JPH05206204A - 導電粒子を用いた基板への電子部品の実装方法 - Google Patents
導電粒子を用いた基板への電子部品の実装方法Info
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- JPH05206204A JPH05206204A JP3084296A JP8429691A JPH05206204A JP H05206204 A JPH05206204 A JP H05206204A JP 3084296 A JP3084296 A JP 3084296A JP 8429691 A JP8429691 A JP 8429691A JP H05206204 A JPH05206204 A JP H05206204A
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- semiconductor element
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/321—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits by conductive adhesives
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/073—Connecting or disconnecting of die-attach connectors
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- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 微細ピッチの電極上へ導電粒子を容易に配置
し、良好な接続を安定に得る。また、接続抵抗値の小さ
な異方導電性接続を容易に、しかも安定に得る。 【構成】 基板上への半導体素子の実装方法において、
基板１１の基板配線１２上に磁性膜１３を形成して着磁
する工程と、該磁性膜１３に導電粒子１４を吸着させ、
基板配線１２上に導電粒子１４を設ける工程と、該導電
粒子１４を用いて基板１１へ半導体素子１５の電気的接
続を行なうようにしたものである。
し、良好な接続を安定に得る。また、接続抵抗値の小さ
な異方導電性接続を容易に、しかも安定に得る。 【構成】 基板上への半導体素子の実装方法において、
基板１１の基板配線１２上に磁性膜１３を形成して着磁
する工程と、該磁性膜１３に導電粒子１４を吸着させ、
基板配線１２上に導電粒子１４を設ける工程と、該導電
粒子１４を用いて基板１１へ半導体素子１５の電気的接
続を行なうようにしたものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、基板上へ直接搭載する
半導体素子やフレキシブルプリント基板などの電子部品
の実装方法に関するものである。
半導体素子やフレキシブルプリント基板などの電子部品
の実装方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、このような分野の技術としては、
例えば、「日経マイクロデバイス」１９８９年７月号，
５７頁〜６０頁に記載されるようなものがあった。即
ち、液晶ディスプレー上に直接、駆動用ＩＣを搭載する
半導体素子の接続方法として、金属膜を表面に形成した
樹脂ボールを、半導体素子と基板配線との間に挟み込
み、半導体素子と基板を接着剤によって固定するように
していた。
例えば、「日経マイクロデバイス」１９８９年７月号，
５７頁〜６０頁に記載されるようなものがあった。即
ち、液晶ディスプレー上に直接、駆動用ＩＣを搭載する
半導体素子の接続方法として、金属膜を表面に形成した
樹脂ボールを、半導体素子と基板配線との間に挟み込
み、半導体素子と基板を接着剤によって固定するように
していた。
【０００３】図２はかかる従来の半導体素子の実装工程
断面図である。まず、図２（ａ）に示すように、予め形
成された基板配線２を有する基板１を用意する。次に、
図２（ｂ）に示すように、その基板配線２上にエポキシ
樹脂を混合した導電粒子３を印刷する。
断面図である。まず、図２（ａ）に示すように、予め形
成された基板配線２を有する基板１を用意する。次に、
