JPH05206242A - 半導体ウエハーのボイド検出装置 - Google Patents
半導体ウエハーのボイド検出装置Info
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- JPH05206242A JPH05206242A JP1330992A JP1330992A JPH05206242A JP H05206242 A JPH05206242 A JP H05206242A JP 1330992 A JP1330992 A JP 1330992A JP 1330992 A JP1330992 A JP 1330992A JP H05206242 A JPH05206242 A JP H05206242A
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- JP
- Japan
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 各チップ毎のミクロなボイド解析を行い、従
来すり抜けていたボイド不良を検出できる検査装置を提
供するもの。 【構成】 平面方向に作動する枠体２ａを有するＸＹス
テージ２と、該枠体に設けられたガラステーブル４と、
該ガラステーブル４上に載置されたＳＯＩ基板１と、前
記ガラステーブル４の側に設けられたレーザ発射手段６
と、該レーザ発射手段６と前記ガラステーブル４の間に
は、レーザ発射手段から入力されたレーザ光の焦点が前
記ＳＯＩ基板内になる集光レンズ５と、前記ＳＯＩ基板
の側に前記ＳＯＩ基板１から放射された赤外線を検知す
る赤外線検出手段８を設けたことを特徴とする半導体ウ
エハーのボイド検出装置。
来すり抜けていたボイド不良を検出できる検査装置を提
供するもの。 【構成】 平面方向に作動する枠体２ａを有するＸＹス
テージ２と、該枠体に設けられたガラステーブル４と、
該ガラステーブル４上に載置されたＳＯＩ基板１と、前
記ガラステーブル４の側に設けられたレーザ発射手段６
と、該レーザ発射手段６と前記ガラステーブル４の間に
は、レーザ発射手段から入力されたレーザ光の焦点が前
記ＳＯＩ基板内になる集光レンズ５と、前記ＳＯＩ基板
の側に前記ＳＯＩ基板１から放射された赤外線を検知す
る赤外線検出手段８を設けたことを特徴とする半導体ウ
エハーのボイド検出装置。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウエハーのボイ
ド検出装置に関し、多層集積構造を有するＳＯＩ（Ｓｉ
ｌｉｃｏｎ Ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ、以下ＳＯＩと
いう）層ウエハー基板のボイド検出装置に関する。
ド検出装置に関し、多層集積構造を有するＳＯＩ（Ｓｉ
ｌｉｃｏｎ Ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ、以下ＳＯＩと
いう）層ウエハー基板のボイド検出装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウエハーの耐熱、高速、高耐圧等
の目的のために、開発が進められているＳＯＩ基板につ
いて、特に、貼り合わせ基板では貼り合わせのボイドが
製品の品質に大きな影響を与える。従来、貼り合わせＳ
ＯＩウエハ基板のボイド検査はウエハ貼り合わせ直後、
又は貼り合わせのための熱処理後、ウエハ全体に対し、
赤外線、超音波、Ｘ線、魔鏡法等を用いて行ってきた。
の目的のために、開発が進められているＳＯＩ基板につ
いて、特に、貼り合わせ基板では貼り合わせのボイドが
製品の品質に大きな影響を与える。従来、貼り合わせＳ
ＯＩウエハ基板のボイド検査はウエハ貼り合わせ直後、
又は貼り合わせのための熱処理後、ウエハ全体に対し、
赤外線、超音波、Ｘ線、魔鏡法等を用いて行ってきた。
【０００３】これらの方法は、全体をすぐに把握できる
ので、初期段階又はマクロの検査には有効である。
ので、初期段階又はマクロの検査には有効である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、初期段
階以降のパターニング熱処理工程で、初期には発見でき
なかったボイドが成長する場合があり、従来はこれらの
