JPH0342492B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0342492B2 JPH0342492B2 JP58221985A JP22198583A JPH0342492B2 JP H0342492 B2 JPH0342492 B2 JP H0342492B2 JP 58221985 A JP58221985 A JP 58221985A JP 22198583 A JP22198583 A JP 22198583A JP H0342492 B2 JPH0342492 B2 JP H0342492B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- resist film
- pattern
- temperature
- irradiated
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/36—Imagewise removal not covered by groups G03F7/30 - G03F7/34, e.g. using gas streams, using plasma
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
- Y10S430/167—X-ray
- Y10S430/168—X-ray exposure process
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はレジストパターンの形成方法に関し、
さらに詳しくは、レジストに活性線を選択的に照
射した後加熱処理を行い、その後プラズマガスで
乾式現像する微細パターン形成方法に関する。
さらに詳しくは、レジストに活性線を選択的に照
射した後加熱処理を行い、その後プラズマガスで
乾式現像する微細パターン形成方法に関する。
半導体工業における半導体デバイスの製造には
数多くの加工工程があり、ホトリソグラフイーも
その１つである。通常行われているホトリソグラ
フイー工程は感光材料であるホトレジストが使用
される。すなわちシリコンウエハ上に数100mmの
膜厚をもつAl、SiO2、Si3N4あるいはポリシリコ
ン等の下地薄膜を形成した後、その上にホトレジ
ストを披着し、所要のパターニング用マスクを介
して紫外線を照射し、その後所定の現像液で現像
を行うことによりホトレジスト膜のパターンを得
る。次にホトレジスト膜のパターンを保護マスク
として下地薄膜の非保護部を選択的にエツチング
除去した後、ホトレジスト膜を剥離することによ
り下地薄膜にパターンを形成するものである。
数多くの加工工程があり、ホトリソグラフイーも
その１つである。通常行われているホトリソグラ
フイー工程は感光材料であるホトレジストが使用
される。すなわちシリコンウエハ上に数100mmの
膜厚をもつAl、SiO2、Si3N4あるいはポリシリコ
ン等の下地薄膜を形成した後、その上にホトレジ
ストを披着し、所要のパターニング用マスクを介
して紫外線を照射し、その後所定の現像液で現像
を行うことによりホトレジスト膜のパターンを得
る。次にホトレジスト膜のパターンを保護マスク
として下地薄膜の非保護部を選択的にエツチング
除去した後、ホトレジスト膜を剥離することによ
り下地薄膜にパターンを形成するものである。
しかしながら上記のホトリソグラフイー工程に
おいては現像液による現像処理、いわゆる湿式現
像法は必須要件である。しがつてその過程でホト
レジスト膜に現像液が惨み込みパターンが膨潤し
てしまい、微細なパターンを形成するには実用的
でない。また現像液として多量の溶剤を用いるた
め作業環境の悪化、公害発生などの問題を生じ
る。
おいては現像液による現像処理、いわゆる湿式現
像法は必須要件である。しがつてその過程でホト
レジスト膜に現像液が惨み込みパターンが膨潤し
てしまい、微細なパターンを形成するには実用的
でない。また現像液として多量の溶剤を用いるた
め作業環境の悪化、公害発生などの問題を生じ
る。
このため近年この湿式現像法による問題点を改
善した乾式現像法が提案されている。この方法は
レジスト膜に活性膜を選択的に照射した後、何ら
