JPH05205991A - フォトレジスト露光方法 - Google Patents
フォトレジスト露光方法Info
- Publication number
- JPH05205991A JPH05205991A JP4013596A JP1359692A JPH05205991A JP H05205991 A JPH05205991 A JP H05205991A JP 4013596 A JP4013596 A JP 4013596A JP 1359692 A JP1359692 A JP 1359692A JP H05205991 A JPH05205991 A JP H05205991A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoresist
- semiconductor wafer
- light
- illuminance
- photochemical reaction
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】発泡などの不具合の発生を防止しながらも、ス
ループットを向上させること。 【構成】光源１からの光を、集束レンズ２および光透過
マスク３の窓を介して回転支持台４に搭載された半導体
ウエハ５のフォトレジスト塗布面の周縁の特定位置Ｇに
照射させておいて、半導体ウエハ５を高速回転させるこ
とにより、半導体ウエハ５のフォトレジスト塗布面の周
縁全周を露光する。このような方法によれば、半導体ウ
エハ５のフォトレジスト塗布面の周縁に対して高照度の
光を短時間ずつ複数回に分けて照射することになり、結
局、半導体ウエハ５の一枚の露光処理時間を短縮できる
ようになって、しかも、フォトレジスト内部での発泡が
なくて済む。
ループットを向上させること。 【構成】光源１からの光を、集束レンズ２および光透過
マスク３の窓を介して回転支持台４に搭載された半導体
ウエハ５のフォトレジスト塗布面の周縁の特定位置Ｇに
照射させておいて、半導体ウエハ５を高速回転させるこ
とにより、半導体ウエハ５のフォトレジスト塗布面の周
縁全周を露光する。このような方法によれば、半導体ウ
エハ５のフォトレジスト塗布面の周縁に対して高照度の
光を短時間ずつ複数回に分けて照射することになり、結
局、半導体ウエハ５の一枚の露光処理時間を短縮できる
ようになって、しかも、フォトレジスト内部での発泡が
なくて済む。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、フォトレジスト露光方
法に関する。
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造過程、例えば、イオン
注入工程やエッチング工程などを行う場合、一般的に、
その前準備として半導体ウエハの加工面にレジストマス
クを形成しておく。そして、イオン注入工程やエッチン
グ工程では、半導体ウエハの周縁において素子が形成さ
れない不要な部位をクランプすることにより、処理装置
のチャンバ内に半導体ウエハを取り付ける。この取り付
けにあたって、半導体ウエハの周縁にフォトレジストを
残しておくと、前述のクランプ行為によってフォトレジ
ストが半導体ウエハから剥離して、チャンバ内部に飛び
散ることになるなど、加工不良につながるおそれがあ
る。
注入工程やエッチング工程などを行う場合、一般的に、
その前準備として半導体ウエハの加工面にレジストマス
クを形成しておく。そして、イオン注入工程やエッチン
グ工程では、半導体ウエハの周縁において素子が形成さ
れない不要な部位をクランプすることにより、処理装置
のチャンバ内に半導体ウエハを取り付ける。この取り付
けにあたって、半導体ウエハの周縁にフォトレジストを
残しておくと、前述のクランプ行為によってフォトレジ
ストが半導体ウエハから剥離して、チャンバ内部に飛び
散ることになるなど、加工不良につながるおそれがあ
る。
【０００３】このような理由から、従来では、半導体ウ
エハの周縁のフォトレジストを除去することを行ってい
る。この除去方法としては、ポジ型フォトレジストを塗
布してある半導体ウエハの周縁の任意位置に光をスポッ
ト的に照射することにより、半導体ウエハ上のフォトレ
ジストを光化学反応させ、以下、半導体ウエハを微小ピ
ッチずつ周方向に送って１回転させることにより半導体
ウエハの周縁全域を露光する。この後、フォトレジスト
の光露光部を現像液によって除去する。
エハの周縁のフォトレジストを除去することを行ってい
る。この除去方法としては、ポジ型フォトレジストを塗
布してある半導体ウエハの周縁の任意位置に光をスポッ
ト的に照射することにより、半導体ウエハ上のフォトレ
ジストを光化学反応させ、以下、半導体ウエハを微小ピ
ッチずつ周方向に送って１回転させることにより半導体
ウエハの周縁全域を露光する。この後、フォトレジスト
