JPH05205427A - トラック位置情報が静電気的に検出される大容量記憶媒体 - Google Patents
トラック位置情報が静電気的に検出される大容量記憶媒体Info
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- JPH05205427A JPH05205427A JP3044121A JP4412191A JPH05205427A JP H05205427 A JPH05205427 A JP H05205427A JP 3044121 A JP3044121 A JP 3044121A JP 4412191 A JP4412191 A JP 4412191A JP H05205427 A JPH05205427 A JP H05205427A
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- G11B5/48—Disposition or mounting of heads or head supports relative to record carriers ; arrangements of heads, e.g. for scanning the record carrier to increase the relative speed
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- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Moving Of The Head To Find And Align With The Track (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明の目的は、磁気記録媒体の記憶容量を増
大させることである。 【構成】本発明では、一連の記録トラック内の磁気層上
に磁気データを書き込みできる非導電層を設け、該非導
電層の少なくとも一記録トラック上に静電荷パターンを
付加し、磁気データにトラック位置指示サーボ情報を重
畳させる。該パターンは、媒体の一製造工程として前記
媒体が型内に設置された際に、或いは電子写真電荷転写
ドラム上に進入する際に、選択的に正または負極性を持
つ静電荷により与えられる。
大させることである。 【構成】本発明では、一連の記録トラック内の磁気層上
に磁気データを書き込みできる非導電層を設け、該非導
電層の少なくとも一記録トラック上に静電荷パターンを
付加し、磁気データにトラック位置指示サーボ情報を重
畳させる。該パターンは、媒体の一製造工程として前記
媒体が型内に設置された際に、或いは電子写真電荷転写
ドラム上に進入する際に、選択的に正または負極性を持
つ静電荷により与えられる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は大記憶容量の記憶媒体を
提供する方法、更に詳しくはディスクやテープなどの磁
気記録媒体の記録トラックに沿って、磁気データと同一
位置にサーボ情報を電荷パターンとして書き込むことに
よりこの大容量化を達成する改善方法に関する。
提供する方法、更に詳しくはディスクやテープなどの磁
気記録媒体の記録トラックに沿って、磁気データと同一
位置にサーボ情報を電荷パターンとして書き込むことに
よりこの大容量化を達成する改善方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、磁気記録ディスクのトラックに沿
って位置情報を磁気情報と同一位置に直接与えるため
に、２つの方法が利用されてきた。すなわち、磁気埋め
込みサーボ情報と容量埋め込みサーボ情報とである。磁
気埋め込みサーボ方法は、データ対サーボ干渉のために
現実的ではない。一方、該干渉は方位記録（すなわち１
５°等の一角度、及び−１５°などの別角度のサーボパ
ターンを記録する）ことにより除去可能であるが、必要
となる薄膜方位記録ヘッドは製造が困難である。容量埋
め込みサーボ方法は、比較的複雑かつコストが高いが、
相当の記憶容量を有する大径ディスクを利用するファイ
ルでは経済的に可能である。しかし、小径ディスクを用
いたファイルでは経済的に適さない。
って位置情報を磁気情報と同一位置に直接与えるため
に、２つの方法が利用されてきた。すなわち、磁気埋め
