の物体を作るのは難し
い。
イ素粉末の熱圧により作られて来た。この方法は、有効
ではあるが高温高圧を要するため非常に高価である。加
うるに、この方法では複雑な形状の物体を作るのは難し
い。
【0004】本発明は、セラミック前駆体ボロシラザン
及び炭化ケイ素、粉末を含む混合物を焼結することによ
り高密度、高強度セラミック製品が予想外にも得られる
ことを初めて開示する。
及び炭化ケイ素、粉末を含む混合物を焼結することによ
り高密度、高強度セラミック製品が予想外にも得られる
ことを初めて開示する。
【0005】
【課題を解決するための手段及び発明の効果】本発明は
手で扱いうるグリーン体を調製する方法に関する。この
方法は、炭化ケイ素粉末、セラミック前駆体ボロシラザ
ン及び随意に、このボロシラザン用の架橋剤を含む新規
な、均一な混合物を配合することを含む。前記混合物中
に存在するセラミック前駆体ボロシラザンの量は、
(a)炭化ケイ素粉末及びセラミック前駆体ボロシラザ
ンから得られるチャーの総重量を基準にしてホウ素の量
が0.1〜3wt%であり、そして(b)この混合物の遊
離炭素値が、炭化ケイ素粉末及びセラミック前駆体ボロ
シリケートから得られるチャーの総重量を基準にして
0.1wt%より大きいような量である。硬化剤の量は、
もしそれが存在するならば、前記ボロシリケートを架橋
するに充分な量である。次いで、この混合物を圧力下
に、500℃未満の温度下で望みの形状に成形し、前記
手で扱いうるグリーン体を得る。
手で扱いうるグリーン体を調製する方法に関する。この
方法は、炭化ケイ素粉末、セラミック前駆体ボロシラザ
ン及び随意に、このボロシラザン用の架橋剤を含む新規
な、均一な混合物を配合することを含む。前記混合物中
に存在するセラミック前駆体ボロシラザンの量は、
(a)炭化ケイ素粉末及びセラミック前駆体ボロシラザ
ンから得られるチャーの総重量を基準にしてホウ素の量
が0.1〜3wt%であり、そして(b)この混合物の遊
離炭素値が、炭化ケイ素粉末及びセラミック前駆体ボロ
シリケートから得られるチャーの総重量を基準にして
0.1wt%より大きいような量である。硬化剤の量は、
もしそれが存在するならば、前記ボロシリケートを架橋
するに充分な量である。次いで、この混合物を圧力下
に、500℃未満の温度下で望みの形状に成形し、前記
手で扱いうるグリーン体を得る。
【0006】本発明は炭化ケイ素の焼結体を調製する方
法にも関する。この方法は、上述の成形された手で扱い
うるグリーン体を不活性雰囲気中で1900℃より高い
温度で焼結して2.6g/cm3 より大きい密度を持つ前
記焼結体を得るものである。
法にも関する。この方法は、上述の成形された手で扱い
うるグリーン体を不活性雰囲気中で1900℃より高い
温度で焼結して2.6g/cm3 より大きい密度を持つ前
記焼結体を得るものである。
【0007】本発明は、セラミック前駆体ボロシラザン
ポリマー及び炭化ケイ素粉末を含む組成物から非常に望
ましいモノリシスの焼結体を調製することに関する。本
発明の実行により得られる焼結体は約2.6g/cm
3 (これは炭化ケイ素の理論密度(3.21g/cm3 )
の約80%にあたる)より大きい密度を持つ。そのよう
な高密度化体は軽量耐火物セラミックスとして有用であ
る。
ポリマー及び炭化ケイ素粉末を含む組成物から非常に望
ましいモノリシスの焼結体を調製することに関する。本
発明の実行により得られる焼結体は約2.6g/cm
3 (これは炭化ケイ素の理論密度(3.21g/cm3 )
の約80%にあたる)より大きい密度を持つ。そのよう
な高密度化体は軽量耐火物セラミックスとして有用であ
る。
【0008】本発明の製品と方法は、先行技術の方法に
対していくつかのはっきりした利点を有する。第1に、
このグリーン体は高強度を有するので、焼結の前の手で
の取り扱いや機械加工を容易にする。第2にボロシラザ
ンを使用するので、追加の焼結助剤(例えばホウ素又は
アルミニウム)及び/又は炭素源をセラミック混合物に
添加する必要性を無くする。これは両方共、前記ボロシ
ラザンのポリマー構造の中に組込まれているからであ
る。第3に、前記ポリマー中に炭素とホウ素が組込まれ
ていることは、そのような薬剤が最終混合物中に均一に
分布させることを確保する。この均一な分布は、十分に
密な傷のないセラミックスの形成に不可欠である。最後
に、前記セラミック前混合物の組成は、プレスと焼結
と、又はトランスファー/射出成形と焼結とに適用させ
るような種々の成形方法に適応させるべく、変化させう
る。
対していくつかのはっきりした利点を有する。第1に、
このグリーン体は高強度を有するので、焼結の前の手で
の取り扱いや機械加工を容易にする。第2にボロシラザ
ンを使用するので、追加の焼結助剤(例えばホウ素又は
アルミニウム)及び/又は炭素源をセラミック混合物に
添加する必要性を無くする。これは両方共、前記ボロシ
ラザンのポリマー構造の中に組込まれているからであ
る。第3に、前記ポリマー中に炭素とホウ素が組込まれ
ていることは、そのような薬剤が最終混合物中に均一に
分布させることを確保する。この均一な分布は、十分に
密な傷のないセラミックスの形成に不可欠である。最後
に、前記セラミック前混合物の組成は、プレスと焼結
と、又はトランスファー/射出成形と焼結とに適用させ
るような種々の成形方法に適応させるべく、変化させう
る。
【0009】上に述べたように、本発明の物体はボロシ
ラザン及び炭化ケイ素粉末を含む混合物から形成され
る。ここに有用なボロシラザンは、当技術分野において
一般に周知であり、1)許容しうるチャー生成率、2)
熱分解の際に充分な遊離炭素を生じ、3)熱分解のとき
に充分な量のホウ素を生じるものなら殆ど何でも用いう
る。
ラザン及び炭化ケイ素粉末を含む混合物から形成され
る。ここに有用なボロシラザンは、当技術分野において
一般に周知であり、1)許容しうるチャー生成率、2)
熱分解の際に充分な遊離炭素を生じ、3)熱分解のとき
に充分な量のホウ素を生じるものなら殆ど何でも用いう
る。
【0010】1に関しては、一般にセラミックチャー収
率が約20wt%を越えて、ポリマーがセラミック材料に
変わりうるべきである。しかしながら、チャー収率は、
焼成の間のセラミックの収率に、逆比例して相関してい
るので、より高い収率、例えば30%超がしばしば好ま
しい。2に関しては、セラミックチャーが少なくとも1
0wt%の遊離炭素を含むボロシラザンが好ましく、少な
くとも30wt%を含むものがより好ましい。3に関して
は、約10wt%〜約30wt%のホウ素を含むチャーを生
ずるポリマーが好ましい。
率が約20wt%を越えて、ポリマーがセラミック材料に
変わりうるべきである。しかしながら、チャー収率は、
焼成の間のセラミックの収率に、逆比例して相関してい
るので、より高い収率、例えば30%超がしばしば好ま
しい。2に関しては、セラミックチャーが少なくとも1
0wt%の遊離炭素を含むボロシラザンが好ましく、少な
くとも30wt%を含むものがより好ましい。3に関して
は、約10wt%〜約30wt%のホウ素を含むチャーを生
ずるポリマーが好ましい。
【0011】ボロシラザンがこれらの規準を満たしてい
る限り、その構造は臨界的でない。このボロシラザンは
一般式〔R3 Si(NH)0.5 〕,〔R2 SiNH〕,
〔RSiNH1.5 〕,〔B(NH)1.5 〕,〔RBN
H〕,〔R2 B(NH)0.5 〕及び〔Si(NH)2 〕
(ここに、各Rは、独立に、水素、炭素原子数1〜20
のアルキル基、例えばメチル、エチル、プロピル等、フ
ェニル基及びビニル基からなる群から選ばれる。)の単
位を含んでいてよい。一般に、フェニル基を含むボロシ
ラザンは、セラミックチャーに遊離炭素を加えるので、
好ましい。ビニル基を含むボロシラザンも好ましい。そ
れは、ケイ素に付いたビニル基は、ボロシラザンが焼結
に先立って硬化しうるというメカニズムを与えるからで
ある。
る限り、その構造は臨界的でない。このボロシラザンは
一般式〔R3 Si(NH)0.5 〕,〔R2 SiNH〕,
〔RSiNH1.5 〕,〔B(NH)1.5 〕,〔RBN
H〕,〔R2 B(NH)0.5 〕及び〔Si(NH)2 〕
(ここに、各Rは、独立に、水素、炭素原子数1〜20
のアルキル基、例えばメチル、エチル、プロピル等、フ
ェニル基及びビニル基からなる群から選ばれる。)の単
位を含んでいてよい。一般に、フェニル基を含むボロシ
ラザンは、セラミックチャーに遊離炭素を加えるので、
好ましい。ビニル基を含むボロシラザンも好ましい。そ
れは、ケイ素に付いたビニル基は、ボロシラザンが焼結
に先立って硬化しうるというメカニズムを与えるからで
ある。
【0012】Rが殆ど独占的にメチル又は水素であるボ
ロシラザンは、一般に本発明に使用するに適当でない。
それは、得られるセラミックチャー中の遊離炭素が不充
分となるからである。好ましいボロシラザンは種々の量
の〔PhSi(NH)1.5 〕,〔Me2 SiVi(N
H)0.5 〕,〔B(NH)1.5 〕及び〔Ph2 SiN
H〕単位を含む。しかし他の単位、例えば〔ViSi
(NH)1.5 〕,〔PhMeSiNH〕,〔MeHSi
NH〕,〔MeViSiNH〕,〔Ph2 SiNH〕,
〔Me2 SiNH〕,〔Me3 Si(NH)0.5 〕等も
有用である。ボロシラザンの混合物もここで用いうる。
ロシラザンは、一般に本発明に使用するに適当でない。
それは、得られるセラミックチャー中の遊離炭素が不充
分となるからである。好ましいボロシラザンは種々の量
の〔PhSi(NH)1.5 〕,〔Me2 SiVi(N
H)0.5 〕,〔B(NH)1.5 〕及び〔Ph2 SiN
H〕単位を含む。しかし他の単位、例えば〔ViSi
(NH)1.5 〕,〔PhMeSiNH〕,〔MeHSi
NH〕,〔MeViSiNH〕,〔Ph2 SiNH〕,
〔Me2 SiNH〕,〔Me3 Si(NH)0.5 〕等も
有用である。ボロシラザンの混合物もここで用いうる。
【0013】本発明のボロシラザンは当技術分野で周知
の方法で調製しうる。しかしながら、好ましい方法は、
ホウ素化合物、好ましくはトリハロゲン化ホウ素又はボ