図２（ｂ）に示すように、その基板配線２上にエポキシ
樹脂を混合した導電粒子３を印刷する。
【０００４】次に、図２（ｃ）に示すように、半導体素
子の固定を兼ねた封止樹脂４を半導体素子が搭載される
基板１の所定の箇所に塗布する。次いで、図２（ｄ）に
示すように、半導体素子５を基板１へ加圧した状態で、
封止樹脂４を硬化させ接続を行なう。この半導体素子の
実装方法は、導電粒子と接着剤の熱膨張係数が近いた
め、熱応力が緩和され、このために半導体素子の接続の
信頼性が向上するという利点がある。
子の固定を兼ねた封止樹脂４を半導体素子が搭載される
基板１の所定の箇所に塗布する。次いで、図２（ｄ）に
示すように、半導体素子５を基板１へ加圧した状態で、
封止樹脂４を硬化させ接続を行なう。この半導体素子の
実装方法は、導電粒子と接着剤の熱膨張係数が近いた
め、熱応力が緩和され、このために半導体素子の接続の
信頼性が向上するという利点がある。
【０００５】また、従来、このような分野の技術として
は、例えば、「異方導電性フィルムの現状と動向」，第
１回ＳＨＭ研究会，発表要旨集，基板・実装材料研究分
科会，１９８９年１０月１８日 社団法人 ハイブリッ
ドマイクロエレクトロニクス協会に記載されるものがあ
った。この文献に示されるように、異方導電性材料は、
通常、フィルム状に整形され、高密度の電極を経済的に
接続できる新しい接続材料として、液晶ディスプレーと
駆動素子を搭載したフレキシブル基板との接続に多く用
いられている。
は、例えば、「異方導電性フィルムの現状と動向」，第
１回ＳＨＭ研究会，発表要旨集，基板・実装材料研究分
科会，１９８９年１０月１８日 社団法人 ハイブリッ
ドマイクロエレクトロニクス協会に記載されるものがあ
った。この文献に示されるように、異方導電性材料は、
通常、フィルム状に整形され、高密度の電極を経済的に
接続できる新しい接続材料として、液晶ディスプレーと
駆動素子を搭載したフレキシブル基板との接続に多く用
いられている。
【０００６】かかる異方導電性材料には、フィルム成形
品の他に、樹脂中に導電粒子を分散させただけの異方導
電性樹脂も存在し、通常はディスペンサーまたはスクリ
ーン印刷等の方法で基板に供給され、接続に使用され
る。図３は従来の他の異方導電性樹脂を用いた基板への
フレキシブル基板の実装工程図である。
品の他に、樹脂中に導電粒子を分散させただけの異方導
電性樹脂も存在し、通常はディスペンサーまたはスクリ
ーン印刷等の方法で基板に供給され、接続に使用され
る。図３は従来の他の異方導電性樹脂を用いた基板への
フレキシブル基板の実装工程図である。
【０００７】まず、図３（ａ）に示すように、基板配線
２２が形成された基板２１を用意する。次いで、図３
（ｂ）に示すように、フレキシブル基板の固定を兼ねた
樹脂２４に導電粒子２５を５〜１０Ｖｏｌ％混合した異
方導電性樹脂２３を塗布し、電極２７が形成されたフレ
キシブル基板２６を位置決めする。
２２が形成された基板２１を用意する。次いで、図３
（ｂ）に示すように、フレキシブル基板の固定を兼ねた
樹脂２４に導電粒子２５を５〜１０Ｖｏｌ％混合した異
方導電性樹脂２３を塗布し、電極２７が形成されたフレ
キシブル基板２６を位置決めする。
【０００８】次に、図３（ｃ）に示すように、異方導電
性樹脂２３にフレキシブル基板２６を加圧した状態でそ
の樹脂を硬化させ、接続をするものである。この実装方
法は、異方導電性樹脂をスクリーン印刷や、ディスペン
サーを用いて基板上に供給すればよく、選択的に電極上
のみに樹脂を塗布する必要がないことから、工程が簡単
で、量産性に優れているという利点がある。
性樹脂２３にフレキシブル基板２６を加圧した状態でそ
の樹脂を硬化させ、接続をするものである。この実装方
法は、異方導電性樹脂をスクリーン印刷や、ディスペン
サーを用いて基板上に供給すればよく、選択的に電極上
のみに樹脂を塗布する必要がないことから、工程が簡単
で、量産性に優れているという利点がある。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来の第１文献に示される導電粒子の塗布方法では、
エポキシ樹脂中に導電粒子を混ぜ、これを印刷するよう
にしているため、導電粒子の粒径、印刷精度、解像度等
で律則され、１００μｍ程度の接続ピッチ迄にしか使用
