JPH05206425A - 光電変換装置 - Google Patents
光電変換装置Info
- Publication number
- JPH05206425A JPH05206425A JP4037223A JP3722392A JPH05206425A JP H05206425 A JPH05206425 A JP H05206425A JP 4037223 A JP4037223 A JP 4037223A JP 3722392 A JP3722392 A JP 3722392A JP H05206425 A JPH05206425 A JP H05206425A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- film
- opening
- incident
- intensity distribution
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】遮光膜の側端における回折効果を実質的に抑制
して、受光部以外へ洩れ込む光を少なくする。 【構成】遮光用のＡｌ膜１６に形成されている開口部１
７内のＳｉＯ2 膜１５のうちで開口部１７の周辺部に高
さｄの段差１９が設けられており、段差１９の両側に入
射した光１８の位相が互いに反転する様に、段差１９の
高さｄが選定されている。この結果、開口部１７に入射
した光１８の強度分布のエッジ、つまりＡｌ膜１６の側
端近傍における光１８の強度分布が強調され、Ａｌ膜１
６の側端における回折効果が実質的に抑制される。従っ
て、垂直レジスタ部１２へ洩れ込む光１８が少なくな
り、スミアが低減する。
して、受光部以外へ洩れ込む光を少なくする。 【構成】遮光用のＡｌ膜１６に形成されている開口部１
７内のＳｉＯ2 膜１５のうちで開口部１７の周辺部に高
さｄの段差１９が設けられており、段差１９の両側に入
射した光１８の位相が互いに反転する様に、段差１９の
高さｄが選定されている。この結果、開口部１７に入射
した光１８の強度分布のエッジ、つまりＡｌ膜１６の側
端近傍における光１８の強度分布が強調され、Ａｌ膜１
６の側端における回折効果が実質的に抑制される。従っ
て、垂直レジスタ部１２へ洩れ込む光１８が少なくな
り、スミアが低減する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、遮光膜の開口部へ入射
する光を電気に変換するための光電変換装置に関するも
のである。
する光を電気に変換するための光電変換装置に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】図３は、従来のＣＣＤ撮像素子のユニッ
トセルにおける受光部１１と垂直レジスタ部１２との境
界部近傍を示している。この一従来例では、垂直レジス
タ部１２におけるＳｉ基板１３上に垂直レジスタ用の電
極１４がパターニングされており、この電極１４はＳｉ
Ｏ2 膜１５で絶縁されている。
トセルにおける受光部１１と垂直レジスタ部１２との境
界部近傍を示している。この一従来例では、垂直レジス
タ部１２におけるＳｉ基板１３上に垂直レジスタ用の電
極１４がパターニングされており、この電極１４はＳｉ
Ｏ2 膜１５で絶縁されている。
【０００３】ＳｉＯ2 膜１５上には遮光用のＡｌ膜１６
が形成されており、受光部１１のうちで電極１４から所
定距離だけ離間している部分のＡｌ膜１６が除去され
て、開口部１７が形成されている。なお、Ｓｉ基板１３
を保護するために、電極１４が設けられていない開口部
１７にも、ＳｉＯ2 膜１５が形成されている。
が形成されており、受光部１１のうちで電極１４から所
定距離だけ離間している部分のＡｌ膜１６が除去され
て、開口部１７が形成されている。なお、Ｓｉ基板１３
を保護するために、電極１４が設けられていない開口部
１７にも、ＳｉＯ2 膜１５が形成されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが、図３に示し
た一従来例では、遮光用のＡｌ膜１６が設けられている
ために開口部１７にのみ光１８が入射しても、Ａｌ膜１
６の側端における回折効果のために垂直レジスタ部１２
にまで光１８が洩れ込み、これがスミアの要因の一つに
なっていた。
た一従来例では、遮光用のＡｌ膜１６が設けられている
ために開口部１７にのみ光１８が入射しても、Ａｌ膜１
６の側端における回折効果のために垂直レジスタ部１２
にまで光１８が洩れ込み、これがスミアの要因の一つに
なっていた。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明による光電変換装
置では、遮光膜１６の開口部１７における光透過膜１５
のうちで前記開口部１７の周辺部に段差１９が設けられ
ている。
置では、遮光膜１６の開口部１７における光透過膜１５
のうちで前記開口部１７の周辺部に段差１９が設けられ
ている。
【０００６】
【作用】本発明による光電変換装置では、光透過膜１５
のうちで開口部１７の周辺部に設けられている段差１９
の高さｄを選定することによって、段差１９の両側に入
射した光１８の位相を互いに反転させることができる。
このため、開口部１７に入射した光１８の強度分布のエ
ッジ、つまり遮光膜１６の側端近傍における光１８の強
度分布を強調して、遮光膜１６の側端における回折効果
を実質的に抑制することができる。
のうちで開口部１７の周辺部に設けられている段差１９