ランとクロロシランとをアンモニアの存在下で重合する
ことである。しかし、他の均等な方法もここに予想する
ことができる。それらはNiebylskiに与えられ
た米国特許No.4,910,173に記載されたもの、
Halnskaの米国特許No.4,482,689に記
載されたもの、Funayama et al.,International Sympos
ium on Organosilicon Chemistry Directed Towards Ma
terial Science, Abstructs, P.95 〜96、仙台、日本、
25〜29 March(1990)に記載されたもの、Seyferth et a
l.,J.Am.Gram.Soc.73, 2131-2133(1990) に記載された
もの、Noth, B.Anorg.Chem.Org.Chem.16(9), 618〜21(1
961)に記載されたもの、Arandらのヨーロッパ特許
No.364,323に記載されたもの及び船山らの特開
平2−84437に記載されたものがあるが、これらに
限られない。適当なボロシラザンの調製の特別な方法
は、本明細書の実施例にも記載されている。
の方法で調製しうる。しかしながら、好ましい方法は、
ホウ素化合物、好ましくはトリハロゲン化ホウ素又はボ
ランとクロロシランとをアンモニアの存在下で重合する
ことである。しかし、他の均等な方法もここに予想する
ことができる。それらはNiebylskiに与えられ
た米国特許No.4,910,173に記載されたもの、
Halnskaの米国特許No.4,482,689に記
載されたもの、Funayama et al.,International Sympos
ium on Organosilicon Chemistry Directed Towards Ma
terial Science, Abstructs, P.95 〜96、仙台、日本、
25〜29 March(1990)に記載されたもの、Seyferth et a
l.,J.Am.Gram.Soc.73, 2131-2133(1990) に記載された
もの、Noth, B.Anorg.Chem.Org.Chem.16(9), 618〜21(1
961)に記載されたもの、Arandらのヨーロッパ特許
No.364,323に記載されたもの及び船山らの特開
平2−84437に記載されたものがあるが、これらに
限られない。適当なボロシラザンの調製の特別な方法
は、本明細書の実施例にも記載されている。
【0014】セラミック前駆体ボロシラザンは、(a)
ホウ素の量が0.1〜3wt%で、(b)混合物の遊離炭
素値が0.1wt%より大きい量(いずれも炭化ケイ素粉
末と、セラミック前駆体ボロシラザンから得られるチャ
ーとの総重量を基準とする)となるような量で、本発明
の組成物中に存在する。
ホウ素の量が0.1〜3wt%で、(b)混合物の遊離炭
素値が0.1wt%より大きい量(いずれも炭化ケイ素粉
末と、セラミック前駆体ボロシラザンから得られるチャ
ーとの総重量を基準とする)となるような量で、本発明
の組成物中に存在する。
【0015】本発明における「混合物の遊離炭素値」の
意味するところは、炭化ケイ素粉末及びボロシラザンか
ら得られるチャーの総重量を基準にしたwt%で表わし
た、熱分解の間にボロシラザンから得られる遊離の又は
過剰の炭素の量である。
意味するところは、炭化ケイ素粉末及びボロシラザンか
ら得られるチャーの総重量を基準にしたwt%で表わし
た、熱分解の間にボロシラザンから得られる遊離の又は
過剰の炭素の量である。
【0016】セラミックチャーに含まれるホウ素は、窒
化ホウ素(従ってチャー中にいくらかの窒素を含有せし
める)、無定形ホウ素、等の形で存在しうる。ここで用
いられているように、ホウ素濃度は、上記のいずれかの
形で存在するものからなる。
化ホウ素(従ってチャー中にいくらかの窒素を含有せし
める)、無定形ホウ素、等の形で存在しうる。ここで用
いられているように、ホウ素濃度は、上記のいずれかの
形で存在するものからなる。
【0017】ボロシラザンから得られるホウ素と遊離炭
素の量は、高い温度で不活性ガスの存在下に安定なセラ
ミックチャーが得られるまで、炭化ケイ素の不存在下に
ボロシラザンを熱分解することにより測定される。本発
明にとって、「安定なセラミックチャー」は、高温で生
成され、高温にそれ以上さらしてもあまり重量減少が起
こらないセラミックチャーと定義される。通常安定なセ
ラミックチャーは1800℃で、約30分間、アルゴン
雰囲気下にて熱分解することにより得られる。安定なセ
ラミックチャーを形成するために他の高められた温度を
用いうるが、高められた温度にさらす期間は、1800
℃より低い温度の場合よりも増やす必要はない。
素の量は、高い温度で不活性ガスの存在下に安定なセラ
ミックチャーが得られるまで、炭化ケイ素の不存在下に
ボロシラザンを熱分解することにより測定される。本発
明にとって、「安定なセラミックチャー」は、高温で生
成され、高温にそれ以上さらしてもあまり重量減少が起
こらないセラミックチャーと定義される。通常安定なセ
ラミックチャーは1800℃で、約30分間、アルゴン
雰囲気下にて熱分解することにより得られる。安定なセ
ラミックチャーを形成するために他の高められた温度を
用いうるが、高められた温度にさらす期間は、1800
℃より低い温度の場合よりも増やす必要はない。
【0018】次いでセラミック収率並びに安定なセラミ
ックチャーのホウ素、ケイ素及び炭素の含量を測定す
る。混合物の法則を用いて、安定なセラミックチャーの
SiC及び遊離炭素の量を計算できる。こうして計算さ
れた遊離炭素の量が計算され、ホウ素の量は、通常セラ
ミック前駆体ボロシラザン1gあたり生成した量として
表示される。ボロシラザンの熱分解によって生じるホウ
素と遊離炭素の量を知ることによって、望みの量のホウ
素と望みの遊離炭素値を持ったボロシラザン/炭化ケイ
素混合物を得るために、どれ程のボロシラザンが必要で
あるかを決定することができる。当然のことであるが、
焼結体を調製するのに同じ又は非常によく似たボロシラ
ザンを使うのであれば、ホウ素とボロシラザン1gあた
り生成する遊離炭素との量をその都度決定する必要はな
い。
ックチャーのホウ素、ケイ素及び炭素の含量を測定す
る。混合物の法則を用いて、安定なセラミックチャーの
SiC及び遊離炭素の量を計算できる。こうして計算さ
れた遊離炭素の量が計算され、ホウ素の量は、通常セラ
ミック前駆体ボロシラザン1gあたり生成した量として
表示される。ボロシラザンの熱分解によって生じるホウ
素と遊離炭素の量を知ることによって、望みの量のホウ
素と望みの遊離炭素値を持ったボロシラザン/炭化ケイ
素混合物を得るために、どれ程のボロシラザンが必要で
あるかを決定することができる。当然のことであるが、
焼結体を調製するのに同じ又は非常によく似たボロシラ
ザンを使うのであれば、ホウ素とボロシラザン1gあた
り生成する遊離炭素との量をその都度決定する必要はな
い。
【0019】この過程を用いて、本発明の組成物を調製
するのに必要なボロシラザンの量を決定できる。この過
程を用いることによって、そうでなければ必要となるコ
スト高で時間のかかる試行錯誤を避けることができる。
するのに必要なボロシラザンの量を決定できる。この過
程を用いることによって、そうでなければ必要となるコ
スト高で時間のかかる試行錯誤を避けることができる。
【0020】添加さるべきボロシラザンの量を決定する
この過程をまとめると以下のステップとなる:
この過程をまとめると以下のステップとなる:
【0021】1)重量既知のボロシラザンを熱分解して
安定なチャーとする;
安定なチャーとする;
【0022】2)チャーを秤量して、出発化合物のwt%
で表示した結果、即ちボロシラザンの「チャー収率」を
得る;
で表示した結果、即ちボロシラザンの「チャー収率」を
得る;
【0023】3)得られたチャーを元素含量について分
析する;
析する;
【0024】4)混合物の法則を用いて、存在する全炭
素からケイ素に結合される炭素の量をさし引くことによ
りチャー中の「遊離炭素」の量を計算する。得られた値
を出発材料1gあたり生成した遊離炭素として表示す
る。出発材料1gあたり生じたホウ素の量も計算する;
そして
素からケイ素に結合される炭素の量をさし引くことによ
りチャー中の「遊離炭素」の量を計算する。得られた値
を出発材料1gあたり生成した遊離炭素として表示す
る。出発材料1gあたり生じたホウ素の量も計算する;
そして
【0025】与えられた遊離炭素値又はホウ素濃度に対
して加えられるべきボロシラザンの量を次式を用いて計
算する:
して加えられるべきボロシラザンの量を次式を用いて計
算する:
【0026】
【数1】
【0027】ここに、FCB=ボロシラザン1gあたり
生成した遊離炭素のグラム数;〔B〕=モノリス中のホ
ウ素濃度;FCV=モノリス中の遊離炭素濃度;B=ボ
ロシラザンのグラム数;ABB=ボロシラザン1gあた
り生成するホウ素の量;及びCYB=ボロシラザンのチ
ャー収率。
生成した遊離炭素のグラム数;〔B〕=モノリス中のホ
ウ素濃度;FCV=モノリス中の遊離炭素濃度;B=ボ
ロシラザンのグラム数;ABB=ボロシラザン1gあた
り生成するホウ素の量;及びCYB=ボロシラザンのチ
ャー収率。
【0028】混合物の遊離炭素値は、炭化ケイ素粉末及
びボロシラザンから得られるチャーの総重量に基づいて
0.1wt%より大きくなければならない。遊離炭素値が
約0.1wt%未満では、焼結体の密度は、一般に約2.
6g/cm3 (理論値の80%)未満に落ちるであろう。
混合物の遊離炭素値は、一般に0.5%より大きい方が
好ましい。この場合には焼結体の、得られた密度が理論
値の約85%より大きくなる。混合物の遊離炭素値は
0.5〜10.0wt%である方がより好ましく、1.0
〜4.0wt%であるのが更に好ましい。最適密度は、一
般に混合物の遊離炭素値が約1.5〜2.0wt%のとき
に得られる。
びボロシラザンから得られるチャーの総重量に基づいて
0.1wt%より大きくなければならない。遊離炭素値が
約0.1wt%未満では、焼結体の密度は、一般に約2.
