JPH05203523A - 圧力センサ・パッケージ - Google Patents
圧力センサ・パッケージInfo
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- JPH05203523A JPH05203523A JP4184813A JP18481392A JPH05203523A JP H05203523 A JPH05203523 A JP H05203523A JP 4184813 A JP4184813 A JP 4184813A JP 18481392 A JP18481392 A JP 18481392A JP H05203523 A JPH05203523 A JP H05203523A
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L19/00—Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
- G01L19/14—Housings
- G01L19/147—Details about the mounting of the sensor to support or covering means
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- G—PHYSICS
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- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
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- G01L19/0007—Fluidic connecting means
- G01L19/0038—Fluidic connecting means being part of the housing
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L19/00—Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
- G01L19/0061—Electrical connection means
- G01L19/0084—Electrical connection means to the outside of the housing
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】集積回路パッケージの形態の多層セラミック構
造を利用した圧力素子パッケージを提供することであ
る。 【構成】半導体業界で通常に使用されているデュアル・
イン・ライン・パッケージ（ＤＩＰ）構造を持つ本発明
の圧力センサ・パッケージは、圧力下の流体を第１の層
の第１の面から第１の層の第２の面に伝送する少なくと
も１本の内部通路を有する所定の材料の第１の層を含ん
でいる。感圧素子は第１の層の第１の面に結合し、内部
通路の第１の面からの出口をカバーする。リード・パッ
ケージは複数のピンを有し、各々のピンは第１の層の第
１の面に対して垂直で、圧力センサ・パッケージの外側
の第１の層の第１及び第２の長さに沿って配置され、標
準ＤＩＰ構成に準拠するスペース配分を有している。感
圧素子の所定の点は、電気的に所定のピンに接続されて
いる。所定の材料の第２の層は、第１の層の第１の面に
結合し、感圧素子用の閉じた空間を提供している。
造を利用した圧力素子パッケージを提供することであ
る。 【構成】半導体業界で通常に使用されているデュアル・
イン・ライン・パッケージ（ＤＩＰ）構造を持つ本発明
の圧力センサ・パッケージは、圧力下の流体を第１の層
の第１の面から第１の層の第２の面に伝送する少なくと
も１本の内部通路を有する所定の材料の第１の層を含ん
でいる。感圧素子は第１の層の第１の面に結合し、内部
通路の第１の面からの出口をカバーする。リード・パッ
ケージは複数のピンを有し、各々のピンは第１の層の第
１の面に対して垂直で、圧力センサ・パッケージの外側
の第１の層の第１及び第２の長さに沿って配置され、標
準ＤＩＰ構成に準拠するスペース配分を有している。感
圧素子の所定の点は、電気的に所定のピンに接続されて
いる。所定の材料の第２の層は、第１の層の第１の面に
