JPS5817421B2 - 半導体圧力センサ - Google Patents
半導体圧力センサInfo
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- JPS5817421B2 JPS5817421B2 JP54010329A JP1032979A JPS5817421B2 JP S5817421 B2 JPS5817421 B2 JP S5817421B2 JP 54010329 A JP54010329 A JP 54010329A JP 1032979 A JP1032979 A JP 1032979A JP S5817421 B2 JPS5817421 B2 JP S5817421B2
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- H10W72/5363—Shapes of wire connectors the connected ends being wedge-shaped
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体のピエゾ抵抗効果を利用した圧力セン
サ、特に温度特性のすぐれたこの種の半導体圧力センサ
に関するものである。
サ、特に温度特性のすぐれたこの種の半導体圧力センサ
に関するものである。
半導体圧力センサとしては、片面に拡散抵抗が形成され
たシリコンダイヤフラムを用い、拡散抵抗のひずみによ
る抵抗変化を利用して圧力を電気信号に変換するように
したものがある。
たシリコンダイヤフラムを用い、拡散抵抗のひずみによ
る抵抗変化を利用して圧力を電気信号に変換するように
したものがある。
この半導体圧力センサは、小形で感度が良く、かつＩＣ
技術により特性の揃ったものが得やすい等のすぐれた特
長を有する点が注目され、各所で実用化研究が進められ
ているが、解決すべき課題の１つとして温度特性の改善
がある。
技術により特性の揃ったものが得やすい等のすぐれた特
長を有する点が注目され、各所で実用化研究が進められ
ているが、解決すべき課題の１つとして温度特性の改善
がある。
すなわち、上記のシリコンダイヤフラムはその拡散抵抗
が形成されない面を取付台に固着して使用されるが、シ
リコンダイヤフラムと取付台との線膨張率が異なる場合
、温度変化に伴ってシリコンダイヤフラムに熱歪が生じ
、このために出力が変動する。
が形成されない面を取付台に固着して使用されるが、シ
リコンダイヤフラムと取付台との線膨張率が異なる場合
、温度変化に伴ってシリコンダイヤフラムに熱歪が生じ
、このために出力が変動する。
このような温度変化の影響を避けるため、取付台の構成
材料としてはシリコンと線膨張率が近似した物質（たと
えば、ムライト、ジルコン、パイレツクスガラス等）が
使用されている。
材料としてはシリコンと線膨張率が近似した物質（たと
えば、ムライト、ジルコン、パイレツクスガラス等）が
使用されている。
しかし、シリコンダイヤフラムと取付台構成材料の線膨
張率にはそれぞれバラツキがあって異物質問での線膨張
率の完全な一致を得ることは望めず、また取付台構成材
料としてムライト、ジルコン等のセラミック系材料を用
いる場合には取付台表面の凹凸によりこれとシリコンダ
イヤフラムとの間に介在するボンディング層を厚く形成
する必要があるため、ボンディング層の熱膨張の影響も
受けやすい等、シリコンダイヤフラムの熱歪を十分に低
減することが困難であった。
張率にはそれぞれバラツキがあって異物質問での線膨張
率の完全な一致を得ることは望めず、また取付台構成材
料としてムライト、ジルコン等のセラミック系材料を用
いる場合には取付台表面の凹凸によりこれとシリコンダ
イヤフラムとの間に介在するボンディング層を厚く形成
する必要があるため、ボンディング層の熱膨張の影響も
受けやすい等、シリコンダイヤフラムの熱歪を十分に低
減することが困難であった。
従来、温度特性を改善する他の一方法として、シリコン
ダイヤフラムを線膨張率の等しいシリコン支持板を介し
て取付けることも考えられている。
ダイヤフラムを線膨張率の等しいシリコン支持板を介し
て取付けることも考えられている。
第１図に示したものはその一例で、片面に拡散抵抗２が
形成されたシリコンダイヤフラム１の拡散抵抗２が形成
されていない面にシリコン支持板３をＡｕ−８ｉ共晶合
金層等を介して接合し、このシリコン支持板３の背面中
央部を接着剤４を介してアルミナ基板５に取付けたもの
である。
形成されたシリコンダイヤフラム１の拡散抵抗２が形成
されていない面にシリコン支持板３をＡｕ−８ｉ共晶合
金層等を介して接合し、このシリコン支持板３の背面中
央部を接着剤４を介してアルミナ基板５に取付けたもの
である。
シリコンダイヤフラム１とシリコン支持板３の間には真
空室６が形成され、シリコンダイヤフラム１の拡散抵抗
２が形成された面は基板５上に取付け５たキャップ７で
覆い、基板５に設けた圧力伝達孔８を介して拡散抵抗２
に測定すべき流体圧力を伝達している。
空室６が形成され、シリコンダイヤフラム１の拡散抵抗
２が形成された面は基板５上に取付け５たキャップ７で
覆い、基板５に設けた圧力伝達孔８を介して拡散抵抗２
に測定すべき流体圧力を伝達している。
この装置では、シリコンダイヤフラム１とシリコン支持
板３とが線膨張率の等しいシリコン単結晶で形成される
ため、シリコンダイヤフラムを異種材料の取付台に直付
けしたものよりシリコンダイヤフラムの受ける熱歪は軽
減される。
板３とが線膨張率の等しいシリコン単結晶で形成される
ため、シリコンダイヤフラムを異種材料の取付台に直付
けしたものよりシリコンダイヤフラムの受ける熱歪は軽
減される。
しかし、拡散抵抗２がキャップＬ内に導入される測定雰
囲気にさらされるため、測定雰囲気中の水分、や腐蝕性
ガスによって劣化を来たしやすい欠点があり、特に内燃
機関の負圧検出等の酸化性雰囲気中での使用には適しな
い。
囲気にさらされるため、測定雰囲気中の水分、や腐蝕性
ガスによって劣化を来たしやすい欠点があり、特に内燃
機関の負圧検出等の酸化性雰囲気中での使用には適しな
い。
第２図に示した例は、シリコンダイヤフラム１と接合す
るシリコン支持板３に支柱９を一体に設け、アルミナ基
板５にねじ込み固定された支柱９の圧力伝達孔１０を介
してシリコンダイヤフラム１の受圧面に測定すべき圧力
を伝達するようにしたものである。
るシリコン支持板３に支柱９を一体に設け、アルミナ基
板５にねじ込み固定された支柱９の圧力伝達孔１０を介
してシリコンダイヤフラム１の受圧面に測定すべき圧力
を伝達するようにしたものである。
この装置では、シリコンダイヤフラム１の拡散抵抗２を
形成した面がキャップ７により真空封止されるので、測
定雰囲気による拡散抵抗２の劣化はなく、また支柱９を
長くすることにより、支柱９と基板５の線膨張率の差に
よって生じた熱歪がシリコンダイヤフラム１１ｉ伝達さ