6g/cm3 (理論値の80%)未満に落ちるであろう。
混合物の遊離炭素値は、一般に0.5%より大きい方が
好ましい。この場合には焼結体の、得られた密度が理論
値の約85%より大きくなる。混合物の遊離炭素値は
0.5〜10.0wt%である方がより好ましく、1.0
〜4.0wt%であるのが更に好ましい。最適密度は、一
般に混合物の遊離炭素値が約1.5〜2.0wt%のとき
に得られる。
【0029】もし、ポリマー中に望みの量の遊離炭素が
含有せしめられないのであれば、追加の炭素源を加えて
もよい。前記配合に用いられる過程は、EP公告No.0
439 494、1991年7月3日発行、題名“Mu
lticomponent Binders for SiC Powders”、発明者Gary
Thomas Burns, Ronald Keller, Willard Hauth andCha
ndan Kumar Sahaに記述され特許請求されている。
含有せしめられないのであれば、追加の炭素源を加えて
もよい。前記配合に用いられる過程は、EP公告No.0
439 494、1991年7月3日発行、題名“Mu
lticomponent Binders for SiC Powders”、発明者Gary
Thomas Burns, Ronald Keller, Willard Hauth andCha
ndan Kumar Sahaに記述され特許請求されている。
【0030】本発明において、焼結を促進するためにホ
ウ素が必要である。一般に、ボロシラザンから得られる
ホウ素の量は、炭化ケイ素及びボロシラザンから得られ
るチャーの総重量を基準にして約0.1〜3.0wt%に
等しいものであるべきである。この量より少ないと適切
な焼結が妨げられ、この量より多いと、屡々望みの密度
を持たない製品となる。
ウ素が必要である。一般に、ボロシラザンから得られる
ホウ素の量は、炭化ケイ素及びボロシラザンから得られ
るチャーの総重量を基準にして約0.1〜3.0wt%に
等しいものであるべきである。この量より少ないと適切
な焼結が妨げられ、この量より多いと、屡々望みの密度
を持たない製品となる。
【0031】もし望みの量のホウ素がポリマー中に配合
できないのであれば、焼結を促進する追加の成分を混合
物に添加してよい。このようなものとしては、鉄、Fe
3 C、マグネシウム、MgC3 、リチウム、Li
2 C2 、ベリリウム、Be2 C、ホウ素、ホウ素含有化
合物、アルミニウム、アルミニウム含有化合物並びに金
属酸化物、例えば酸化トリウム、酸化イットリウム、酸
化ランタン及び酸化セリウムがある。これらの金属含有
焼結助剤は、Negita, “Effective Sintering Aids for
Silicon Carbide Ceramics : Reactivities of Silico
n Carbide with Varions Additives, ”69 J.Am.Ceram.
Soc.C-308(1986) に述べられている。Negitaの提
案する他の金属含有焼結助剤も、本発明の実施に有効で
あろう。
できないのであれば、焼結を促進する追加の成分を混合
物に添加してよい。このようなものとしては、鉄、Fe
3 C、マグネシウム、MgC3 、リチウム、Li
2 C2 、ベリリウム、Be2 C、ホウ素、ホウ素含有化
合物、アルミニウム、アルミニウム含有化合物並びに金
属酸化物、例えば酸化トリウム、酸化イットリウム、酸
化ランタン及び酸化セリウムがある。これらの金属含有
焼結助剤は、Negita, “Effective Sintering Aids for
Silicon Carbide Ceramics : Reactivities of Silico
n Carbide with Varions Additives, ”69 J.Am.Ceram.
Soc.C-308(1986) に述べられている。Negitaの提
案する他の金属含有焼結助剤も、本発明の実施に有効で
あろう。
【0032】好ましい焼結助剤は、ホウ素、ホウ素含有
化合物、アルミニウム及びアルミニウム含有化合物から
成る群から選ばれる。ホウ素含有焼結助剤としては炭化
ホウ素、水素化ホウ素リチウム、トリビニルホウ素、ト
リフェニルホウ素、六ホウ化ケイ素、H3 BO3 ,B2
O3 等からなる群から選ばれる。アルミニウム含有焼結
剤の例としては、酸化アルミニウム、窒化アルミニウ
ム、二ホウ化アルミニウム等がある。最も好ましい焼結
助剤はホウ素と炭化ホウ素である。焼結助剤の混合物も
用いうる。
化合物、アルミニウム及びアルミニウム含有化合物から
成る群から選ばれる。ホウ素含有焼結助剤としては炭化
ホウ素、水素化ホウ素リチウム、トリビニルホウ素、ト
リフェニルホウ素、六ホウ化ケイ素、H3 BO3 ,B2
O3 等からなる群から選ばれる。アルミニウム含有焼結
剤の例としては、酸化アルミニウム、窒化アルミニウ
ム、二ホウ化アルミニウム等がある。最も好ましい焼結
助剤はホウ素と炭化ホウ素である。焼結助剤の混合物も
用いうる。
【0033】本発明の組成物は、又炭化ケイ素粉末を含
む。これら材料の多数は商業的に入手可能であり、当技
術分野で周知である。α−SiC及びβ−SiCの両方
も、又これらの混合物も用いうる。一般に平均粒度が約
10μm未満のSiC粉末が好ましい。平均粒度が5μ
mより小さい粉末がより好ましく、平均粒度が1μmよ
り小さいものが更に好ましい。
む。これら材料の多数は商業的に入手可能であり、当技
術分野で周知である。α−SiC及びβ−SiCの両方
も、又これらの混合物も用いうる。一般に平均粒度が約
10μm未満のSiC粉末が好ましい。平均粒度が5μ
mより小さい粉末がより好ましく、平均粒度が1μmよ
り小さいものが更に好ましい。
【0034】本発明の組成物は、焼結に先立ってボロシ
ラザンの架橋に用いられる架橋剤をも含んでよい。その
場合に生じるグリーン体は、一般に末硬化品よりも高い
強度を持ち、従って、焼結の前の手による取り扱いや機
械加工によりよく耐えうる。これらの硬化剤は、硬化剤
を含有するグリーン体を50〜300℃の温度に加熱す
ること(即ち、ラジカル前駆体の活性化)により活性化
しうるし、又それらは室温で架橋しうる。
ラザンの架橋に用いられる架橋剤をも含んでよい。その
場合に生じるグリーン体は、一般に末硬化品よりも高い
強度を持ち、従って、焼結の前の手による取り扱いや機
械加工によりよく耐えうる。これらの硬化剤は、硬化剤
を含有するグリーン体を50〜300℃の温度に加熱す
ること(即ち、ラジカル前駆体の活性化)により活性化
しうるし、又それらは室温で架橋しうる。
【0035】そのような硬化剤は当技術分野で周知であ
る。それらの例としては、有機前駆体のようなラジカル
前駆体、例えばジベンゾイルパーオキサイド、ビス−p
−クロロベンゾールパーオキサイド、ビス−2,4−ジ
クロロベンゾールパーオキサイド、ジ−t−ブチルパー
オキサイド、ジクミルパーオキサイド、t−ブチルパー
ベンゾエート、2,5−ビス(t−ブチルパーオキシ)
−2,3−ジメチルヘキサン及びt−ブチルパーアセテ
ート;並びに白金含有硬化剤、例えば白金金属、H2 P
tCl6 及び((C4 H9 )3 P)2 PtCl2 があ
る。他の当技術分野で知られた硬化剤も用いうる。
る。それらの例としては、有機前駆体のようなラジカル
前駆体、例えばジベンゾイルパーオキサイド、ビス−p
−クロロベンゾールパーオキサイド、ビス−2,4−ジ
クロロベンゾールパーオキサイド、ジ−t−ブチルパー
オキサイド、ジクミルパーオキサイド、t−ブチルパー
ベンゾエート、2,5−ビス(t−ブチルパーオキシ)
−2,3−ジメチルヘキサン及びt−ブチルパーアセテ
ート;並びに白金含有硬化剤、例えば白金金属、H2 P
tCl6 及び((C4 H9 )3 P)2 PtCl2 があ
る。他の当技術分野で知られた硬化剤も用いうる。
【0036】この硬化剤は有効量、即ち、ボロシラザン
に架橋を引起こすに充分な量存在する。従って架橋剤の
実際の量は、用いられた実際の薬剤の活性及び存在する
ボロシラザンの量いかによるであろう。しかし通常過酸
化物硬化剤は、硬化さるべき化合物の重量を基準にして
約0.1〜5.0wt%好ましくは約2.0wt%存在する
であろう。白金含有硬化剤を用いるときは、その量は、
通常、硬化さるべき化合物の重量を基準にして白金が約
1〜1000ppm 、好ましくは約50〜150ppm 存在
するようなものであろう。
に架橋を引起こすに充分な量存在する。従って架橋剤の
実際の量は、用いられた実際の薬剤の活性及び存在する
ボロシラザンの量いかによるであろう。しかし通常過酸
化物硬化剤は、硬化さるべき化合物の重量を基準にして
約0.1〜5.0wt%好ましくは約2.0wt%存在する
であろう。白金含有硬化剤を用いるときは、その量は、
通常、硬化さるべき化合物の重量を基準にして白金が約
1〜1000ppm 、好ましくは約50〜150ppm 存在
するようなものであろう。
【0037】室温架橋剤の例としては、多官能性有機ケ
イ素化合物例えばシラン類、シラザン類又はシロキサン
類がある。好ましい架橋剤はSi−H官能結合を有する
シラザンである。
イ素化合物例えばシラン類、シラザン類又はシロキサン
類がある。好ましい架橋剤はSi−H官能結合を有する
シラザンである。
【0038】他の架橋助剤、例えば滑剤、解膠剤及び分
散剤の添加も本発明の範囲に属する。そのような化合物
の例としては、ステアリン酸、鉱油、パラフィン、ステ
アリン酸カルシウム、ステアリン酸アルミニウム、コハ
ク酸、スクシンイミド、コハク酸無水物又はOloa
1200TMのような種々の商業的製品がある。
散剤の添加も本発明の範囲に属する。そのような化合物
の例としては、ステアリン酸、鉱油、パラフィン、ステ
アリン酸カルシウム、ステアリン酸アルミニウム、コハ
ク酸、スクシンイミド、コハク酸無水物又はOloa
1200TMのような種々の商業的製品がある。
【0039】望みの量の種々の成分は、焼結製品の全体
を通じて密度の異なる領域が生ずるのを避けるために、
望みの量の種々の成分が、一様で均質な混合物を確保す
るように組合わされる。これらの混合物は、乾燥又は湿