できないという問題点があった。
た従来の第１文献に示される導電粒子の塗布方法では、
エポキシ樹脂中に導電粒子を混ぜ、これを印刷するよう
にしているため、導電粒子の粒径、印刷精度、解像度等
で律則され、１００μｍ程度の接続ピッチ迄にしか使用
できないという問題点があった。
【００１０】また、上記した従来の第２文献に示される
フレキシブル基板の実装方法では、電極のピッチが微細
となり、電極面積を大きくできない場合には、電極間に
挟まれる導電粒子の数を増やす必要があるが、従来の異
方導電性接続では、フィルム又は樹脂が異方導電性を示
す導電粒子の含有率範囲が電極接続ピッチ、電極サイ
ズ、導電粒子の粒径、導電粒子の凝集度合等によって決
定され、この範囲を超えてむやみに導電粒子含有率を増
やし、接続抵抗を下げることができないという問題点が
あった。
フレキシブル基板の実装方法では、電極のピッチが微細
となり、電極面積を大きくできない場合には、電極間に
挟まれる導電粒子の数を増やす必要があるが、従来の異
方導電性接続では、フィルム又は樹脂が異方導電性を示
す導電粒子の含有率範囲が電極接続ピッチ、電極サイ
ズ、導電粒子の粒径、導電粒子の凝集度合等によって決
定され、この範囲を超えてむやみに導電粒子含有率を増
やし、接続抵抗を下げることができないという問題点が
あった。
【００１１】本発明は、上記問題点を除去し、以上述べ
たように印刷法では形成が困難な、微細ピッチの電極上
へ導電粒子を容易に配置し、良好な接続を安定に得るこ
とができる導電粒子を用いた基板への電子部品の実装方
法を提供することを目的とする。また、本発明は、接続
抵抗値の小さな異方導電性接続を容易に、しかも安定に
得ることができる導電粒子を用いた基板への電子部品の
実装方法を提供することを目的とする。
たように印刷法では形成が困難な、微細ピッチの電極上
へ導電粒子を容易に配置し、良好な接続を安定に得るこ
とができる導電粒子を用いた基板への電子部品の実装方
法を提供することを目的とする。また、本発明は、接続
抵抗値の小さな異方導電性接続を容易に、しかも安定に
得ることができる導電粒子を用いた基板への電子部品の
実装方法を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、基板上への半導体素子の実装方法におい
て、基板配線上に磁性膜を形成して着磁する工程と、該
磁性膜に導電粒子を吸着させ、基板配線上に導電粒子を
設ける工程と、該導電粒子を用いて基板へ半導体素子の
電気的接続を行なうようにしたものである。
成するために、基板上への半導体素子の実装方法におい
て、基板配線上に磁性膜を形成して着磁する工程と、該
磁性膜に導電粒子を吸着させ、基板配線上に導電粒子を
設ける工程と、該導電粒子を用いて基板へ半導体素子の
電気的接続を行なうようにしたものである。
【００１３】また、半導体素子の電極上に磁性膜を形成
して着磁する工程と、該磁性膜に導電粒子を吸着させ、
半導体素子の電極上に導電粒子を設ける工程と、該導電
粒子を用いて基板へ半導体素子の電気的接続を行なうよ
うにしたものである。更に、基板上へのフレキシブル基
板の実装方法において、基板配線上に磁性膜を形成して
着磁する工程と、磁性を有する導電粒子を含む異方性導
電樹脂を前記磁性膜に吸着させ、基板配線上に導電粒子
を設ける工程と、該導電粒子を用いて基板へフレキシブ
ル基板を接続するようにしたものである。
して着磁する工程と、該磁性膜に導電粒子を吸着させ、
半導体素子の電極上に導電粒子を設ける工程と、該導電
粒子を用いて基板へ半導体素子の電気的接続を行なうよ
うにしたものである。更に、基板上へのフレキシブル基
板の実装方法において、基板配線上に磁性膜を形成して
着磁する工程と、磁性を有する導電粒子を含む異方性導
電樹脂を前記磁性膜に吸着させ、基板配線上に導電粒子
を設ける工程と、該導電粒子を用いて基板へフレキシブ
ル基板を接続するようにしたものである。
【００１４】また、基板上への半導体素子の実装方法に
おいて、基板体素子の電極上に磁性膜を形成して着磁す
る工程と、磁性を有する導電粒子を含む異方性導電樹脂
を前記磁性膜に該導電粒子を吸着させ、半導体素子の電
極上に導電粒子を設ける工程と、該導電粒子を用いて基
板へ半導体素子の電気的接続を行なうようにしたもので
ある。
おいて、基板体素子の電極上に磁性膜を形成して着磁す