かの処理を施してレジスト膜の照射部と非照射部
との間に耐プラズマ性に差を生ぜしめ、しかる後
にプラズマガス雰囲気中に曝して耐プラズマ性の
弱い部分を灰化除去することによりパターンを形
成するものである。この乾式現像法は溶剤を全く
使用しないためレジスト膜の微細パターンの形成
に非常に有利であると共に公害発生の心配がない
ため半導体工業において最近頓に評価の高い方法
である。
善した乾式現像法が提案されている。この方法は
レジスト膜に活性膜を選択的に照射した後、何ら
かの処理を施してレジスト膜の照射部と非照射部
との間に耐プラズマ性に差を生ぜしめ、しかる後
にプラズマガス雰囲気中に曝して耐プラズマ性の
弱い部分を灰化除去することによりパターンを形
成するものである。この乾式現像法は溶剤を全く
使用しないためレジスト膜の微細パターンの形成
に非常に有利であると共に公害発生の心配がない
ため半導体工業において最近頓に評価の高い方法
である。
これまでに明らかにされているこの種の方法と
しては特開昭57−44143号公報あるいは特開昭58
−60537号公報に記載されているように活性線を
選択的にレジスト膜に照射した後、80〜180℃の
範囲内の温度雰囲気中で加熱処理を行い照射部と
非照射部との間の耐プラズマ性に差を生ぜしめ、
プラズマガスで現像する方法がある。
しては特開昭57−44143号公報あるいは特開昭58
−60537号公報に記載されているように活性線を
選択的にレジスト膜に照射した後、80〜180℃の
範囲内の温度雰囲気中で加熱処理を行い照射部と
非照射部との間の耐プラズマ性に差を生ぜしめ、
プラズマガスで現像する方法がある。
これらの方法では200℃以上の温度でレジスト
膜の加熱処理を行うとレジスト膜は軟化してフロ
ーを生じやすいと信じたから加熱処理温度は上限
を180℃とし、比較的長時間の処理が必要である。
このためシリコンウエハ等の基板に悪影響を及ぼ
し、基板のソリ等が生じやすくなり、また比較的
低温での処理のため、活性線の照射部と非照射部
との間に大きな耐プラズマ性の差をもたせること
ができない。したがつて得られるレジスト膜のパ
ターンは非常に残存膜厚が低く、これらの方法に
よる微細パターンの形成法は実用的でない。
膜の加熱処理を行うとレジスト膜は軟化してフロ
ーを生じやすいと信じたから加熱処理温度は上限
を180℃とし、比較的長時間の処理が必要である。
このためシリコンウエハ等の基板に悪影響を及ぼ
し、基板のソリ等が生じやすくなり、また比較的
低温での処理のため、活性線の照射部と非照射部
との間に大きな耐プラズマ性の差をもたせること
ができない。したがつて得られるレジスト膜のパ
ターンは非常に残存膜厚が低く、これらの方法に
よる微細パターンの形成法は実用的でない。
本発明者らは、従来の方法による欠点をなくし
た、より実用性の高い乾式パターン形成方法につ
いて鋭意研究を重ねた結果、レジスト膜に対し活
性線を選択的に照射した後、200〜500℃の範囲の
温度雰囲気中で10分間を超えない時間内で加熱処
理を行い、その後プラズマガス中に曝すことによ
り活性線が選択的に照射されなかつた部分を除去
すれば、基板に悪影響を与えず、しかも残膜率の
高い乾式パターンの形成が可能であることを見出
し本発明に到達した。
た、より実用性の高い乾式パターン形成方法につ
いて鋭意研究を重ねた結果、レジスト膜に対し活
性線を選択的に照射した後、200〜500℃の範囲の
温度雰囲気中で10分間を超えない時間内で加熱処
理を行い、その後プラズマガス中に曝すことによ
り活性線が選択的に照射されなかつた部分を除去
すれば、基板に悪影響を与えず、しかも残膜率の
高い乾式パターンの形成が可能であることを見出
し本発明に到達した。
以下に本発明を詳細に説明する。
本発明において用いることのできるレジストは
従来使用されているネガ型のレジストが使用可能
であるが、特にポリマーと芳香族アジト化合物と
からなるレジストが好ましい。ポリマーとしては
プラズマガス中で容易に灰化除去され得るもので
あることが必要である。具体的にはポリメチルメ
タクリレート、ポリメチルイソプロペニルケト
ン、ポリグリシジルアクリエート、ポリグリシジ
ルメタクリレート、グリシジルメタクリレートと