ボイドは無検査になっていた。ボイド量のひどい場合
は、トランジスタのベース、エミッタ電極の電圧差ΔＶ
BE等の電気特性による検査が行われるが、精度がよくな
いといった問題点があった。
階以降のパターニング熱処理工程で、初期には発見でき
なかったボイドが成長する場合があり、従来はこれらの
ボイドは無検査になっていた。ボイド量のひどい場合
は、トランジスタのベース、エミッタ電極の電圧差ΔＶ
BE等の電気特性による検査が行われるが、精度がよくな
いといった問題点があった。
【０００５】このような不良が無検査のまま、市場に出
て、温度の高い場所で使用されると、各チップ内のトラ
ンジスタ抵抗の下にボイドがある場合、その温度特性の
変化により、正常な回路特性が不能になる。さらに出力
の大きいトランジスタが含まれる場合には、その部分で
熱の放散が悪いためホットスポットを形成し、チップが
破壊される可能性がある。
て、温度の高い場所で使用されると、各チップ内のトラ
ンジスタ抵抗の下にボイドがある場合、その温度特性の
変化により、正常な回路特性が不能になる。さらに出力
の大きいトランジスタが含まれる場合には、その部分で
熱の放散が悪いためホットスポットを形成し、チップが
破壊される可能性がある。
【０００６】このように、従来は貼り合わせ直後、又は
貼り合わせ熱処理後のウエハ全体のマクロのボイドの評
価がなされているだけで、ウエハ上に形成される各デバ
イス毎のミクロな検査は行われなく、各チップ毎の良、
不良が特定できておらず、不良チップが流出する可能性
があった。また、ウエハ工程で繰り返されるパターニン
グ、熱処理の間に、貼り合わせ部にボイドが形成される
可能性もあり、最終品質を保証する上で、より最終段階
でのボイド検査が重要である。
貼り合わせ熱処理後のウエハ全体のマクロのボイドの評
価がなされているだけで、ウエハ上に形成される各デバ
イス毎のミクロな検査は行われなく、各チップ毎の良、
不良が特定できておらず、不良チップが流出する可能性
があった。また、ウエハ工程で繰り返されるパターニン
グ、熱処理の間に、貼り合わせ部にボイドが形成される
可能性もあり、最終品質を保証する上で、より最終段階
でのボイド検査が重要である。
【０００７】本発明は、各チップ毎のミクロなボイド解
析を行い、従来すり抜けていたボイド不良を検出できる
検査装置を提供するものである。
析を行い、従来すり抜けていたボイド不良を検出できる
検査装置を提供するものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の技術的手段は、平面方向に作動する枠体を有するＸＹ
ステージと、該枠体に設けられたガラステーブルと、該
ガラステーブル上に載置されたＳＯＩ基板と、前記ガラ
ステーブルの側に設けられたレーザ発射手段と、該レー
ザ発射手段と前記ガラステーブルの間には、レーザ発射
手段から入力されたレーザ光の焦点が前記ＳＯＩ基板内
になる集光レンズと、前記ＳＯＩ基板の側に前記ＳＯＩ
基板から放射された赤外線を検知する赤外線検出手段を
設けたことを特徴とする半導体ウエハーのボイド検出装
置である。
の技術的手段は、平面方向に作動する枠体を有するＸＹ
ステージと、該枠体に設けられたガラステーブルと、該
ガラステーブル上に載置されたＳＯＩ基板と、前記ガラ
ステーブルの側に設けられたレーザ発射手段と、該レー
ザ発射手段と前記ガラステーブルの間には、レーザ発射
手段から入力されたレーザ光の焦点が前記ＳＯＩ基板内
になる集光レンズと、前記ＳＯＩ基板の側に前記ＳＯＩ
基板から放射された赤外線を検知する赤外線検出手段を
設けたことを特徴とする半導体ウエハーのボイド検出装
置である。
【０００９】
【作用】本発明は、上記のような手段からなるので、レ
ーザ発射手段から発射されたレーザにより、ボイドの有
無によりＳＯＩ基板から放射される赤外線の量が比較検
出できボイドの有無を検出できる。
ーザ発射手段から発射されたレーザにより、ボイドの有
無によりＳＯＩ基板から放射される赤外線の量が比較検
出できボイドの有無を検出できる。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の実施例について図１〜図３を
参考にして説明する。
参考にして説明する。