潤した状態で種々の粉末を粉砕したり超音波分散したり
などの従来の配合技術を用いて作ることができる。一般
に湿潤粉砕が好ましい。この場合、種々の粉末を混合
し、有機溶剤と共に粉砕し、その後この溶剤を除く。他
の混合及び粉砕の方法は当業者に明らかであろう。
を通じて密度の異なる領域が生ずるのを避けるために、
望みの量の種々の成分が、一様で均質な混合物を確保す
るように組合わされる。これらの混合物は、乾燥又は湿
潤した状態で種々の粉末を粉砕したり超音波分散したり
などの従来の配合技術を用いて作ることができる。一般
に湿潤粉砕が好ましい。この場合、種々の粉末を混合
し、有機溶剤と共に粉砕し、その後この溶剤を除く。他
の混合及び粉砕の方法は当業者に明らかであろう。
【0040】次いでこの一様で均質な混合物は手で扱い
うる望みの形状のグリーン体に成形される。「手で扱い
うるグリーン体」とは、焼結の前に、望みの形状に取扱
ったり機械加工したりするに充分なグリーン強度を持っ
ているグリーン体を表わすための用語である。一般に、
本発明の実際においては、グリーン強度500psi 又は
それ以上を得ることができる。
うる望みの形状のグリーン体に成形される。「手で扱い
うるグリーン体」とは、焼結の前に、望みの形状に取扱
ったり機械加工したりするに充分なグリーン強度を持っ
ているグリーン体を表わすための用語である。一般に、
本発明の実際においては、グリーン強度500psi 又は
それ以上を得ることができる。
【0041】このグリーン体は当技術分野で知られてい
る従来法で成形しうる。そのような方法としては、加圧
成形、一軸プレス、アイソプレス(isopressi
ng)、押出し、トランスファー成形、射出成形等があ
る。この前セラミック混合物の組成物は、焼結製品の品
質に影響を与えることなく多数の成形方法の使用に適応
させるべく容易に変化させうるので、この点で本発明は
特に有利である。
る従来法で成形しうる。そのような方法としては、加圧
成形、一軸プレス、アイソプレス(isopressi
ng)、押出し、トランスファー成形、射出成形等があ
る。この前セラミック混合物の組成物は、焼結製品の品
質に影響を与えることなく多数の成形方法の使用に適応
させるべく容易に変化させうるので、この点で本発明は
特に有利である。
【0042】上記成形体は、好ましくは、その最終名の
造形に先立って好ましくは硬化する。硬化過程は当技術
分野で周知である。一般に、そのような硬化は、好まし
くはアルゴン又は窒素のような不活性雰囲気中で約50
〜450℃の温度に物品を加熱することにより実施しう
る。
造形に先立って好ましくは硬化する。硬化過程は当技術
分野で周知である。一般に、そのような硬化は、好まし
くはアルゴン又は窒素のような不活性雰囲気中で約50
〜450℃の温度に物品を加熱することにより実施しう
る。
【0043】前セラミック混合物はボロシラザンを含む
ので、上記方法で成形されたグリーン体は、一般に、取
扱ったり機械加工、フライス削り等の方法で造形したり
するに充分な強度を一般に持っている。これは、こわれ
易い対象を取扱うときに伴なわれる問題を緩和するだけ
でなく、製品デザインを柔軟にしてより複雑な形状を作
り出すことを可能にする。
ので、上記方法で成形されたグリーン体は、一般に、取
扱ったり機械加工、フライス削り等の方法で造形したり
するに充分な強度を一般に持っている。これは、こわれ
易い対象を取扱うときに伴なわれる問題を緩和するだけ
でなく、製品デザインを柔軟にしてより複雑な形状を作
り出すことを可能にする。
【0044】一旦最終の形状が得られると、この物品
は、不活性雰囲気中及び/又は真空下に1900℃又は
それ以上の温度で焼結する。好ましい焼結温度は、約1
950〜2200℃であり、より好ましくは約2070
℃である。
は、不活性雰囲気中及び/又は真空下に1900℃又は
それ以上の温度で焼結する。好ましい焼結温度は、約1
950〜2200℃であり、より好ましくは約2070
℃である。
【0045】本発明の組成物は、加圧下に、又は非加圧
過程を用いて焼結しうる。加圧を用いる焼結過程は、一
般により高い密度のセラミック品を生ずるので、最大の
密度が望まれるときは、そのような方法が好ましい。し
かし、一般に非加圧焼結過程が好ましい。それは操作が
簡単だからである。
過程を用いて焼結しうる。加圧を用いる焼結過程は、一
般により高い密度のセラミック品を生ずるので、最大の
密度が望まれるときは、そのような方法が好ましい。し
かし、一般に非加圧焼結過程が好ましい。それは操作が
簡単だからである。
【0046】熱分解の間は、セラミック中に酸素が含ま
れるのを防ぐために、不活性雰囲気が用いられる。それ
によって焼結製品の密度だけでなく焼結過程も高めるこ
とができる。本発明にとっては、不活性雰囲気とは、不
活性ガス、真空又はその両方を含む意味である。不活性
ガスを用いるのであれば、それは、例えば、アルゴン、
ヘリウム又は窒素でありうる。真空を用いるのならば、
それは例えば0.1〜200トル、好ましくは0.1〜
0.3トルである。組合わせ過程の例をあげれば、組成
物をアルゴン中で1150℃迄焼成し、真空中で115
0〜1575℃で焼成し、そしてアルゴン中で1575
〜2070℃で焼成する。
れるのを防ぐために、不活性雰囲気が用いられる。それ
によって焼結製品の密度だけでなく焼結過程も高めるこ
とができる。本発明にとっては、不活性雰囲気とは、不
活性ガス、真空又はその両方を含む意味である。不活性
ガスを用いるのであれば、それは、例えば、アルゴン、
ヘリウム又は窒素でありうる。真空を用いるのならば、
それは例えば0.1〜200トル、好ましくは0.1〜
0.3トルである。組合わせ過程の例をあげれば、組成
物をアルゴン中で1150℃迄焼成し、真空中で115
0〜1575℃で焼成し、そしてアルゴン中で1575
〜2070℃で焼成する。
【0047】焼結中は窒素を用いるのが特に好ましい。
それは、β−SiC粒子のα−SiC粒子への変換を減
らすからである。この変換の抑制は、セラミック形成に
おいて特に有利である。それは大きなα−SiC粒子は
最終的な密度高化を妨げ、かくしてセラミック製品の傷
跡となるであろうからである。しかしながら、窒素の使
用は焼結速度を減じるから、屡々焼成温度を高めること
が必要となる。
それは、β−SiC粒子のα−SiC粒子への変換を減
らすからである。この変換の抑制は、セラミック形成に
おいて特に有利である。それは大きなα−SiC粒子は
最終的な密度高化を妨げ、かくしてセラミック製品の傷
跡となるであろうからである。しかしながら、窒素の使
用は焼結速度を減じるから、屡々焼成温度を高めること
が必要となる。
【0048】焼成は、炉の雰囲気を調整する手段を備え
た従の高温炉のいずれででも実施しうる。そのような炉
は当技術分野において周知であり、多数が商業的に入手
可能である。
た従の高温炉のいずれででも実施しうる。そのような炉
は当技術分野において周知であり、多数が商業的に入手
可能である。
【0049】焼結の温度スケジュールは、焼成さるべき
部品の体積及び混合物の組成の両方に依存している。比
較的小さな物品については、温度は比較的速く高められ
うる。しかし、比較的大きな物品又はボロシラザンの濃
度の高いものは、均一なセラミック体を得るために、比
較的長いプログラムが必要である。
部品の体積及び混合物の組成の両方に依存している。比
較的小さな物品については、温度は比較的速く高められ
うる。しかし、比較的大きな物品又はボロシラザンの濃
度の高いものは、均一なセラミック体を得るために、比
較的長いプログラムが必要である。
【0050】理論に制約されたくないが、ボロシラザン
から得られる遊離炭素は、高密度焼結体の形成に、2つ
の異なった役割を演じていると考えられる。第1に、そ
れは炭化ケイ素粉末中に存在する酸素を除くのを助け
る。第2に、それは明らかに追加の焼結助剤として働
く。炭化ケイ素粉末は屡々、所謂「遊離炭素」を含む。
しかし、炭化ケイ素粉末中に存在する「遊離炭素」はボ
ロシラザンから現場で発生する遊離炭素程活性でもなけ
れば有効でもないようである。現場で生成する遊離炭素
が化学的により活性なのか、それともそれは単に均一に
分散されているのか明らかでない。いずれにせよ、混合
物の遊離炭素値(先に定義した)が、約1.5wt%であ
るとき、最高の密度の焼結体が得られる。
から得られる遊離炭素は、高密度焼結体の形成に、2つ
の異なった役割を演じていると考えられる。第1に、そ
れは炭化ケイ素粉末中に存在する酸素を除くのを助け
る。第2に、それは明らかに追加の焼結助剤として働
く。炭化ケイ素粉末は屡々、所謂「遊離炭素」を含む。
しかし、炭化ケイ素粉末中に存在する「遊離炭素」はボ
ロシラザンから現場で発生する遊離炭素程活性でもなけ
れば有効でもないようである。現場で生成する遊離炭素
が化学的により活性なのか、それともそれは単に均一に
分散されているのか明らかでない。いずれにせよ、混合
物の遊離炭素値(先に定義した)が、約1.5wt%であ
るとき、最高の密度の焼結体が得られる。
【0051】加えて、ボロシラザンの形でホウ素を添加
するのは有利である。それは、この形で添加すると分布
がより一様となり、従って全体としてより少ない量を用
いうるからである。更に、このように少ない量でも、焼
結体は、ホウ素を別に加えた場合よりも高い密度と高い
平均強度を有するのである。
するのは有利である。それは、この形で添加すると分布
がより一様となり、従って全体としてより少ない量を用
いうるからである。更に、このように少ない量でも、焼
結体は、ホウ素を別に加えた場合よりも高い密度と高い
平均強度を有するのである。
【0052】上記方法により理論値の約80%より高い
密度のセラミック品が形成される。セラミック品の密度
は、理論値の約85%(2.7g/cm3 )より大きいこ
とが好ましい。密度は約2.9g/cm3 (理論値の90
%)より大きいことがより好ましい。密度は約3.05
g/cm3 (理論値の95%)より大きいことが最も望ま
しい。
密度のセラミック品が形成される。セラミック品の密度
は、理論値の約85%(2.7g/cm3 )より大きいこ
