JPH05206182A - 半導体チップ・パッケージの製造方法 - Google Patents
半導体チップ・パッケージの製造方法Info
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- JPH05206182A JPH05206182A JP4276708A JP27670892A JPH05206182A JP H05206182 A JPH05206182 A JP H05206182A JP 4276708 A JP4276708 A JP 4276708A JP 27670892 A JP27670892 A JP 27670892A JP H05206182 A JPH05206182 A JP H05206182A
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- semiconductor chip
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- H10W70/04—Manufacture or treatment of leadframes
- H10W70/048—Mechanical treatments, e.g. punching, cutting, deforming or cold welding
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 モールド用混合物中に亀裂や欠落を生じるこ
となく、半導体チップ・パッケージを処理することがで
きる半導体チップ・パッケージの処理方法を提供する。 【構成】 半導体チップパッケージ（１０）のリード
（１７）からダムバー（１５）を除去する方法は、まず
ダムバー（１５）と過剰なモールド用混合物（１２）と
の間の接合を、モールド用混合物（１１）から引き離す
ことによって行われる。この接合はダムバー（１５）の
わずかの移動によってこわされる。その後、ダムバー
（１５）をさらに動かすことによって、モールド用混合
物（１１）上に欠落あるいは亀裂を引きおこすことな
く、ダムバー（１５）を完全に除去するものである。
となく、半導体チップ・パッケージを処理することがで
きる半導体チップ・パッケージの処理方法を提供する。 【構成】 半導体チップパッケージ（１０）のリード
（１７）からダムバー（１５）を除去する方法は、まず
ダムバー（１５）と過剰なモールド用混合物（１２）と
の間の接合を、モールド用混合物（１１）から引き離す
ことによって行われる。この接合はダムバー（１５）の
わずかの移動によってこわされる。その後、ダムバー
（１５）をさらに動かすことによって、モールド用混合
物（１１）上に欠落あるいは亀裂を引きおこすことな
く、ダムバー（１５）を完全に除去するものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、一般的に、半導体パッ
ケージの処理に関するもので、半導体チップ・パッケー
ジのリードからダムバー（ｄａｍ ｂａｒ）を除去する
方法を含むが、その方法に限定されるものではない。
ケージの処理に関するもので、半導体チップ・パッケー
ジのリードからダムバー（ｄａｍ ｂａｒ）を除去する
方法を含むが、その方法に限定されるものではない。
【０００２】
【従来の技術】半導体チップや集積回路の中には、リー
ドを有するリードフレームにチップをボンディングする
ことによって収納するようにしたものがある。その後リ
ードフレームは、典型的にはプラスチックからなるモー
ルド用混合物によって封止される。封止の前に、封止さ
れるべきリードフレーム部分近傍のリード上に、ダムバ
ーを形成する。封止工程の間、モールド用混合物がリー
ド間の領域をダムバーまで充填する。ダムバーは、ダム
バーを越えてリード間にモールド用混合物が流出するの
を阻止するか、もしくはそれを防止するように作用す
る。しかしながら、過剰なモールド用混合物の微少部分
が、半導体チップが接合されるリードフレーム上の領域
に近接したリード上に形成されてる。ダムバーは、ま
た、組立工程の間リードが同一平面上に正しく整合され
た状態を保持させる。
ドを有するリードフレームにチップをボンディングする
ことによって収納するようにしたものがある。その後リ
ードフレームは、典型的にはプラスチックからなるモー
ルド用混合物によって封止される。封止の前に、封止さ
れるべきリードフレーム部分近傍のリード上に、ダムバ
ーを形成する。封止工程の間、モールド用混合物がリー
ド間の領域をダムバーまで充填する。ダムバーは、ダム
バーを越えてリード間にモールド用混合物が流出するの
を阻止するか、もしくはそれを防止するように作用す
る。しかしながら、過剰なモールド用混合物の微少部分
が、半導体チップが接合されるリードフレーム上の領域
に近接したリード上に形成されてる。ダムバーは、ま
た、組立工程の間リードが同一平面上に正しく整合され
た状態を保持させる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来、ダムバーおよび
過剰なモールド用混合物は、封止後同時に除去されてい
た。ダムバーおよび過剰モールド用混合物の両方は、ダ
ムバーの一部及び過剰モールド用混合物の一部を機械的