の高さｄを選定することによって、段差１９の両側に入
射した光１８の位相を互いに反転させることができる。
このため、開口部１７に入射した光１８の強度分布のエ
ッジ、つまり遮光膜１６の側端近傍における光１８の強
度分布を強調して、遮光膜１６の側端における回折効果
を実質的に抑制することができる。
【０００７】
【実施例】以下、ＣＣＤ撮像素子に適用した本発明の一
実施例を、図１、２を参照しながら説明する。なお、図
３に示した一従来例と同一の構成部分には、同一の符号
を付してある。
実施例を、図１、２を参照しながら説明する。なお、図
３に示した一従来例と同一の構成部分には、同一の符号
を付してある。
【０００８】図１と図３との比較からも明らかな様に、
本実施例は、ＳｉＯ2 膜１５のうちで開口部１７の周辺
から中心へ向かって幅ｗの位置に高さｄの段差１９が設
けられており、このために段差１９よりも開口部１７の
中心側ではＳｉＯ2 膜１５の膜厚がｄだけ薄くなってい
ることを除いて、図３に示した一従来例と実質的に同様
の構成を有している。
本実施例は、ＳｉＯ2 膜１５のうちで開口部１７の周辺
から中心へ向かって幅ｗの位置に高さｄの段差１９が設
けられており、このために段差１９よりも開口部１７の
中心側ではＳｉＯ2 膜１５の膜厚がｄだけ薄くなってい
ることを除いて、図３に示した一従来例と実質的に同様
の構成を有している。
【０００９】ところで、図２（ａ）に示す様に、ガラス
基板２１の一方の面に遮光膜２２をパターニングし、入
射光の位相を反転させる位相シフタ２３を遮光膜２２の
側端から延出する様に設けた場合、図２（ｂ）に示す様
に、位相シフタ２３を透過しなかった光の位相を０°と
すると、位相シフタ２３を透過した光の位相は１８０°
になる。
基板２１の一方の面に遮光膜２２をパターニングし、入
射光の位相を反転させる位相シフタ２３を遮光膜２２の
側端から延出する様に設けた場合、図２（ｂ）に示す様
に、位相シフタ２３を透過しなかった光の位相を０°と
すると、位相シフタ２３を透過した光の位相は１８０°
になる。
【００１０】この結果、遮光膜２２以外の部分を透過し
た光の強度分布のエッジ、つまり遮光膜２２の側端近傍
における光の強度分布が強調され、遮光膜２２の側端に
おける回折効果が実質的に抑制される。
た光の強度分布のエッジ、つまり遮光膜２２の側端近傍
における光の強度分布が強調され、遮光膜２２の側端に
おける回折効果が実質的に抑制される。
【００１１】一方、図１に示した本実施例においても、
光１８が開口部１７へ垂直に入射する場合は、光１８の
波長をλ、ＳｉＯ2 膜１５の屈折率をｎとして、段差１
９の高さｄを、 ｄ＝λ／２（ｎ−１） とすると、段差１９の両側に入射した光１８の位相が互
いに反転する。
光１８が開口部１７へ垂直に入射する場合は、光１８の
波長をλ、ＳｉＯ2 膜１５の屈折率をｎとして、段差１
９の高さｄを、 ｄ＝λ／２（ｎ−１） とすると、段差１９の両側に入射した光１８の位相が互
いに反転する。
【００１２】この結果、開口部１７に入射した光１８の
強度分布のエッジ、つまりＡｌ膜１６の側端近傍におけ
る光１８の強度分布が強調され、Ａｌ膜１６の側端にお
ける回折効果が実質的に抑制される。従って、垂直レジ
スタ部１２へ洩れ込む光１８が少なくなり、スミアが低
減する。例えば、Ｓｉ基板１３中へ深く侵入する赤色光
の洩れ込みを少なくするためには、段差１９の高さｄを
約７５００Åにすればよい。
強度分布のエッジ、つまりＡｌ膜１６の側端近傍におけ
る光１８の強度分布が強調され、Ａｌ膜１６の側端にお
ける回折効果が実質的に抑制される。従って、垂直レジ
スタ部１２へ洩れ込む光１８が少なくなり、スミアが低
減する。例えば、Ｓｉ基板１３中へ深く侵入する赤色光
の洩れ込みを少なくするためには、段差１９の高さｄを
約７５００Åにすればよい。
【００１３】なお、光１８が開口部１７へ斜めに入射す
る場合は、光学距離が、 ｎλ／２（ｎ−１） になる様に、段差１９の高さｄを低くする必要がある。
また、Ａｌ膜１６の側端と段差１９との間の幅Ｗの最適
値は、入射する光１８のコヒーレントファクタに依存
し、０ではない最適値が存在する。
る場合は、光学距離が、 ｎλ／２（ｎ−１） になる様に、段差１９の高さｄを低くする必要がある。
また、Ａｌ膜１６の側端と段差１９との間の幅Ｗの最適
値は、入射する光１８のコヒーレントファクタに依存
し、０ではない最適値が存在する。
【００１４】
【発明の効果】本発明による光電変換装置では、遮光膜
の開口部に入射した光の強度分布のエッジ、つまり遮光
膜の側端近傍における光の強度分布を強調して、遮光膜
の側端における回折効果を実質的に抑制することができ
るので、受光部以外へ洩れ込む光を少なくすることがで
きる。
の開口部に入射した光の強度分布のエッジ、つまり遮光
膜の側端近傍における光の強度分布を強調して、遮光膜
の側端における回折効果を実質的に抑制することができ
るので、受光部以外へ洩れ込む光を少なくすることがで
きる。
【図１】本発明の一実施例の側断面図である。
【図２】本発明の原理を説明するための図であり、
（ａ）は側断面図、（ｂ）は平面図である。
（ａ）は側断面図、（ｂ）は平面図である。
【図３】本発明の一従来例の側断面図である。
１５ ＳｉＯ2 膜 １６ Ａｌ膜 １７ 開口部 １９ 段差
Claims (1)
- 【請求項１】遮光膜の開口部における光透過膜のうちで
