JPH05206137A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
- Publication number
- JPH05206137A JPH05206137A JP434592A JP434592A JPH05206137A JP H05206137 A JPH05206137 A JP H05206137A JP 434592 A JP434592 A JP 434592A JP 434592 A JP434592 A JP 434592A JP H05206137 A JPH05206137 A JP H05206137A
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- JP
- Japan
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- wiring
- film
- semiconductor substrate
- resin
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】樹脂の応力による配線のずれをなくす。
【構成】半導体装置周辺部の第２の配線６の外側にダミ
ー用導体膜１０を設ける。
ー用導体膜１０を設ける。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は樹脂封止型半導体装置に
関する。
関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の樹脂封止型半導体装置について、
図３（ａ），（ｂ）の上面図及びＢ−Ｂ線拡大断面図を
用いて説明する。
図３（ａ），（ｂ）の上面図及びＢ−Ｂ線拡大断面図を
用いて説明する。
【０００３】半導体基板１の一主面の中央部には半導体
素子領域１４が形成され、第１の層間絶縁膜３を介して
アルミ等からなる第１の配線５Ａと、半導体装置の周辺
部の第１の配線５が形成される。次にこの上の第２の層
間絶縁膜４を介してアルミ等からなる第２の配線６がボ
ンディングパッド８と共に半導体装置の周辺部に形成さ
れる。そしてこれらの上部を、リンシリケートガラス，
シリコンナイトライド膜等の保護用絶縁膜９で覆った
後、ボンディングパッド８の上部のみをエッチングして
露出させる構造となっていた。
素子領域１４が形成され、第１の層間絶縁膜３を介して
アルミ等からなる第１の配線５Ａと、半導体装置の周辺
部の第１の配線５が形成される。次にこの上の第２の層
間絶縁膜４を介してアルミ等からなる第２の配線６がボ
ンディングパッド８と共に半導体装置の周辺部に形成さ
れる。そしてこれらの上部を、リンシリケートガラス，
シリコンナイトライド膜等の保護用絶縁膜９で覆った
後、ボンディングパッド８の上部のみをエッチングして
露出させる構造となっていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】このような従来の樹脂
封止型半導体装置は、例えば＋１５０℃〜−６５℃の温
度サイクル試験を行なった場合、樹脂の伸び縮みにより
応力１３が発生し、半導体装置２周辺部の第２の配線６
に大きな応力が加わる。この時、近年における大チップ
の樹脂封止化に伴い、チップサイズが１５ｍｍを越える
様な大チップを樹脂封止し、前記温度サイクル試験を行
なった場合、上述した応力により半導体装置の周辺部の
第２の配線６を囲む保護用絶縁膜９にクラックが発生し
たり、さらにはコーナー領域１１に比較し、コーナー隣
接領域１２において配線の移動する幅が大きくなり、第
２の配線６にずれが発生し、配線の信頼性を低下させる
ような問題点があった。
封止型半導体装置は、例えば＋１５０℃〜−６５℃の温
度サイクル試験を行なった場合、樹脂の伸び縮みにより
応力１３が発生し、半導体装置２周辺部の第２の配線６
に大きな応力が加わる。この時、近年における大チップ
の樹脂封止化に伴い、チップサイズが１５ｍｍを越える
様な大チップを樹脂封止し、前記温度サイクル試験を行
なった場合、上述した応力により半導体装置の周辺部の
第２の配線６を囲む保護用絶縁膜９にクラックが発生し
たり、さらにはコーナー領域１１に比較し、コーナー隣
接領域１２において配線の移動する幅が大きくなり、第
２の配線６にずれが発生し、配線の信頼性を低下させる
ような問題点があった。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の樹脂封止型半導
体装置は、半導体基板上に絶縁膜を介して形成された配
線を有する樹脂封止型半導体装置において、前記半導体
基板のコーナー領域に隣接する領域の前記配線の少くと
も外側にダミー用導体膜を設けたものである。
体装置は、半導体基板上に絶縁膜を介して形成された配
線を有する樹脂封止型半導体装置において、前記半導体
基板のコーナー領域に隣接する領域の前記配線の少くと
も外側にダミー用導体膜を設けたものである。
【０００６】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図１（ａ），（ｂ）は本発明の第１の実施例の上面
図及びＡ−Ａ線拡大断面図である。以下製造工程と共に
説明する。
る。図１（ａ），（ｂ）は本発明の第１の実施例の上面
図及びＡ−Ａ線拡大断面図である。以下製造工程と共に
説明する。
【０００７】まず半導体基板１の一主面に、例えば膜厚
１．０μｍのフィールド酸化膜２及び半導体素子領域１
４を形成する。次に例えば膜厚１．０μｍのリンシリケ
ートガラス膜など第１の層間絶縁膜３を形成したのち膜
厚０．５μｍのアルミ膜等により、素子形成領域１４内
の第１の配線５Ａ及び半導体基板周辺部の第１の配線５
を形成する。次に、膜厚１．０μｍのプラズマ酸化膜な
どの第２の層間絶縁膜４を介して、膜厚１．０μｍのア
ルミ膜等により基板周辺部の第２の配線６及びダミー用
導体膜１０をボンディングパッド７Ａ，７Ｂを含めて形
成する。特にダミー用導体膜１０は、基板のコーナー領
域に隣接するコーナー隣接領域１２における第２の配線
６の外側に形成する。次で膜厚１．０μｍのリンシリケ
ートガラス，シリコンナイトライド膜などの保護用絶縁
膜９で覆った後、ボンディングパッド７Ａ，７Ｂのみを
エッチングして露出させることにより所望の構造を得
る。次で半導体基板を樹脂封止する。尚、図１において
８はスルーホールである。
１．０μｍのフィールド酸化膜２及び半導体素子領域１
