JPH05202467A - 真空蒸着装置 - Google Patents

真空蒸着装置

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JPH05202467A
JPH05202467A JP4012668A JP1266892A JPH05202467A JP H05202467 A JPH05202467 A JP H05202467A JP 4012668 A JP4012668 A JP 4012668A JP 1266892 A JP1266892 A JP 1266892A JP H05202467 A JPH05202467 A JP H05202467A
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 本発明は、真空蒸着装置に関し、信頼性が高
く、長寿命で安定した成膜が可能な真空蒸着装置を提供
することを目的とする。 【構成】 本発明の真空蒸着装置は、荷電粒子ビーム発
生源（１）と、前記荷電粒子ビーム発生源より放射する
荷電粒子ビームを導入する開孔部（１１）を有し、排気
可能な内部空間を有する真空容器（３）と、前記真空容
器の内部空間内に配置され、前記荷電粒子ビーム発生源
に対し所定の電位差を与えることにより前記荷電粒子ビ
ームが衝突する蒸発源（４）と、前記蒸発源からの蒸発
成分が付着するように配置された試料保持手段（８）
と、前記開孔部と前記荷電粒子ビーム発生源との間で気
密を保って配置され、前記真空容器の前記開孔部を開閉
可能なバルブ手段であって、前記開孔部を開状態とする
ときには前記真空容器の内部空間と前記荷電粒子ビーム
発生源とを連通させ、前記開孔部を閉状態とするときに
は前記真空容器の内部空間と前記荷電粒子ビーム発生源
とを遮断分離する前記バルブ手段（１２）とを有する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は真空蒸着装置に関する。
詳しくは、真空容器内において、蒸着材料に荷電粒子を
衝突させて、その運動エネルギにより材料成分を蒸発さ
せ所定の試料面に成膜する真空蒸着装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図４に、従来の技術による真空蒸着装置
である圧力勾配型イオンプレーティング成膜装置の断面
構造を示す（なお、この装置に関しては、たとえば「真
空」２５巻第１０号、２７巻第２号に記載されてい
る）。
【０００３】図４において、１は陰極であるプラズマガ
ン、２は陰極と陽極間に電位を与える直流電源、３は真
空容器、４は蒸着材が置かれる陽極であるハース、５は
プラズマビームをハース４に導くための磁石、６は排気
口、７はリーク口、８は成膜する基板を保持する保持
台、９はプラズマビーム、１０はプラズマビームを収束
するためのコイル、１１は真空容器３の開孔窓である。
【０００４】プラズマガン１にはＴａ−ＬａＢ6 複合電
極が配置され、電極に電位が与えられてＡｒあるいはＨ
ｅ等の不活性ガスがプラズマガン１の後部より供給さ
れ、不活性ガスの高密度プラズマが発生する。
【０００５】高密度プラズマはプラズマガン１内のグリ
ッド電極と磁界によりビームとして放射されるが、さら
にコイル１０と磁石５とによる磁場で高真空に排気され
た真空容器３内に導かれ図示のようなプラズマビーム９
としてハース４上の蒸着材料に衝突する。プラズマ粒子
の運動エネルギにより蒸着材料は蒸発し基板８の表面に
付着し成膜する。
【０００６】成膜後、プラズマガン１の陰極を冷却する
ため、真空を保ったまま１０〜２０分間放置し、排気口
６を閉め、リーク口７を開放して大気を真空容器３内に
導入して基板８を取り出す。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従来のこのようなバッ
チ方式の成膜装置においては、成膜終了後、成膜された
基板８を取り出すために真空容器３に大気を導入する。
その際、真空容器３の内部空間とプラズマガン１の内部
とは連通しているため、高温になっていたプラズマガン
１の陰極が大気にさらされることになる。そのために、
以下のような問題が生じる。
【０００８】（１） 高温になっている陰極に大気が触
れると、陰極部が酸化され絶縁性の酸化物ができて電流
が流れにくくなり、放電がしにくくなる。 （２） プラズマ発生時の高温と、大気による急冷とが
長期間繰り返されると、その熱サイクル負荷による疲労
により陰極にヒビ割れ等が生じ、寿命が短くなる。
【０００９】（３） 大気導入時の大気に含まれる水分
やゴミが陰極部に付着して放電時、異常放電の原因とな
り、その際のスプラッシュによりさらにゴミが発生し基
板８上のピンホールの原因となる。
【００１０】（４） 大気導入による陰極酸化等の防止