る工程と、磁性を有する導電粒子を含む異方性導電樹脂
を前記磁性膜に該導電粒子を吸着させ、半導体素子の電
極上に導電粒子を設ける工程と、該導電粒子を用いて基
板へ半導体素子の電気的接続を行なうようにしたもので
ある。
【００１５】
【作用】本発明によれば、上記のように、基板配線上に
磁性膜を形成して着磁し、該磁性膜に導電粒子を吸着さ
せ、基板配線上に導電粒子を設けたり、基板配線上に磁
性膜を形成して着磁する工程と、磁性を有する導電粒子
を含む異方性導電樹脂を前記磁性膜に吸着させ、基板配
線上に導電粒子を設けるようにしたので、導電粒子を容
易、かつ安定に配置することができ、接続性の向上と接
続ピッチの微細化を図ることができる。
磁性膜を形成して着磁し、該磁性膜に導電粒子を吸着さ
せ、基板配線上に導電粒子を設けたり、基板配線上に磁
性膜を形成して着磁する工程と、磁性を有する導電粒子
を含む異方性導電樹脂を前記磁性膜に吸着させ、基板配
線上に導電粒子を設けるようにしたので、導電粒子を容
易、かつ安定に配置することができ、接続性の向上と接
続ピッチの微細化を図ることができる。
【００１６】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
ながら詳細に説明する。図１は本発明の第１の実施例を
示す半導体素子の実装工程断面図である。まず、図１
（ａ）に示すように、基板１１上に予め形成された基板
配線１２上の電極部（接続を行いたい箇所）に磁性膜１
３を形成する。ここで、磁性膜１３として２μｍ厚のニ
ッケルコバルト合金皮膜をめっき法で形成する。この状
態で、基板１１を、磁束が基板と垂直方向になる磁界内
に入れて磁性膜１３を着磁させる。
ながら詳細に説明する。図１は本発明の第１の実施例を
示す半導体素子の実装工程断面図である。まず、図１
（ａ）に示すように、基板１１上に予め形成された基板
配線１２上の電極部（接続を行いたい箇所）に磁性膜１
３を形成する。ここで、磁性膜１３として２μｍ厚のニ
ッケルコバルト合金皮膜をめっき法で形成する。この状
態で、基板１１を、磁束が基板と垂直方向になる磁界内
に入れて磁性膜１３を着磁させる。
【００１７】次に、図１（ｂ）に示すように、導電粒子
１４を基板１１上に薄く均一に撒き、磁性膜１３に吸着
させる。ここで、導電粒子１４として、５μｍφのジビ
ニルベンゼン球表面に無電解ニッケルめっきと、無電解
金めっきを行なった粒子を用いる。無電解ニッケルめっ
き皮膜には、磁性のあるＮｉ−Ｃｏ−Ｐを用いる。次
に、過剰な導電粒子を取り除いた後、図１（ｃ）に示す
ように、基板１１上に封止樹脂１７を塗布し、半導体素
子１５の素子電極１６と磁性膜１３に吸着した導電粒子
１４の位置合わせを行なった後、重ね合わせ、加圧した
状態で封止樹脂を硬化させる。
１４を基板１１上に薄く均一に撒き、磁性膜１３に吸着
させる。ここで、導電粒子１４として、５μｍφのジビ
ニルベンゼン球表面に無電解ニッケルめっきと、無電解
金めっきを行なった粒子を用いる。無電解ニッケルめっ
き皮膜には、磁性のあるＮｉ−Ｃｏ−Ｐを用いる。次
に、過剰な導電粒子を取り除いた後、図１（ｃ）に示す
ように、基板１１上に封止樹脂１７を塗布し、半導体素
子１５の素子電極１６と磁性膜１３に吸着した導電粒子
１４の位置合わせを行なった後、重ね合わせ、加圧した
状態で封止樹脂を硬化させる。
【００１８】なお、この実施例では、紫外線硬化型の封
止樹脂を用いたが、熱硬化型樹脂を用いても良く、紫外
線硬化法に限定されるものではない。また、図１では、
半導体素子１５上に突起状の素子電極１６を図示した
が、突起状の電極に限定されるものではなく、ワイヤボ
ンディングに使用されるアルミパッドを素子電極とする
ようにしてもよい。
止樹脂を用いたが、熱硬化型樹脂を用いても良く、紫外
線硬化法に限定されるものではない。また、図１では、
半導体素子１５上に突起状の素子電極１６を図示した
が、突起状の電極に限定されるものではなく、ワイヤボ
ンディングに使用されるアルミパッドを素子電極とする
ようにしてもよい。
【００１９】更に、上記実施例では、磁性膜１３を基板
上の基板配線１２上に形成したが、この磁性膜１３は、
半導体素子１５上の素子電極１６側に形成するようにし
てもよい。図４は本発明の第２実施例を示す半導体素子
の実装工程断面図である。まず、図４（ａ）に示すよう