の光露光部を現像液によって除去する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、スループッ
トを向上させる意味では、一枚の半導体ウエハに対する
露光処理時間を短縮することが必要である。
トを向上させる意味では、一枚の半導体ウエハに対する
露光処理時間を短縮することが必要である。
【０００５】そのため、フォトレジストの光化学反応を
早めるように照射光の照度を高くすることにより、一回
当たりの光照射時間を短縮することが考えられる。しか
しながら、照射光の照度を、フォトレジストが適正に光
化学反応するのに必要な基準照度よりも高く設定する
と、光化学反応により発生するＮ2ガスの発生量が多く
なり過ぎて、外部へ抜け切れずにフォトレジスト内部に
溜まって発泡することが判った。
早めるように照射光の照度を高くすることにより、一回
当たりの光照射時間を短縮することが考えられる。しか
しながら、照射光の照度を、フォトレジストが適正に光
化学反応するのに必要な基準照度よりも高く設定する
と、光化学反応により発生するＮ2ガスの発生量が多く
なり過ぎて、外部へ抜け切れずにフォトレジスト内部に
溜まって発泡することが判った。
【０００６】このような理由から、従来の露光方法で
は、スループットを高めるよう改善することが不可能で
あり、改良の余地がある。
は、スループットを高めるよう改善することが不可能で
あり、改良の余地がある。
【０００７】本発明は、このような事情に鑑みて創案さ
れたもので、発泡などの不具合の発生を防止しながら
も、スループットを向上させることを目的とする。
れたもので、発泡などの不具合の発生を防止しながら
も、スループットを向上させることを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために、本発明は、次のような構成をとる。
るために、本発明は、次のような構成をとる。
【０００９】本発明の第１のフォトレジスト露光方法
は、対象となるフォトレジストが所定時間において適正
に光化学反応するのに必要な基準照度よりも高い照度の
光を、半導体ウエハのフォトレジスト塗布面に対して一
回当たりの照射時間を短縮して複数回に分けて照射する
ことに特徴を有する。
は、対象となるフォトレジストが所定時間において適正
に光化学反応するのに必要な基準照度よりも高い照度の
光を、半導体ウエハのフォトレジスト塗布面に対して一
回当たりの照射時間を短縮して複数回に分けて照射する
ことに特徴を有する。
【００１０】本発明の第２のフォトレジスト露光方法
は、半導体ウエハを所定の速度で回転させながら、固定
の光照射位置からの半導体ウエハのフォトレジスト塗布
面の周縁に光を照射して、該周縁のフォトレジストを露
光する方法であって、前記照射光の照度を、前記フォト
レジストが適正に光化学反応するのに必要な基準照度よ
りも高く設定するとともに、前記回転速度を、前記フォ
トレジストの光化学反応が段階的に進むように速く設定
することに特徴を有する。
は、半導体ウエハを所定の速度で回転させながら、固定
の光照射位置からの半導体ウエハのフォトレジスト塗布
面の周縁に光を照射して、該周縁のフォトレジストを露
光する方法であって、前記照射光の照度を、前記フォト
レジストが適正に光化学反応するのに必要な基準照度よ
りも高く設定するとともに、前記回転速度を、前記フォ
トレジストの光化学反応が段階的に進むように速く設定
することに特徴を有する。
【００１１】本発明の第３のフォトレジスト露光方法
は、半導体ウエハを固定しておき、その半導体ウエハの
フォトレジスト塗布面の周縁に沿って所定の走査速度で
光を走査することにより該周縁のフォトレジストを露光
する方法であって、前記照射光の照度を、前記フォトレ
ジストが適正に光化学反応するのに必要な基準照度より
も高く設定するとともに、前記走査速度を、前記フォト
レジストの光化学反応が段階的に進むように速く設定す
ることに特徴を有する。
は、半導体ウエハを固定しておき、その半導体ウエハの
フォトレジスト塗布面の周縁に沿って所定の走査速度で
光を走査することにより該周縁のフォトレジストを露光
する方法であって、前記照射光の照度を、前記フォトレ
ジストが適正に光化学反応するのに必要な基準照度より
も高く設定するとともに、前記走査速度を、前記フォト
レジストの光化学反応が段階的に進むように速く設定す
ることに特徴を有する。
【００１２】なお、上記記載において、“フォトレジス
トが適正に光化学反応する”とは、フォトレジストが発
泡せずに光化学反応する状態を意味している。
トが適正に光化学反応する”とは、フォトレジストが発
泡せずに光化学反応する状態を意味している。
【００１３】
【作用】高照度の光を短時間ずつ複数回に分けて照射す
ることにより、光化学反応を段階的に進行させれば、フ
ォトレジスト内部で発泡せずに済んで、半導体ウエハ一
枚の露光処理時間を短縮できるようになる。