とが好ましい。密度は約2.9g/cm3 (理論値の90
%)より大きいことがより好ましい。密度は約3.05
g/cm3 (理論値の95%)より大きいことが最も望ま
しい。
【0053】
【実施例】当業者が本発明を評価し理解しうるようにす
るために、以下の実施例を示す。特に断わらない限り全
ての%は重量基準である。この明細書を通じて“Ph”
はフェニルキを示し、“Vi”はビニル基を示し、
“B”はホウ素含量を示す。
るために、以下の実施例を示す。特に断わらない限り全
ての%は重量基準である。この明細書を通じて“Ph”
はフェニルキを示し、“Vi”はビニル基を示し、
“B”はホウ素含量を示す。
【0054】以下の例において、用いた分析法は次のよ
うである:
うである:
【0055】プロトンNMRスペクトルはVarion
EM390(商標)スペクトロメーターに記録し、そ
の結果は、ここではppm で示した;フーリエ変換IRス
ペクトルはPerkin Elmer(商標)Seri
es 1600スペクトロメーターに記載した。ゲル透
過クロマトグラフィー(GPC)データは、モデル60
0Eシステム制御器、モデル490UV及びモデル41
0示差屈折検出器を備えたWaters GPC(商
標)に得られた。全ての値はポリスチレン換算である。
TMAデータはDmnitherm 2066 Com
puter(商標)にインタフェースで接続されたDu
Pont(商標)940熱機械分析器(TMA)に記
録した。
EM390(商標)スペクトロメーターに記録し、そ
の結果は、ここではppm で示した;フーリエ変換IRス
ペクトルはPerkin Elmer(商標)Seri
es 1600スペクトロメーターに記載した。ゲル透
過クロマトグラフィー(GPC)データは、モデル60
0Eシステム制御器、モデル490UV及びモデル41
0示差屈折検出器を備えたWaters GPC(商
標)に得られた。全ての値はポリスチレン換算である。
TMAデータはDmnitherm 2066 Com
puter(商標)にインタフェースで接続されたDu
Pont(商標)940熱機械分析器(TMA)に記
録した。
【0056】炭素、水素及び窒素の分析はControl Equi
pment Corporation 240-XA Elemental Analizer(商標)
で行なった。ケイ素とホウ素は、材料をケイ素及びホウ
素の溶解形態に変換し、溶質を全ケイ素又は全ホウ素に
ついて原子吸光測定により分析することからなる溶融法
で測定した。
pment Corporation 240-XA Elemental Analizer(商標)
で行なった。ケイ素とホウ素は、材料をケイ素及びホウ
素の溶解形態に変換し、溶質を全ケイ素又は全ホウ素に
ついて原子吸光測定により分析することからなる溶融法
で測定した。
【0057】試験片は、Carver(商標)実験室用
成形機(Fred S.Carver Inc.,Summit, N.J.)で成形し
た。熱分解は、Eurotherm Controller/Pragrammer Mod
el 822(商標)を備えたAstro(商標)グラファイ
ト製チューブ炉モデル1000−3060−FP12中
で行なった。この炉は、900℃を越える温度を監視す
るためにIrcon Modeline Plus(商
標)光学高温計を備えていた。焼成密度はASTM C
373−72に従って水浸漬法により測定した。機械加
工試験片はMil.Std.1942(MR)に従って
調製した。曲げ強度(4点曲げ法を使用)はモデルTT
C又はモデル8562インストロン装置で測定した。
成形機(Fred S.Carver Inc.,Summit, N.J.)で成形し
た。熱分解は、Eurotherm Controller/Pragrammer Mod
el 822(商標)を備えたAstro(商標)グラファイ
ト製チューブ炉モデル1000−3060−FP12中
で行なった。この炉は、900℃を越える温度を監視す
るためにIrcon Modeline Plus(商
標)光学高温計を備えていた。焼成密度はASTM C
373−72に従って水浸漬法により測定した。機械加
工試験片はMil.Std.1942(MR)に従って
調製した。曲げ強度(4点曲げ法を使用)はモデルTT
C又はモデル8562インストロン装置で測定した。
【0058】用いたSiC粉末は、約5〜8wt%のα−
SiCと95〜92wt%のβ−SiCの混合物であるI
BIDEN BETARUNDUM UF(商標)炭化
ケイ素であった。
SiCと95〜92wt%のβ−SiCの混合物であるI
BIDEN BETARUNDUM UF(商標)炭化
ケイ素であった。
【0059】(例1)(PhSi(NH)1.5 )
0.15(B(NH)1.5 )0.22(Ph2 SiViO0. 5 )
0.25(C3 H6 SiNH)0.38の組成の焼結される試験
片を次のようにして調製した。
0.15(B(NH)1.5 )0.22(Ph2 SiViO0. 5 )
0.25(C3 H6 SiNH)0.38の組成の焼結される試験
片を次のようにして調製した。
【0060】ポリマーの合成のために53.6g(0.
38モル)のC3 H6 SiCl2 、63.2g(0.2
5モル)のPh2 SiCl2 、31.7g(0.15モ
ル)のPhSiCl3 及び55g(0.22モル)のB
Br3 をオーバーヘッドスターラーを備えた3L3つ口
フラスコにアルゴンの下で装入した。上記混合物を1.
5Lのトルエンに溶解しドライアイスイソプロパノール
アルコール浴で−78℃に冷却した。次いでアンモニア
を反応物表面下に、反応が内部温度を10℃を越えて温
めることのないような速度で加えた。2時間後に、アン
モニアを停止し、上記アイスバスを除き、16時間にわ
たって反応が周囲温度に温まるに任せた。トルエン溶液
を濾過し濾液を真空中で濃縮した。得られたポリマーを
150℃でストリップし、全揮発物を除いた。樹脂収率
89.5%を得た。
38モル)のC3 H6 SiCl2 、63.2g(0.2
5モル)のPh2 SiCl2 、31.7g(0.15モ
ル)のPhSiCl3 及び55g(0.22モル)のB
Br3 をオーバーヘッドスターラーを備えた3L3つ口
フラスコにアルゴンの下で装入した。上記混合物を1.
5Lのトルエンに溶解しドライアイスイソプロパノール
アルコール浴で−78℃に冷却した。次いでアンモニア
を反応物表面下に、反応が内部温度を10℃を越えて温
めることのないような速度で加えた。2時間後に、アン
モニアを停止し、上記アイスバスを除き、16時間にわ
たって反応が周囲温度に温まるに任せた。トルエン溶液
を濾過し濾液を真空中で濃縮した。得られたポリマーを
150℃でストリップし、全揮発物を除いた。樹脂収率
89.5%を得た。
【0061】 1H NMR(CDCl3 )0.60〜
2.0(SiC3 H6 、巾広く重なり合った多重線)、
7.0〜7.9(Si−Ph、巾広の一重項):SiP
h/SiC3 H6 モル比計量値=1.70/1.0、測
定値1.51/1.00。IR(KBrディスク上の薄
膜);cm-1(強さ):3385(m),3050
(m),2940(m),1960(w),1900
(w),1985(w),1590(w),1430
(s),1370(vs),1250(s),1170
(vs),1115(s),1010(m),930
(vs),787(m),739(m),697
(m)。樹脂のTMA軟化点(Tg)は81.5℃であ
った。1000℃でのTGAチャー収率は65.4wt%
であった。GPC分子量はMw=4824,Mn=48
4及びMz=38326。原素分析は、窒素13.0wt
%、炭素54.28wt%、水素5.67wt%、ケイ素1
9.9wt%及びホウ素2.47wt%であった。
2.0(SiC3 H6 、巾広く重なり合った多重線)、
7.0〜7.9(Si−Ph、巾広の一重項):SiP
h/SiC3 H6 モル比計量値=1.70/1.0、測
定値1.51/1.00。IR(KBrディスク上の薄
膜);cm-1(強さ):3385(m),3050
(m),2940(m),1960(w),1900
(w),1985(w),1590(w),1430
(s),1370(vs),1250(s),1170
(vs),1115(s),1010(m),930
(vs),787(m),739(m),697
(m)。樹脂のTMA軟化点(Tg)は81.5℃であ
った。1000℃でのTGAチャー収率は65.4wt%
であった。GPC分子量はMw=4824,Mn=48
4及びMz=38326。原素分析は、窒素13.0wt
%、炭素54.28wt%、水素5.67wt%、ケイ素1
9.9wt%及びホウ素2.47wt%であった。
【0062】ポリマーを熱分解しチャー組成を計算する
ために、上記樹脂のサンプルを200℃で3時間アルゴ
ン雰囲気中で架橋し、次いでグラファイトるつぼ中に置
いた。このるつぼをAstro(商標)チューブ炉に移
した。このチューブ炉を20トル未満に排気し、次いで
アルゴンを詰めた。この過程を2回くり返した。アルゴ
ンをパージして、サンプルを約10℃/分の速度で20
00℃に加熱し、この温度に1時間保った後、室温に冷
却した。
ために、上記樹脂のサンプルを200℃で3時間アルゴ
ン雰囲気中で架橋し、次いでグラファイトるつぼ中に置
いた。このるつぼをAstro(商標)チューブ炉に移
した。このチューブ炉を20トル未満に排気し、次いで
アルゴンを詰めた。この過程を2回くり返した。アルゴ
ンをパージして、サンプルを約10℃/分の速度で20
00℃に加熱し、この温度に1時間保った後、室温に冷
却した。
【0063】この試料は残留質量(mass rete
ntion)が50.78%wtであった。このチャーの
元素組成は、炭素47.55wt%、窒素4.82wt%、
ホウ素4.48wt%及びケイ素39.0wt%であった。
以下の計算は炭素とホウ素の分析に基づく:硬化ポリマ
ー100gがセラミックチャー50.78gを与え、こ
のチャーはケイ素43.15wt%(差による)、炭素4
7.55wt%、窒素4.82wt%及びホウ素4.48wt
%からなる。このチャーは31.3gのSiC(61.