れることも少くなる。
形成した面がキャップ７により真空封止されるので、測
定雰囲気による拡散抵抗２の劣化はなく、また支柱９を
長くすることにより、支柱９と基板５の線膨張率の差に
よって生じた熱歪がシリコンダイヤフラム１１ｉ伝達さ
れることも少くなる。
しかし、この装置はシリコン支持板３と支柱９をシリコ
ン単結晶から削り出す必要があり、材料のむだが多く、
かつ量産に向かない。
ン単結晶から削り出す必要があり、材料のむだが多く、
かつ量産に向かない。
本発明は上記の点にかんがみてなされたもので第１の目
的はシリコンダイヤフラムの拡散抵抗が１受ける熱歪を
できるだけ小さくして温度特性、の良い半導体圧力セン
サを提供することにあり、第２の目的は生産性が良く、
かつ測定雰囲気により替散抵抗が劣化されることのない
半導体圧力センサを提供することにある。
的はシリコンダイヤフラムの拡散抵抗が１受ける熱歪を
できるだけ小さくして温度特性、の良い半導体圧力セン
サを提供することにあり、第２の目的は生産性が良く、
かつ測定雰囲気により替散抵抗が劣化されることのない
半導体圧力センサを提供することにある。
上記目的を達成するため本発明は、片面に拡散抵抗を、
その反対側に受圧面を有するシリコンダイヤフラムと、
該シリコンダイヤフラムにその受圧面を覆うように接合
されたシリコン支持板とを、これらの接合面の方向に前
記拡散抵抗および受圧；面から隔った一方の端部でのみ
パッケージの取付面にボンディング層を介して固着し、
該固着面に前記受圧面への圧力伝達用孔または溝を設け
たことを特徴とするものである。
その反対側に受圧面を有するシリコンダイヤフラムと、
該シリコンダイヤフラムにその受圧面を覆うように接合
されたシリコン支持板とを、これらの接合面の方向に前
記拡散抵抗および受圧；面から隔った一方の端部でのみ
パッケージの取付面にボンディング層を介して固着し、
該固着面に前記受圧面への圧力伝達用孔または溝を設け
たことを特徴とするものである。
以下、本発明の実施例を図面を用いて説明する。
第３〜６図は第１の実施例の説明図で、第３図はシリコ
ンダイヤフラムとシリコン支持板をパッケージに収納し
た圧力センサ本体部分の側断面図、第４甲はシリコンダ
イヤフラムとシリコン支持、板の接合体を拡大して示す
側断面図、第５図はシリコンダイヤフラムと；シリコン
支持体の接合前の斜視図、第６図はパッケージの外観図
である。
ンダイヤフラムとシリコン支持板をパッケージに収納し
た圧力センサ本体部分の側断面図、第４甲はシリコンダ
イヤフラムとシリコン支持、板の接合体を拡大して示す
側断面図、第５図はシリコンダイヤフラムと；シリコン
支持体の接合前の斜視図、第６図はパッケージの外観図
である。
第４，５図に示すように、シリコン単結晶からなるシリ
コンダイヤフラム１１は、その片面に拡散抵抗１２、Ｓ
ｉ０２膜１３、ＡＩ配線１４が通常１の方法によって
形成され、反対側の面にはその一部をエツチングにより
くり抜いて形成された受圧面１５を有する。
コンダイヤフラム１１は、その片面に拡散抵抗１２、Ｓ
ｉ０２膜１３、ＡＩ配線１４が通常１の方法によって
形成され、反対側の面にはその一部をエツチングにより
くり抜いて形成された受圧面１５を有する。
この拡散抵抗１２と受圧面１５はシリコンダイヤフラム
１１の長手方向の一端に近寄せて設けることが望ましい
。
１１の長手方向の一端に近寄せて設けることが望ましい
。
同じくシリコン単結晶からなるシリコン支持板１６はシ
リコンダイヤフラム１１と長さ、幅とも同寸法に形成さ
れており、シリコンダイヤフラム１１の拡散抵抗１２お
よび受圧面１５から隔った該シリコン支持板１６の一方
の端部には厚さ方向に貫通する圧力伝達孔１７が設けら
れ、該シリコン支持板１６のシリコンダイヤフラム１１
と対向する面には、一端が圧力伝達孔１７に連なり、他
端がシリコンダイヤフラム１１の受圧面１５の下まで延
びる圧力伝達溝１８が設けられている。
リコンダイヤフラム１１と長さ、幅とも同寸法に形成さ
れており、シリコンダイヤフラム１１の拡散抵抗１２お
よび受圧面１５から隔った該シリコン支持板１６の一方
の端部には厚さ方向に貫通する圧力伝達孔１７が設けら
れ、該シリコン支持板１６のシリコンダイヤフラム１１
と対向する面には、一端が圧力伝達孔１７に連なり、他
端がシリコンダイヤフラム１１の受圧面１５の下まで延
びる圧力伝達溝１８が設けられている。
また、該シリコン支持板１６はシリコンダイヤフラム１
１と対向しない背面の圧力伝達孔１７を囲む一方の端部
に良く研磨された固着面１９を有している。
１と対向しない背面の圧力伝達孔１７を囲む一方の端部
に良く研磨された固着面１９を有している。
シリコン支持板１６の背面の固着面１９と非固着面との
境界には溝２０を設けておくことが望ましい。
境界には溝２０を設けておくことが望ましい。
上記の圧力伝達孔１７、圧力伝達溝１８および背面の溝
２０はすべてフォトエツチング等のＩＣ技術により形成
することができる。
２０はすべてフォトエツチング等のＩＣ技術により形成
することができる。
このシリコンダイヤフラム１１とシリコン支旨板１６の
対向面は、その一方の面につけたＡｕ蒸着膜を挾んで３
８０〜４００℃で加熱することにより生ずるＡｕ−８ｉ
共晶合金層２１を介して気密に接合される。
対向面は、その一方の面につけたＡｕ蒸着膜を挾んで３
８０〜４００℃で加熱することにより生ずるＡｕ−８ｉ
共晶合金層２１を介して気密に接合される。
このように接合されたシリコンダイヤフラム１１とシリ
コン支持板１６は、次に第３図に示すようにパッケージ
に収納される。
コン支持板１６は、次に第３図に示すようにパッケージ
に収納される。
第３，６図において、パッケージ２２はシリコンダイヤ
フラム１１とシリコン支持板１６が取付けられる取付台
２３さ、この取付台２３の上に装着される蓋２４と、取
付台２３、蓋２４間に介在するセパレータ２５さ、取付
台２３の側面に固着されるリードフレーム２６から構成
されている。
フラム１１とシリコン支持板１６が取付けられる取付台
２３さ、この取付台２３の上に装着される蓋２４と、取
付台２３、蓋２４間に介在するセパレータ２５さ、取付
台２３の側面に固着されるリードフレーム２６から構成
されている。
取付台２３、蓋２４およびセパレータ２５の構成材料と
しては、シリコンの線膨張率（３〜４×１ ｏ−６／℃
）とほぼ等しい線膨張率を有し、かつ適度の剛性を有す
る絶縁物、たとえばムライト（線膨張率３〜４Ｘ］０
’、／℃）、ジルコン（線膨張率３．７〜４．３ Ｘ
１０ ＝／℃）等の磁器が用いられる。
しては、シリコンの線膨張率（３〜４×１ ｏ−６／℃
）とほぼ等しい線膨張率を有し、かつ適度の剛性を有す
る絶縁物、たとえばムライト（線膨張率３〜４Ｘ］０
’、／℃）、ジルコン（線膨張率３．７〜４．３ Ｘ
１０ ＝／℃）等の磁器が用いられる。
シリコンダイヤフラム１１とシリコン支持板１６とは、
第４図に示したシリコン支持板１６の固着面１９におい