前記開口部の周辺部に段差が設けられている光電変換装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4037223A JPH05206425A (ja) | 1992-01-28 | 1992-01-28 | 光電変換装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4037223A JPH05206425A (ja) | 1992-01-28 | 1992-01-28 | 光電変換装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05206425A true JPH05206425A (ja) | 1993-08-13 |
Family
ID=12491598
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4037223A Pending JPH05206425A (ja) | 1992-01-28 | 1992-01-28 | 光電変換装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05206425A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2372769A2 (en) | 2010-04-02 | 2011-10-05 | Sony Corporation | Solid- state imaging device and method for manufacturing the same, and electronic apparatus and camera module |
-
1992
- 1992-01-28 JP JP4037223A patent/JPH05206425A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2372769A2 (en) | 2010-04-02 | 2011-10-05 | Sony Corporation | Solid- state imaging device and method for manufacturing the same, and electronic apparatus and camera module |
| US8736727B2 (en) | 2010-04-02 | 2014-05-27 | Sony Corporation | Solid-state imaging device and method for manufacturing the same, and electronic apparatus and camera module |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8390088B2 (en) | Photoelectric conversion device | |
| JP2005286034A (ja) | 撮像素子 | |
| JPH05206425A (ja) | 光電変換装置 | |
| JPS59123259A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH04206571A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH06260625A (ja) | イメージセンサ装置及び製造方法 | |
| WO2007074977A1 (en) | Photodiode for image sensor and method of manufacturing the same | |
| JPH02244761A (ja) | 固体撮像素子およびその製造方法 | |
| JP2723686B2 (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法 | |
| JPS6386474A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH05226686A (ja) | 受光素子 | |
| JPH11163383A (ja) | 半導体受光素子 | |
| JPH033362A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPH01166687A (ja) | 受光装置 | |
| JPH0653457A (ja) | カラー固体撮像装置 | |
| JPS5981968A (ja) | 密着型読み取り装置 | |
| JP2637946B2 (ja) | 直接読取り型ラインイメージセンサ | |
| JPH02230768A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPH04225563A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH0298285A (ja) | 画像読取装置 | |
| JPH1184320A (ja) | 光学ローパスフィルタ | |
| JPH0675190A (ja) | 光学的ローパスフィルタおよび撮像装置 | |
| JPH02375A (ja) | 受光装置 | |
| JPH05224159A (ja) | 撮像装置 | |
| JPS58114684A (ja) | 固体撮像素子 |