6wt%)、5.23gのBN(10.3wt%)及び1
4.25gの過剰炭素(28.1wt%)からなる。従っ
て、ポリマー1gあたり0.313gのSiC、0.0
52gのBN及び0.143gの過剰炭素を与える。
ntion)が50.78%wtであった。このチャーの
元素組成は、炭素47.55wt%、窒素4.82wt%、
ホウ素4.48wt%及びケイ素39.0wt%であった。
以下の計算は炭素とホウ素の分析に基づく:硬化ポリマ
ー100gがセラミックチャー50.78gを与え、こ
のチャーはケイ素43.15wt%(差による)、炭素4
7.55wt%、窒素4.82wt%及びホウ素4.48wt
%からなる。このチャーは31.3gのSiC(61.
6wt%)、5.23gのBN(10.3wt%)及び1
4.25gの過剰炭素(28.1wt%)からなる。従っ
て、ポリマー1gあたり0.313gのSiC、0.0
52gのBN及び0.143gの過剰炭素を与える。
【0064】試験片製作及び試験のために、パートAで
製造した。6.0gの樹脂のトルエン溶液中に44.0
gのSiC粉末を超音波分散した(FCV=1.8wt
%、〔B〕=0.29wt%)。真空かけて溶媒を除い
た。残留物を粉砕し90μm篩に通した。篩を通した粉
末を一軸方向に47ksi で加圧して35×8×約3mmの
試験片とした。この試験片を225℃で3時間アルゴン
雰囲気中で(室温から225℃まで、1℃/分の速度で
上昇)硬化した。
製造した。6.0gの樹脂のトルエン溶液中に44.0
gのSiC粉末を超音波分散した(FCV=1.8wt
%、〔B〕=0.29wt%)。真空かけて溶媒を除い
た。残留物を粉砕し90μm篩に通した。篩を通した粉
末を一軸方向に47ksi で加圧して35×8×約3mmの
試験片とした。この試験片を225℃で3時間アルゴン
雰囲気中で(室温から225℃まで、1℃/分の速度で
上昇)硬化した。
【0065】硬化した試験片の密度はメタノール浸漬法
で、平均2.054±0.005g/cm3 (n=6)で
あった。この硬化試験片の平均4点MOR曲げ強度は1
780±295psi であった。この硬化試験片のアリコ
ートを、室温から2100℃まで5℃/分、1150〜
1400℃は真空使用及び2100℃で1時間保持、な
る温度プログラムを用いて、2100℃に焼成した。焼
成試験片の密度は平均3.154±0.01g/cm3 で
あり、平均4点MOR曲げ強度は68.32±8.19
ksi であった。
で、平均2.054±0.005g/cm3 (n=6)で
あった。この硬化試験片の平均4点MOR曲げ強度は1
780±295psi であった。この硬化試験片のアリコ
ートを、室温から2100℃まで5℃/分、1150〜
1400℃は真空使用及び2100℃で1時間保持、な
る温度プログラムを用いて、2100℃に焼成した。焼
成試験片の密度は平均3.154±0.01g/cm3 で
あり、平均4点MOR曲げ強度は68.32±8.19
ksi であった。
【0066】(例2)(MeViSiNH)0.35(Ph
2 SiNH)0.25(PhSi(NH)1.5 ) 0.15(B
(NH)1.5 )0.25の組成を持つ焼結される試験片を以
下のようにして調製した。
2 SiNH)0.25(PhSi(NH)1.5 ) 0.15(B
(NH)1.5 )0.25の組成を持つ焼結される試験片を以
下のようにして調製した。
【0067】ポリマーの合成のために49.3g(0.
35モル)のMeViSiCl2 、63.2g(0.2
5モル)のPh2 SiCl2 及び31.7g(0.15
モル)のPhSiCl3 をオーバーヘッドスターラーを
備えた2L3つ口フラスコにアルゴンの下で装入した。
上記混合物を1.5Lのトルエンに溶解しドライアイス
イソプロパノールアルコール浴で−78℃に冷却した。
次いでアンモニアを反応物表面下に、反応が内部温度を
10℃を越えて温めることのないような速度で加えた。
2時間後に、アンモニアを停止し、上記アイスバスを除
き、16時間にわたって反応が周囲温度に温まるに任せ
た。
35モル)のMeViSiCl2 、63.2g(0.2
5モル)のPh2 SiCl2 及び31.7g(0.15
モル)のPhSiCl3 をオーバーヘッドスターラーを
備えた2L3つ口フラスコにアルゴンの下で装入した。
上記混合物を1.5Lのトルエンに溶解しドライアイス
イソプロパノールアルコール浴で−78℃に冷却した。
次いでアンモニアを反応物表面下に、反応が内部温度を
10℃を越えて温めることのないような速度で加えた。
2時間後に、アンモニアを停止し、上記アイスバスを除
き、16時間にわたって反応が周囲温度に温まるに任せ
た。
【0068】トルエン溶液を濾過し濾液を上記反応フラ
スコに戻し、ここで62.0g(0.25モル)のBB
r3 を30分かけて加えた。この混合物を3時間還流し
BBr3 の消費を確保した。この反応を−78℃に再冷
却し、アンモニアを表面下に添加した。3時間後アンモ
ニアを停止し、アイスバスを除き、16時間にわたって
反応が周囲温度に温まるに任せた。トルエン溶液を濾過
し、濾液を真空中で濃縮した。得られたポリマーを15
0℃でストリップし、全揮発物を除いた。樹脂収率8
7.2%を得た。
スコに戻し、ここで62.0g(0.25モル)のBB
r3 を30分かけて加えた。この混合物を3時間還流し
BBr3 の消費を確保した。この反応を−78℃に再冷
却し、アンモニアを表面下に添加した。3時間後アンモ
ニアを停止し、アイスバスを除き、16時間にわたって
反応が周囲温度に温まるに任せた。トルエン溶液を濾過
し、濾液を真空中で濃縮した。得られたポリマーを15
0℃でストリップし、全揮発物を除いた。樹脂収率8
7.2%を得た。
【0069】 1H NMR(CDCl3 )0.40〜
0.3(SiMe巾広の一重項、5.3〜6.0(Si
Vi巾広の多重線)、6.6〜7.8(Si−Ph巾広
の多重線):SiMe/SiVi/SiPhモル比計算
値=0.26/0.26/0.48、測定値=0.24
5/0.245/0.510。IR(KBrディスク上
の薄膜;cm-1(強度):3386(m),3046
(m),2944(w),1958(w),1898
(w),1824(w),1590(w),1427
(s),1368(vs),1253(s),1170
(vs),1115(s),1009(m),928
(vs),791(m),737(m),700
(m)。樹脂のTMA軟化点(Tg)は72.8℃であ
った。1000℃でのTGAチャー収率は62.2wt%
であった。GPC分子量はMw=15518,Mn=7
50及びMz=66458であった。原素分析は、窒素
が14.2wt%、炭素が54.3wt%、水素が5.8wt
%、ケイ素が19.9wt%及びホウ素が2.82wt%で
あった。
0.3(SiMe巾広の一重項、5.3〜6.0(Si
Vi巾広の多重線)、6.6〜7.8(Si−Ph巾広
の多重線):SiMe/SiVi/SiPhモル比計算
値=0.26/0.26/0.48、測定値=0.24
5/0.245/0.510。IR(KBrディスク上
の薄膜;cm-1(強度):3386(m),3046
(m),2944(w),1958(w),1898
(w),1824(w),1590(w),1427
(s),1368(vs),1253(s),1170
(vs),1115(s),1009(m),928
(vs),791(m),737(m),700
(m)。樹脂のTMA軟化点(Tg)は72.8℃であ
った。1000℃でのTGAチャー収率は62.2wt%
であった。GPC分子量はMw=15518,Mn=7
50及びMz=66458であった。原素分析は、窒素
が14.2wt%、炭素が54.3wt%、水素が5.8wt
%、ケイ素が19.9wt%及びホウ素が2.82wt%で
あった。
【0070】ポリマーを熱分解しチャー組成を計算する
ために、A部で形成された樹脂とLupersol(商
標)101(2,5−ビス(t−ブチルパーオキシ)−
2,3−ジメチルヘキサン)との配合物を調製した。こ
の配合物のアリコートを200℃で3時間アルゴン雰囲
気中で架橋した。この架橋ポリマーのアリコートを秤り
取ってグラファイトるつぼ中に置いた。このるつぼをA
stro(商標)チューブ炉に移した。このチューブ炉
を20トル未満に排気し、次いでアルゴンを詰めた。こ
の過程を2回くり返した。アルゴンをパージして、サン
プルを約10℃/分の速度で2000℃に加熱し、この
温度に1時間保った後、室温に冷却した。
ために、A部で形成された樹脂とLupersol(商
標)101(2,5−ビス(t−ブチルパーオキシ)−
2,3−ジメチルヘキサン)との配合物を調製した。こ
の配合物のアリコートを200℃で3時間アルゴン雰囲
気中で架橋した。この架橋ポリマーのアリコートを秤り
取ってグラファイトるつぼ中に置いた。このるつぼをA
stro(商標)チューブ炉に移した。このチューブ炉
を20トル未満に排気し、次いでアルゴンを詰めた。こ
の過程を2回くり返した。アルゴンをパージして、サン
プルを約10℃/分の速度で2000℃に加熱し、この
温度に1時間保った後、室温に冷却した。
【0071】この試料は残留質量(mass rete
ntion)が61.27wt%であった。このチャーの
元素組成は、炭素48.47wt%、窒素9.87wt%、
ホウ素4.84wt%及びケイ素39.2wt%であった。
以下の計算は炭素とホウ素の分析に基づく:硬化ポリマ
ー100gがセラミックチャー61.27gを与え、こ
のチャーはケイ素36.82wt%(差による)、炭素4
8.47wt%、窒素9.87wt%及びホウ素4.84wt
%からなる。このチャーは32.23のSiC(52.
6wt%)、6.18gのBN(10.1wt%)及び2
2.23gの過剰炭素(36.3wt%)からなる。従っ
て、ポリマー1gあたり0.322gのSiC、0.0
68gのBN及び0.222gの過剰炭素を与える。
ntion)が61.27wt%であった。このチャーの
元素組成は、炭素48.47wt%、窒素9.87wt%、
ホウ素4.84wt%及びケイ素39.2wt%であった。
以下の計算は炭素とホウ素の分析に基づく:硬化ポリマ
ー100gがセラミックチャー61.27gを与え、こ
のチャーはケイ素36.82wt%(差による)、炭素4
8.47wt%、窒素9.87wt%及びホウ素4.84wt
%からなる。このチャーは32.23のSiC(52.