に、基板３１上に予め形成された基板配線３２上の電極
部（接続を行いたい箇所）に磁性膜３３を形成する。こ
こで、磁性膜３３として２μｍ厚のニッケルコバルト合
金皮膜をめっき法で形成する。次に、基板３１を磁束が
基板と垂直方向になる磁界内に入れ、磁性膜３３を着磁
させる。
上の基板配線１２上に形成したが、この磁性膜１３は、
半導体素子１５上の素子電極１６側に形成するようにし
てもよい。図４は本発明の第２実施例を示す半導体素子
の実装工程断面図である。まず、図４（ａ）に示すよう
に、基板３１上に予め形成された基板配線３２上の電極
部（接続を行いたい箇所）に磁性膜３３を形成する。こ
こで、磁性膜３３として２μｍ厚のニッケルコバルト合
金皮膜をめっき法で形成する。次に、基板３１を磁束が
基板と垂直方向になる磁界内に入れ、磁性膜３３を着磁
させる。
【００２０】次に、図４（ｂ）に示すように、異方導電
性樹脂３４をスクリーン印刷またはディスペンサーを用
いて基板３１上に塗布する。異方導電性樹脂３４は、封
止樹脂３５中に導電粒子３６を５〜２０Ｖｏｌ％混ぜた
物を使用する。導電粒子３６には１０μｍφのジビニル
ベンゼン球表面に無電解ニッケルめっきと、無電解金め
っきを行なった粒子を用いた。無電解ニッケルめっき皮
膜には、磁性のあるＮｉ−Ｃｏ−Ｐを用いる。封止樹脂
３５には導電粒子３６が容易に移動できるように粘度の
低い樹脂（５０ｃｐ）を用いる。
性樹脂３４をスクリーン印刷またはディスペンサーを用
いて基板３１上に塗布する。異方導電性樹脂３４は、封
止樹脂３５中に導電粒子３６を５〜２０Ｖｏｌ％混ぜた
物を使用する。導電粒子３６には１０μｍφのジビニル
ベンゼン球表面に無電解ニッケルめっきと、無電解金め
っきを行なった粒子を用いた。無電解ニッケルめっき皮
膜には、磁性のあるＮｉ−Ｃｏ−Ｐを用いる。封止樹脂
３５には導電粒子３６が容易に移動できるように粘度の
低い樹脂（５０ｃｐ）を用いる。
【００２１】次いで、図４（ｃ）に示すように、異方導
電性樹脂３４を塗布すると、磁性を有する導電粒子３６
は、基板配線３２上の着磁した磁性膜３３に吸い寄せら
れ、磁性膜３３に吸着した導電粒子３６′を形成する。
しばらして、磁性膜に吸着した導電粒子３６′が１層程
度の膜を形成した後、基板配線３２とフレキシブル基板
３７のフレキシブル基板配線３８とが重なり合うように
位置合わせをする。
電性樹脂３４を塗布すると、磁性を有する導電粒子３６
は、基板配線３２上の着磁した磁性膜３３に吸い寄せら
れ、磁性膜３３に吸着した導電粒子３６′を形成する。
しばらして、磁性膜に吸着した導電粒子３６′が１層程
度の膜を形成した後、基板配線３２とフレキシブル基板
３７のフレキシブル基板配線３８とが重なり合うように
位置合わせをする。
【００２２】次に、図４（ｄ）に示すように、フレキシ
ブル基板３７に、荷重を加えた状態で加熱し、異方導電
性樹脂３４を硬化させ、フレキシブル基板３７を貼り合
わせ、接合を行う。図５は本発明の第３の実施例を示す
半導体素子の実装工程断面図である。この実施例は、ガ
ラス基板４１上に半導体素子を搭載するＣＯＧ（ｃｈｉ
ｐ−ｏｎ−ｇｌａｓｓ）を示したものである。
ブル基板３７に、荷重を加えた状態で加熱し、異方導電
性樹脂３４を硬化させ、フレキシブル基板３７を貼り合
わせ、接合を行う。図５は本発明の第３の実施例を示す
半導体素子の実装工程断面図である。この実施例は、ガ
ラス基板４１上に半導体素子を搭載するＣＯＧ（ｃｈｉ
ｐ−ｏｎ−ｇｌａｓｓ）を示したものである。
【００２３】まず、図５（ａ）に示すように、ガラス基
板４１上に予め形成された基板配線４２上の接続箇所に
磁性膜４３を形成した。第１の実施例と同様、磁性膜と
して２μｍ厚のニッケルコバルト合金皮膜をめっき法で
形成し、磁性膜４３を着磁させる。次いで、図５（ｂ）
に示すように、異方導電性樹脂４４をディスペンサーを
用いてガラス基板４１上に塗布する。異方導電性樹脂４
４は紫外線硬化樹脂４５中に導電粒子４６を１５ｖｏｌ
％混ぜた物を使用した。導電粒子４６には、５μｍφの
ジビニルベンゼン球表面に無電解ニッケルめっきと、無
電解金めっきを行なった粒子を用いる。無電解ニッケル
めっき皮膜には、第１の実施例と同様に磁性のあるＮｉ
−Ｃｏ−Ｐを用いる。紫外線硬化樹脂４５は導電粒子４
６が容易に移動できるよう、粘度の低い樹脂（３０ｃ