【００１１】図１は、貼り合わせ処理を行ったＳＯＩ基
板１を、パターニング熱処理を繰り返し、デバイス形成
を行い、電極取り出しのコンタクト工程前の段階で止
め、ボイド検査を行う状態の本装置の正面図である。
板１を、パターニング熱処理を繰り返し、デバイス形成
を行い、電極取り出しのコンタクト工程前の段階で止
め、ボイド検査を行う状態の本装置の正面図である。
【００１２】チップ寸法の割り出しのできるＸＹステー
ジ２は、ＸＹステージコントローラ３により任意にＸ
軸、Ｙ軸方向に作動するように制御される。このＸＹス
テージ２の枠２ａ全体には、石英ガラス板４がセットさ
れている。この石英ガラス板４には真空吸着孔４ａが複
数貫設されている。この真空吸着孔４ａは、石英ガラス
板４上に、ＳＯＩ基板１を載置した時、ＳＯＩ基板１の
周縁部に対応する位置に貫設されている。
ジ２は、ＸＹステージコントローラ３により任意にＸ
軸、Ｙ軸方向に作動するように制御される。このＸＹス
テージ２の枠２ａ全体には、石英ガラス板４がセットさ
れている。この石英ガラス板４には真空吸着孔４ａが複
数貫設されている。この真空吸着孔４ａは、石英ガラス
板４上に、ＳＯＩ基板１を載置した時、ＳＯＩ基板１の
周縁部に対応する位置に貫設されている。
【００１３】ＸＹステージ２の下方には、つまり石英ガ
ラス板４の下には、凸レンズ状の集光レンズ５が設置さ
れている。さらにこの集光レンズ５の下方にはレーザ発
射装置６が設置されている。このレーザ発射装置６はＹ
ＡＧレーザとよばれる固体レーザであり、その主な波長
は１．０６μｍである。ＹＡＧレーザとは、ネオジウム
イオンＮｄ3+をドープしたＹＡＧ（イットリウム・アル
ミニウム・ガーネット，Ｙ3 Ａｌ 3Ｏ12）の立方晶系に
属する非常に固く（硬度８．５）、融点が約１７００℃
の結晶体において、ネオジウムイオンＮｄ3+によってレ
ーザ発振されるものである。
ラス板４の下には、凸レンズ状の集光レンズ５が設置さ
れている。さらにこの集光レンズ５の下方にはレーザ発
射装置６が設置されている。このレーザ発射装置６はＹ
ＡＧレーザとよばれる固体レーザであり、その主な波長
は１．０６μｍである。ＹＡＧレーザとは、ネオジウム
イオンＮｄ3+をドープしたＹＡＧ（イットリウム・アル
ミニウム・ガーネット，Ｙ3 Ａｌ 3Ｏ12）の立方晶系に
属する非常に固く（硬度８．５）、融点が約１７００℃
の結晶体において、ネオジウムイオンＮｄ3+によってレ
ーザ発振されるものである。
【００１４】またこの波長１．０６μｍにおいては前記
の石英ガラスにおいてはエネルギーが吸収されず、ＳＯ
Ｉ基板１においてエネルギーが吸収される。
の石英ガラスにおいてはエネルギーが吸収されず、ＳＯ
Ｉ基板１においてエネルギーが吸収される。
【００１５】このレーザ発射装置６にはレーザー出力コ
ントローラー７が接続されており、エネルギー、パルス
を調整後、レーザーの出力量を制御するものである。Ｘ
Ｙステージ２上方には、赤外線の量を検出できるサーモ
ビュア８が設置されている。
ントローラー７が接続されており、エネルギー、パルス
を調整後、レーザーの出力量を制御するものである。Ｘ
Ｙステージ２上方には、赤外線の量を検出できるサーモ
ビュア８が設置されている。
【００１６】集光レンズ５は、上記のレーザ発射装置６
から発射されるレーザＲ１が、集光レンズ５で集光さ
れ、集光されたレーザＲ２の焦点は、ＳＯＩ基板１内で
焦点となる位置に設置される。またこれらレーザ発射装
置６、集光レンズ５とサーモビュア８の軸は一直線状に
配置されている。
から発射されるレーザＲ１が、集光レンズ５で集光さ
れ、集光されたレーザＲ２の焦点は、ＳＯＩ基板１内で
焦点となる位置に設置される。またこれらレーザ発射装
置６、集光レンズ５とサーモビュア８の軸は一直線状に
配置されている。
【００１７】レーザー出力コントローラー７とサーモビ
ュア８にはボイド検出装置９が接続されている。このボ
イド検出装置９は予め把握されることができる大きなボ
イドとレーザ出力に対する赤外線の検出率の相関を取っ
ておき、その相関に従って、実際の数値に現れない小さ
なボイドがあるか否かを判断して、良、不良を判定する
装置である。
ュア８にはボイド検出装置９が接続されている。このボ
イド検出装置９は予め把握されることができる大きなボ