6wt%)、6.18gのBN(10.1wt%)及び2
2.23gの過剰炭素(36.3wt%)からなる。従っ
て、ポリマー1gあたり0.322gのSiC、0.0
68gのBN及び0.222gの過剰炭素を与える。
【0072】試験片製作及び試験のために、パートAで
製造した。6.0gの樹脂及び0.2gのLupers
ol101のトルエン溶液中に44.0gのSiC粉末
を超音波分散した(FCV=2.8wt%、〔B〕=0.
39wt%)。真空かけて溶媒を除いた。残留物を粉砕し
90μm篩に通した。篩を通した粉末を一軸方向に47
ksi で加圧して35×8×約3mmの試験片とした。この
試験片を225℃で3時間アルゴン雰囲気中で(室温か
ら225℃まで、1℃/分の速度で上昇)硬化した。
製造した。6.0gの樹脂及び0.2gのLupers
ol101のトルエン溶液中に44.0gのSiC粉末
を超音波分散した(FCV=2.8wt%、〔B〕=0.
39wt%)。真空かけて溶媒を除いた。残留物を粉砕し
90μm篩に通した。篩を通した粉末を一軸方向に47
ksi で加圧して35×8×約3mmの試験片とした。この
試験片を225℃で3時間アルゴン雰囲気中で(室温か
ら225℃まで、1℃/分の速度で上昇)硬化した。
【0073】硬化した試験片の密度はメタノール浸漬法
で、平均2.07±0.012g/cm3 (n=6)であ
った。この硬化試験片の平均4点MOR曲げ強度は12
15±506psi であった。この硬化試験片のアリコー
トを、室温から2100℃まで5℃/分、1150〜1
400℃は真空使用及び2100℃で1時間保持、なる
温度プログラムを用いて、2100℃に焼成した。焼成
試験片の密度は平均3.145±0.007g/cm3 で
あり、平均4点MOR屈げ強度は66.71±6.49
ksi であった。
で、平均2.07±0.012g/cm3 (n=6)であ
った。この硬化試験片の平均4点MOR曲げ強度は12
15±506psi であった。この硬化試験片のアリコー
トを、室温から2100℃まで5℃/分、1150〜1
400℃は真空使用及び2100℃で1時間保持、なる
温度プログラムを用いて、2100℃に焼成した。焼成
試験片の密度は平均3.145±0.007g/cm3 で
あり、平均4点MOR屈げ強度は66.71±6.49
ksi であった。
【0074】(例3〜12)比較のために、(C3 H6
SiNH)0.50(Ph2 SiNH)0.25(PhSi(N
H)1.5 )0.25の組成のシラザンポリマーを用いて試験
片を作った。これは、Burnsらの米国特許No.4,
962,069の例1の方法で、そして窒化ホウ素粉末
の量は第1表に記載された量として、調製した。この例
から、上記シラザンに加えるホウ素は、この明細書の例
1のボロシラザンの形の方が、BN粉末を用いるよりも
より効果的であることが明らかである。以下に、用いた
試験片作成方法を示す。成分の量及び結果を表1に示
す。
SiNH)0.50(Ph2 SiNH)0.25(PhSi(N
H)1.5 )0.25の組成のシラザンポリマーを用いて試験
片を作った。これは、Burnsらの米国特許No.4,
962,069の例1の方法で、そして窒化ホウ素粉末
の量は第1表に記載された量として、調製した。この例
から、上記シラザンに加えるホウ素は、この明細書の例
1のボロシラザンの形の方が、BN粉末を用いるよりも
より効果的であることが明らかである。以下に、用いた
試験片作成方法を示す。成分の量及び結果を表1に示
す。
【0075】炭化ケイ素粉末及び用いたときは窒化ケイ
素を、シラザン及びボロシラザン(もし用いたときは)
のトルエン溶液に超音波で分散した。この溶媒を真空を
かけて除いた。残留物を粉砕し90μm篩に通した。篩
を通った粉末を一軸方向に47ksi で加圧して35×8
×約3mmの試験片とした。この試験片を225℃で3時
間アルゴン雰囲気中で(室温から225℃まで、1℃/
分の速度で上昇)硬化した。硬化した試験片のアリコー
トを、室温から2100℃まで5℃/分、1150〜1
400℃は真空使用及び2100℃で1時間保持、なる
温度プログラムを用いて2100℃に焼成した。
素を、シラザン及びボロシラザン(もし用いたときは)
のトルエン溶液に超音波で分散した。この溶媒を真空を
かけて除いた。残留物を粉砕し90μm篩に通した。篩
を通った粉末を一軸方向に47ksi で加圧して35×8
×約3mmの試験片とした。この試験片を225℃で3時
間アルゴン雰囲気中で(室温から225℃まで、1℃/
分の速度で上昇)硬化した。硬化した試験片のアリコー
トを、室温から2100℃まで5℃/分、1150〜1
400℃は真空使用及び2100℃で1時間保持、なる
温度プログラムを用いて2100℃に焼成した。
【0076】
【表1】
【0077】(例13)BH3 変性シラザンを用いた焼
結試験片の調製を以下のようにして行なった:
結試験片の調製を以下のようにして行なった:
【0078】ポリマーの合成のために26.0g(0.
20モル)のMe2 SiCl2 、100.0g(0.4
モル)のPh2 SiCl2 及び85.0g(0.4モ
ル)のPhSiCl3 をオーバーヘッドスターラーを備
えた2L3つ口フラスコにアルゴンの下で装入した。上
記混合物を1Lのトルエンに溶解しドライアイスイソプ
ロパノールアルコール浴で−78℃に冷却した。次いで
アンモニアを反応物表面下に、反応が内部温度を10℃
を越えて温めることのないような速度で加えた。2時間
後に、アンモニアを停止し、上記アイスバスを除き、1
6時間にわたって反応が周囲温度に温まるに任せた。
20モル)のMe2 SiCl2 、100.0g(0.4
モル)のPh2 SiCl2 及び85.0g(0.4モ
ル)のPhSiCl3 をオーバーヘッドスターラーを備
えた2L3つ口フラスコにアルゴンの下で装入した。上
記混合物を1Lのトルエンに溶解しドライアイスイソプ
ロパノールアルコール浴で−78℃に冷却した。次いで
アンモニアを反応物表面下に、反応が内部温度を10℃
を越えて温めることのないような速度で加えた。2時間
後に、アンモニアを停止し、上記アイスバスを除き、1
6時間にわたって反応が周囲温度に温まるに任せた。
【0079】トルエン溶液を濾過し濾液をロトエバポレ
ーター(rotoevaporator)中に、粘稠な
油が得られる迄置いた。この油の153gをトルエン
(150g)に溶解し、濾過し、オーバーヘッドスター
ラー及び添加ロートを備えた1L3つ口フラスコにアル
ゴンの下で装入した。トルエン中1モルのBH3 −TH
F溶液275mLを前記添加ロート中に入れ、30分間か
けて加えた。この添加は10℃の発熱を伴ない、反応温
度を30℃とした。得られた溶液を約12時間攪拌し、
真空下、温和な加熱を行なって溶媒を除いた。得られた
樹脂をトルエンに溶解し、濾過し、真空中でストリップ
して146gのもろい樹脂を得た。
ーター(rotoevaporator)中に、粘稠な
油が得られる迄置いた。この油の153gをトルエン
(150g)に溶解し、濾過し、オーバーヘッドスター
ラー及び添加ロートを備えた1L3つ口フラスコにアル
ゴンの下で装入した。トルエン中1モルのBH3 −TH
F溶液275mLを前記添加ロート中に入れ、30分間か
けて加えた。この添加は10℃の発熱を伴ない、反応温
度を30℃とした。得られた溶液を約12時間攪拌し、
真空下、温和な加熱を行なって溶媒を除いた。得られた
樹脂をトルエンに溶解し、濾過し、真空中でストリップ
して146gのもろい樹脂を得た。
【0080】IR(KBrディスク上薄膜);cm-1(強
度):3386(m),3046(m),2944
(w),2450(m),1958(w),1898
(w),1824(w),1590(w),1427
(s),1368(vs),1253(s),1170
(vs),1115(s),1009(m),928
(vs),791(m),737(m),700
(m)。樹脂のTMA軟化点(Tg)は72.8℃であ
った。1000℃でのTGAチャー収率は57.2wt%
であった。GPC分子量はMw=4362,Mn=40
4及びMz=7197であった。原素分析の結果は、窒
素10.6wt%、炭素61.6wt%、水素6.5wt%、
ケイ素16.5wt%であった。
度):3386(m),3046(m),2944
(w),2450(m),1958(w),1898
(w),1824(w),1590(w),1427
(s),1368(vs),1253(s),1170
(vs),1115(s),1009(m),928
(vs),791(m),737(m),700
(m)。樹脂のTMA軟化点(Tg)は72.8℃であ
った。1000℃でのTGAチャー収率は57.2wt%
であった。GPC分子量はMw=4362,Mn=40
4及びMz=7197であった。原素分析の結果は、窒
素10.6wt%、炭素61.6wt%、水素6.5wt%、
ケイ素16.5wt%であった。
【0081】ポリマーを熱分解しチャー組成を計算する
ために、上記樹脂のサンプルを200℃で3時間アルゴ
ン雰囲気中で架橋し、次いでグラファイトるつぼ中に置
いた。このるつぼをAstro(商標)チューブ炉に移
した。このチューブ炉を20トル未満に排気し、次いで
アルゴンを詰めた。この過程を2回くり返した。アルゴ
ンをパージして、サンプルを約10℃/分の速度で20
00℃に加熱し、この温度に1時間保った後、室温に冷
却した。
ために、上記樹脂のサンプルを200℃で3時間アルゴ
ン雰囲気中で架橋し、次いでグラファイトるつぼ中に置
いた。このるつぼをAstro(商標)チューブ炉に移
した。このチューブ炉を20トル未満に排気し、次いで
アルゴンを詰めた。この過程を2回くり返した。アルゴ
ンをパージして、サンプルを約10℃/分の速度で20
00℃に加熱し、この温度に1時間保った後、室温に冷
却した。
【0082】この試料は残留質量(mass rete
ntion)が42.87wt%であった。このチャーの
元素組成は、炭素52.5wt%、窒素9.5wt%、ホウ
素1.7wt%及びケイ素33.7wt%であった。以下の
計算は炭素とホウ素の分析に基づく:硬化ポリマー10
0gがセラミックチャー42.87gを与え、このチャ
ーはケイ素43.6wt%(差による)、炭素52.5wt
%、窒素2.2wt%及びホウ素1.7wt%からなる。こ
のチャーは26.7gのSiC(62.3wt%)、1.