メチルメタクリレートとの共重合体，ポリ塩化ビ
ニル、ポリ酢酸ビニル、塩化ビニルと酢酸ビニル
との共重合体、塩化ビニルとアクリル酸との共重
合体、ポリイソプロピルビニルケトン、ポリブチ
ルメタクリレート、ポリ（２，３−ジクロロ−１
−プロピルアクリレート）、ポリ（１，３−ジク
ロロ−１−プロピルアクリレート）、ポリ（２−
クロロエチルアクリレート）等を挙げることがで
きる。
従来使用されているネガ型のレジストが使用可能
であるが、特にポリマーと芳香族アジト化合物と
からなるレジストが好ましい。ポリマーとしては
プラズマガス中で容易に灰化除去され得るもので
あることが必要である。具体的にはポリメチルメ
タクリレート、ポリメチルイソプロペニルケト
ン、ポリグリシジルアクリエート、ポリグリシジ
ルメタクリレート、グリシジルメタクリレートと
メチルメタクリレートとの共重合体，ポリ塩化ビ
ニル、ポリ酢酸ビニル、塩化ビニルと酢酸ビニル
との共重合体、塩化ビニルとアクリル酸との共重
合体、ポリイソプロピルビニルケトン、ポリブチ
ルメタクリレート、ポリ（２，３−ジクロロ−１
−プロピルアクリレート）、ポリ（１，３−ジク
ロロ−１−プロピルアクリレート）、ポリ（２−
クロロエチルアクリレート）等を挙げることがで
きる。
もう一方の成分である芳香族アジド化合物とし
ては、次の一般式で表わされるものをあげること
ができる。
ては、次の一般式で表わされるものをあげること
ができる。
N3−Ａ−Ｘ−Ａ−N3
〔式中のＸは、−CH＝CH−CO−、−CH＝CR1−
CO−CR1＝CH−、 ■■■ 亀の甲 ［0001］ ■■■ ■■■ 亀の甲 ［0002］ ■■■ −CH＝CH−CH＝CR1−CO−CR1＝CH−CH＝
CH− Ａは■■■ 亀の甲 ［0003］ ■■■ ■■■ 亀の甲 ［0004］ ■■■ ■■■ 亀の甲 ［0005］ ■■■ （ここで、R1はそれぞれ独立して水素原子、炭
素数１〜３のアルキル基、シアノ基、フエニル
基、またはフエノキシ基を表す）〕 具体的には、４，4′−ジアジドカルコン、４，
4′−ジアジドジベンジリデンアストン、２，６−
ジ−（４−アジドベンジリデン）−シクロヘキサノ
ン、２，６−ジ−（４−アジドデンジリデン）−４
−メチルシクロヘキサノン、２，６−ジ−（４−
アジドシンナミリデン）−シクロヘキサノン、４，
４−ジアジドシンナミリデンアセトン、２−（４
−アジドベンジリデン）−４−フエノキシ−６−
（４−アジドベンゾベンジリデン）−シクロヘキサ
ノンなどである。
CO−CR1＝CH−、 ■■■ 亀の甲 ［0001］ ■■■ ■■■ 亀の甲 ［0002］ ■■■ −CH＝CH−CH＝CR1−CO−CR1＝CH−CH＝
CH− Ａは■■■ 亀の甲 ［0003］ ■■■ ■■■ 亀の甲 ［0004］ ■■■ ■■■ 亀の甲 ［0005］ ■■■ （ここで、R1はそれぞれ独立して水素原子、炭
素数１〜３のアルキル基、シアノ基、フエニル
基、またはフエノキシ基を表す）〕 具体的には、４，4′−ジアジドカルコン、４，
4′−ジアジドジベンジリデンアストン、２，６−
ジ−（４−アジドベンジリデン）−シクロヘキサノ
ン、２，６−ジ−（４−アジドデンジリデン）−４
−メチルシクロヘキサノン、２，６−ジ−（４−
アジドシンナミリデン）−シクロヘキサノン、４，
４−ジアジドシンナミリデンアセトン、２−（４
−アジドベンジリデン）−４−フエノキシ−６−
（４−アジドベンゾベンジリデン）−シクロヘキサ
ノンなどである。
前記ポリマーと芳香族アジド化合物とからなる
レジスト塗布液を調整するには、ポリマーおよび
芳香族アジド化合物をシクロヘキサン、エチレン
グリコールモノエチルエーテルアセテート、エチ
レングリコールモノメチルエーテルアセテート、
クロロベンゼン、トルエン、テトラヒドロフラン
などの単一溶剤または混合溶剤に溶解することに
より達成される。
レジスト塗布液を調整するには、ポリマーおよび
芳香族アジド化合物をシクロヘキサン、エチレン
グリコールモノエチルエーテルアセテート、エチ
レングリコールモノメチルエーテルアセテート、
クロロベンゼン、トルエン、テトラヒドロフラン
などの単一溶剤または混合溶剤に溶解することに
より達成される。
かくして得られた塗布液をシリコンウエハ等の