て取付台２３の上面の一部とボンディング層２７を介し
て固着される。
第４図に示したシリコン支持板１６の固着面１９におい
て取付台２３の上面の一部とボンディング層２７を介し
て固着される。
このボンディング層２７は、たとえば取付台２３の表面
につけられたＷまたはＭｏ−Ｍｎのメタライズ層上、こ
のメタライズ層上のＮｉメッキ層およびこのＮｉメッキ
層の上に施されたＡｕメッキ層からなり、このＡｕメッ
キ層とシリコン支持板１６とは３８０〜４００℃におい
てＡｕ−８ｉ共晶合金を形成する。
につけられたＷまたはＭｏ−Ｍｎのメタライズ層上、こ
のメタライズ層上のＮｉメッキ層およびこのＮｉメッキ
層の上に施されたＡｕメッキ層からなり、このＡｕメッ
キ層とシリコン支持板１６とは３８０〜４００℃におい
てＡｕ−８ｉ共晶合金を形成する。
２８は取付台２３とボンディング層２７を貫通して設け
られた圧力伝達孔で、この圧力伝達孔２８はシリコン支
持板１６に形成された圧力伝達孔１７、圧力伝達溝１８
と連なってシリコンダイヤフラム１１の受圧面１５に測
定すべき流体圧力を伝達する。
られた圧力伝達孔で、この圧力伝達孔２８はシリコン支
持板１６に形成された圧力伝達孔１７、圧力伝達溝１８
と連なってシリコンダイヤフラム１１の受圧面１５に測
定すべき流体圧力を伝達する。
２９はシリコン支持板１６と取付台２３との固着面積を
限定するため、取付台２３の上面に設けられた凹部であ
る。
限定するため、取付台２３の上面に設けられた凹部であ
る。
第３図でシリコン支持板１６の固着面１９と反対側の端
部３０は取付台２３の上面に単に乗っているだけであり
、シリコン支持板１６は固着面１９が設けられた長手方
向の一端でのみ取付台２３に固着されている。
部３０は取付台２３の上面に単に乗っているだけであり
、シリコン支持板１６は固着面１９が設けられた長手方
向の一端でのみ取付台２３に固着されている。
３１は取付台２３上にリードフレーム２６と接続して設
けられたＷまたはＭｏ＝Ｍｎ等のメタライズ層で、セパ
レータ２５と積層されない部分にはＡｕメッキ層３２が
施されており、このＡｕメッキ層３２とシリコンダイヤ
フラム１１上のＡＩ配線１４とはＡｕワイヤ３３で接続
されている。
けられたＷまたはＭｏ＝Ｍｎ等のメタライズ層で、セパ
レータ２５と積層されない部分にはＡｕメッキ層３２が
施されており、このＡｕメッキ層３２とシリコンダイヤ
フラム１１上のＡＩ配線１４とはＡｕワイヤ３３で接続
されている。
シリコンダイヤフラム１１およびシリコン支持板１６が
取付台２３に取付けられた後、取付台２３さセパレーク
２５、セパレーク２５と蓋２４が低融点ガラス、Ａｕ−
８ｎ合金等のろう材３４．３５を介して接着される。
取付台２３に取付けられた後、取付台２３さセパレーク
２５、セパレーク２５と蓋２４が低融点ガラス、Ａｕ−
８ｎ合金等のろう材３４．３５を介して接着される。
この接着は真空容器中で行ない、シリコンダイヤフラム
１１の拡散抵抗１２を形成した面が真空室３６内に配置
されるようにパッケージ２２を気密封止する。
１１の拡散抵抗１２を形成した面が真空室３６内に配置
されるようにパッケージ２２を気密封止する。
上記のように構成された本発明の半導体圧力センサにお
いては、シリコンダイヤフラム１１、シリコン支持板１
６がともにシリコン単結晶からなっているため、この両
者の間では線膨張率の差による熱歪が生じることはない
。
いては、シリコンダイヤフラム１１、シリコン支持板１
６がともにシリコン単結晶からなっているため、この両
者の間では線膨張率の差による熱歪が生じることはない
。
また、シリコンダイヤフラム１１とシリコン支持板１６
は拡散抵抗１２、受圧面１５から隔った長手方向の一端
でのみパッケージの取付台２３に固着されているので、
シリコン支持板１６と取付台２３の線膨張率の差により
シリコン支持板１６の固着面１９付近に熱歪が生じても
、シリコンダイヤフラムの感圧部である拡散抵抗１２へ
の熱歪の影響はきわめて小さく、シリコンダイヤフラム
１１を異種材料からなる取付台に直付けしたものに比べ
温度特性は大幅に改善される。
は拡散抵抗１２、受圧面１５から隔った長手方向の一端
でのみパッケージの取付台２３に固着されているので、
シリコン支持板１６と取付台２３の線膨張率の差により
シリコン支持板１６の固着面１９付近に熱歪が生じても
、シリコンダイヤフラムの感圧部である拡散抵抗１２へ
の熱歪の影響はきわめて小さく、シリコンダイヤフラム
１１を異種材料からなる取付台に直付けしたものに比べ
温度特性は大幅に改善される。
この場合、シリコン支持板１６の固着面１９と非固着面
との境界に溝２０を設けておくと、固着面１９から拡散
抵抗１２への熱歪の波及を防止するのに一層有効である
。
との境界に溝２０を設けておくと、固着面１９から拡散
抵抗１２への熱歪の波及を防止するのに一層有効である
。
この装置では、シリコン支持板１６の固着面１９に設け
られた圧力伝達孔１７を介してシリコンダイヤフラム１
１の拡散抵抗１２と反対側の受圧面１５に圧力が伝達さ
れるので、シリコンダイヤフラム１１の拡散抵抗１２を
形成した面はパッケージ２２の真空室３６内に気密封止
することができる。
られた圧力伝達孔１７を介してシリコンダイヤフラム１
１の拡散抵抗１２と反対側の受圧面１５に圧力が伝達さ
れるので、シリコンダイヤフラム１１の拡散抵抗１２を
形成した面はパッケージ２２の真空室３６内に気密封止
することができる。
したがって、第１図の例のように拡散抵抗が測定雰囲気
にさらされて劣化することがない。
にさらされて劣化することがない。
さらにこの装置では、シリコンダイヤフラ、ム１１とシ
リコン支持板１６がボンデ不ング層２７を介して取付台
２３に固着されるので、第２図の例のようにシリコン単
結晶の複雑な切削加工を要せず、通常のＩＣ技術により
容易に加工でき、材料のむだも少い。
リコン支持板１６がボンデ不ング層２７を介して取付台
２３に固着されるので、第２図の例のようにシリコン単
結晶の複雑な切削加工を要せず、通常のＩＣ技術により
容易に加工でき、材料のむだも少い。
したがって、生産性が良く、量産に適する。
第７，８図は第２の実施例を示し、第７図はシリコンダ
イヤフラムとシリコン支持板をパッケージに収納した圧
力センサ本体部分の側断面図、第８図はシリコン支持板
を背面から見た斜視図である。
イヤフラムとシリコン支持板をパッケージに収納した圧
力センサ本体部分の側断面図、第８図はシリコン支持板
を背面から見た斜視図である。
・本実施例では、シリコン支持板１６の背面の固着面１
９以外の領域（第８図のハツチングを付し。
９以外の領域（第８図のハツチングを付し。
た部分）にＳ ｔ ０２膜３７を設け、圧力伝達孔１７
を囲む固着面１９はＳｉＯ２膜を除き、研磨するか、ま
たはその上にＡｕ蒸着膜を設けておく。
を囲む固着面１９はＳｉＯ２膜を除き、研磨するか、ま
たはその上にＡｕ蒸着膜を設けておく。