ｐ）を用いる。
板４１上に予め形成された基板配線４２上の接続箇所に
磁性膜４３を形成した。第１の実施例と同様、磁性膜と
して２μｍ厚のニッケルコバルト合金皮膜をめっき法で
形成し、磁性膜４３を着磁させる。次いで、図５（ｂ）
に示すように、異方導電性樹脂４４をディスペンサーを
用いてガラス基板４１上に塗布する。異方導電性樹脂４
４は紫外線硬化樹脂４５中に導電粒子４６を１５ｖｏｌ
％混ぜた物を使用した。導電粒子４６には、５μｍφの
ジビニルベンゼン球表面に無電解ニッケルめっきと、無
電解金めっきを行なった粒子を用いる。無電解ニッケル
めっき皮膜には、第１の実施例と同様に磁性のあるＮｉ
−Ｃｏ−Ｐを用いる。紫外線硬化樹脂４５は導電粒子４
６が容易に移動できるよう、粘度の低い樹脂（３０ｃ
ｐ）を用いる。
【００２４】異方導電性樹脂４４を塗布すると直ちに、
図５（ｃ）に示すように、磁性を有する導電粒子４６
は、基板配線４２上の着磁した磁性膜４３に吸い寄せら
れ、磁性膜４３に吸着した導電粒子４６′を形成する。
基板配線４２と半導体素子４７の素子電極４８とが重な
り合うように位置合わせを行なった後、半導体素子４７
に荷重を加えた状態でガラス基板４１の背面より紫外線
を照射し、紫外線硬化樹脂４５を硬化させ、半導体素子
４７を搭載した。
図５（ｃ）に示すように、磁性を有する導電粒子４６
は、基板配線４２上の着磁した磁性膜４３に吸い寄せら
れ、磁性膜４３に吸着した導電粒子４６′を形成する。
基板配線４２と半導体素子４７の素子電極４８とが重な
り合うように位置合わせを行なった後、半導体素子４７
に荷重を加えた状態でガラス基板４１の背面より紫外線
を照射し、紫外線硬化樹脂４５を硬化させ、半導体素子
４７を搭載した。
【００２５】以上の実施例において、異方導電性樹脂中
に含まれる導電粒子の割合は、隣接する電極間が短絡し
ない範囲であればよく、上記の含有率に限定されるもの
ではない。また、使用する樹脂の粘度が、高ければ異方
導電性樹脂の保存性が良くなるが、導電粒子が移動でき
なくなるので、余り高くすることができない。保存性と
導電粒子の移動状態を鑑みて決定すれば良い。
に含まれる導電粒子の割合は、隣接する電極間が短絡し
ない範囲であればよく、上記の含有率に限定されるもの
ではない。また、使用する樹脂の粘度が、高ければ異方
導電性樹脂の保存性が良くなるが、導電粒子が移動でき
なくなるので、余り高くすることができない。保存性と
導電粒子の移動状態を鑑みて決定すれば良い。
【００２６】更に、異方導電性樹脂の硬化法は、異方導
電性樹脂を作る際に使用する樹脂に依って限定されるも
のであるが、樹脂が硬化できれば良く、硬化方法には限
定されるものではない。なお、本発明は上記実施例に限
定されるものではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の
変形が可能であり、これらを本発明の範囲から排除する
ものではない。
電性樹脂を作る際に使用する樹脂に依って限定されるも
のであるが、樹脂が硬化できれば良く、硬化方法には限
定されるものではない。なお、本発明は上記実施例に限
定されるものではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の
変形が可能であり、これらを本発明の範囲から排除する
ものではない。
【００２７】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、一般の配線を形成する工程と同一の工程で磁性
膜を形成するだけで、導電粒子を容易、かつ安定に配置
することができるので、接続ピッチの微細化が可能とな
り、量産性の向上及び接続の信頼性向上に大きく貢献す
ることができる。
よれば、一般の配線を形成する工程と同一の工程で磁性
膜を形成するだけで、導電粒子を容易、かつ安定に配置
することができるので、接続ピッチの微細化が可能とな
り、量産性の向上及び接続の信頼性向上に大きく貢献す
ることができる。
【００２８】また、一般の配線を形成する工程と同一の
工程で磁性膜を形成し、着磁させるだけで、異方導電性
樹脂中の導電粒子を容易、かつ安定に磁性膜上に吸着さ
せることができる。更に、本接続方法は一般の電子部
品、例えば、抵抗体、コンデンサ等の接続にも適用可能
である。