に押圧し、リードから離すことによって、同時に除去し
ていた。これは、典型的には、パンチ（ｐｕｎｃｈ）と
呼ばれる工具によって行なわれていた。この方法による
不都合な点は、亀裂または欠落が、隣接するモールド用
混合物上に形成されるということである。その後のリー
ドフレームのメッキに際して、リード間のモールド用混
合物内の亀裂にメッキ、および／または、はんだ材が流
入し、これが潜在的に信頼性の問題や電気的障害の原因
となっていた。したがって、モールド用混合物中に亀裂
や欠落を生じることなく、半導体チップ・パッケージを
処理することが望まれる。
過剰なモールド用混合物は、封止後同時に除去されてい
た。ダムバーおよび過剰モールド用混合物の両方は、ダ
ムバーの一部及び過剰モールド用混合物の一部を機械的
に押圧し、リードから離すことによって、同時に除去し
ていた。これは、典型的には、パンチ（ｐｕｎｃｈ）と
呼ばれる工具によって行なわれていた。この方法による
不都合な点は、亀裂または欠落が、隣接するモールド用
混合物上に形成されるということである。その後のリー
ドフレームのメッキに際して、リード間のモールド用混
合物内の亀裂にメッキ、および／または、はんだ材が流
入し、これが潜在的に信頼性の問題や電気的障害の原因
となっていた。したがって、モールド用混合物中に亀裂
や欠落を生じることなく、半導体チップ・パッケージを
処理することが望まれる。
【０００４】ダムバーおよび過剰モールド用混合物を除
去するもう一つの方法は、レーザー・トリミング・シス
テムの利用を伴うものである。このレーザー・トリミン
グ・システムは、亀裂あるいは欠落が隣接するモールド
用混合物へ及ぶのを防止することができるが、その利用
は大変複雑で高価なものである。もっと安価な方法を用
いることによって、モールド用混合物の欠落や亀裂を防
止することが望まれる。
去するもう一つの方法は、レーザー・トリミング・シス
テムの利用を伴うものである。このレーザー・トリミン
グ・システムは、亀裂あるいは欠落が隣接するモールド
用混合物へ及ぶのを防止することができるが、その利用
は大変複雑で高価なものである。もっと安価な方法を用
いることによって、モールド用混合物の欠落や亀裂を防
止することが望まれる。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、半導体
チップ・パッケージの処理方法が開示される。このチッ
プ・パッケージは、リード上に形成されるダムバーとダ
ムバーに隣接する過剰なモールド用混合物とを有してい
る。ダムバーおよび過剰モールド用混合物は、接合部を
形成する。本発明においては、ダムバーを最初に移動さ
せることによりダムバーは除去されるが、この方法にお
いて、ダムバーと過剰モールド用混合物との間の接合が
こわされ、次にリードからダムバーを完全に除去するた
めにさらにダムバーが移動される。
チップ・パッケージの処理方法が開示される。このチッ
プ・パッケージは、リード上に形成されるダムバーとダ
ムバーに隣接する過剰なモールド用混合物とを有してい
る。ダムバーおよび過剰モールド用混合物は、接合部を
形成する。本発明においては、ダムバーを最初に移動さ
せることによりダムバーは除去されるが、この方法にお
いて、ダムバーと過剰モールド用混合物との間の接合が
こわされ、次にリードからダムバーを完全に除去するた
めにさらにダムバーが移動される。
【０００６】
【実施例】本発明において処理される半導体パッケージ
１０の側面図を示す。示されているのは、半導体パッケ
ージ１０の簡略図であり、モールド用混合物１１が少な
くとも１つのリード１７を有するリードフレームを封止
する。封止工程の間、過剰なモールド用混合物１２がリ
ード１７の部分間に形成される。過剰なモールド用混合
物１２とモールド用混合物１１との区別は、便宜的にの
み、点線１３で示されている。ダムバー１５は、リード
を同一平面上に保つために、そして過剰なモールド用混
合物１２がダムバー１５を越えて形成されるのを防止す
るために、リード１７の一部として形成される。上述の
封止工程は、当該技術においてよく知られているもので
ある。
１０の側面図を示す。示されているのは、半導体パッケ
ージ１０の簡略図であり、モールド用混合物１１が少な
くとも１つのリード１７を有するリードフレームを封止
する。封止工程の間、過剰なモールド用混合物１２がリ
ード１７の部分間に形成される。過剰なモールド用混合
物１２とモールド用混合物１１との区別は、便宜的にの
み、点線１３で示されている。ダムバー１５は、リード
を同一平面上に保つために、そして過剰なモールド用混
合物１２がダムバー１５を越えて形成されるのを防止す
るために、リード１７の一部として形成される。上述の
封止工程は、当該技術においてよく知られているもので
ある。
【０００７】従来技術にしたがって処理された、図１に
示した半導体パッケージ１０の側面図を示している。こ
の方法においては、ダムバー１５と過剰なモールド用混
合物１２ａの一部を同時に「押し出す」のに、パンチ１
９と呼ばれる機械工具を用いている。この工程の間、過
剰なモールド用混合物１２はリード１７から除去された
部分１２ａと、モールド用混合物１１に付着し、リード
上に残っている部分１２ｂとに、破断される。この工程
の間、欠落あるいは亀裂２１が、モールド用混合物１１