結合し、感圧素子用の閉じた空間を提供している。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は圧力トランスミッタに関
し、特に流体圧力トランスミッタ・アセンブリに関す
る。
し、特に流体圧力トランスミッタ・アセンブリに関す
る。
【０００２】
【従来の技術】現在の圧力センサ・パッケージには、ヘ
ッダ、圧力フィードスルーなどを有し、計器本体に取り
付けられるスチール容器内に内蔵される「ＰＹＲＥＸ」
ガラス実装チューブ上に実装する圧力センサ素子（即ち
圧力変化を検出するために利用される圧抵抗性を有する
シリコン・ダイ）がある。シリコン・ダイ（圧力センサ
素子）は、比較的低い膨張温度係数（ＴＣＥ）を有し、
スチールは比較的高いＴＣＥを有する。シリコン・ダイ
をスチール容器に直接実装すると、温度変化によりシリ
コン・ダイに歪が誘起され、間違った圧力読み取り値を
もたらすことになる。従ってシリコン・ダイを実装する
際は中間材を用いている。上述したように、通常に使用
されている材料はシリコンのＴＣＥにより近く合致する
ＴＣＥを持つ「ＰＹＲＥＸ」ガラスであり、シリコン・
ダイを「ＰＹＲＥＸ」ガラスに結合する通常の方法は、
熱電気ボンディング手法を通して行われている。
ッダ、圧力フィードスルーなどを有し、計器本体に取り
付けられるスチール容器内に内蔵される「ＰＹＲＥＸ」
ガラス実装チューブ上に実装する圧力センサ素子（即ち
圧力変化を検出するために利用される圧抵抗性を有する
シリコン・ダイ）がある。シリコン・ダイ（圧力センサ
素子）は、比較的低い膨張温度係数（ＴＣＥ）を有し、
スチールは比較的高いＴＣＥを有する。シリコン・ダイ
をスチール容器に直接実装すると、温度変化によりシリ
コン・ダイに歪が誘起され、間違った圧力読み取り値を
もたらすことになる。従ってシリコン・ダイを実装する
際は中間材を用いている。上述したように、通常に使用
されている材料はシリコンのＴＣＥにより近く合致する
ＴＣＥを持つ「ＰＹＲＥＸ」ガラスであり、シリコン・
ダイを「ＰＹＲＥＸ」ガラスに結合する通常の方法は、
熱電気ボンディング手法を通して行われている。
【０００３】本発明によればシリコン・ダイを中間材を
用いずに実装する。これには集積回路チップの実装に使
用するようなセラミック・デュアル・イン・ライン・パ
ッケージ（ＤＩＰ）のユニークな変形体を用いる。本発
明の圧力センサ・アセンブリは結果的にその単純さか
ら、印刷回路基板に実装可能なことや、実装配列が多
様、実装が容易で柔軟性があること、全体のコストが低
くなるといった利点をもたらすことができる。更にシリ
コン・ダイをセラミックＤＩＰパッケージに実装する
が、このセラミックはシリコンのＴＣＥにほぼ等しいＴ
ＣＥを持つので、シリコン・ダイ内での温度変化による
疑似歪の誘起を実質的になくすことが出来る。
用いずに実装する。これには集積回路チップの実装に使
用するようなセラミック・デュアル・イン・ライン・パ
ッケージ（ＤＩＰ）のユニークな変形体を用いる。本発
明の圧力センサ・アセンブリは結果的にその単純さか
ら、印刷回路基板に実装可能なことや、実装配列が多
様、実装が容易で柔軟性があること、全体のコストが低
くなるといった利点をもたらすことができる。更にシリ
コン・ダイをセラミックＤＩＰパッケージに実装する
が、このセラミックはシリコンのＴＣＥにほぼ等しいＴ
ＣＥを持つので、シリコン・ダイ内での温度変化による
疑似歪の誘起を実質的になくすことが出来る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】そこで本発明の目的
は、多層セラミック構造を利用した圧力センサ・パッケ
ージを提供することである。本発明の他の目的は、集積
回路パッケージの形態の多層セラミック構造を利用した
圧力センサ・パッケージを提供することである。
は、多層セラミック構造を利用した圧力センサ・パッケ
ージを提供することである。本発明の他の目的は、集積
回路パッケージの形態の多層セラミック構造を利用した
圧力センサ・パッケージを提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明では、集積回路パ
ッケージの形の多層セラミック構造を利用した圧力セン
サ・パッケージを提供する。デュアル・イン・ライン・
パッケージ（ＤＩＰ）構造を持つ本発明の圧力センサ・
パッケージは、圧力下の流体を第１の層の第１の面から