基板上に所望の厚さを形成するには、適当な濃度
に調整した塗布液を用いてスピンナーにより回転
塗布すればよいが、その他の従来公知の塗布方法
によつてレジスト層を形成することもできる。さ
らに温風乾燥機などに入れることにより使用した
溶剤を蒸発除去し、基板上にレジスト膜を形成す
る。その後のレジスト膜に対し活性線を選択的に
形成する。この場合の活性線としては粒子線また
は電磁波であり、短資線は電子線、イオンビーム
が、電磁波は紫外線、遠紫外線Ｘ線がそれぞれ有
効である。
基板上に所望の厚さを形成するには、適当な濃度
に調整した塗布液を用いてスピンナーにより回転
塗布すればよいが、その他の従来公知の塗布方法
によつてレジスト層を形成することもできる。さ
らに温風乾燥機などに入れることにより使用した
溶剤を蒸発除去し、基板上にレジスト膜を形成す
る。その後のレジスト膜に対し活性線を選択的に
形成する。この場合の活性線としては粒子線また
は電磁波であり、短資線は電子線、イオンビーム
が、電磁波は紫外線、遠紫外線Ｘ線がそれぞれ有
効である。
次に200〜500℃の範囲の温度雰囲気中で10分間
を超えない時間内で加熱処理を行う。この方法と
してはあらがじめ200〜500℃の範囲内の所望温度
に設定した乾燥器中に基板を入れることにより加
熱処理することができる。この際加熱処理時間と
しては10分間以内であればよいが、加熱温度によ
り適宜設定されることが好ましい。例えば加熱温
度が200℃の場合は約10分間、500℃の場合は約１
秒間である。加熱処理温度が200℃より低いとレ
ジスト膜の活性照射部は耐プラズマ性が乏しくな
り、残膜率の低いパターンとなつて好ましくな
く、また加熱処理温度が500℃を超えたり、加熱
処理時間が10分間より長くなると現像適性を損
い、パターン忠実性が悪くなつて好ましくない。
を超えない時間内で加熱処理を行う。この方法と
してはあらがじめ200〜500℃の範囲内の所望温度
に設定した乾燥器中に基板を入れることにより加
熱処理することができる。この際加熱処理時間と
しては10分間以内であればよいが、加熱温度によ
り適宜設定されることが好ましい。例えば加熱温
度が200℃の場合は約10分間、500℃の場合は約１
秒間である。加熱処理温度が200℃より低いとレ
ジスト膜の活性照射部は耐プラズマ性が乏しくな
り、残膜率の低いパターンとなつて好ましくな
く、また加熱処理温度が500℃を超えたり、加熱
処理時間が10分間より長くなると現像適性を損
い、パターン忠実性が悪くなつて好ましくない。
この加熱処理を行つた後、ガスプラズマ装置内
のプラズマガス中に曝すことにより活性線が選択
的に照射されなかつた部分のみを除去するいわゆ
る乾式現像法によるレジスト膜のパターンが得ら
れる。プラズマガスによる現像処理のために好適
な導入ガスとしてはO2、フロン、フロン−O2系、
O2−Ar系などがある。
のプラズマガス中に曝すことにより活性線が選択
的に照射されなかつた部分のみを除去するいわゆ
る乾式現像法によるレジスト膜のパターンが得ら
れる。プラズマガスによる現像処理のために好適
な導入ガスとしてはO2、フロン、フロン−O2系、
O2−Ar系などがある。
本発明方法では活性線が選択的に照射されたレ
ジスト膜は芳香族アジド化合物が活性化し、レジ
スト膜中のポリマーに作用して架橋する。架橋し
た芳香族アジド化合物とポリマーは200〜500℃の
範囲の温度雰囲気中で10分以内の加熱処理により
再配列され、プラズマガスによる励起エネルギー
を失活させる構造となり、耐プラズマ性が著しく
向上する。したがつてプラズマガス中での照射部
の灰化速度は極めて小さくなる。他方非照射部に
おける未変化の芳香族アジド化合物はこの加熱処
理により不活性化される。かくして照射部と非照
射部との間に耐プラズマ性の差を生じ、プラズマ
ガス中で非照射部は容易に灰化し、選択的に除去
され、また照射部は膜ベリが少ないパターンが基
板上に形成される。
ジスト膜は芳香族アジド化合物が活性化し、レジ
スト膜中のポリマーに作用して架橋する。架橋し
た芳香族アジド化合物とポリマーは200〜500℃の
範囲の温度雰囲気中で10分以内の加熱処理により
再配列され、プラズマガスによる励起エネルギー
を失活させる構造となり、耐プラズマ性が著しく