に形成されてしまうことがある。次のリード１７のメッ
キ工程の間、メッキ、および／または、はんだ材が亀裂
２１内に形成されてしまい、モールド用混合物１１によ
って封止された半導体チップ内で、信頼性の問題や電気
的障害を引き起こする可能性がある。
示した半導体パッケージ１０の側面図を示している。こ
の方法においては、ダムバー１５と過剰なモールド用混
合物１２ａの一部を同時に「押し出す」のに、パンチ１
９と呼ばれる機械工具を用いている。この工程の間、過
剰なモールド用混合物１２はリード１７から除去された
部分１２ａと、モールド用混合物１１に付着し、リード
上に残っている部分１２ｂとに、破断される。この工程
の間、欠落あるいは亀裂２１が、モールド用混合物１１
に形成されてしまうことがある。次のリード１７のメッ
キ工程の間、メッキ、および／または、はんだ材が亀裂
２１内に形成されてしまい、モールド用混合物１１によ
って封止された半導体チップ内で、信頼性の問題や電気
的障害を引き起こする可能性がある。
【０００８】初期の段階において本発明によって処理さ
れた図１の半導体パッケージ１０を示す。パンチ１９ａ
を本発明においても用いている。しかしながら、本発明
では、パンチ１９ａをダムバー１５を移動させるための
みに用い、半導体パッケージ１０は第１の位置にある間
に、ダムバー１５と過剰なモールド用混合物１２との間
の接合を破壊するようにしている。この僅かな移動を、
別の機械工具で行なってもよい。ダムバー１５の厚さの
あらかじめ決められた割合だけパンチ１９ａで動かすこ
とは、ダムバー１５と過剰なモールド用混合物１２との
間の接合を破壊するのに必要なことである。このあらか
じめ決められた割合は、例えば、ダムバー１５の厚さの
およそ３０〜５０％の間とすることができる。
れた図１の半導体パッケージ１０を示す。パンチ１９ａ
を本発明においても用いている。しかしながら、本発明
では、パンチ１９ａをダムバー１５を移動させるための
みに用い、半導体パッケージ１０は第１の位置にある間
に、ダムバー１５と過剰なモールド用混合物１２との間
の接合を破壊するようにしている。この僅かな移動を、
別の機械工具で行なってもよい。ダムバー１５の厚さの
あらかじめ決められた割合だけパンチ１９ａで動かすこ
とは、ダムバー１５と過剰なモールド用混合物１２との
間の接合を破壊するのに必要なことである。このあらか
じめ決められた割合は、例えば、ダムバー１５の厚さの
およそ３０〜５０％の間とすることができる。
【０００９】さらに工程が進行した際の図３の構造を示
す。半導体パッケージ１０を第２の位置に移動させ、ダ
ムバー１５をリード１７からさらに引き離すことによっ
て、ダムバー１５をパンチ１９ｂで完全に除去する。本
発明において、過剰なモールド用混合物１２は損傷を受
けないままでいる。したがって、モールド用混合物１１
には亀裂も欠落も生じていない。過剰なモールド用混合
物１２は、半導体パッケージ１０に組み込まれる半導体
チップの性能を妨げることなく、リード１７上に残留さ
せてもよい。一般に、２つのパンチ１９ａ，１９ｂを用
いなくてはならないが、それは、各々が１つのレベルに
のみ移動させるようにしているからである。しかしなが
ら、半導体パッケージ１０が１つの位置にとどまってい
る間に、１つのパンチを第１のレベルまで移動させ、次
に第２のレベルへ移動させる技術を開発することは可能
である。しかしながら、本発明では、ダムバー１５を除
去するのに、１回の連続した移動ではなく、少なくとも
ダムバー１５の２回の移動を用いるようにしたことを注
目しておくことは重要である。
す。半導体パッケージ１０を第２の位置に移動させ、ダ
ムバー１５をリード１７からさらに引き離すことによっ
て、ダムバー１５をパンチ１９ｂで完全に除去する。本
発明において、過剰なモールド用混合物１２は損傷を受
けないままでいる。したがって、モールド用混合物１１
には亀裂も欠落も生じていない。過剰なモールド用混合
物１２は、半導体パッケージ１０に組み込まれる半導体
チップの性能を妨げることなく、リード１７上に残留さ
せてもよい。一般に、２つのパンチ１９ａ，１９ｂを用
いなくてはならないが、それは、各々が１つのレベルに
のみ移動させるようにしているからである。しかしなが
ら、半導体パッケージ１０が１つの位置にとどまってい
る間に、１つのパンチを第１のレベルまで移動させ、次
に第２のレベルへ移動させる技術を開発することは可能
である。しかしながら、本発明では、ダムバー１５を除
去するのに、１回の連続した移動ではなく、少なくとも
ダムバー１５の２回の移動を用いるようにしたことを注
目しておくことは重要である。
【００１０】容易にわかるように、本発明に従って半導
体パッケージを処理する際、以後に信頼性の問題や電気
的障害の原因となり得る亀裂や欠落をモールド用混合物
内に形成させることなく、ダムバーを半導体パッケージ
のリードから除去することができる。
体パッケージを処理する際、以後に信頼性の問題や電気
的障害の原因となり得る亀裂や欠落をモールド用混合物
内に形成させることなく、ダムバーを半導体パッケージ
のリードから除去することができる。
【００１１】ダムバー１５と過剰なモールド用混合物１
２間との間の接合を破壊するダムバー１５のわずかな動
きは、後にダムバー１５をリード１７から完全に除去す