４を形成する。次に例えば膜厚１．０μｍのリンシリケ
ートガラス膜など第１の層間絶縁膜３を形成したのち膜
厚０．５μｍのアルミ膜等により、素子形成領域１４内
の第１の配線５Ａ及び半導体基板周辺部の第１の配線５
を形成する。次に、膜厚１．０μｍのプラズマ酸化膜な
どの第２の層間絶縁膜４を介して、膜厚１．０μｍのア
ルミ膜等により基板周辺部の第２の配線６及びダミー用
導体膜１０をボンディングパッド７Ａ，７Ｂを含めて形
成する。特にダミー用導体膜１０は、基板のコーナー領
域に隣接するコーナー隣接領域１２における第２の配線
６の外側に形成する。次で膜厚１．０μｍのリンシリケ
ートガラス，シリコンナイトライド膜などの保護用絶縁
膜９で覆った後、ボンディングパッド７Ａ，７Ｂのみを
エッチングして露出させることにより所望の構造を得
る。次で半導体基板を樹脂封止する。尚、図１において
８はスルーホールである。
【０００８】樹脂で封止された半導体装置には、その中
心方向にむかって応力が発生するが、上述したように構
成された第１の実施例によれば、コーナー領域１１に隣
接するコーナー隣接領域１２に配置される第２の配線６
の外側にダミー用導体膜１０が設置されているため、樹
脂による応力はダミー用導体膜１０により緩和される。
心方向にむかって応力が発生するが、上述したように構
成された第１の実施例によれば、コーナー領域１１に隣
接するコーナー隣接領域１２に配置される第２の配線６
の外側にダミー用導体膜１０が設置されているため、樹
脂による応力はダミー用導体膜１０により緩和される。
【０００９】更に樹脂の応力の多くは、ダミー用導体膜
１０に加わり第２の配線６にはほとんど加わらないた
め、第２の配線がずれることはなくなる。実際に形成さ
れるダミー用導体膜１０自身の幅と保護される半導体基
板周辺部の第２の配線６との間隔は、導体膜がアルミの
場合、幅と間隔は各々、５〜２０μｍ，３〜５μｍが適
当である。
１０に加わり第２の配線６にはほとんど加わらないた
め、第２の配線がずれることはなくなる。実際に形成さ
れるダミー用導体膜１０自身の幅と保護される半導体基
板周辺部の第２の配線６との間隔は、導体膜がアルミの
場合、幅と間隔は各々、５〜２０μｍ，３〜５μｍが適
当である。
【００１０】図２は本発明の第２の実施例の上面図であ
る。
る。
【００１１】この第２の実施例においては保護される半
導体基板周辺部の第２の配線６の内側に１列，外側に２
列のダミー用導体膜９を設けたものである。このような
構造にすることにより封止樹脂からの応力を一層緩和す
ることができる。ダミー用導体膜は３列に限らず、スペ
ースのある限り多く設けてもよい。
導体基板周辺部の第２の配線６の内側に１列，外側に２
列のダミー用導体膜９を設けたものである。このような
構造にすることにより封止樹脂からの応力を一層緩和す
ることができる。ダミー用導体膜は３列に限らず、スペ
ースのある限り多く設けてもよい。
【００１２】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、半導体基
板上周辺部のコーナー隣接領域に絶縁膜を介して形成さ
れる配線の少くとも外側に、封止樹脂の応力を緩和する
ダミーとなる導体膜を形成することによって樹脂の封入
によって発生する応力を緩和できるだけでなく、発生し
た応力を直接配線に加わらなくすることができる為、配
線を囲む絶縁膜などのクラックの発生や配線のずれを防
止できるという効果がある。従って配線の信頼性を向上
させた樹脂封止型半導体装置が得られる。
板上周辺部のコーナー隣接領域に絶縁膜を介して形成さ
れる配線の少くとも外側に、封止樹脂の応力を緩和する
ダミーとなる導体膜を形成することによって樹脂の封入
によって発生する応力を緩和できるだけでなく、発生し
た応力を直接配線に加わらなくすることができる為、配
線を囲む絶縁膜などのクラックの発生や配線のずれを防
止できるという効果がある。従って配線の信頼性を向上
させた樹脂封止型半導体装置が得られる。
【図１】本発明の第１の実施例の上面図及び断面図。
【図２】本発明の第２の実施例の上面図。
【図３】従来の樹脂封止型半導体装置の一例の上面図及
び断面図。
び断面図。
１ 半導体基板 ２ フィールド酸化膜 ３ 第１の層間絶縁膜 ４ 第２の層間絶縁膜 ５，５Ａ 第１の配線 ６ 第２の配線 ７Ａ，７Ｂ ボンディングパッド ８ スルーホール ９ 保護用絶縁膜 １０ ダミー用導体膜 １１ コーナー領域 １２ コーナー隣接領域 １３ 応力 １４ 素子形成領域
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体基板上に絶縁膜を介して形成され
た配線を有する樹脂封止型半導体装置において、前記半
導体基板のコーナー領域に隣接する領域の前記配線の少
くとも外側にダミー用導体膜を設けたことを特徴とする
樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項２】 ダミー用導体膜は複数列に形成されてい
る請求項１記載の樹脂封止型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP434592A JPH05206137A (ja) | 1992-01-14 | 1992-01-14 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP434592A JPH05206137A (ja) | 1992-01-14 | 1992-01-14 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05206137A true JPH05206137A (ja) | 1993-08-13 |
Family
ID=11581841
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP434592A Withdrawn JPH05206137A (ja) | 1992-01-14 | 1992-01-14 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05206137A (ja) |
-
1992
- 1992-01-14 JP JP434592A patent/JPH05206137A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990408 |