向上する。したがつてプラズマガス中での照射部
の灰化速度は極めて小さくなる。他方非照射部に
おける未変化の芳香族アジド化合物はこの加熱処
理により不活性化される。かくして照射部と非照
射部との間に耐プラズマ性の差を生じ、プラズマ
ガス中で非照射部は容易に灰化し、選択的に除去
され、また照射部は膜ベリが少ないパターンが基
板上に形成される。
本発明方法ではレジスト膜に活性線を選択的に
照射した後、200〜500℃という従来の乾式パター
ン形式方法で用いられた以上の高い温度で処理す
ることにより、活性線の照射部と非照射部との間
の耐プラズマ性の差を著しく大きくすることがで
きるため、残膜率の高い微細パターンの形成がで
き、また処理時間も10分以内と極めて短いため基
板に対して悪い影響を与えることがないなど実用
性の高い方法である。
照射した後、200〜500℃という従来の乾式パター
ン形式方法で用いられた以上の高い温度で処理す
ることにより、活性線の照射部と非照射部との間
の耐プラズマ性の差を著しく大きくすることがで
きるため、残膜率の高い微細パターンの形成がで
き、また処理時間も10分以内と極めて短いため基
板に対して悪い影響を与えることがないなど実用
性の高い方法である。
次に本発明を実施例によつてさらに具体的に説
明する。
明する。
実施例 １
分子量20万のポリメチルイソプロペニルケトン
10ｇと２，６−ジ（4′−アジドベンジリデン）−
４−メチルシクロヘキサノン３ｇをシクロヘキサ
ノン約90ｇに溶解し調製した塗布液をシリコンウ
エハ上に3000rpmで30秒間回転塗布した後、85℃
に保たれた温風乾燥器中で20分間乾燥し、塗布膜
中の残存溶剤を蒸発除去させた。次いでCM−
290コールドミラーを取付けた紫外線露光装置
PLA−520F（キヤノン社製）を用いて最小0.5μｍ
のパターンをもつ解像テストマスクを介して遠紫
外線を４カウントハードコンタクト露光したシリ
コンウエハを３枚用意し、ベーク炉を使用して、
200℃の温度雰囲気中で10分間加熱処理したも
の、500℃の温度雰囲気中で１秒間加熱処理し
たもの、比較のため140℃の温度雰囲気中で３
分間加熱処理したものに分け、プラズマ処理装置
OAPM−300（東京応化工業社製）を使用し、周
波数13.56MHz、RF出力25W、圧力1.0Torr.、酸
素ガス流量200c.c.／min、テーブル温度105℃の条
件下で酸素プラズマガスにより60秒間処理した。
その結果いずれもテストマスクに忠実な最小0.5μ
ｍの微細パターンは得られたが、残膜率は、
の場合90％となつたのに対し、の場合は80％で
あつた。
10ｇと２，６−ジ（4′−アジドベンジリデン）−
４−メチルシクロヘキサノン３ｇをシクロヘキサ
ノン約90ｇに溶解し調製した塗布液をシリコンウ
エハ上に3000rpmで30秒間回転塗布した後、85℃
に保たれた温風乾燥器中で20分間乾燥し、塗布膜
中の残存溶剤を蒸発除去させた。次いでCM−
290コールドミラーを取付けた紫外線露光装置
PLA−520F（キヤノン社製）を用いて最小0.5μｍ
のパターンをもつ解像テストマスクを介して遠紫
外線を４カウントハードコンタクト露光したシリ
コンウエハを３枚用意し、ベーク炉を使用して、
200℃の温度雰囲気中で10分間加熱処理したも
の、500℃の温度雰囲気中で１秒間加熱処理し
たもの、比較のため140℃の温度雰囲気中で３
分間加熱処理したものに分け、プラズマ処理装置
OAPM−300（東京応化工業社製）を使用し、周
波数13.56MHz、RF出力25W、圧力1.0Torr.、酸
素ガス流量200c.c.／min、テーブル温度105℃の条
件下で酸素プラズマガスにより60秒間処理した。
その結果いずれもテストマスクに忠実な最小0.5μ
ｍの微細パターンは得られたが、残膜率は、
の場合90％となつたのに対し、の場合は80％で
あつた。
実施例 ２
分子量60万のポリメチルメタクリエート10ｇと
４，4′−ジアジドカルコン３ｇをエチレングリコ
ールモノエチルエーテルアセテート約90ｇに溶解
して調整した塗布液を用い、実施例１と同様にし
て３種の加熱処理を行つたところ、実施例１と同
様の結果を得た。
４，4′−ジアジドカルコン３ｇをエチレングリコ
ールモノエチルエーテルアセテート約90ｇに溶解