のために、真空を保ったまま陰極冷却をおこなうと、そ
のための冷却時間が必要である。 （５） さらに、メンテナンスやクリーニングのために
プラズマガンのみを取り外したい場合には、真空容器も
同時にリークして大気導入することになるため、プラズ
マガンの再取り付け後、再度真空容器を排気する必要が
ある。
【００１１】本発明の目的は、上記の問題点を解決して
信頼性が高く、長寿命で安定した成膜が可能な真空蒸着
装置を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記目的を解決するた
め、本発明の真空蒸着装置においては、真空容器の開孔
部と荷電粒子ビーム発生源との間で気密を保って配置さ
れ、真空容器の開孔部を開閉可能なバルブ手段を設け
た。
【００１３】
【作用】バルブ手段は、開孔部を開状態とするときには
真空容器の内部空間と荷電粒子ビーム発生源とを連通さ
せて蒸着操作ができるようにし、開孔部を閉状態とする
ときには前記真空容器の内部空間と前記荷電粒子ビーム
発生源とを遮断分離し、真空容器内への大気導入をでき
るようにし、同時に真空容器と荷電粒子発生源とは分離
して大気が荷電粒子発生源に触れないようにさせる。
【００１４】
【実施例】図１に本発明の実施例による真空蒸着装置で
ある圧力勾配型イオンプレーティング成膜装置の断面構
造を示す。
【００１５】図１において、１は陰極であるアーク放電
型プラズマガン、２は陰極と陽極間に電位を与える直流
電源、３は真空容器、４は蒸着材が置かれる陽極である
ハース、５はプラズマビームをハース４に導くための磁
石、６は排気口、７はリーク口、８は成膜する基板を保
持する保持台、９はプラズマビーム、１０はプラズマビ
ームを収束するコイル、１１は真空容器３の開孔窓、そ
して１２は開孔窓１１とプラズマガン１との間で気密を
保って配置されるゲートバルブである。ゲートバルブの
材質は熱伝導性が高く、熱放射率が小さいＡｌが好まし
い。
【００１６】プラズマガン１にはＴａ−ＬａＢ6 複合電
極が配置され、電極に電位が与えられて不活性ガスであ
るＡｒあるいはＨｅ等の高密度プラズマが発生する。高
密度プラズマはプラズマガン１内のグリッド電極と磁界
によりビームとして放射されるが、さらにコイル１０と
磁石５とによる磁場およびハース（陽極）４による電界
で高真空に排気された真空容器３内に導かれ図示のよう
なプラズマビーム９としてハース４上の蒸着材料に衝突
する。プラズマ粒子の運動エネルギにより蒸着材料は蒸
発し保持台８上の基板の表面に付着し成膜する。
【００１７】なお、この種の真空蒸着装置において、荷
電粒子ビーム発生源としてアーク放電型プラズマガンの
他、カウフマン型イオンガン等を用いることもできる。
蒸着工程においては、ゲートバルブは図１に示すように
開放状態となっており、プラズマガン１と真空容器３内
部とは連通しており高真空に排気されている。
【００１８】図２はゲートバルブ１付近の拡大図でゲー
トバルブを閉じた状態を示す。成膜完了後、Ａｒあるい
はＨｅ等の不活性ガスの供給を停止し、図２に示すよう
にゲートバルブ１２を閉状態としてプラズマガン１と真
空容器３との間を遮断分離する。
【００１９】なお、図示しないがプラズマガン１に独立
制御可能な排気系を設けることが好ましい。たとえばゲ
ートバルブ１２と連動するバルブでプラズマガン１を排
気装置に接続する。したがって、プラズマガン１内部は
真空を保ったまま密封されることになる。
【００２０】そうして、排気口６を閉め、リーク口７を
開放して大気を真空容器３内に導入して保持台８上の基
板を取り出す。プラズマガン１内部はゲートバルブ１２
により、大気が導入された真空容器３とは独立して真空
状態のまま保持されるので、高温となっている陰極の大
気による酸化や、水分，ゴミ等の付着がなくなる。
【００２１】また、プラズマガン１のメインテナンスや
クリーニングの際には、ゲートバルブ１２を閉状態とし
てプラズマガン１と真空容器３との間を遮断分離して、
プラズマガン１を取り外す。
【００２２】従来の技術による真空蒸着装置の例では、
１バッチ当たりに要する時間は、排気工程で３５分、成
膜工程で１０分、プラズマガンの冷却工程で１５分の計
６０分であったのに対し、上述の実施例による真空蒸着
装置の例では、プラズマガンの冷却工程分の１５分が短
縮され、１バッチ当たりの時間が４５分となってスルー
プットが向上した。
【００２３】なお、上述の実施例の説明では、バルブの
構造として開孔窓１１に対してスライドして開閉する構
造のゲートバルブ１２を示したが、本発明におけるバル
ブはそれに限らず、真空容器とプラズマガンとの間の気
密を保って開閉でき、開状態でプラズマピームを真空容
器内に導き、閉状態で真空容器とプラズマガンとの間を
遮断分離できる機能を有するものであれば、他の構造の