込みサーボ情報と容量埋め込みサーボ情報とである。磁
気埋め込みサーボ方法は、データ対サーボ干渉のために
現実的ではない。一方、該干渉は方位記録（すなわち１
５°等の一角度、及び−１５°などの別角度のサーボパ
ターンを記録する）ことにより除去可能であるが、必要
となる薄膜方位記録ヘッドは製造が困難である。容量埋
め込みサーボ方法は、比較的複雑かつコストが高いが、
相当の記憶容量を有する大径ディスクを利用するファイ
ルでは経済的に可能である。しかし、小径ディスクを用
いたファイルでは経済的に適さない。
【０００３】出願者が知るところの最も適切な従来例と
しては、日本特許要約書記載の１９８７年３月５日公開
の無審査請求の特開昭第６２−５１０２２号がある。こ
の特許では可撓性を有するポリエステル基板内に同心円
上の溝が形成される磁気記録媒体を開示している。この
溝には無電解銅メッキにより銅の小片が塗布される。ト
ラックセクタとサーボ情報は銅の小片の静電容量により
コード化される。一方、磁気層オーバーコートは磁気指
標を静電サーボパターン上に重畳させるために与えられ
る。溝形成及び導電性要素を石版印刷により溝に挿入す
ることは、非常に数多くの製造ステップを要する。更
に、導電性サーボパターン要素は電荷蓄積されない。従
って、これらを検出するためには、パターンの金属要素
は電気的に接地されていないことを考慮して、これらを
例えば一対の検出電極の様な一種の同調回路に於ける容
量要素として利用することが必要である。検出回路は高
周波搬送波を有する能動回路でなければならない。トラ
ック密度２０００トラック／インチが得られた場合に、
無線周波数１００ＭＨｚ以上が要求される。このような
場合に、金属パターン要素の容量は無線周波数検出回路
の同調を外すか、あるいはブリッジ回路の平衡を破る。
搬送波周波数の変調包絡線がこの時検出され、フィルタ
リングされ、位置検出サーボ信号に変換される。
しては、日本特許要約書記載の１９８７年３月５日公開
の無審査請求の特開昭第６２−５１０２２号がある。こ
の特許では可撓性を有するポリエステル基板内に同心円
上の溝が形成される磁気記録媒体を開示している。この
溝には無電解銅メッキにより銅の小片が塗布される。ト
ラックセクタとサーボ情報は銅の小片の静電容量により
コード化される。一方、磁気層オーバーコートは磁気指
標を静電サーボパターン上に重畳させるために与えられ
る。溝形成及び導電性要素を石版印刷により溝に挿入す
ることは、非常に数多くの製造ステップを要する。更
に、導電性サーボパターン要素は電荷蓄積されない。従
って、これらを検出するためには、パターンの金属要素
は電気的に接地されていないことを考慮して、これらを
例えば一対の検出電極の様な一種の同調回路に於ける容
量要素として利用することが必要である。検出回路は高
周波搬送波を有する能動回路でなければならない。トラ
ック密度２０００トラック／インチが得られた場合に、
無線周波数１００ＭＨｚ以上が要求される。このような
場合に、金属パターン要素の容量は無線周波数検出回路
の同調を外すか、あるいはブリッジ回路の平衡を破る。
搬送波周波数の変調包絡線がこの時検出され、フィルタ
リングされ、位置検出サーボ信号に変換される。
【０００４】この信号処理方法はこのように非常に高価
かつ複雑である。実際に、出願者の譲受人がこの未公開
の日本出願に記載されたものと同様のパターンを用いて
容量埋め込みサーボ方法を実験したところ、確かに技術
的には成功であったが、商業的にはディスクファイルコ
ストを非常に押し上げ、実現不可能であった。
かつ複雑である。実際に、出願者の譲受人がこの未公開
の日本出願に記載されたものと同様のパターンを用いて
容量埋め込みサーボ方法を実験したところ、確かに技術
的には成功であったが、商業的にはディスクファイルコ
ストを非常に押し上げ、実現不可能であった。
【０００５】関連するものとしては米国特許第４４８９
２７８号があり、ここでは記録媒体の導電層上に与えら
れる静電荷を蓄積可能とする、テフロン材（E .I .du p
ointde Nemours & Company のトレードマーク）のよう
な材料により構成される絶縁膜を用いた電圧検出装置を
開示している。しかし、磁気指標上、または磁気指標
下、あるいは磁気指標間に静電荷を重畳する技術には触
れていない。
２７８号があり、ここでは記録媒体の導電層上に与えら
れる静電荷を蓄積可能とする、テフロン材（E .I .du p