して調整した塗布液を用い、実施例１と同様にし
て３種の加熱処理を行つたところ、実施例１と同
様の結果を得た。
実施例 ３
分子量10万の塩化ビニルと酢酸ビニルの共重合
体５ｇと４，4′−ジアジドジベンジリデンアセト
ン１ｇをトルエン約50ｇに溶解して調整した塗布
液をシリコンウエハ上に3000rpmで30秒間回転塗
布した。次いで85℃に保たれた温風乾燥器中で20
分間乾燥し、塗布膜中の残存溶剤を蒸発除去させ
た。次に走査電子顕微鏡HHS−2R（日立製作所
製）を用いて、照射電流５×10-10A、照射強度
9.62×10-6C／cm2、照射時間30秒間の条件下で電
子線をスポツト照射後、実施例１と同様に３種の
加熱処理を行い、実施例１と同様のプラズマ現像
をしたところ、200℃と500℃の温度で加熱処理し
たものの残膜率は90％で、140℃での加熱処理の
場合には残膜率は80％であつた。
体５ｇと４，4′−ジアジドジベンジリデンアセト
ン１ｇをトルエン約50ｇに溶解して調整した塗布
液をシリコンウエハ上に3000rpmで30秒間回転塗
布した。次いで85℃に保たれた温風乾燥器中で20
分間乾燥し、塗布膜中の残存溶剤を蒸発除去させ
た。次に走査電子顕微鏡HHS−2R（日立製作所
製）を用いて、照射電流５×10-10A、照射強度
9.62×10-6C／cm2、照射時間30秒間の条件下で電
子線をスポツト照射後、実施例１と同様に３種の
加熱処理を行い、実施例１と同様のプラズマ現像
をしたところ、200℃と500℃の温度で加熱処理し
たものの残膜率は90％で、140℃での加熱処理の
場合には残膜率は80％であつた。
実施例 ４
加熱処理を300℃の温度雰囲気中で１分間、
400℃の温度雰囲気中で30秒間に変えた以外に
は実施例１と同様の操作を行つたところ、、
の両方とも残膜率が90％であつた。
400℃の温度雰囲気中で30秒間に変えた以外に
は実施例１と同様の操作を行つたところ、、
の両方とも残膜率が90％であつた。
Claims (1)
- １ 基板上にレジストパターンを形成する方法に
おいて、基板上にレジスト膜を形成させ、該レジ
スト膜に活性線を選択的に照射した後、200〜500
℃の範囲の温度雰囲気中で10分間を超えない時間
内で加熱処理を行い、しかる後プラズマガス中に
曝すことにより活性線が選択的に照射されなかつ
た部分を除去することを特徴とする微細パターン
形成方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58221985A JPS60115222A (ja) | 1983-11-28 | 1983-11-28 | 微細パタ−ン形成方法 |
| US06/672,763 US4590149A (en) | 1983-11-28 | 1984-11-19 | Method for fine pattern formation on a photoresist |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58221985A JPS60115222A (ja) | 1983-11-28 | 1983-11-28 | 微細パタ−ン形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60115222A JPS60115222A (ja) | 1985-06-21 |
| JPH0342492B2 true JPH0342492B2 (ja) | 1991-06-27 |
Family
ID=16775263
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58221985A Granted JPS60115222A (ja) | 1983-11-28 | 1983-11-28 | 微細パタ−ン形成方法 |
Country Status (2)
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60115222A (ja) | 1985-06-21 |
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