バルブが使用できる。
【００２４】図３は、ゲートバルブ部分の他の構成例を
示す。ゲートバルブ１２を開状態にすると、真空容器３
の開口窓１１が露出する。この状態で蒸着を行なうと、
バルブのシール板、シール面、Ｏリングはプラズマの熱
や蒸着物等の汚れを受ける危険がある。これらの露出面
に蒸着物質等が堆積すると、真空保持能力の低下等を招
く。このため装置のクリーニングが必要となる。本構成
においては、この熱や汚れの保護のため開孔部に円筒状
カバー１３が配置される。
【００２５】熱や汚れをカバー１３で受けることによ
り、Ｏリング、シール面等の気密を必要とする部分が保
護される。カバー１３がある程度汚れたときはカバー１
３のみを交換すればよい。カバー１３の交換は簡単にで
きるので、蒸着装置のメンテナンスは容易となる。
【００２６】ゲートバルブのシール板と一体に取り付け
られた円筒状カバーを示したが、カバーは真空チャンバ
側から送り込む機構のものでもよい。また、筒形は円筒
でも多角形でも遮蔽の機能を果たせるものであればどの
ような形でもよい。材料も金属、セラミック等、種々の
ものが利用可能である。
【００２７】以上実施例に沿って本発明を説明したが、
本発明はこれらに制限されるものではない。たとえば、
種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者
に自明であろう。
【００２８】
【効果】本発明による真空蒸着装置においては、荷電粒
子発生源と真空容器との間に開閉可能なバルブ手段を配
置したことにより、以下のような効果を奏する。 （１） 成膜工程後、陰極が大気に触れることがないた
め、陰極部に絶縁性の酸化物ができることがない。 （２） プラズマ発生時の高温と、大気導入による急冷
との熱サイクルを受けることがないので、ヒビ割れ等が
少なくなり、陰極の寿命が長くなる。 （３） 成膜工程後、陰極が大気に触れることがないた
め、大気に含まれる水分やゴミによる異常放電が発生せ
ず、そのために基板のピンホール発生が防止できる。 （４） 成膜終了後、陰極冷却を待たずに真空容器のリ
ークを行うことができ、成膜完了した基板を真空容器か
ら取り出せるのでスループットが向上する。 （５） さらに、メンテナンスやクリーニングのために
プラズマガンのみを取り外したい場合には、真空容器は
真空を保ったまま行えるので、プラズマガンの再取り付
け後、再度真空容器を排気する必要がない。排気回数が
減るため、製品の品質が安定する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例による真空蒸着装置の全体断面
図である。
【図２】図１の実施例のゲートバルブ部分の拡大図であ
る。
【図３】図１の実施例の他の構成のゲートバルブ開状態
の拡大図である。
【図４】従来の技術による真空蒸着装置の全体断面図で
ある。
【符号の説明】
１・・・・・プラズマガン ２・・・・・直流電源 ３・・・・・真空容器 ４・・・・・ハース ５・・・・・磁石 ６・・・・・排気バルブ ７・・・・・リークバルブ ８・・・・・保持台 ９・・・・・プラズマビーム １０・・・・磁界コイル １１・・・・開孔窓 １２・・・・ゲートバルブ １３・・・・カバー

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 荷電粒子ビーム発生源と、 前記荷電粒子ビーム発生源より放射する荷電粒子ビーム
    を導入する開孔部を有し、排気可能な内部空間を有する
    真空容器と、 前記真空容器の内部空間内に配置され、前記荷電粒子ビ
    ーム発生源に対し所定の電位差を与えることにより前記
    荷電粒子ビームが衝突する蒸発源と、 前記蒸発源からの蒸発成分が付着するように配置された
    試料保持手段と、 前記開孔部と前記荷電粒子ビーム発生源との間で気密を
    保って配置され、前記真空容器の前記開孔部を開閉可能
    なバルブ手段であって、前記開孔部を開状態とするとき
    には前記真空容器の内部空間と前記荷電粒子ビーム発生
    源とを連通させ、前記開孔部を閉状態とするときには前
    記真空容器の内部空間と前記荷電粒子ビーム発生源とを
    遮断分離する前記バルブ手段とを有する真空蒸着装置。
  2. 【請求項２】 さらに、前記バルブ手段が真空容器の開
    孔部を開状態とするとき、開孔部に配置される気密保持
    部材、遮蔽用のカバー部材を有する請求項１記載の真空
    蒸着装置。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5952061A (en) * 1996-12-27 1999-09-14 Stanley Electric Co., Ltd. Fabrication and method of producing silicon films