第７図に示すように、シリコンダイヤフラム１１とシリ
コン支持板１６を一体に接合したものをパッケージ２・
２に収納し、シリコン支持板１６の固着面１９とＡｕメ
ッキが施されたボンディング層２７とをＡｕ−８ｉ共晶
化して固着する。
コン支持板１６を一体に接合したものをパッケージ２・
２に収納し、シリコン支持板１６の固着面１９とＡｕメ
ッキが施されたボンディング層２７とをＡｕ−８ｉ共晶
化して固着する。
この際Ｊ Ｓ ｉｏ ２膜３７はＡｕと共晶合金を形成
しないため、固着部１９の面積をＳｉＯ２膜３７膜上７
決定することができる。
しないため、固着部１９の面積をＳｉＯ２膜３７膜上７
決定することができる。
このようにすれば、第３図に示した取付台２３の凹部２
９が不要で、パンケージ２２の製作が容易になる。
９が不要で、パンケージ２２の製作が容易になる。
この場合、ボンディング層２７としては、Ａｕメッキ層
のほか、５ｉ０２膜との群れ性をもたないろう材、たと
えばＡｕ−８ｎ合金等を用いることもできる。
のほか、５ｉ０２膜との群れ性をもたないろう材、たと
えばＡｕ−８ｎ合金等を用いることもできる。
第９図は第３，７図に対応する第３の実施例の側断面図
である。
である。
本実施例は、拡散抵抗１２および受圧面１５が形成され
たシリコンダイヤフラム１１と、圧力伝達溝１８を有し
受圧面１５を覆うように接合されたシリコン支持板１６
をこれらの接合面に直角で、拡散抵抗１２および受圧面
１５から隔った一方の端面を固着面１９としてパンケー
ジ２２の取付台２３上にボンディング層２７を介して固
着し、この固着面ζ、こおいて圧力伝達溝１８と取付台
２３の圧力伝達孔２８とを連通させたものである。
たシリコンダイヤフラム１１と、圧力伝達溝１８を有し
受圧面１５を覆うように接合されたシリコン支持板１６
をこれらの接合面に直角で、拡散抵抗１２および受圧面
１５から隔った一方の端面を固着面１９としてパンケー
ジ２２の取付台２３上にボンディング層２７を介して固
着し、この固着面ζ、こおいて圧力伝達溝１８と取付台
２３の圧力伝達孔２８とを連通させたものである。
シリコンダイヤフラム１１の拡散抵抗１２を形成した面
は蓋２４で覆われた真空室３６内に気密封止され、拡散
抵抗１２とリードフレーム２６・とはＡｕワイヤ３３を
介して接続されている、。
は蓋２４で覆われた真空室３６内に気密封止され、拡散
抵抗１２とリードフレーム２６・とはＡｕワイヤ３３を
介して接続されている、。
この構成でも、第１および第２の実施例と同様の効果が
得られる。
得られる。
第１０図は第３，７図のパッケージ２２を基板上に装着
した状態を示す。
した状態を示す。
すなわち、基板、たとえばアルミナ基板３８上に形成さ
れた信号処理回路の印刷導体３９のガラス絶縁層４０で
覆われない部分とリードフレーム２６とは半田４１で接
続され、パッケージ内 によって支持される。
れた信号処理回路の印刷導体３９のガラス絶縁層４０で
覆われない部分とリードフレーム２６とは半田４１で接
続され、パッケージ内 によって支持される。
４２はパッケージ２２を覆うようにアルミナ基板３８上
に接着剤４３で固着されたキャップ、４４はこのキャッ
プ４２に設けた孔に接続される圧力導入用パイプで、測
定すべき流体圧力はこのパイプ４４からパッケージ２２
・の圧力伝達孔２８に導入される。
に接着剤４３で固着されたキャップ、４４はこのキャッ
プ４２に設けた孔に接続される圧力導入用パイプで、測
定すべき流体圧力はこのパイプ４４からパッケージ２２
・の圧力伝達孔２８に導入される。
シリコンダイヤフラム１１の拡散抵抗１２には受圧面１
５に伝達されｔコ流体圧力に対応する抵抗変化が生じ、
電気信号さして出力される。
５に伝達されｔコ流体圧力に対応する抵抗変化が生じ、
電気信号さして出力される。
以上説明したよう、に本発明によれば、シリコン、ダイ
ヤフラムの拡散抵抗が受ける熱歪を極小とすることがで
きるので温度特性がすぐれ、シリコンダイヤフラムおよ
びシリコン支持板はシリコンウェハからＩＣ技術により
容易に加工できるので生産性が良く、またシリコンダイ
ヤフラムの拡散紙；抗が形成された面はパッケージ内に
気密封止されるので測定雰囲気により拡散抵抗が劣化さ
れることのない半導体圧力センサを提供することができ
る。
ヤフラムの拡散抵抗が受ける熱歪を極小とすることがで
きるので温度特性がすぐれ、シリコンダイヤフラムおよ
びシリコン支持板はシリコンウェハからＩＣ技術により
容易に加工できるので生産性が良く、またシリコンダイ
ヤフラムの拡散紙；抗が形成された面はパッケージ内に
気密封止されるので測定雰囲気により拡散抵抗が劣化さ
れることのない半導体圧力センサを提供することができ
る。
・
ｉ 第１，２図は半導体圧力センサの従来例の側断面図
、第３〜６図は本発明の第１実施例の説明図で、第３図
はシリコンダイヤフラムとシリコン支持板をパッケージ
に収納した圧力センサ本体部分の側断面図、第４図はシ
リコンダイヤフラムとシ） ＩＪシコン持板の接合体を
拡大して示す側断面図、第５図はシリコンダイヤフラム
とシリコン支持板の接合前の斜視図、第６図はパッケー
ジの外観図、第７２，８図は第２実施例の説明図で、第
７図は第３図に対応する圧力センサ本体部分の側断面図
、第８図はシリコン支持板を背面から見た斜視図、第９
図は第３，７図に対応する第３実施例の側断面図、第１
０図は第３，７図に示したパッケージを基板−トに装着
した状態を示す側断面図である。 １１：シリコンダイヤフラム、１２：拡散抵抗、１５：
受圧面、１６：シリコン支持板、１７：圧力伝達孔、１
８：圧力伝達溝、１９：固着面、２０：固着面と非固着
面の境界溝、２１：Ａｕ−８ｉ共晶合金層、２２：パッ
ケージ、２３：取付台、２４：蓋、２５セパレータ、２
６：リードフレーム、２７：ボンディング層、２８：圧
力伝達孔、３６：真空室、３７ ： Ｓ １０２膜。
、第３〜６図は本発明の第１実施例の説明図で、第３図
はシリコンダイヤフラムとシリコン支持板をパッケージ
に収納した圧力センサ本体部分の側断面図、第４図はシ
リコンダイヤフラムとシ） ＩＪシコン持板の接合体を
拡大して示す側断面図、第５図はシリコンダイヤフラム
とシリコン支持板の接合前の斜視図、第６図はパッケー
ジの外観図、第７２，８図は第２実施例の説明図で、第
７図は第３図に対応する圧力センサ本体部分の側断面図
、第８図はシリコン支持板を背面から見た斜視図、第９
図は第３，７図に対応する第３実施例の側断面図、第１
０図は第３，７図に示したパッケージを基板−トに装着
した状態を示す側断面図である。 １１：シリコンダイヤフラム、１２：拡散抵抗、１５：
受圧面、１６：シリコン支持板、１７：圧力伝達孔、１
８：圧力伝達溝、１９：固着面、２０：固着面と非固着
面の境界溝、２１：Ａｕ−８ｉ共晶合金層、２２：パッ
ケージ、２３：取付台、２４：蓋、２５セパレータ、２
６：リードフレーム、２７：ボンディング層、２８：圧