ointde Nemours & Company のトレードマーク）のよう
な材料により構成される絶縁膜を用いた電圧検出装置を
開示している。しかし、磁気指標上、または磁気指標
下、あるいは磁気指標間に静電荷を重畳する技術には触
れていない。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従って、改善された位
置検出装置により、磁気記録媒体の記憶容量を増大する
ための高コスト効率の方法が必要とされている。
置検出装置により、磁気記録媒体の記憶容量を増大する
ための高コスト効率の方法が必要とされている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、本発明によれば磁気記録媒体の記憶容量は、データ
トラック間隔を更に近接可能とする一層精密な位置検出
装置の利用により増大される。本発明は磁気層上または
磁気層下、あるいはその間に挟まれるようにして存在す
る非導電層から成り、該導電層上には磁気データが一連
の記録トラック内に書き込まれ、またトラック位置指示
サーボ情報を磁気データに重畳して書き込むために、静
電帯電パターンを各記録トラック上の非導電層に与え
る。このパターンは選択的に正負の極性を取る静電荷で
与えられ、一方媒体はワッフル状の型内に、または静電
荷転送ローラあるいはドラム上に進出し、該パターンを
媒体製造の一行程として前プリントする。
に、本発明によれば磁気記録媒体の記憶容量は、データ
トラック間隔を更に近接可能とする一層精密な位置検出
装置の利用により増大される。本発明は磁気層上または
磁気層下、あるいはその間に挟まれるようにして存在す
る非導電層から成り、該導電層上には磁気データが一連
の記録トラック内に書き込まれ、またトラック位置指示
サーボ情報を磁気データに重畳して書き込むために、静
電帯電パターンを各記録トラック上の非導電層に与え
る。このパターンは選択的に正負の極性を取る静電荷で
与えられ、一方媒体はワッフル状の型内に、または静電
荷転送ローラあるいはドラム上に進出し、該パターンを
媒体製造の一行程として前プリントする。
【０００８】同様に、記憶容量増大のための改善方法
は、磁気記録粒子と電荷記憶可能な材料粒子との混成物
による表面処理を施した磁気記録材により、更に静電帯
電パターンを被覆に対して与えることによりサーボ情報
をトラック上の磁気指標に重畳させた関係で書き込んだ
後に、磁気粒子による磁気指標を前記トラックのうちの
選択されたところに書き込むことで達成される。
は、磁気記録粒子と電荷記憶可能な材料粒子との混成物
による表面処理を施した磁気記録材により、更に静電帯
電パターンを被覆に対して与えることによりサーボ情報
をトラック上の磁気指標に重畳させた関係で書き込んだ
後に、磁気粒子による磁気指標を前記トラックのうちの
選択されたところに書き込むことで達成される。
【０００９】
【実施例】図１に示すように本発明によれば、磁気記録
ハード・ディスク１０は例えばテフロンのような静電荷
を記憶するのに適当な材料による層１１により構成され
る。層１１は磁気記録材料の層１２上に形成される。Ｔ
ｉＯ2 充填材を含むエポキシフェノール系の任意な平
面層１３は磁気層１２下に構成され、超滑らかな表面を
保証する。ＡｌＭｇ等の導電性基板１４は平面層１３
（または磁気層１２）下に位置し、各層１１、１２、１
３を支持する。
ハード・ディスク１０は例えばテフロンのような静電荷
を記憶するのに適当な材料による層１１により構成され
る。層１１は磁気記録材料の層１２上に形成される。Ｔ
ｉＯ2 充填材を含むエポキシフェノール系の任意な平
面層１３は磁気層１２下に構成され、超滑らかな表面を
保証する。ＡｌＭｇ等の導電性基板１４は平面層１３
（または磁気層１２）下に位置し、各層１１、１２、１
３を支持する。
【００１０】ディスク１０は、従来通りにディスク上に
接近して置かれる耐空気性のスライダ１５に対して回転
される（回転手段は図示せず）。スライダ１５上には薄
膜ヘッド１６が登載され、本発明には関与しないところ
の手段（図示せず）により従来通りに磁気指標１７を読
み取り及び書き込みする。
接近して置かれる耐空気性のスライダ１５に対して回転
される（回転手段は図示せず）。スライダ１５上には薄
膜ヘッド１６が登載され、本発明には関与しないところ
の手段（図示せず）により従来通りに磁気指標１７を読
み取り及び書き込みする。