第１の層の第２の面に伝送する少なくとも１本の内部通
路を有し、第２の面は圧力センサ・パッケージの外面を
形成する所定の材料の第１の層を含んでいる。感圧素子
は第１の層の第１の面に結合され、内部通路の第１の面
からの出口をカバーする。リード・パッケージは複数の
ピンを有し、各々のピンは第１の層の第１の面に対して
垂直で、圧力センサ・パッケージの外側の第１の層の第
１及び第２の長さに沿って配置され、通常の業界標準Ｄ
ＩＰ構成に準拠するスペース配分を有している。感圧素
子の所定の点は、電気的に所定のピンに接続されてい
る。所定の材料の第２の層（上面、下面を持ち、第２の
層の上面は圧力センサ・パッケージの外面となり、下面
はくぼみを有する）は、第１の層の第１の面に結合した
下面を有し、感圧素子はくぼみ内に延長している。
ッケージの形の多層セラミック構造を利用した圧力セン
サ・パッケージを提供する。デュアル・イン・ライン・
パッケージ（ＤＩＰ）構造を持つ本発明の圧力センサ・
パッケージは、圧力下の流体を第１の層の第１の面から
第１の層の第２の面に伝送する少なくとも１本の内部通
路を有し、第２の面は圧力センサ・パッケージの外面を
形成する所定の材料の第１の層を含んでいる。感圧素子
は第１の層の第１の面に結合され、内部通路の第１の面
からの出口をカバーする。リード・パッケージは複数の
ピンを有し、各々のピンは第１の層の第１の面に対して
垂直で、圧力センサ・パッケージの外側の第１の層の第
１及び第２の長さに沿って配置され、通常の業界標準Ｄ
ＩＰ構成に準拠するスペース配分を有している。感圧素
子の所定の点は、電気的に所定のピンに接続されてい
る。所定の材料の第２の層（上面、下面を持ち、第２の
層の上面は圧力センサ・パッケージの外面となり、下面
はくぼみを有する）は、第１の層の第１の面に結合した
下面を有し、感圧素子はくぼみ内に延長している。
【０００６】
【実施例】図１内至図３には、集積回路（ＩＣ）チップ
を実装するのに半導体業界で通常用いられるデュアル・
イン・ライン・パッケージ（ＤＩＰ）構成を利用した圧
力センサ・アセンブリ10が示されている。図１と図２は
ＤＩＰパッケージの各々頂面図と正面図を示し、図３は
ＤＩＰパッケージの部分分解等角図である。ＤＩＰパッ
ケージ10内には感圧素子20（即ち、圧力変化を検出する
ために利用される従来よく知られた圧抵抗、容量ないし
誘電特性を持つダイアフラムとしての作用をするシリコ
ン・ダイ）を実装する。本発明の実施例では、感圧素子
20はＤＩＰパッケージ10のペデスタル21上に実装する。
測定する圧力は圧力ポート30に入力し、シリコン・ダイ
20の電気的性質の変化を当業者にはよく知られた方法で
ＤＩＰパッケージ10のピン40で測定する。シリコン・ダ
イ20はＤＩＰパッケージ10の所定のピン40に電気的に接
続されている。シリコン・ダイ20をＤＩＰパッケージ10
内に実装し、ピン40に接続した後、カバー50でシリコン
・ダイ20を密閉（ないしカバー）する。ＤＩＰパッケー
ジ10の材料はセラミックであり、一般的にはアルミナや
ムライトであるがその他のセラミックスを用いることも
出来る。シリコン・ダイ20の膨張温度係数（ＴＣＥ）に
より近く合致する低いＴＣＥを有するセラミック材料
が、シリコン・ダイ20から最良の性能を引き出すことが
出来る。シリコン・ダイ20のパッケージへの実装手法
は、当業者によく知られた標準ＩＣ慣例にしたがってエ
ポキシ、共晶はんだ付け、ないし通常のはんだ付けで行
うことが出来る。図４は、図２のＤＩＰパッケージの別
の実施例（ないし変更態様）を示すものである。特にポ
ート31は、圧力ポート30からの圧力がシリコン・ダイ20
の下側に加えられるときに、圧力がシリコン・ダイ20の
上部に加えられるように配置されており、それによりシ
リコン・ダイ20は圧力ポート30とポート31間に加えられ
た圧力の差を測定する。当業者には、以下により明らか
になるように、パッケージに様々な構成や配置のポート
を含めて様々な構成や様々な圧力測定値をもたらすこと
が出来ることが理解されよう。
を実装するのに半導体業界で通常用いられるデュアル・
イン・ライン・パッケージ（ＤＩＰ）構成を利用した圧
力センサ・アセンブリ10が示されている。図１と図２は
ＤＩＰパッケージの各々頂面図と正面図を示し、図３は
ＤＩＰパッケージの部分分解等角図である。ＤＩＰパッ
ケージ10内には感圧素子20（即ち、圧力変化を検出する