力伝達孔、３６：真空室、３７ ： Ｓ １０２膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 片面に拡散抵抗を有し、これと反対側の面に受圧面
が形成されたシリコンダイヤグラムと、該シリコンダイ
ヤグラムに前記受圧面を覆うように接合されたシリコン
支持板と、該シリコンダイヤフラムおよびシリコン支持
板を収納するパッケージを備え、前記シリコンダイヤフ
ラムおよびシリコン支持板をこれらの接合面の方向に前
記拡散抵抗および受圧面から隔った一方の端部でのみ前
記パッケージにボンディング層を介して固着し、該固着
面に前記受圧面への圧力伝達用孔または溝を設けたこと
を特徴とする半導体圧力センサ。 ２ 前記拡散抵抗および受圧面を前記シリコンダイヤフ
ラムの前記固着面より遠い方の端部に近寄せて設け、前
記シリコン支持板の前記シリコンダイヤグラムと対向す
る面に前記受圧面への圧力伝達用溝を設けたことを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の半導体圧力センサ。 ３ 前記シリコン支持板の前記シリコンダイヤフラムと
接合されない背面の一部を前記固着面として、前記パン
ケージに固着したことを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載の半導体圧力センサ。 ４ 前記シリコン支持板の固着面とこれに隣接する非固
着面との境界に溝を設けたことを特徴とする特許請求の
範囲第３項記載の半導体圧力センサ。 ５ 前記シリコンダイヤフラムとシリコン支持板とを、
これらの接合面に直角な端面を前記固着面として、前記
パッケージに固着したことを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の半導体圧力センサ。 ６ 前記シリコンダイヤフラムの前記拡散抵抗が形成さ
れた面を前記パッケージ内の真空室に気密封止したこと
を特徴とする特許請求の範囲第１〜〜５項のいずれかに
記載の半導体圧力センサ。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP54010329A JPS5817421B2 (ja) | 1979-02-02 | 1979-02-02 | 半導体圧力センサ |
| GB8002393A GB2047465B (en) | 1979-02-02 | 1980-01-24 | Pressure sensor |
| FR8002041A FR2448139A1 (fr) | 1979-02-02 | 1980-01-30 | Capteur de pression |
| US06/116,795 US4276533A (en) | 1979-02-02 | 1980-01-30 | Pressure sensor |
| DE3003449A DE3003449C2 (de) | 1979-02-02 | 1980-01-31 | Drucksensor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP54010329A JPS5817421B2 (ja) | 1979-02-02 | 1979-02-02 | 半導体圧力センサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS55103439A JPS55103439A (en) | 1980-08-07 |
| JPS5817421B2 true JPS5817421B2 (ja) | 1983-04-07 |
Family
ID=11747165
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP54010329A Expired JPS5817421B2 (ja) | 1979-02-02 | 1979-02-02 | 半導体圧力センサ |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4276533A (ja) |
| JP (1) | JPS5817421B2 (ja) |
| DE (1) | DE3003449C2 (ja) |
| FR (1) | FR2448139A1 (ja) |
| GB (1) | GB2047465B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013512422A (ja) * | 2009-11-26 | 2013-04-11 | コンチネンタル オートモーティヴ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | センサモジュールおよびセンサモジュールの製造方法 |
Families Citing this family (64)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0049955A1 (en) * | 1980-10-09 | 1982-04-21 | General Motors Corporation | Dual cavity pressure sensor |
| US4399707A (en) * | 1981-02-04 | 1983-08-23 | Honeywell, Inc. | Stress sensitive semiconductor unit and housing means therefor |
| JPS57192448U (ja) * | 1981-05-29 | 1982-12-06 | ||
| US4463336A (en) * | 1981-12-28 | 1984-07-31 | United Technologies Corporation | Ultra-thin microelectronic pressure sensors |
| DE3447396A1 (de) * | 1984-12-24 | 1986-07-03 | Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart | Elektrischer druckgeber |
| US4763098A (en) * | 1985-04-08 | 1988-08-09 | Honeywell Inc. | Flip-chip pressure transducer |
| US4706493A (en) * | 1985-12-13 | 1987-11-17 | General Motors Corporation | Semiconductor gas sensor having thermally isolated site |
| US4773269A (en) * | 1986-07-28 | 1988-09-27 | Rosemount Inc. | Media isolated differential pressure sensors |