【００１１】本発明によれば、スライダ１５は導電性プ
ローブ１８を含み、これが非導電性領域１９を介しヘッ
ド１６と接近して配置される。スイッチ２０が図１に示
す位置にある場合には、プローブ１８が静電帯電サーボ
パターン２１を２１’領域が負に帯電されるように与
え、ディスク１０の記憶層１１を帯電させる。このサー
ボパターンは、電圧源−Ｖを電圧変調回路２２とスイッ
チ２０を介してプローブ１８に接続することによりディ
スク上の記録トラック上に形成される。
ローブ１８を含み、これが非導電性領域１９を介しヘッ
ド１６と接近して配置される。スイッチ２０が図１に示
す位置にある場合には、プローブ１８が静電帯電サーボ
パターン２１を２１’領域が負に帯電されるように与
え、ディスク１０の記憶層１１を帯電させる。このサー
ボパターンは、電圧源−Ｖを電圧変調回路２２とスイッ
チ２０を介してプローブ１８に接続することによりディ
スク上の記録トラック上に形成される。
【００１２】サーボパターンが当初与えられた後、スイ
ッチ２０が破線で示された位置に移動し、サーボパター
ンを検出回路２３によりパルス上に読み込む。回路２３
は電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）電圧プリアンプ（表
示せず）を構成し、プローブ１８により検出された時
に、あらかじめ選択された閾値レベルを有するパルス列
を増幅する。抵抗２４とコンデンサ２５より成る任意の
Ｒ−Ｃ結合網は検出回路に依存する。
ッチ２０が破線で示された位置に移動し、サーボパター
ンを検出回路２３によりパルス上に読み込む。回路２３
は電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）電圧プリアンプ（表
示せず）を構成し、プローブ１８により検出された時
に、あらかじめ選択された閾値レベルを有するパルス列
を増幅する。抵抗２４とコンデンサ２５より成る任意の
Ｒ−Ｃ結合網は検出回路に依存する。
【００１３】図２に最も良く示されるように、静電帯電
サーボパターンは層１１内に、ディスク上の各磁気記録
トラックの中心線２６の両側に一連の交互に連続的に描
かれる負帯電領域２１’によって形成される。検出回路
２３からの増幅された信号はヘッド位置検出回路２７へ
送られ、サーボパターンが検出される。もしも磁気ヘッ
ド１６が選択された磁気記録トラックの中心線２６の右
（あるいは左）側に位置した場合には、中心線２６の右
（あるいは左）側の負帯電領域２１’は回路２７に対
し、相当する出力信号を増幅及び補償回路２８に出力さ
せる。増幅及び補償回路２８はアーム３０を支持するア
クチュエータ２９、サスペンション３１、スライダ１５
の位置、すなわち最終的には磁気ヘッド１６の位置を精
密に調整し、回路２８の第２出力信号は０となり、磁気
ヘッドが選択されたトラックの中心線２６上に位置制御
されたことを示す。
サーボパターンは層１１内に、ディスク上の各磁気記録
トラックの中心線２６の両側に一連の交互に連続的に描
かれる負帯電領域２１’によって形成される。検出回路
２３からの増幅された信号はヘッド位置検出回路２７へ
送られ、サーボパターンが検出される。もしも磁気ヘッ
ド１６が選択された磁気記録トラックの中心線２６の右
（あるいは左）側に位置した場合には、中心線２６の右
（あるいは左）側の負帯電領域２１’は回路２７に対
し、相当する出力信号を増幅及び補償回路２８に出力さ
せる。増幅及び補償回路２８はアーム３０を支持するア
クチュエータ２９、サスペンション３１、スライダ１５
の位置、すなわち最終的には磁気ヘッド１６の位置を精
密に調整し、回路２８の第２出力信号は０となり、磁気
ヘッドが選択されたトラックの中心線２６上に位置制御
されたことを示す。
【００１４】本発明の特徴により、図３に示されるよう
に、静電帯電サーボパターン２１’はディスク製造過程
であらかじめ形成される。これはディスク１０を、それ
ぞれの下面または上面に絶縁層或いはコーティング３５
ｃ、３５ｄを有する、対向する３５ａ、３５ｂより成る
ワッフルアイロン状の型３５の中心に置くことにより達
成される。Ａｌ2 Ｏ3 等のガラスのパターン状の絶縁
層３６が電荷記憶層１１に接して配置される。層３６は
一連のカットアウト領域を設けて、あらかじめ選択され
たパターン列内の絶縁要素３７を残し、静電荷記憶領域
でない部分を規定している。金属プレート或いは他の適