ることにより、光化学反応を段階的に進行させれば、フ
ォトレジスト内部で発泡せずに済んで、半導体ウエハ一
枚の露光処理時間を短縮できるようになる。
【００１４】高照度の光を照射するようにしているにも
かかわらず発泡しないのは、一回の照射時間を極力短く
設定することによりフォトレジストの光化学反応の各段
階において発生するＮ2ガスの量を少しに抑えたからで
ある。Ｎ2ガスの発生量が少しであれば、Ｎ2ガスがフォ
トレジスト外部へほぼ完全に抜け出るようになるから、
発泡しようがない。
かかわらず発泡しないのは、一回の照射時間を極力短く
設定することによりフォトレジストの光化学反応の各段
階において発生するＮ2ガスの量を少しに抑えたからで
ある。Ｎ2ガスの発生量が少しであれば、Ｎ2ガスがフォ
トレジスト外部へほぼ完全に抜け出るようになるから、
発泡しようがない。
【００１５】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細
に説明する。
に説明する。
【００１６】図１に露光装置を示している。図中、１は
水銀ランプなどの光源、２は集束レンズ、３は光透過マ
スク、４は回転支持台、５は半導体ウエハである。な
お、半導体ウエハ５の加工面には、ポジ型のフォトレジ
スト（図示省略）が塗布されている。
水銀ランプなどの光源、２は集束レンズ、３は光透過マ
スク、４は回転支持台、５は半導体ウエハである。な
お、半導体ウエハ５の加工面には、ポジ型のフォトレジ
スト（図示省略）が塗布されている。
【００１７】光源１から発する光は、集束レンズ２によ
り集束されてから光透過マスク３の窓を通って回転支持
台４に搭載された半導体ウエハ５のフォトレジスト塗布
面の周縁の特定位置Ｇを照射するようになっている。
り集束されてから光透過マスク３の窓を通って回転支持
台４に搭載された半導体ウエハ５のフォトレジスト塗布
面の周縁の特定位置Ｇを照射するようになっている。
【００１８】このような露光装置を用いた露光方法は、
光照射位置を固定しておいて、回転支持台４を所定回転
速度で回転させることにより、半導体ウエハ５のフォト
レジスト塗布面の周縁全周を露光するのである。露光に
あたっては、照射光の照度を、対象となるフォトレジス
トが適正に光化学反応するのに必要な基準照度よりも高
く設定し、また、回転支持台４の回転速度を、フォトレ
ジストの光化学反応が段階的に適正となるように高速に
設定する。ちなみに、６インチの半導体ウエハ５にポジ
型のフォトレジストを１．２μｍ厚に塗布している場
合、照射光の照度を８００ミリジュール／ｃｍ2（前記
基準照度の約２倍に相当）とし、回転支持台４を３００
０ｒｐｍで回転させるとよい。
光照射位置を固定しておいて、回転支持台４を所定回転
速度で回転させることにより、半導体ウエハ５のフォト
レジスト塗布面の周縁全周を露光するのである。露光に
あたっては、照射光の照度を、対象となるフォトレジス
トが適正に光化学反応するのに必要な基準照度よりも高
く設定し、また、回転支持台４の回転速度を、フォトレ
ジストの光化学反応が段階的に適正となるように高速に
設定する。ちなみに、６インチの半導体ウエハ５にポジ
型のフォトレジストを１．２μｍ厚に塗布している場
合、照射光の照度を８００ミリジュール／ｃｍ2（前記
基準照度の約２倍に相当）とし、回転支持台４を３００
０ｒｐｍで回転させるとよい。
【００１９】このように、高照度の光を短時間ずつ複数
回に分けて照射することにより、光化学反応を段階的に
進行させれば、フォトレジスト内部で発泡せずに済ん
で、半導体ウエハ一枚の露光処理時間を短縮できるよう
になる。なお、高照度の光を照射するようにしているに
もかかわらず発泡しないのは、一回の照射時間を極力短
く設定することによりフォトレジストの光化学反応の各
段階において発生するＮ2ガスの量を少しに抑えたから
である。つまり、Ｎ2ガスの発生量が少しであれば、Ｎ2
ガスがフォトレジスト外部へほぼ完全に抜け出るように
なるから、発泡しようがなくなる。しかも、本実施例の
ように半導体ウエハ５を連続的に回転させるような制御
は、従来の微小ピッチ送り制御に比べてはるかに簡単で
ある。
回に分けて照射することにより、光化学反応を段階的に
進行させれば、フォトレジスト内部で発泡せずに済ん
で、半導体ウエハ一枚の露光処理時間を短縮できるよう
になる。なお、高照度の光を照射するようにしているに
もかかわらず発泡しないのは、一回の照射時間を極力短
く設定することによりフォトレジストの光化学反応の各
段階において発生するＮ2ガスの量を少しに抑えたから
である。つまり、Ｎ2ガスの発生量が少しであれば、Ｎ2
ガスがフォトレジスト外部へほぼ完全に抜け出るように
なるから、発泡しようがなくなる。しかも、本実施例の
ように半導体ウエハ５を連続的に回転させるような制御
は、従来の微小ピッチ送り制御に比べてはるかに簡単で
ある。