る際に、欠落や亀裂の形成を防止する役割を果す。
２間との間の接合を破壊するダムバー１５のわずかな動
きは、後にダムバー１５をリード１７から完全に除去す
る際に、欠落や亀裂の形成を防止する役割を果す。
【図１】本発明において処理される半導体チップ・パッ
ケージの実施例の側面図を示す。
ケージの実施例の側面図を示す。
【図２】従来技術によって処理された半導体パッケージ
の側面図を示す。
の側面図を示す。
【図３】処理の初期段階における、本発明の実施例によ
って処理された半導体パッケージの側面図を示す。
って処理された半導体パッケージの側面図を示す。
【図４】次の処理における、本発明の実施例によって処
理された半導体チップ・パッケージの側面図を示す。
理された半導体チップ・パッケージの側面図を示す。
１０ 半導体パッケージ １１、１２ モールド用混合物 １５ ダムバー １７ リード １９ パンチ ２１ 亀裂
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体チップ・パッケージ（１０）の処
理方法において：リード（１７）を有する半導体チップ
・パッケージ（１０）を設ける段階であって、前記リー
ドはその上にダムバー（１５）が形成され、かつ前記ダ
ムバー（１５）と隣接する過剰モールド用混合物（１
２）を有し、前記ダムバーと過剰なモールド用混合物
（１２）とは接合部を形成し；前記ダムバー（１５）と
前記過剰なモールド用混合物（１２）との間の接合をこ
わすため、前記ダムバー（１５）を移動させる段階；お
よび前記ダムバー（１５）を前記リード（１７）から完
全に除去する段階；とから構成されることを特徴とする
処理方法。 - 【請求項２】 半導体チップパッケージ（１０）の処理
方法において：複数のリード（１７）を有する半導体チ
ップパッケージ（１０）を設ける段階であって、前記複
数のリード（１７）は各々その上にダムバー（１５）が
形成され、前記ダムバー（１５）に隣接する過剰なモー
ルド用混合物（１２）を有し、前記ダムバーと過剰なモ
ールド用混合物（１２）とは接合部を形成し；前記ダム
バー（１５）と前記モールド用混合物（１２）との間の
接合をこわすためにのみ必要な、前記ダムバー（１５）
の厚さのある割合に等しい第１のレベルに、前記ダムバ
ー（１５）を移動させることによって、前記ダムバー
（１５）と前記モールド用混合物（１２）との間の接合
をこわす段階；および前記ダムバー（１５）を前記複数
のリード（１７）から除去する段階；から構成されるこ
とを特徴とする処理方法。 - 【請求項３】 ２つの段階の工程を用いて半導体チップ
パッケージ（１０）のを処理する方法でにおいて：ダム
バー（１５）と半導体チップを封止している過剰なモー
ルド用混合物（１２）との間の接合を、前記ダムバー
（１５）の厚さの３０〜５０％に等しい第１のレベルま
で前記ダムバー（１５）を移動させることによって、こ
わす段階；および前記ダムバー（１５）をリード（１
７）から除去するためにさらに前記ダムバー（１５）を
移動させる段階；とからなり、前記２つの段階の工程
は、前記モールド用混合物（１２）に欠落や亀裂を引き
起こすことなく、ダムバー（１５）を除去できるように
したことを特徴とする処理方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US76759391A | 1991-09-30 | 1991-09-30 | |
| US767593 | 1991-09-30 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05206182A true JPH05206182A (ja) | 1993-08-13 |
| JP3399988B2 JP3399988B2 (ja) | 2003-04-28 |
Family
ID=25079961
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27670892A Expired - Fee Related JP3399988B2 (ja) | 1991-09-30 | 1992-09-22 | 半導体チップ・パッケージの製造方法 |
Country Status (10)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5690877A (ja) |
| EP (1) | EP0535882B1 (ja) |
| JP (1) | JP3399988B2 (ja) |
| KR (1) | KR100248551B1 (ja) |
| CN (1) | CN1073044A (ja) |
| CZ (1) | CZ282517B6 (ja) |
| DE (1) | DE69232200T2 (ja) |
| MX (1) | MX9205128A (ja) |
| SG (1) | SG46266A1 (ja) |
| SK (1) | SK298792A3 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2741191B1 (fr) * | 1995-11-14 | 1998-01-09 | Sgs Thomson Microelectronics | Procede de fabrication d'un micromodule, notamment pour cartes a puces |