当な導電材料によるプレート３８は、絶縁層３６の上に
配置され、型の上部３５Ａを押しつけることにより圧力
が該プレートに対して加えられ、電圧Ｖｐが基板１４と
プレート間に印加される。これにより、絶縁層が欠損す
る部分の間隙により定義されたあかじめ選択された所望
のパターンに対して静電帯電が行われる。
に、静電帯電サーボパターン２１’はディスク製造過程
であらかじめ形成される。これはディスク１０を、それ
ぞれの下面または上面に絶縁層或いはコーティング３５
ｃ、３５ｄを有する、対向する３５ａ、３５ｂより成る
ワッフルアイロン状の型３５の中心に置くことにより達
成される。Ａｌ2 Ｏ3 等のガラスのパターン状の絶縁
層３６が電荷記憶層１１に接して配置される。層３６は
一連のカットアウト領域を設けて、あらかじめ選択され
たパターン列内の絶縁要素３７を残し、静電荷記憶領域
でない部分を規定している。金属プレート或いは他の適
当な導電材料によるプレート３８は、絶縁層３６の上に
配置され、型の上部３５Ａを押しつけることにより圧力
が該プレートに対して加えられ、電圧Ｖｐが基板１４と
プレート間に印加される。これにより、絶縁層が欠損す
る部分の間隙により定義されたあかじめ選択された所望
のパターンに対して静電帯電が行われる。
【００１５】記録媒体はこれまでは、接地電極として機
能する導電基板１４を有するハード・ディスク１０とし
て述べられてきた。しかし、記録媒体は可撓性の、或い
はいわゆるフロッピーディスクや柔軟な磁気テープであ
ったりもする。このような場合には、導電性基板１４の
場所を確保する外部の接地電極が必要となる（或いは望
まれることではないが、ディスクやテープが内部接地層
を有することも考えられる）。
能する導電基板１４を有するハード・ディスク１０とし
て述べられてきた。しかし、記録媒体は可撓性の、或い
はいわゆるフロッピーディスクや柔軟な磁気テープであ
ったりもする。このような場合には、導電性基板１４の
場所を確保する外部の接地電極が必要となる（或いは望
まれることではないが、ディスクやテープが内部接地層
を有することも考えられる）。
【００１６】もしも望まれる場合には、静電気帯電サー
ボパターンが図４のように与えられることも考えられ
る。柔軟な磁気テープ４０が駆動ローラ４１と整流子状
のプリントローラ４２間を進む。ローラ４２は図３にお
ける絶縁要素３７に対応する絶縁要素４３を有し、これ
は静電荷記憶を望まない領域４４を定義するために、あ
らかじめ選択されたパターン列に従って配置される。こ
れらの絶縁要素４３は適当な導電材料の管または層４５
から放射状に突出している。テープ４０がローラ４２を
通過すると、電圧開閉及びタイミング回路により電位Ｖ
ｐがローラ４１、４２間に印加され、一方でスライド式
電気接触４７が導電管４５内部表面との接触を取る。サ
ーボパターンはこのようにして、テープの磁気層４９上
に磁気指標を書き込む以前に、電荷転送により記憶層４
８を帯電して与えられる。
ボパターンが図４のように与えられることも考えられ
る。柔軟な磁気テープ４０が駆動ローラ４１と整流子状
のプリントローラ４２間を進む。ローラ４２は図３にお
ける絶縁要素３７に対応する絶縁要素４３を有し、これ
は静電荷記憶を望まない領域４４を定義するために、あ
らかじめ選択されたパターン列に従って配置される。こ
れらの絶縁要素４３は適当な導電材料の管または層４５
から放射状に突出している。テープ４０がローラ４２を
通過すると、電圧開閉及びタイミング回路により電位Ｖ
ｐがローラ４１、４２間に印加され、一方でスライド式
電気接触４７が導電管４５内部表面との接触を取る。サ
ーボパターンはこのようにして、テープの磁気層４９上
に磁気指標を書き込む以前に、電荷転送により記憶層４
８を帯電して与えられる。
【００１７】これまで述べてきたように、テープ４０の
ベースまたは基板層５０は非導電性であり、従ってロー
ラ４１は電気的に電圧開閉及びタイミング回路４６に接
続されて、接地電極として機能する。しかし、基板層５
０が完全な導電層を有している場合には、ローラ４１は
不要となるか、或いは単に非導電性の駆動ローラであれ
ば良いことになる。
ベースまたは基板層５０は非導電性であり、従ってロー
ラ４１は電気的に電圧開閉及びタイミング回路４６に接
続されて、接地電極として機能する。しかし、基板層５
０が完全な導電層を有している場合には、ローラ４１は
不要となるか、或いは単に非導電性の駆動ローラであれ