イドとレーザ出力に対する赤外線の検出率の相関を取っ
ておき、その相関に従って、実際の数値に現れない小さ
なボイドがあるか否かを判断して、良、不良を判定する
装置である。
【００１８】これにより、ＳＯＩ基板１上のデバイスの
良、不良を各ＳＯＩ基板１のＮｏ．のどのデバイスかを
メモリーし、ウエハプローバ工程、又は外観検査工程
で、他の不良と合成し、バッドマークを図３に示すよう
に打刻することができ、ボイド不良のないチップを選別
することができる。
良、不良を各ＳＯＩ基板１のＮｏ．のどのデバイスかを
メモリーし、ウエハプローバ工程、又は外観検査工程
で、他の不良と合成し、バッドマークを図３に示すよう
に打刻することができ、ボイド不良のないチップを選別
することができる。
【００１９】また、石英ガラス板１の斜め上方側に、別
のＹＡＧレーザ装置１３、集光レンズ１２を設置し、Ｙ
ＡＧレーザ１３のコントローラ１４でＳＯＩ基板１のシ
リコン最表面のみ僅かに溶融させる条件に設定する。こ
の装置により、不良品のみ、そのデバイスに溶融による
バッドマーク２２を打刻し、良品２１と区別することが
可能となるものである。この場合、後工程のウエハプロ
ーブ工程で特性不良として検出される。
のＹＡＧレーザ装置１３、集光レンズ１２を設置し、Ｙ
ＡＧレーザ１３のコントローラ１４でＳＯＩ基板１のシ
リコン最表面のみ僅かに溶融させる条件に設定する。こ
の装置により、不良品のみ、そのデバイスに溶融による
バッドマーク２２を打刻し、良品２１と区別することが
可能となるものである。この場合、後工程のウエハプロ
ーブ工程で特性不良として検出される。
【００２０】以上の様に構成された本装置に関する作動
について説明する。
について説明する。
【００２１】まず、ＳＯＩ基板１をＸＹステージ２の石
英ガラス４上に載置する。ＳＯＩ基板１周辺部の下に貫
設された真空吸着孔４ａから真空で吸引し、ＳＯＩ基板
１を固定する。
英ガラス４上に載置する。ＳＯＩ基板１周辺部の下に貫
設された真空吸着孔４ａから真空で吸引し、ＳＯＩ基板
１を固定する。
【００２２】次に、ＳＯＩ基板１の一部を加熱でき、か
つＸＹステージ２の石英ガラス４にエネルギーを吸収さ
れにくいＹＡＧレーザからなるレーザ発射装置６にてレ
ーザ光を発射し、レーザパルスコントローラ７で、エネ
ルギー、パルスを調整後、レーザビームＲ１を集光レン
ズ５でＳＯＩ基板１内に集光させる。
つＸＹステージ２の石英ガラス４にエネルギーを吸収さ
れにくいＹＡＧレーザからなるレーザ発射装置６にてレ
ーザ光を発射し、レーザパルスコントローラ７で、エネ
ルギー、パルスを調整後、レーザビームＲ１を集光レン
ズ５でＳＯＩ基板１内に集光させる。
【００２３】このときの状態が図２である。ＳＯＩ基板
１はＳＯＩ基板デバイス部１ａとＳＯＩ基板サブ１ｂと
から構成されているが、レーザ光Ｒ１はＳＯＩ基板サブ
１ｂの裏面１ｂｂが加熱され、瞬間的に与えられてた熱
エネルギーＥ１が、ＳＯＩ基板１のＳＯＩ基板サブ１ｂ
を通過する。
１はＳＯＩ基板デバイス部１ａとＳＯＩ基板サブ１ｂと
から構成されているが、レーザ光Ｒ１はＳＯＩ基板サブ
１ｂの裏面１ｂｂが加熱され、瞬間的に与えられてた熱
エネルギーＥ１が、ＳＯＩ基板１のＳＯＩ基板サブ１ｂ
を通過する。
【００２４】図２（ａ）では、貼り合わせ部に空隙状の
ボイドＶがない場合のため、熱伝導のよいシリコン単結
晶内を瞬時に伝導し、ＳＯＩ基板デバイス１ａ側を通
り、ＳＯＩ基板１表面より、赤外線Ｒ２として放射され
る。一方図２（ｂ）では、ＳＯＩ基板サブ１ｂとＳＯＩ
基板デバイス１ｂの間に、ボイドＶがあり、熱エネルギ
はＥ１は、この部分のみ熱伝導でなく、熱放射の状態に
なり、エネルギを損失する。従つて、ＳＯＩ基板デバイ
ス１ａ側を熱伝導するエネルギーも減少し、ＳＯＩ基板
１表面から放射される赤外線Ｒ２も減少する。
ボイドＶがない場合のため、熱伝導のよいシリコン単結
晶内を瞬時に伝導し、ＳＯＩ基板デバイス１ａ側を通
り、ＳＯＩ基板１表面より、赤外線Ｒ２として放射され
る。一方図２（ｂ）では、ＳＯＩ基板サブ１ｂとＳＯＩ
基板デバイス１ｂの間に、ボイドＶがあり、熱エネルギ
はＥ１は、この部分のみ熱伝導でなく、熱放射の状態に
なり、エネルギを損失する。従つて、ＳＯＩ基板デバイ
ス１ａ側を熱伝導するエネルギーも減少し、ＳＯＩ基板