【００２０】なお、本発明の露光方法は図１に示す露光
装置の他に、図２および図３に示すようなものを用いる
ことができる。
装置の他に、図２および図３に示すようなものを用いる
ことができる。
【００２１】図２に示す露光装置は、光源１としてレー
ザー発生装置（ＡｒまたはＨｅ−Ｃｄ）を用いているの
で、図１に示す装置での集束レンズ２や光透過マスク３
が不要となる。レーザー発生装置を用いた場合、光照射
位置が加熱されることになるので、より発泡しにくくな
る。
ザー発生装置（ＡｒまたはＨｅ−Ｃｄ）を用いているの
で、図１に示す装置での集束レンズ２や光透過マスク３
が不要となる。レーザー発生装置を用いた場合、光照射
位置が加熱されることになるので、より発泡しにくくな
る。
【００２２】図３に示す露光装置は、半導体ウエハ５を
回転させずに、照射する光の位置を走査して変えるよう
にしている。半導体ウエハ５は、非回転のホットプレー
ト４Ａに搭載されて加熱されるようになっており、レー
ザー発生装置からなる光源１から出射される光は、Ｘ軸
周りおよびＹ軸周りにそれぞれ回動自在な可動ミラー６
により反射されて半導体ウエハ５のフォトレジスト塗布
面の周縁全域に照射されるようになっている。この装置
を用いれば、一般的には露光後に行うベーク処理を露光
と同時に行えるようになり、高スループット化を図る上
でより効果的である。
回転させずに、照射する光の位置を走査して変えるよう
にしている。半導体ウエハ５は、非回転のホットプレー
ト４Ａに搭載されて加熱されるようになっており、レー
ザー発生装置からなる光源１から出射される光は、Ｘ軸
周りおよびＹ軸周りにそれぞれ回動自在な可動ミラー６
により反射されて半導体ウエハ５のフォトレジスト塗布
面の周縁全域に照射されるようになっている。この装置
を用いれば、一般的には露光後に行うベーク処理を露光
と同時に行えるようになり、高スループット化を図る上
でより効果的である。
【００２３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明では、半導
体ウエハのフォトレジスト塗布面の周縁に対して高照度
の光を短時間ずつ複数回に分けて照射することにより光
化学反応を段階的に進行させるようにしているから、フ
ォトレジスト内部で発泡するといった不具合なくして、
半導体ウエハ一枚の露光処理時間を短縮できるようにな
る。したがって、高スループット化を達成できるように
なる。
体ウエハのフォトレジスト塗布面の周縁に対して高照度
の光を短時間ずつ複数回に分けて照射することにより光
化学反応を段階的に進行させるようにしているから、フ
ォトレジスト内部で発泡するといった不具合なくして、
半導体ウエハ一枚の露光処理時間を短縮できるようにな
る。したがって、高スループット化を達成できるように
なる。
【図１】本発明のフォトレジスト露光方法に用いる露光
装置の外観斜視図。
装置の外観斜視図。
【図２】本発明のフォトレジスト露光方法に用いる他の
露光装置の外観斜視図。
露光装置の外観斜視図。
【図３】本発明のフォトレジスト露光方法に用いるさら
に他の露光装置の外観斜視図。
に他の露光装置の外観斜視図。
１ 光源 ２ 集束レンズ ３ 光透過マスク ４ 回転支持台 ５ 半導体ウエハ
Claims (3)
- 【請求項１】 対象となるフォトレジストが所定時間に
おいて適正に光化学反応するのに必要な基準照度よりも
高い照度の光を、半導体ウエハのフォトレジスト塗布面
に対して一回当たりの照射時間を短縮して複数回に分け
て照射する、ことを特徴とするフォトレジスト露光方
法。 - 【請求項２】 半導体ウエハを所定の速度で回転させな
がら、固定の光照射位置からの半導体ウエハのフォトレ
ジスト塗布面の周縁に光を照射して、該周縁のフォトレ
ジストを露光する方法であって、前記照射光の照度を、
前記フォトレジストが適正に光化学反応するのに必要な
基準照度よりも高く設定するとともに、前記回転速度
を、前記フォトレジストの光化学反応が段階的に進むよ
うに速く設定する、ことを特徴とするフォトレジスト露
光方法。 - 【請求項３】 半導体ウエハを固定しておき、その半導
体ウエハのフォトレジスト塗布面の周縁に沿って所定の
走査速度で光を走査することにより該周縁のフォトレジ
ストを露光する方法であって、前記照射光の照度を、前
記フォトレジストが適正に光化学反応するのに必要な基
準照度よりも高く設定するとともに、前記走査速度を、
前記フォトレジストの光化学反応が段階的に進むように
速く設定する、ことを特徴とするフォトレジスト露光方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4013596A JPH05205991A (ja) | 1992-01-29 | 1992-01-29 | フォトレジスト露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4013596A JPH05205991A (ja) | 1992-01-29 | 1992-01-29 | フォトレジスト露光方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05205991A true JPH05205991A (ja) | 1993-08-13 |