67gのBN(3.9wt%)及び14.49gの過剰炭
素(33.79wt%)からなる。従って、ポリマー1g
あたり0.267gのSiC、0.017gのBN及び
0.145gの過剰炭素を与える。
ntion)が42.87wt%であった。このチャーの
元素組成は、炭素52.5wt%、窒素9.5wt%、ホウ
素1.7wt%及びケイ素33.7wt%であった。以下の
計算は炭素とホウ素の分析に基づく:硬化ポリマー10
0gがセラミックチャー42.87gを与え、このチャ
ーはケイ素43.6wt%(差による)、炭素52.5wt
%、窒素2.2wt%及びホウ素1.7wt%からなる。こ
のチャーは26.7gのSiC(62.3wt%)、1.
67gのBN(3.9wt%)及び14.49gの過剰炭
素(33.79wt%)からなる。従って、ポリマー1g
あたり0.267gのSiC、0.017gのBN及び
0.145gの過剰炭素を与える。
【0083】試験片製作及び試験のために、パートAで
製造した表2に示す量のボロシラザンのトルエン溶液中
に炭化ケイ素粉末を超音波分散した。真空かけて溶媒を
除いた。残留物を粉砕し90μm篩に通した。篩を通し
た粉末を一軸方向に47ksiで加圧して35×8×約3m
mの試験片とした。この試験片を225℃で3時間アル
ゴン雰囲気中で(室温から225℃まで、1℃/分の速
度で上昇)硬化した。
製造した表2に示す量のボロシラザンのトルエン溶液中
に炭化ケイ素粉末を超音波分散した。真空かけて溶媒を
除いた。残留物を粉砕し90μm篩に通した。篩を通し
た粉末を一軸方向に47ksiで加圧して35×8×約3m
mの試験片とした。この試験片を225℃で3時間アル
ゴン雰囲気中で(室温から225℃まで、1℃/分の速
度で上昇)硬化した。
【0084】この硬化試験片のアリコートを、室温から
2100℃まで5℃/分、1150〜1400℃は真空
使用及び2100℃で1時間保持、なる温度プログラム
を用いて、2100℃に焼成した。その結果を次表に示
す。
2100℃まで5℃/分、1150〜1400℃は真空
使用及び2100℃で1時間保持、なる温度プログラム
を用いて、2100℃に焼成した。その結果を次表に示
す。
【0085】
【0086】これらの結果は明らかに、シラザンポリマ
ーが、高密度焼結体調製用のバインダーとして適当なボ
ロシラザンに変換されうることを示している。
ーが、高密度焼結体調製用のバインダーとして適当なボ
ロシラザンに変換されうることを示している。
Claims (14)
- 【請求項1】 次の(a)〜(c)を含む炭化ケイ素焼
結体の調製方法: (a)炭化ケイ素粉末とセラミック前駆体ボロシラザン
を含む成分を配合して均質な混合物とし、ここに前記セ
ラミック前駆体ボロシラザンの量は次の(i)及び(i
i)を満たし、(i)この混合物中のホウ素の量は前記
炭化ケイ素粉末と前記セラミック前駆体ボロシラザンか
ら得られるチャーとの総重量を基準にして0.1〜3wt
%であり、(ii)前記混合物の遊離炭素値は、炭化ケイ
素粉末及びセラミック前駆体ボロシラザンから得られる
チャーの総重量を基準にして0.1wt%より大きいこ
と; (b)前記均質な混合物を加圧下に約500℃未満で望
みの形に成形し手で扱いうるグリーン体に成形するこ
と;そして (c)前記手で扱いうるグリーン体を、不活性雰囲気中
で1900℃より大きい温度で焼結して密度が2.6g
/cm3 より大きい炭化ケイ素の焼結体を得ること。 - 【請求項2】 既知量のセラミック前駆体ボロシラザン
を不活性ガス中、高められた温度で前記セラミック前駆
体ボロシラザンを安定なセラミックチャー物質に変換す
るに充分な時間、加熱し、安定なセラミックチャー収
率、並びに安定なセラミックチャー材料のケイ素、炭素
及びホウ素の含量を測定し、次いでセラミックボロシラ
ザン1gあたりの安定なセラミックチャー材料中の遊離
炭素及びホウ素の量を計算することにより、手で扱いう
るグリーン体を形成する前に、セラミック前駆体から得
られるチャーのホウ素含量及び遊離炭素含量を決定する
請求項1の方法。 - 【請求項3】 ボロシラザン用硬化剤が硬化に有効な
量、追加して存在する請求項1又は2の方法。 - 【請求項4】 焼結を促進するために前記均質混合物に
追加の焼結助剤を配合する請求項1,2又は3の方法。 - 【請求項5】 前記均質混合物に追加の炭素を配合する
請求項1,2,3又は4の方法。 - 【請求項6】 次の(i)及び(ii)を含む手で扱いう
るグリーン体の形成方法: (i)炭化ケイ素粉末とセラミック前駆体ボロシラザン
を含む成分を配合して均質な混合物とし、ここに前記セ
ラミック前駆体ボロシラザンの量は次の(a)及び
(b)を満たす:(a)この混合物中のホウ素の量は前
記炭化ケイ素粉末と前記セラミック前駆体ボロシラザン
から得られるチャーとの総重量を基準にして0.1〜3
wt%であり、(b)前記混合物の遊離炭素値は、炭化ケ
イ素粉末及びセラミック前駆体ボロシラザンから得られ
るチャーの総重量を基準にして0.1wt%より大きいこ
と; (ii)前記均質な混合物を加圧下に約500℃未満で望
みの形に成形し手で扱いうるグリーン体に成形するこ
と。 - 【請求項7】 既知量のセラミック前駆体ボロシラザン
を不活性ガス中、高められた温度で前記セラミック前駆
体ボロシラザンを安定なセラミックチャー物質に変換す
るに充分な時間、加熱し、安定なセラミックチャー収
率、並びに安定なセラミックチャー材料のケイ素、炭素
及びホウ素の含量を測定し、次いでセラミックボロシラ
ザン1gあたりの安定なセラミックチャー材料中の遊離
炭素及びホウ素の量を計算することにより、手で扱いう
るグリーン体を形成する前に、セラミック前駆体から得
られるチャーのホウ素含量及び遊離炭素含量を決定する
請求項6の方法。 - 【請求項8】 ボロシラザン用硬化剤が硬化に有効な
量、追加して存在する請求項6又は7の方法。 - 【請求項9】 焼結を促進するために前記均質混合物に
追加の焼結助剤を配合する請求項6,7又は8の方法。 - 【請求項10】 前記均質混合物に追加の炭素を配合す
る請求項6,7,8又は9の方法。 - 【請求項11】 炭化ケイ素粉末とセラミック前駆体ボ
ロシラザンを含む均質な混合物であって、ここに前記セ
ラミック前駆体ボロシラザンの量は次の(a)及び
(b)を満たす:(a)この混合物中のホウ素の量は前
記炭化ケイ素粉末と前記セラミック前駆体ボロシラザン
から得られるチャーとの総重量を基準にして0.1〜3
wt%であり、(b)前記混合物の遊離炭素値は、炭化ケ
イ素粉末及びセラミック前駆体ボロシラザンから得られ
るチャーの総重量を基準にして0.1wt%より大きいこ
と。 - 【請求項12】 ボロシラザン用硬化剤が硬化に有効な
量、追加して存在する請求項11の方法。 - 【請求項13】 焼結を促進するために前記均質混合物
に追加の焼結助剤を配合する請求項11又は12の方
法。 - 【請求項14】 前記均質混合物に追加の炭素を配合す
る請求項11,12又は13の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/721,858 US5164344A (en) | 1991-06-26 | 1991-06-26 | Borosilazanes as binders for the preparation of sintered silicon carbide monoliths |
| US721858 | 1991-06-26 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05201765A true JPH05201765A (ja) | 1993-08-10 |
Family
ID=24899599
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4167452A Pending JPH05201765A (ja) | 1991-06-26 | 1992-06-25 | 焼結炭化ケイ素モノリスの調製用バインダーとしてのボロシラザン |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5164344A (ja) |
| EP (1) | EP0520453B1 (ja) |
| JP (1) | JPH05201765A (ja) |
| CA (1) | CA2070024A1 (ja) |
| DE (1) | DE69211059T2 (ja) |
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| US5612414A (en) * | 1993-11-05 | 1997-03-18 | Lanxide Technology Company, Lp | Organic/inorganic polymers |
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| US5449646A (en) * | 1994-07-29 | 1995-09-12 | Dow Corning Corporation | Preparation of high density zirconium diboride ceramics with preceramic polymer binders |
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| CA2154216A1 (en) | 1994-08-01 | 1996-02-02 | Gregg Alan Zank | Preparation of high density zirconium carbide ceramics with preceramic polymer binders |
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| WO2011005808A2 (en) * | 2009-07-07 | 2011-01-13 | Morgan Advanced Materials And Technology Inc. | Hard non-oxide or oxide ceramic / hard non-oxide or oxide ceramic composite hybrid article |
| US10508056B1 (en) * | 2015-05-19 | 2019-12-17 | General Electric Company | Method to form silicon carbide fibers by single stage pyrolysis of polysilazane precursors |
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| US4081284A (en) * | 1976-08-04 | 1978-03-28 | General Electric Company | Silicon carbide-boron carbide sintered body |
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| JPS60151276A (ja) * | 1984-01-18 | 1985-08-09 | 信越化学工業株式会社 | 炭化けい素焼結体の製造方法 |
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| US4910173A (en) * | 1989-04-14 | 1990-03-20 | Ethyl Corporation | Preceramic compositions and ceramic products |
| US5010045A (en) * | 1989-06-02 | 1991-04-23 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Low-loss binder for hot pressing boron nitride |
-
1991
- 1991-06-26 US US07/721,858 patent/US5164344A/en not_active Expired - Fee Related
-
1992
- 1992-05-29 CA CA002070024A patent/CA2070024A1/en not_active Abandoned
- 1992-06-25 EP EP92110742A patent/EP0520453B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1992-06-25 JP JP4167452A patent/JPH05201765A/ja active Pending
- 1992-06-25 DE DE69211059T patent/DE69211059T2/de not_active Expired - Fee Related
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|---|---|
| DE69211059T2 (de) | 1996-10-24 |
| DE69211059D1 (de) | 1996-07-04 |
| EP0520453A1 (en) | 1992-12-30 |
| EP0520453B1 (en) | 1996-05-29 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20020903 |