| US5886397A (en) * | 1996-09-05 | 1999-03-23 | International Rectifier Corporation | Crushable bead on lead finger side surface to improve moldability |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3539675A (en) * | 1965-10-22 | 1970-11-10 | Motorola Inc | Method for encapsulating semiconductor devices |
| US4109373A (en) * | 1975-03-10 | 1978-08-29 | General Electric Company | Method for manufacturing semiconductor devices |
| US4451973A (en) * | 1981-04-28 | 1984-06-05 | Matsushita Electronics Corporation | Method for manufacturing a plastic encapsulated semiconductor device and a lead frame therefor |
| JPS5896921U (ja) * | 1981-12-24 | 1983-07-01 | トヨタ自動車株式会社 | インサート成形装置 |
| EP0090503A3 (en) * | 1982-03-25 | 1985-05-22 | Texas Instruments Incorporated | Apparatus and method of packaging a semiconductor device |
| JPS59135753A (ja) * | 1983-01-25 | 1984-08-04 | Toshiba Corp | 半導体装置とその製造方法 |
| US4504427A (en) * | 1983-06-17 | 1985-03-12 | At&T Bell Laboratories | Solder preform stabilization for lead frames |
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| US4615857A (en) * | 1984-11-30 | 1986-10-07 | Motorola, Inc. | Encapsulation means and method for reducing flash |
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| JPS62128163A (ja) * | 1985-11-29 | 1987-06-10 | Nec Corp | リ−ドフレ−ム |
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-
1992
- 1992-09-08 MX MX9205128A patent/MX9205128A/es not_active IP Right Cessation
- 1992-09-15 KR KR1019920016706A patent/KR100248551B1/ko not_active Expired - Lifetime
- 1992-09-22 JP JP27670892A patent/JP3399988B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1992-09-24 CN CN92110849.4A patent/CN1073044A/zh active Pending
- 1992-09-28 SG SG1996001750A patent/SG46266A1/en unknown
- 1992-09-28 EP EP92308799A patent/EP0535882B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1992-09-28 DE DE69232200T patent/DE69232200T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1992-09-30 SK SK2987-92A patent/SK298792A3/sk unknown
- 1992-09-30 CZ CS922987A patent/CZ282517B6/cs not_active IP Right Cessation
-
1995
- 1995-03-16 US US08/405,563 patent/US5690877A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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