工程で磁性膜を形成し、着磁させるだけで、異方導電性
樹脂中の導電粒子を容易、かつ安定に磁性膜上に吸着さ
せることができる。更に、本接続方法は一般の電子部
品、例えば、抵抗体、コンデンサ等の接続にも適用可能
である。
【図１】本発明の第１の実施例を示す半導体素子の実装
工程断面図である。
工程断面図である。
【図２】従来の半導体素子の実装工程断面図である。
【図３】従来の他の異方導電性樹脂を用いた基板へのフ
レキシブル基板の実装工程図である。
レキシブル基板の実装工程図である。
【図４】本発明の第２実施例を示す半導体素子の実装工
程断面図である。
程断面図である。
【図５】本発明の第３実施例を示す半導体素子の実装工
程断面図である。
程断面図である。
１１，３１，４１ 基板 １２，３２，４２ 基板配線 １３，３３，４３ 磁性膜 １４，３６，３６′，４６，４６′ 導電粒子 １５，４７ 半導体素子 １６，４８ 素子電極 １７，３５ 封止樹脂 ３４，４４ 異方導電性樹脂 ３７ フレキシブル基板 ３８ フレキシブル基板配線 ４１ ガラス基板 ４５ 紫外線硬化樹脂
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 糟谷 行男 東京都港区虎ノ門１丁目７番12号 沖電気 工業株式会社内
Claims (4)
- 【請求項１】 基板上への半導体素子の実装方法におい
て、（ａ）基板配線上に磁性膜を形成して着磁する工程
と、（ｂ）該磁性膜に導電粒子を吸着させ、基板配線上
に導電粒子を設ける工程と、（ｃ）該導電粒子を用いて
基板へ半導体素子の電気的接続を行なう半導体素子の実
装方法。 - 【請求項２】 基板上への半導体素子の実装方法におい
て、（ａ）半導体素子の電極上に磁性膜を形成して着磁
する工程と、（ｂ）該磁性膜に導電粒子を吸着させ、半
導体素子の電極上に導電粒子を設ける工程と、（ｃ）該
導電粒子を用いて基板へ半導体素子の電気的接続を行な
う半導体素子の実装方法。 - 【請求項３】 基板上へのフレキシブル基板の実装方法
において、（ａ）基板配線上に磁性膜を形成して着磁す
る工程と、（ｂ）磁性を有する導電粒子を含む異方性導
電樹脂を前記磁性膜に吸着させ、基板配線上に導電粒子
を設ける工程と、（ｃ）該導電粒子を用いて基板へフレ
キシブル基板を接続する基板上へのフレキシブル基板の
実装方法。 - 【請求項４】 基板上への半導体素子の実装方法におい
て、（ａ）基板体素子の電極上に磁性膜を形成して着磁
する工程と、（ｂ）磁性を有する導電粒子を含む異方性
導電樹脂を前記磁性膜に該導電粒子を吸着させ、半導体
素子の電極上に導電粒子を設ける工程と、（ｃ）該導電
粒子を用いて基板へ半導体素子の電気的接続を行なう半
導体素子の実装方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3084296A JPH05206204A (ja) | 1991-04-17 | 1991-04-17 | 導電粒子を用いた基板への電子部品の実装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3084296A JPH05206204A (ja) | 1991-04-17 | 1991-04-17 | 導電粒子を用いた基板への電子部品の実装方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05206204A true JPH05206204A (ja) | 1993-08-13 |
Family
ID=13826511
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3084296A Withdrawn JPH05206204A (ja) | 1991-04-17 | 1991-04-17 | 導電粒子を用いた基板への電子部品の実装方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05206204A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6919581B2 (en) * | 2000-08-18 | 2005-07-19 | Sony Corporation | Image display unit and production method thereof |