ために利用される従来よく知られた圧抵抗、容量ないし
誘電特性を持つダイアフラムとしての作用をするシリコ
ン・ダイ）を実装する。本発明の実施例では、感圧素子
20はＤＩＰパッケージ10のペデスタル21上に実装する。
測定する圧力は圧力ポート30に入力し、シリコン・ダイ
20の電気的性質の変化を当業者にはよく知られた方法で
ＤＩＰパッケージ10のピン40で測定する。シリコン・ダ
イ20はＤＩＰパッケージ10の所定のピン40に電気的に接
続されている。シリコン・ダイ20をＤＩＰパッケージ10
内に実装し、ピン40に接続した後、カバー50でシリコン
・ダイ20を密閉（ないしカバー）する。ＤＩＰパッケー
ジ10の材料はセラミックであり、一般的にはアルミナや
ムライトであるがその他のセラミックスを用いることも
出来る。シリコン・ダイ20の膨張温度係数（ＴＣＥ）に
より近く合致する低いＴＣＥを有するセラミック材料
が、シリコン・ダイ20から最良の性能を引き出すことが
出来る。シリコン・ダイ20のパッケージへの実装手法
は、当業者によく知られた標準ＩＣ慣例にしたがってエ
ポキシ、共晶はんだ付け、ないし通常のはんだ付けで行
うことが出来る。図４は、図２のＤＩＰパッケージの別
の実施例（ないし変更態様）を示すものである。特にポ
ート31は、圧力ポート30からの圧力がシリコン・ダイ20
の下側に加えられるときに、圧力がシリコン・ダイ20の
上部に加えられるように配置されており、それによりシ
リコン・ダイ20は圧力ポート30とポート31間に加えられ
た圧力の差を測定する。当業者には、以下により明らか
になるように、パッケージに様々な構成や配置のポート
を含めて様々な構成や様々な圧力測定値をもたらすこと
が出来ることが理解されよう。
【０００７】図５は、パッケージ10の別の構成を分解等
角図で示したものである。このパッケージ10の別の構成
は、集積回路パッケージの形の多層構造から形成されて
いる。シリコン・ダイ20は中心の中央セラミック層11に
直接に実装する。パッケージ10の上部セラミック層12
は、ソルダ・ガラスないしエポキシを用いて電気的リー
ドアウト・フレーム40にダイ・ボンディングした後に中
央セラミック層11に接合する。上部セラミック層12は削
除部（ないしくぼみ）15を有し、シリコン・ダイ20用の
空間をもたらしている。本発明の実施例では、セラミッ
ク層11、12はシリコンの膨張温度係数と合致する鉛、ジ
ルコン酸塩、チタン酸塩をはじめとするセラミックを利
用する。シリコンのＴＣＥは3.4 で、このセラミックの
ＴＣＥは約3.6 −3.7 で、スチールのＴＣＥはほぼ35で
ある。中央セラミック層11には、圧力伝送媒体（即ちシ
リコン・オイル）をシリコン・ダイ20に導くポート（な
いし流路）が含まれている。セラミック層は結合ないし
共焼き入れして気密構造を形成している。そしてＤＩＰ
パッケージ10は、計器本体（図示せず）ないしシリコン
・ダイを計器本体に遠隔的に接続するチューブ（図示せ
ず）を結合するために用いるアクセス・ポートを有して
いる。この構成の圧力ポート30（ないし内部通路）は中
央セラミック層11に内蔵されている。
角図で示したものである。このパッケージ10の別の構成
は、集積回路パッケージの形の多層構造から形成されて
いる。シリコン・ダイ20は中心の中央セラミック層11に
直接に実装する。パッケージ10の上部セラミック層12
は、ソルダ・ガラスないしエポキシを用いて電気的リー
ドアウト・フレーム40にダイ・ボンディングした後に中
央セラミック層11に接合する。上部セラミック層12は削
除部（ないしくぼみ）15を有し、シリコン・ダイ20用の
空間をもたらしている。本発明の実施例では、セラミッ
ク層11、12はシリコンの膨張温度係数と合致する鉛、ジ
ルコン酸塩、チタン酸塩をはじめとするセラミックを利
用する。シリコンのＴＣＥは3.4 で、このセラミックの
ＴＣＥは約3.6 −3.7 で、スチールのＴＣＥはほぼ35で
ある。中央セラミック層11には、圧力伝送媒体（即ちシ
リコン・オイル）をシリコン・ダイ20に導くポート（な
いし流路）が含まれている。セラミック層は結合ないし
共焼き入れして気密構造を形成している。そしてＤＩＰ
パッケージ10は、計器本体（図示せず）ないしシリコン
・ダイを計器本体に遠隔的に接続するチューブ（図示せ
ず）を結合するために用いるアクセス・ポートを有して
いる。この構成の圧力ポート30（ないし内部通路）は中