WO2007066537A1 (ja) * 2005-12-05 2007-06-14 Ulvac, Inc. 真空装置用仕切りバルブ
WO2007099658A1 (ja) * 2006-03-01 2007-09-07 Shinmaywa Industries, Ltd. プラズマガン及びそれを備えるプラズマガン成膜装置
WO2009004762A1 (ja) * 2007-07-02 2009-01-08 Shinmaywa Industries, Ltd. 成膜装置及びその運転方法
JP4885235B2 (ja) * 2008-08-12 2012-02-29 三菱重工業株式会社 接合装置および接合装置メンテナンス方法
JP2012054491A (ja) * 2010-09-03 2012-03-15 Hitachi High-Technologies Corp 真空処理装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS54166255U (ja) * 1978-05-12 1979-11-22
JPS61272375A (ja) * 1985-05-29 1986-12-02 Hitachi Ltd 薄膜形成装置
JPS62169463A (ja) * 1986-01-22 1987-07-25 Hitachi Ltd 半導体装置
JPH02228469A (ja) * 1989-03-02 1990-09-11 Asahi Glass Co Ltd イオンプレーティング方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS54166255U (ja) * 1978-05-12 1979-11-22
JPS61272375A (ja) * 1985-05-29 1986-12-02 Hitachi Ltd 薄膜形成装置
JPS62169463A (ja) * 1986-01-22 1987-07-25 Hitachi Ltd 半導体装置
JPH02228469A (ja) * 1989-03-02 1990-09-11 Asahi Glass Co Ltd イオンプレーティング方法

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5952061A (en) * 1996-12-27 1999-09-14 Stanley Electric Co., Ltd. Fabrication and method of producing silicon films
KR101014776B1 (ko) * 2005-12-05 2011-02-14 가부시키가이샤 알박 진공장치용 구분 밸브
CN101321888A (zh) * 2005-12-05 2008-12-10 株式会社爱发科 真空装置用闸阀
JPWO2007066537A1 (ja) * 2005-12-05 2009-05-14 株式会社アルバック 真空装置用仕切りバルブ
WO2007066537A1 (ja) * 2005-12-05 2007-06-14 Ulvac, Inc. 真空装置用仕切りバルブ
JP4824700B2 (ja) * 2005-12-05 2011-11-30 株式会社アルバック 真空装置用仕切りバルブ
WO2007099658A1 (ja) * 2006-03-01 2007-09-07 Shinmaywa Industries, Ltd. プラズマガン及びそれを備えるプラズマガン成膜装置
KR101237184B1 (ko) * 2006-03-01 2013-02-25 신메이와 인더스트리즈,리미티드 플라즈마 건 및 이를 구비한 플라즈마 건 성막장치
JP5416351B2 (ja) * 2006-03-01 2014-02-12 新明和工業株式会社 プラズマガン成膜装置及びその運転方法
WO2009004762A1 (ja) * 2007-07-02 2009-01-08 Shinmaywa Industries, Ltd. 成膜装置及びその運転方法
JP5175229B2 (ja) * 2007-07-02 2013-04-03 新明和工業株式会社 成膜装置及びその運転方法
JP4885235B2 (ja) * 2008-08-12 2012-02-29 三菱重工業株式会社 接合装置および接合装置メンテナンス方法
JP2012054491A (ja) * 2010-09-03 2012-03-15 Hitachi High-Technologies Corp 真空処理装置

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