ば良いことになる。
【００１８】また、ローラ４１が電子写真ドラムと置き
換えられ、レーザプリンタ同様に静電荷を電荷記憶層４
８に転送することも考えられる。
換えられ、レーザプリンタ同様に静電荷を電荷記憶層４
８に転送することも考えられる。
【００１９】本発明を応用することにより、磁気記録媒
体１０’を（それぞれ別々の電荷記憶層１１及び磁気記
録層１２の代わりに）電荷記憶材料粒子６１と磁気記録
材料粒子６２の混成層６０で構成することも可能であ
る。層６０は平面層６３の有無に関係なく導電基板６４
に形成される。
体１０’を（それぞれ別々の電荷記憶層１１及び磁気記
録層１２の代わりに）電荷記憶材料粒子６１と磁気記録
材料粒子６２の混成層６０で構成することも可能であ
る。層６０は平面層６３の有無に関係なく導電基板６４
に形成される。
【００２０】導電基板１４とプローブ１８間の電荷分布
は基板とプローブからの相対距離に依存する。すなわ
ち、最善の信号ノイズ比率を得るためには、基板は帯電
表面から遠ざかるように配置する必要がある。帯電表面
に近接した（例えば１０マイクロインチ）プローブを帯
電するために必要な電圧は比較的低い（１０ボルト程
度）が、１０００マイクロインチでは１０００ボルトが
必要となる。従って、近接した電極により、たとえ比較
的高い帯電率の場合に於いても、比較的低電圧で電荷記
憶材料を帯電させることが利用される。テフロンＦＥＰ
電荷記憶膜上の静電荷パターンは室温で約２００年の減
衰時間定数を示すことがわかっている。電荷２１’は表
面電荷であるか、或いは１００−２００℃の温度で焼き
なおして電荷を絶縁記憶層に埋め込んである。
は基板とプローブからの相対距離に依存する。すなわ
ち、最善の信号ノイズ比率を得るためには、基板は帯電
表面から遠ざかるように配置する必要がある。帯電表面
に近接した（例えば１０マイクロインチ）プローブを帯
電するために必要な電圧は比較的低い（１０ボルト程
度）が、１０００マイクロインチでは１０００ボルトが
必要となる。従って、近接した電極により、たとえ比較
的高い帯電率の場合に於いても、比較的低電圧で電荷記
憶材料を帯電させることが利用される。テフロンＦＥＰ
電荷記憶膜上の静電荷パターンは室温で約２００年の減
衰時間定数を示すことがわかっている。電荷２１’は表
面電荷であるか、或いは１００−２００℃の温度で焼き
なおして電荷を絶縁記憶層に埋め込んである。
【００２１】既述したように、電荷記憶層はテフロン材
である。しかし、他の十分に静電荷を記憶する材料も使
用される。電荷パターンは、現在ハードディスク状にサ
ーボパターンを書き込むために使用されているのと同様
なサーボ書き込み機により層１１上に書き込み可能であ
る。また、導電プローブ１８と磁気記録ヘッド１６は前
述したように、スライダ１５上にごく接近して配置され
る。従って、新たな製造機器を必要としない。一方、記
憶電荷は正または負の極性を持つが、後者の場合の方が
記憶時間が長いので、負極性であることが望ましい。
である。しかし、他の十分に静電荷を記憶する材料も使
用される。電荷パターンは、現在ハードディスク状にサ
ーボパターンを書き込むために使用されているのと同様
なサーボ書き込み機により層１１上に書き込み可能であ
る。また、導電プローブ１８と磁気記録ヘッド１６は前
述したように、スライダ１５上にごく接近して配置され
る。従って、新たな製造機器を必要としない。一方、記
憶電荷は正または負の極性を持つが、後者の場合の方が
記憶時間が長いので、負極性であることが望ましい。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
データトラックを一層密に構成することを可能とする精
密位置検出装置を提供することにより、磁気記録媒体の
記憶容量を増大させることが可能となる。
データトラックを一層密に構成することを可能とする精
密位置検出装置を提供することにより、磁気記録媒体の
記憶容量を増大させることが可能となる。
【図１】選択的に静電荷帯電サーボパターンを磁気記録
ディスクに加え、その後該ディスク上の前記パターンを
検出する装置の模式図。
ディスクに加え、その後該ディスク上の前記パターンを
検出する装置の模式図。
【図２】図１に示す装置の部分的上面図。
【図３】電気放電により静電帯電サーボパターンを磁気
記録媒体上に前プリントするワッフルアイロン状装置の
断片図。
記録媒体上に前プリントするワッフルアイロン状装置の