央セラミック層11に内蔵されている。
【０００８】図６は、図５の多層構造の他の実施例を示
したものである。中央セラミック層11はその下側の面に
流路32を含んでいる。流路32は十分長く下部セラミック
層13の垂直ポート33に伸びている。この構成により、パ
ッケージ10の反対側の端部から軸方向に伸びる図５のポ
ートとは対照的に、ポートをパッケージ10に対して垂直
にすることが出来る。
したものである。中央セラミック層11はその下側の面に
流路32を含んでいる。流路32は十分長く下部セラミック
層13の垂直ポート33に伸びている。この構成により、パ
ッケージ10の反対側の端部から軸方向に伸びる図５のポ
ートとは対照的に、ポートをパッケージ10に対して垂直
にすることが出来る。
【０００９】図７は図６のパッケージ10の上面図とI-I
断面図を示したものである。特に中央セラミック層11の
下側に沿った流路32が、シリコン・ダイ20の下側につな
がるポートと共に示されている。また下部セラミック層
13の上面に沿って上向きのポートから垂直ポート33へ走
る下部セラミック層13の上面の対応する流路32’が示さ
れている。簡明にするため、その断面を分解図として示
す。図４と共に上述したように、ポート32の低い方のも
のをくぼみ15に上向きに伸ばして、差動圧力感知機能を
達成することが出来る。上記の説明と共に、様々なポー
ト構成を行って様々な構成や機能をもたらすことが出来
ることは当業者には理解されよう。更に流路32ないし3
2’は中央セラミック層11と下部セラミック層13間に、
垂直ポート33からシリコン・ダイ20の下の垂直ポート3
2’への（流路を形成するため）削除部分を有する追加
層（図示せず）を付け加えることで実施できることが当
業者には理解されよう。追加層（図示せず）の利用は、
共焼き入れしたセラミック・テープを利用して作った圧
力アセンブリ・パッケージ10に対して用いることが出来
る。
断面図を示したものである。特に中央セラミック層11の
下側に沿った流路32が、シリコン・ダイ20の下側につな
がるポートと共に示されている。また下部セラミック層
13の上面に沿って上向きのポートから垂直ポート33へ走
る下部セラミック層13の上面の対応する流路32’が示さ
れている。簡明にするため、その断面を分解図として示
す。図４と共に上述したように、ポート32の低い方のも
のをくぼみ15に上向きに伸ばして、差動圧力感知機能を
達成することが出来る。上記の説明と共に、様々なポー
ト構成を行って様々な構成や機能をもたらすことが出来
ることは当業者には理解されよう。更に流路32ないし3
2’は中央セラミック層11と下部セラミック層13間に、
垂直ポート33からシリコン・ダイ20の下の垂直ポート3
2’への（流路を形成するため）削除部分を有する追加
層（図示せず）を付け加えることで実施できることが当
業者には理解されよう。追加層（図示せず）の利用は、
共焼き入れしたセラミック・テープを利用して作った圧
力アセンブリ・パッケージ10に対して用いることが出来
る。
【００１０】図８は、図７のパッケージ10の別のI-I 断
面図である。この別のパッケージ構成では、上部セラミ
ック層にくぼみ15は含まれていないが、中央セラミック
層11の上面に含まれている。又この構成では、ピン40の
側面で電気接続41を行う必要がある。更に代わりに、く
ぼみを中央セラミック層11と上部セラミック層12の両方
に含めることが出来る。当業者は本発明の範囲内で様々
な変更態様を行うことが出来ることが理解されよう。
面図である。この別のパッケージ構成では、上部セラミ
ック層にくぼみ15は含まれていないが、中央セラミック
層11の上面に含まれている。又この構成では、ピン40の
側面で電気接続41を行う必要がある。更に代わりに、く
ぼみを中央セラミック層11と上部セラミック層12の両方
に含めることが出来る。当業者は本発明の範囲内で様々
な変更態様を行うことが出来ることが理解されよう。
【００１１】図９は圧力トランスミッタ・アセンブリ10
0 内に実装されたセンサ・パッケージ10を示したもので
ある。圧力トランスミッタ・アセンブリには計器本体70
と、上部、中央、下部セラミック層12、11、13を含む多
層セラミックＤＩＰパッケージを有するセンサ・パッケ
ージ10が含まれている。センサ・パッケージ10は計器本
体内部の印刷回路基板60に実装されており、細管35を通
して計器本体に結合されている。細管35はＤＩＰパッケ