| JPS63122925A (ja) * | 1986-11-13 | 1988-05-26 | Yokogawa Electric Corp | 半導体圧力センサ |
| JPH0812123B2 (ja) * | 1987-11-27 | 1996-02-07 | 日本碍子株式会社 | 圧力センサ |
| US5062302A (en) * | 1988-04-29 | 1991-11-05 | Schlumberger Industries, Inc. | Laminated semiconductor sensor with overpressure protection |
| US5279164A (en) * | 1990-12-18 | 1994-01-18 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor pressure sensor with improved temperature compensation |
| JP2643029B2 (ja) * | 1990-12-18 | 1997-08-20 | 三菱電機株式会社 | 半導体圧力センサ装置 |
| JPH05149814A (ja) * | 1991-11-29 | 1993-06-15 | Fuji Electric Co Ltd | 二重ダイヤフラム式半導体圧力センサ |
| JP2762807B2 (ja) * | 1991-12-09 | 1998-06-04 | 株式会社日立製作所 | 差圧センサ |
| US5285690A (en) * | 1992-01-24 | 1994-02-15 | The Foxboro Company | Pressure sensor having a laminated substrate |
| JPH05200539A (ja) * | 1992-01-24 | 1993-08-10 | Honda Motor Co Ltd | 半導体基板接合方法 |
| JP2652589B2 (ja) * | 1993-01-19 | 1997-09-10 | フラウンホーファー・ゲゼルシャフト ツア フェルデルンク デル アンゲワンテン フォルシュンク アインゲトラーゲナー フェライン | 圧力センサ |
| US5438876A (en) * | 1993-08-05 | 1995-08-08 | The Foxboro Company | Modular diaphragm pressure sensor with peripheral mounted electrical terminals |
| US5483834A (en) * | 1993-09-20 | 1996-01-16 | Rosemount Inc. | Suspended diaphragm pressure sensor |
| EP0720733B1 (en) * | 1993-09-24 | 1999-03-17 | Rosemount Inc. | Pressure transmitter with isolation diaphragm |
| US5424650A (en) * | 1993-09-24 | 1995-06-13 | Rosemont Inc. | Capacitive pressure sensor having circuitry for eliminating stray capacitance |
| JPH07125221A (ja) * | 1993-10-29 | 1995-05-16 | Sony Corp | プリントヘッドおよびその製造方法 |
| US5637802A (en) * | 1995-02-28 | 1997-06-10 | Rosemount Inc. | Capacitive pressure sensor for a pressure transmitted where electric field emanates substantially from back sides of plates |
| US5731522A (en) * | 1997-03-14 | 1998-03-24 | Rosemount Inc. | Transmitter with isolation assembly for pressure sensor |
| US6484585B1 (en) | 1995-02-28 | 2002-11-26 | Rosemount Inc. | Pressure sensor for a pressure transmitter |
| JP3613838B2 (ja) * | 1995-05-18 | 2005-01-26 | 株式会社デンソー | 半導体装置の製造方法 |
| US5587601A (en) * | 1995-06-05 | 1996-12-24 | Kulite Semiconductor Products, Inc. | Support structure for a semiconductor pressure transducer |
| US6911727B1 (en) * | 1995-06-06 | 2005-06-28 | Analog Devices, Inc. | Package for sealing an integrated circuit die |
| US6323550B1 (en) * | 1995-06-06 | 2001-11-27 | Analog Devices, Inc. | Package for sealing an integrated circuit die |
| DE19605795A1 (de) * | 1996-02-16 | 1997-08-21 | Duerrwaechter E Dr Doduco | Anordnung aus einer elektrischen Leiterplatte und einem elektrischen Druckaufnehmer |
| US20020003274A1 (en) * | 1998-08-27 | 2002-01-10 | Janusz Bryzek | Piezoresistive sensor with epi-pocket isolation |
| US6006607A (en) * | 1998-08-31 | 1999-12-28 | Maxim Integrated Products, Inc. | Piezoresistive pressure sensor with sculpted diaphragm |
| US6351996B1 (en) | 1998-11-12 | 2002-03-05 | Maxim Integrated Products, Inc. | Hermetic packaging for semiconductor pressure sensors |