断片図。
【図４】接触式電荷転送により静電帯電サーボパターン
を可撓性の磁気記録テープに付加する装置の模式図。
を可撓性の磁気記録テープに付加する装置の模式図。
【図５】磁気記録材料と、本発明を実施するために使用
される電荷記憶材料との混合材料により表面処理された
磁気記録材料の正面図。
される電荷記憶材料との混合材料により表面処理された
磁気記録材料の正面図。
フロントページの続き (72)発明者 ロドニー・ジヨー・ホワイトフイールド アメリカ合衆国カリフオルニア州サン・ホ セ、ヒーフイールド・ドライブ6794番地
Claims (13)
- 【請求項１】磁気データを一連の記録トラック内に書き
込み可能とする磁気層形成工程と、 前記磁気層上に、静電荷記憶可能材料でできた非導電層
を形成する工程と、 位置指示サーボ情報を磁気データに重畳するため、少な
くとも一つの前記記録トラック上の前記非導電層に静電
荷パターンを付加する工程と、 を具備することを特徴とする大容量記憶媒体を提供する
方法。 - 【請求項２】前記付加工程に於いて、前記媒体を型内に
設置して、選択的に正または負極性の電荷を印加するこ
とにより、前記パターンが前記媒体の一製造工程として
形成されることを特徴とする、請求項１に記載の大容量
記憶媒体を提供する方法。 - 【請求項３】前記磁気指標を検出する磁気記録ヘッドと
近接して配置されたプローブにより電荷を書き込む工程
と、 前記プローブにより、各記録トラックの中心線に対する
前記ヘッドの相対位置を示す前記電荷を検出する工程と
を具備することを特徴とする、請求項１に記載の大容量
記憶媒体を提供する方法。 - 【請求項４】前記付加工程に於いて、前記電荷パターン
が、前記磁気データを書き込む以前に接触電荷転送によ
り書き込まれることを特徴とする、請求項１に記載の大
容量記憶媒体を提供する方法。 - 【請求項５】前記記録媒体が、前記付加工程に於いて、
接地電極として機能する導電性基板を有するハード・デ
ィスクであることを特徴とする、請求項１に記載の大容
量記憶媒体を提供する方法。 - 【請求項６】前記記録媒体が可撓性のディスクであり、
前記付加工程に於いて、接地電極を構成する手段を提供
する工程を有することを特徴とする、請求項１に記載の
大容量記憶媒体を提供する方法。 - 【請求項７】前記記録媒体が可撓性のテープであり、前
記付加工程に於いて、接地電極を構成する手段を提供す
る工程を具備することを特徴とする、請求項１に記載の
大容量記憶媒体を提供する方法。 - 【請求項８】前記電荷記憶層が前記磁気層上に直接形成
されることを特徴とする、請求項１に記載の大容量記憶
媒体を提供する方法。 - 【請求項９】前記付加工程に於いて、前記電荷記憶層を
焼きなましして電荷記憶層内に電荷注入することを特徴
とする、請求項１に記載の大容量記憶媒体を提供する方
法。 - 【請求項１０】前記磁気層と導電性基板間に平面層を設
ける工程を具備することを特徴とする、請求項１に記載
の大容量記憶媒体を提供する方法。 - 【請求項１１】非導電性基板を提供する工程と、 該非導電性基板上に、磁気記録粒子と静電荷を記憶可能
な材料粒子との混成被膜を形成する工程と、 磁気指標を記録するトラックに位置指示サーボ情報を重
畳書き込みするために、前記被膜に静電荷パターンを付
加する工程と、 選択されたトラックに磁気粒子により磁気指標を書き込
む工程とを具備することを特徴とする、大容量記憶媒体
を提供する方法。 - 【請求項１２】前記被膜上に電荷記憶材料だけによる薄
膜を付加する工程を具備することを特徴とする、請求項
１１に記載の大容量記憶媒体を提供する方法。 - 【請求項１３】前記付加工程に於いて、電荷パターンは
接触電荷転送により前記磁気データの書き込み以前に書
かれることを特徴とする、請求項１１に記載の大容量記
憶媒体を提供する方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US492689 | 1990-03-13 | ||
| US07/492,689 US5103362A (en) | 1990-03-13 | 1990-03-13 | Method of electrostatically sensing track position information for magnetic recording medium |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05205427A true JPH05205427A (ja) | 1993-08-13 |