１表面から放射される赤外線Ｒ２も減少する。
【００２５】さらに、その赤外線Ｒ２を検出できるサー
モビュア８がその赤外線量を検出し、サーモビュア８に
接続されるボイド検出装置９は、予め把握されることが
できる大きなボイドとレーザ出力に対する赤外線の検出
率の相関を取っておき、その相関に従って、実際の数値
に現れない小さなボイドがあるか否かを判断して、良、
不良を判定できる。
モビュア８がその赤外線量を検出し、サーモビュア８に
接続されるボイド検出装置９は、予め把握されることが
できる大きなボイドとレーザ出力に対する赤外線の検出
率の相関を取っておき、その相関に従って、実際の数値
に現れない小さなボイドがあるか否かを判断して、良、
不良を判定できる。
【００２６】これにより、ＳＯＩ基板１上のデバイスの
良、不良を各ＳＯＩ基板１のＮｏ．のどのデバイスかを
メモリーし、ウエハプローバ工程、又は外観検査工程
で、他の不良と合成し、バッドマークを図３に示すよう
に打刻することができ、ボイド不良のないチップを選別
することができる。
良、不良を各ＳＯＩ基板１のＮｏ．のどのデバイスかを
メモリーし、ウエハプローバ工程、又は外観検査工程
で、他の不良と合成し、バッドマークを図３に示すよう
に打刻することができ、ボイド不良のないチップを選別
することができる。
【００２７】この判定はＸＹステージ２をＸ軸Ｙ軸に作
動させてＳＯＩ基板１のひとつひとつのチップ毎にレー
ザを発射させてその赤外線量を検出する。
動させてＳＯＩ基板１のひとつひとつのチップ毎にレー
ザを発射させてその赤外線量を検出する。
【００２８】また、石英ガラス板１の斜め上方側に、別
のＹＡＧレーザ装置１３、集光レンズ１２を設置し、Ｙ
ＡＧレーザ１３のコントローラ１４でＳＯＩ基板１のシ
リコン最表面のみ僅かに溶融させる条件に設定すること
により、不良品のみ、そのデバイスに溶融によるバッド
マーク２２を打刻し、良品２１と区別することが可能と
なる。このように、後工程のウエハプローブ工程で特性
不良として検出される。
のＹＡＧレーザ装置１３、集光レンズ１２を設置し、Ｙ
ＡＧレーザ１３のコントローラ１４でＳＯＩ基板１のシ
リコン最表面のみ僅かに溶融させる条件に設定すること
により、不良品のみ、そのデバイスに溶融によるバッド
マーク２２を打刻し、良品２１と区別することが可能と
なる。このように、後工程のウエハプローブ工程で特性
不良として検出される。
【００２９】なお、この方式の場合、加熱源として同じ
ＹＡＧレーザを用いる場合、上記のように２台のレーザ
装置６、１３を用いず、１台のレーザをタイムシェアリ
ングで出力条件とミラーによる光路変更を制御すること
も可能である。
ＹＡＧレーザを用いる場合、上記のように２台のレーザ
装置６、１３を用いず、１台のレーザをタイムシェアリ
ングで出力条件とミラーによる光路変更を制御すること
も可能である。
【００３０】
【発明の効果】以上の装置からなる本発明は、ＳＯＩ基
板に繰り返されるパターニング、熱処理の間に貼り合わ
せ部にボイドの有無を検出でき、ＳＯＩ基板の拡散工程
後のコンタクト孔工程前の各チップ毎のミクロなボイド
解析であり、より最終工程に近い段階での検査が可能
で、従来すり抜けていたボイド不良が検出可能となるた
めＳＯＩ基板の品質が向上する。
板に繰り返されるパターニング、熱処理の間に貼り合わ
せ部にボイドの有無を検出でき、ＳＯＩ基板の拡散工程
後のコンタクト孔工程前の各チップ毎のミクロなボイド
解析であり、より最終工程に近い段階での検査が可能
で、従来すり抜けていたボイド不良が検出可能となるた
めＳＯＩ基板の品質が向上する。
【図１】本発明の実施例の半導体ウエハーのボイド検出
装置である。
装置である。
【図２】（ａ）はボイドがない場合のＳＯＩ基板にレー
ザが集光されたＳＯＩ基板の部分断面図であり、（ｂ）
はボイドがある場合のＳＯＩ基板にレーザが集光された
ＳＯＩ基板の部分断面図である。
ザが集光されたＳＯＩ基板の部分断面図であり、（ｂ）
はボイドがある場合のＳＯＩ基板にレーザが集光された
ＳＯＩ基板の部分断面図である。
【図３】ＳＯＩ基板のチップにバッドマークが打刻され
たＳＯＩ基板の部分平面図である。
たＳＯＩ基板の部分平面図である。