Family
ID=11837589
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4013596A Pending JPH05205991A (ja) | 1992-01-29 | 1992-01-29 | フォトレジスト露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05205991A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115598935A (zh) * | 2022-10-19 | 2023-01-13 | 隆基绿能科技股份有限公司（Cn） | 曝光方法及设备、太阳能电池和光伏组件 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0212811A (ja) * | 1988-06-30 | 1990-01-17 | Ushio Inc | ウエハ周辺露光方法 |
-
1992
- 1992-01-29 JP JP4013596A patent/JPH05205991A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0212811A (ja) * | 1988-06-30 | 1990-01-17 | Ushio Inc | ウエハ周辺露光方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115598935A (zh) * | 2022-10-19 | 2023-01-13 | 隆基绿能科技股份有限公司（Cn） | 曝光方法及设备、太阳能电池和光伏组件 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CA1175958A (en) | Pattern generator | |
| US4298803A (en) | Process and apparatus for making fine-scale patterns | |
| JPH0342492B2 (ja) | ||
| KR20020033429A (ko) | 노출 방법 | |
| JPH03159114A (ja) | 微細パターンの形成方法 | |
| JP2004513528A5 (ja) | ||
| EP0282703A2 (en) | Method of treating photoresists | |
| WO2001082001A1 (en) | Lithography system with device for exposing the periphery of a wafer | |
| JP2009295716A (ja) | 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 | |
| JP2006093318A (ja) | Ｅｕｖ露光装置、ｅｕｖ露光方法及び反射型マスク | |
| JPH05315246A (ja) | 露光装置 | |
| JPH0750676B2 (ja) | ウエハ周辺露光方法 | |
| JP2823246B2 (ja) | パターン形成方法 | |
| EP0233333B1 (en) | Method of treating photoresists | |
| KR20020081927A (ko) | 반도체 웨이퍼의 에지 노광 방법 | |
| JPH03242922A (ja) | ウエハ周辺露光方法及びウエハ周辺露光装置 | |
| RU1454116C (ru) | Способ фотолитографии | |
| JPH0130138B2 (ja) | ||
| JPH02177420A (ja) | ウエハ周辺露光装置 | |
| JPH0750679B2 (ja) | ウエハ周辺露光装置 | |
| JP2506637B2 (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| JP3087209B2 (ja) | 露光装置 | |
| JPS58123727A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0750677B2 (ja) | ウエハ周辺露光方法 | |
| JP2894772B2 (ja) | Ｘ線窓の製造方法 |