ージ10を計器本体に遠隔的に接続する役に立ち、高い温
度を持つことがある測定する流体圧力からの温度の隔離
を部分的に達成している。明解にするため、図１０に
（上部セラミック層12のない）センサ・パッケージ10の
直接的な計器本体70への実装の切欠き図を示す。下部セ
ラミック層13の垂直ポート33は計器本体70の圧力ポート
36と調心するようにしてある。計器本体70には又、反対
側にポート36’が含まれている。シリコン・ダイ20は中
央セラミック層11内のポート32からの上向きポートであ
るセンサ・ポート32’の上で中央セラミック層11上に実
装する。
0 内に実装されたセンサ・パッケージ10を示したもので
ある。圧力トランスミッタ・アセンブリには計器本体70
と、上部、中央、下部セラミック層12、11、13を含む多
層セラミックＤＩＰパッケージを有するセンサ・パッケ
ージ10が含まれている。センサ・パッケージ10は計器本
体内部の印刷回路基板60に実装されており、細管35を通
して計器本体に結合されている。細管35はＤＩＰパッケ
ージ10を計器本体に遠隔的に接続する役に立ち、高い温
度を持つことがある測定する流体圧力からの温度の隔離
を部分的に達成している。明解にするため、図１０に
（上部セラミック層12のない）センサ・パッケージ10の
直接的な計器本体70への実装の切欠き図を示す。下部セ
ラミック層13の垂直ポート33は計器本体70の圧力ポート
36と調心するようにしてある。計器本体70には又、反対
側にポート36’が含まれている。シリコン・ダイ20は中
央セラミック層11内のポート32からの上向きポートであ
るセンサ・ポート32’の上で中央セラミック層11上に実
装する。
【００１２】当業者には、当業者によく知られた手法を
用いて様々な材料の結合を行うことが出来ることが理解
されよう。又添付した図は必ずしも一定の比例で描かれ
たものではなく、本装置の特徴を示すことを意図したも
のであることが理解されよう。更に当業者には、様々な
ポート構成を用いて本発明の範囲内で様々な利点を達成
することが出来、未使用のポートは本発明により達成さ
れる利点を変える事なく塞ぐことが出来ることが理解さ
れよう。本発明の実施例と考えられるものを説明した
が、ここで本発明の本質的な趣旨と範囲を逸脱せずに多
くの変更や変更態様を行うことが出来ることが理解され
よう。従って本発明の真の範囲内のそのような全ての変
更や変更態様は、添付する特許請求の範囲でカバーされ
るものとする。
用いて様々な材料の結合を行うことが出来ることが理解
されよう。又添付した図は必ずしも一定の比例で描かれ
たものではなく、本装置の特徴を示すことを意図したも
のであることが理解されよう。更に当業者には、様々な
ポート構成を用いて本発明の範囲内で様々な利点を達成
することが出来、未使用のポートは本発明により達成さ
れる利点を変える事なく塞ぐことが出来ることが理解さ
れよう。本発明の実施例と考えられるものを説明した
が、ここで本発明の本質的な趣旨と範囲を逸脱せずに多
くの変更や変更態様を行うことが出来ることが理解され
よう。従って本発明の真の範囲内のそのような全ての変
更や変更態様は、添付する特許請求の範囲でカバーされ
るものとする。
【図１】本発明のセンサ・パッケージのそれぞれ頂面
図、正面図、部分分解等角図である。
図、正面図、部分分解等角図である。
【図２】本発明のセンサ・パッケージのそれぞれ頂面
図、正面図、部分分解等角図である。
図、正面図、部分分解等角図である。
【図３】本発明のセンサ・パッケージのそれぞれ頂面
図、正面図、部分分解等角図である。
図、正面図、部分分解等角図である。
【図４】図１のセンサ・パッケージの別の実施例の正面
図である。
図である。
【図５】多層構造集積回路パッケージの形のパッケージ
の別の構成を示す図である。
の別の構成を示す図である。
【図６】図５のパッケージの別の実施例を示す図であ
る。
る。
【図７】図６のパッケージの頂面図をパッケージの断面
図と共に示したものである。
図と共に示したものである。
【図８】図６のパッケージの別の断面図である。
【図９】圧力トランスミッタ・アセンブリに実装された
パッケージを示す図である。
パッケージを示す図である。
【図１０】計器本体に直接実装されたパッケージを示す
図である。
図である。
１０：ＤＩＰパッケージ、２０：感圧素子、３０、３
１：ポート、３２：流路、３３：垂直ポート。