１ ・・・ＳＯＩ基板 ２ ・・・ＸＹステージ ２ａ・・・枠体 ３ ・・・第１中空ケース ４ ・・・石英ガラス ５ ・・・集光レンズ ６ ・・・レーザ発射手段（レーザ発射装置） ８ ・・・赤外線検出手段（サーモビュア）
Claims (5)
- 【請求項１】 平面方向に作動する枠体を有するＸＹス
テージと、 該枠体に設けられたガラステーブルと、 該ガラステーブル上に載置されたＳＯＩ基板と、 前記ガラステーブルの側に設けられたレーザー発射手段
と、 該レーザ発射手段と前記ガラステーブルの間には、レー
ザ発射手段から入力されたレーザ光の焦点が前記ＳＯＩ
基板内になる集光レンズと、 前記ＳＯＩ基板の側に前記ＳＯＩ基板から放射された赤
外線を検知する赤外線検出手段を設けたことを特徴とす
る半導体ウエハーのボイド検出装置。 - 【請求項２】 前記レーザ発射手段は前記ガラステーブ
ルには吸収されず、ＳＯＩ基板には吸収される波長を有
するレーザを発射する発射手段であることを特徴とする
請求項１記載の半導体ウエハーのボイド検出装置。 - 【請求項３】 前記レーザ発射手段はＹＡＧレーザであ
ることを特徴とする請求項２記載の半導体ウエハーのボ
イド検出装置。 - 【請求項４】 前記レーザ発射手段は波長１．０６μｍ
のレーザを発射するレーザ発射手段であることを特徴と
する請求項２記載の半導体ウエハーのボイド検出装置。 - 【請求項５】 前記ガラステーブルは石英ガラスからな
ることを特徴とする請求項２記載の半導体ウエハーのボ
イド検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1330992A JPH05206242A (ja) | 1992-01-28 | 1992-01-28 | 半導体ウエハーのボイド検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1330992A JPH05206242A (ja) | 1992-01-28 | 1992-01-28 | 半導体ウエハーのボイド検出装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05206242A true JPH05206242A (ja) | 1993-08-13 |
Family
ID=11829579
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1330992A Pending JPH05206242A (ja) | 1992-01-28 | 1992-01-28 | 半導体ウエハーのボイド検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05206242A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007240217A (ja) * | 2006-03-06 | 2007-09-20 | I-Bit Co Ltd | 半導体ウェハ透視検査装置 |
| CN114141991A (zh) * | 2021-10-28 | 2022-03-04 | 李癸卨 | 电动汽车用二次电池的激光开槽后旗形板成型装置 |
| US11460447B2 (en) | 2019-09-09 | 2022-10-04 | Kioxia Corporation | Inspection apparatus |
-
1992
- 1992-01-28 JP JP1330992A patent/JPH05206242A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007240217A (ja) * | 2006-03-06 | 2007-09-20 | I-Bit Co Ltd | 半導体ウェハ透視検査装置 |
| US11460447B2 (en) | 2019-09-09 | 2022-10-04 | Kioxia Corporation | Inspection apparatus |
| CN114141991A (zh) * | 2021-10-28 | 2022-03-04 | 李癸卨 | 电动汽车用二次电池的激光开槽后旗形板成型装置 |
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