| US7285734B2 (en) | 2003-04-28 | 2007-10-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Circuit board and method for manufacturing the same and semiconductor device and method for manufacturing the same |
| JP2008072148A (ja) * | 2007-12-03 | 2008-03-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
| JP2013243344A (ja) * | 2012-04-23 | 2013-12-05 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置 |
| JP2017195408A (ja) * | 2012-04-23 | 2017-10-26 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
| KR20200071497A (ko) * | 2018-12-11 | 2020-06-19 | 안성룡 | 마이크로led를 이용한 전자 장치 제조방법 |
-
1991
- 1991-04-17 JP JP3084296A patent/JPH05206204A/ja not_active Withdrawn
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6919581B2 (en) * | 2000-08-18 | 2005-07-19 | Sony Corporation | Image display unit and production method thereof |
| US7285734B2 (en) | 2003-04-28 | 2007-10-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Circuit board and method for manufacturing the same and semiconductor device and method for manufacturing the same |
| US7288729B2 (en) | 2003-04-28 | 2007-10-30 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Circuit board and method for manufacturing the same and semiconductor device and method for manufacturing the same |
| US7294532B2 (en) | 2003-04-28 | 2007-11-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
| JP2008072148A (ja) * | 2007-12-03 | 2008-03-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
| JP2013243344A (ja) * | 2012-04-23 | 2013-12-05 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置 |
| JP2017195408A (ja) * | 2012-04-23 | 2017-10-26 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
| KR20200071497A (ko) * | 2018-12-11 | 2020-06-19 | 안성룡 | 마이크로led를 이용한 전자 장치 제조방법 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
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