１：ポート、３２：流路、３３：垂直ポート。
Claims (2)
- 【請求項１】 a) 圧力下の流体を第１の面から第２の
面へ保持する少なくとも１本の内部通路を有し、前記第
２の面が装置の外面となる所定の材料の第１の層と、 b) 前記第１の層の第１の面に結合されて圧力を感知
し、前記内部通路の第１の面での出口をカバーする手段
と、 c) 複数のピンを有し、各々のピンは第１の層の第１の
面に対して垂直で、前記装置の外部の第１の層の第１と
第２の長さに沿って配置され、デュアル・イン・ライン
・パッケージ（ＤＩＰ）構成に準拠したスペース配分を
有し、前記圧力を感知する手段の所定の点は電気的に所
定のピンと接続されたリード・パッケージ手段と、 d) 上面と下面を有し、上面は前記装置の外面となり、
下面はくぼみを有し、かつ下面は前記第１の層の第１の
面と結合され、前記圧力を感知する手段が前記くぼみに
入り込んでいる所定の材料の第２の層とを有することを
特徴とするＤＩＰ構造を有する感圧装置。 - 【請求項２】 a) 第１の面に沿って少なくとも１本の
内部通路を有し、第２の面から対応する流路への対応す
るポートを有する所定の材料の第１の層と、 b) 前記第１の層の第２の面に結合されて圧力を感知
し、前記第１の層の第２の面のポートをカバーする手段
と、 c) 複数のピンを有し、各々のピンは第１の層の第２の
面に対して垂直で、装置の外部の第１の層の第１と第２
の長さに沿って配置され、デュアル・イン・ライン・パ
ッケージ（ＤＩＰ）構成に準拠したスペース配分を有
し、前記圧力を感知する手段の所定の点は電気的に所定
のピンと接続されたリード・パッケージ手段と、 d) 上面と下面を有し、上面は前記装置の外面となり、
下面にはくぼみを有し、かつ下面は前記第１の層の第２
の面と結合され、前記圧力を感知する手段が前記くぼみ
に入り込んでいる所定の材料の第２の層と、 e) 第１と第２の面を有し、第１の面は前記第１の層の
第１の面と結合し、かつ第２の面は前記装置の外面とな
るとともに、第２の面から第１の面に伸びる少なくとも
１本のポートを有し、第１の面上のポートの出口は前記
第１の層の対応する流路と調心されている第３の層とを
有することを特徴とするＤＩＰ構造を有する感圧装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/717,582 US5125275A (en) | 1991-06-19 | 1991-06-19 | Pressure sensor package |
| US717,582 | 1996-09-18 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05203523A true JPH05203523A (ja) | 1993-08-10 |
Family
ID=24882624
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4184813A Pending JPH05203523A (ja) | 1991-06-19 | 1992-06-19 | 圧力センサ・パッケージ |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5125275A (ja) |
| JP (1) | JPH05203523A (ja) |
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1991
- 1991-06-19 US US07/717,582 patent/US5125275A/en not_active Expired - Lifetime
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1992
- 1992-06-19 JP JP4184813A patent/JPH05203523A/ja active Pending
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5125275A (en) | 1992-06-30 |
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Legal Events
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