| US6346742B1 (en) | 1998-11-12 | 2002-02-12 | Maxim Integrated Products, Inc. | Chip-scale packaged pressure sensor |
| US6229190B1 (en) | 1998-12-18 | 2001-05-08 | Maxim Integrated Products, Inc. | Compensated semiconductor pressure sensor |
| US6255728B1 (en) | 1999-01-15 | 2001-07-03 | Maxim Integrated Products, Inc. | Rigid encapsulation package for semiconductor devices |
| IT1311270B1 (it) * | 1999-12-22 | 2002-03-12 | Bitron Spa | Dispositivo rilevatore di pressione, particolarmente per un impiantodi climatizzazione. |
| US6520020B1 (en) | 2000-01-06 | 2003-02-18 | Rosemount Inc. | Method and apparatus for a direct bonded isolated pressure sensor |
| US6508129B1 (en) | 2000-01-06 | 2003-01-21 | Rosemount Inc. | Pressure sensor capsule with improved isolation |
| AU2629901A (en) | 2000-01-06 | 2001-07-16 | Rosemount Inc. | Grain growth of electrical interconnection for microelectromechanical systems (mems) |
| US6561038B2 (en) | 2000-01-06 | 2003-05-13 | Rosemount Inc. | Sensor with fluid isolation barrier |
| US6505516B1 (en) | 2000-01-06 | 2003-01-14 | Rosemount Inc. | Capacitive pressure sensing with moving dielectric |
| DE10022124B4 (de) * | 2000-05-06 | 2010-01-14 | Wabco Gmbh | Elektronisches Steuergerät |
| US6626044B1 (en) | 2000-10-03 | 2003-09-30 | Honeywell International Inc. | Freeze resistant sensor |
| US6848177B2 (en) * | 2002-03-28 | 2005-02-01 | Intel Corporation | Integrated circuit die and an electronic assembly having a three-dimensional interconnection scheme |
| US20030183943A1 (en) * | 2002-03-28 | 2003-10-02 | Swan Johanna M. | Integrated circuit die and an electronic assembly having a three-dimensional interconnection scheme |
| US6908845B2 (en) * | 2002-03-28 | 2005-06-21 | Intel Corporation | Integrated circuit die and an electronic assembly having a three-dimensional interconnection scheme |
| US6848316B2 (en) * | 2002-05-08 | 2005-02-01 | Rosemount Inc. | Pressure sensor assembly |
| EP1707931B1 (en) * | 2005-03-31 | 2013-03-27 | STMicroelectronics Srl | Analog data-input device provided with a microelectromechanical pressure sensor |
| EP1762925B1 (en) * | 2005-09-09 | 2016-12-21 | STMicroelectronics Srl | Analog input device with integrated pressure sensor and electronic apparatus equipped with said input device. |
| US7600433B2 (en) * | 2007-02-23 | 2009-10-13 | Silicon Micro Sensors Gmbh | Pressure sensor with roughened and treated surface for improving adhesive strength and method of manufacturing the sensor |
| US8671766B2 (en) * | 2011-05-19 | 2014-03-18 | Infineon Technologies Ag | Integrated pressure sensor seal |
| US8413494B1 (en) * | 2012-01-19 | 2013-04-09 | Hamilton Sundstrand Corporation | Burner pressure transducer |
| JP2015143635A (ja) * | 2014-01-31 | 2015-08-06 | セイコーエプソン株式会社 | 物理量センサー、高度計、電子機器および移動体 |
| JP2015175833A (ja) * | 2014-03-18 | 2015-10-05 | セイコーエプソン株式会社 | 物理量センサー、高度計、電子機器および移動体 |