| JPH0828080B2 JPH0828080B2 (ja) | 1996-03-21 |
Family
ID=23957249
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3044121A Expired - Lifetime JPH0828080B2 (ja) | 1990-03-13 | 1991-02-18 | 大容量記憶媒体を提供する方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5103362A (ja) |
| EP (1) | EP0447081B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0828080B2 (ja) |
| DE (1) | DE69111100D1 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| KR100438833B1 (ko) * | 2001-12-06 | 2004-07-05 | 삼성전자주식회사 | 전하를 이용한 정보저장장치 |
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| US6359746B1 (en) * | 1994-09-14 | 2002-03-19 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetic disk drive |
| US5844803A (en) * | 1997-02-17 | 1998-12-01 | Micron Technology, Inc. | Method of sorting a group of integrated circuit devices for those devices requiring special testing |
| US6341622B1 (en) | 1999-01-22 | 2002-01-29 | Agf Manufacturing, Inc. | Pressure relief valve and arrangement for fire suppression water sprinkler system |
| US6186169B1 (en) | 1999-08-19 | 2001-02-13 | Agf Manufacturing, Inc. | Valve and arrangement for fire suppression system |
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1990
- 1990-03-13 US US07/492,689 patent/US5103362A/en not_active Expired - Fee Related
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1991
- 1991-02-18 JP JP3044121A patent/JPH0828080B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1991-03-01 DE DE69111100T patent/DE69111100D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1991-03-01 EP EP91301734A patent/EP0447081B1/en not_active Expired - Lifetime
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| EP0447081A1 (en) | 1991-09-18 |
| US5103362A (en) | 1992-04-07 |
| EP0447081B1 (en) | 1995-07-12 |
| JPH0828080B2 (ja) | 1996-03-21 |
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