| DE102014105861B4 (de) * | 2014-04-25 | 2015-11-05 | Infineon Technologies Ag | Sensorvorrichtung und Verfahren zum Herstellen einer Sensorvorrichtung |
| US10549982B2 (en) | 2016-02-15 | 2020-02-04 | Stmicroelectronics S.R.L. | Pressure sensor encapsulated in elastomeric material, and system including the pressure sensor |
| WO2018148510A1 (en) | 2017-02-09 | 2018-08-16 | Nextinput, Inc. | Integrated piezoresistive and piezoelectric fusion force sensor |
| EP4701393A2 (en) | 2017-02-09 | 2026-02-25 | Nextinput, Inc. | Integrated digital force sensors and related methods of manufacture |
| WO2019023552A1 (en) | 2017-07-27 | 2019-01-31 | Nextinput, Inc. | PIEZORESISTIVE AND PIEZOELECTRIC FORCE SENSOR ON WAFER AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME |
| WO2019079420A1 (en) | 2017-10-17 | 2019-04-25 | Nextinput, Inc. | SHIFT TEMPERATURE COEFFICIENT COMPENSATION FOR FORCE SENSOR AND STRAIN GAUGE |
| WO2019099821A1 (en) * | 2017-11-16 | 2019-05-23 | Nextinput, Inc. | Force attenuator for force sensor |
| DE102020132687A1 (de) * | 2020-12-08 | 2022-06-09 | Endress+Hauser SE+Co. KG | Druckmessaufnehmer |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1248087A (en) * | 1969-02-28 | 1971-09-29 | Ferranti Ltd | Improvements relating to pressure gauges |
| US3886799A (en) * | 1973-09-24 | 1975-06-03 | Nat Semiconductor Corp | Semiconductor pressure transducer employing temperature compensation circuits and novel heater circuitry |
| NL7415668A (nl) * | 1974-12-02 | 1976-06-04 | Philips Nv | Drukopnemer. |
| CH592300A5 (ja) * | 1975-07-08 | 1977-10-31 | Keller Hans W | |
| US4021766A (en) * | 1975-07-28 | 1977-05-03 | Aine Harry E | Solid state pressure transducer of the leaf spring type and batch method of making same |
| DE2712846A1 (de) * | 1976-03-24 | 1977-11-24 | Ict Instr Inc | Messumformer zum messen von druckunterschieden |
| JPS5365089A (en) * | 1976-11-24 | 1978-06-10 | Toshiba Corp | Semiconductor pressure transducer |
| US4129042A (en) * | 1977-11-18 | 1978-12-12 | Signetics Corporation | Semiconductor transducer packaged assembly |
| JPS54131892A (en) * | 1978-04-05 | 1979-10-13 | Hitachi Ltd | Semiconductor pressure converter |
-
1979
- 1979-02-02 JP JP54010329A patent/JPS5817421B2/ja not_active Expired
-
1980
- 1980-01-24 GB GB8002393A patent/GB2047465B/en not_active Expired
- 1980-01-30 FR FR8002041A patent/FR2448139A1/fr active Granted
- 1980-01-30 US US06/116,795 patent/US4276533A/en not_active Expired - Lifetime
- 1980-01-31 DE DE3003449A patent/DE3003449C2/de not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013512422A (ja) * | 2009-11-26 | 2013-04-11 | コンチネンタル オートモーティヴ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | センサモジュールおよびセンサモジュールの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB2047465A (en) | 1980-11-26 |
| JPS55103439A (en) | 1980-08-07 |
| DE3003449C2 (de) | 1985-07-18 |
| US4276533A (en) | 1981-06-30 |
| GB2047465B (en) | 1983-05-25 |
| DE3003449A1 (de) | 1980-08-07 |
| FR2448139B1 (ja) | 1982-12-10 |
| FR2448139A1 (fr) | 1980-08-29 |
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