JPH05206522A - 光半導体モジュ−ル - Google Patents

光半導体モジュ−ル

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JPH05206522A
JPH05206522A JP3856392A JP3856392A JPH05206522A JP H05206522 A JPH05206522 A JP H05206522A JP 3856392 A JP3856392 A JP 3856392A JP 3856392 A JP3856392 A JP 3856392A JP H05206522 A JPH05206522 A JP H05206522A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
lens
semiconductor module
cap
optical semiconductor
semiconductor laser
Prior art date
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Pending
Application number
JP3856392A
Other languages
English (en)
Inventor
Kiyoshi Ito
伊藤  潔
Hiroshi Ono
比呂志 大野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
KYUSHU DENSHI KK
NEC Corp
Original Assignee
KYUSHU DENSHI KK
NEC Corp
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Publication date
Application filed by KYUSHU DENSHI KK, NEC Corp filed Critical KYUSHU DENSHI KK
Priority to JP3856392A priority Critical patent/JPH05206522A/ja
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 キャップで封止された半導体レ−ザと光ファ
イバピグテ−ルとがレンズを介して光学結合された光半
導体モジュ−ルにおいて、結合効率を大幅に改善するこ
と。 【構成】 上記レンズとして非球面レンズ6を使用し、
レンズホルダ7aに固定した該非球面レンズ6をキャッ
プ9に抵抗溶接8し、そして、半導体レ−ザ1と光ファ
イバピグテ−ル3とを上記非球面レンズ6を介して光学
結合した光半導体モジュ−ル。 【効果】 結合効率が大幅に改善される効果が生じ、要
求結合効率が十分に満足する光半導体モジュ−ルを提供
することができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、光半導体モジュ−ルに
関し、特に、キャップで封止された半導体レ−ザがレン
ズを介して光ファイバピグテ−ルに光学結合された光半
導体モジュ−ルに関する。
【0002】
【従来の技術】従来の光半導体モジュ−ルを図3及び図
4に基づいて説明する。図3は、その一例を示す縦断面
図であり、図4は、その他の従来例を示す縦断面図であ
る。まず、図3に示すように、従来の光半導体モジュ−
ルは、ガラス板11を固定したキャップ9で半導体レ−
ザ1が気密封止され、この半導体レ−ザ1がホルダ7に
固定されたレンズ6aを介して光ファイバピグテ−ル3
に光学結合された構造を有している。
【0003】また、従来の他の光半導体モジュ−ルは、
図4に示すように、マイクロレンズ6bを持つキャップ
9で半導体レ−ザ1が気密封止され、この半導体レ−ザ
1がマイクロレンズ6bを介して光ファイバピグテ−ル
3に光学結合された構造を有している。なお、図3及び
図4において、2はヒ−トシンク、4はYAG溶接点、
5はスライドリング、10はステムである。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来の上記
光半導体モジュ−ルは、以下に詳記する欠点、問題点を
有している。まず、図3に示した従来の光半導体モジュ
−ルでは、レンズ6aと半導体レ−ザ1との間にガラス
板11が介在するため、レンズ6aを半導体レ−ザ1に
近づけることができない欠点を有している。即ち、キャ
ップ9の厚みとガラス板11の厚み並びに組立て機械精
度の公差を考慮すると、1.13mmが限度である。そし
て、レンズ6aの倍率は2.54となり、最適の倍率である
5.5にすることができないものであり、結合効率は−7
dBであった。
【0005】次に、図4に示した従来の光半導体モジュ
−ルでは、図3のガラス板11を廃し、マイクロレンズ
6bをキャップ9に固定した構造のものであるため、半
導体レ−ザ1とマイクロレンズ6bとの間の距離につい
ては、図3の光半導体モジュ−ルのような制約を受ける
ことがない。しかしながら、マイクロレンズ6bの製法
は、ガラス板を1000℃の高温で溶解し、その表面張力を
利用して成形するため、球面収差が大きく、最適倍率で
光学結合しても、結合効率は−10dBであった。そし
て、製品の要求レベルとして−4dBが要求されている
ため、この図4に示す光半導体モジュ−ルにおいても満
足できるものでないという問題点を有している。
【0006】そこで、本発明は、上記欠点、問題点を解
消し、上記要求レベルにそう光半導体モジュ−ルを提供
することを目的とし、特に、結合効率が−2dBと大幅
に改善された光半導体モジュ−ルを提供することを目的
とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】そして、本発明は、レン
ズとして非球面レンズを使用し、かつ、この非球面レン
ズをキヤップ又はレンズホルダ兼キャップに固定する点
を特徴とし、これにより、結合効率が大幅に改善された
光半導体モジュ−ルを提供するものである。即ち、本発
明は、キャップで封止された半導体レ−ザと光ファイバ
ピグテ−ルとがレンズを介して光学結合された光半導体
モジュ−ルにおいて、前記レンズが非球面レンズであ
り、かつ、該非球面レンズが前記キャップ又はレンズホ
ルダ兼キャップに固定してなることを特徴とする光半導
体モジュ−ルである。
【0008】
【実施例】次に、本発明の実施例を図1及び図2に基づ
いて詳細に説明する。 (実施例1)図1は、本発明の一実施例を示す光半導体
モジュ−ルの縦断面図であって、半導体レ−ザ1は、ヒ
−トシンク2にハンダで固定され、このヒ−トシンク2
は、ステム10に同じくハンダで固定されている。一
方、非球面レンズ6は、レンズホルダ7aに固定され、
また、このレンズホルダ7aは、抵抗溶接8でキャップ
9に固定され、そして、このキャップ9とステム10と
は、窒素雰囲気中で抵抗溶接により固定されている。
【0009】半導体レ−ザ1は、この封止により、1×
10-8atm・cc/sec以下に気密封止されること
になり、また、半導体レ−ザ1と非球面レンズ6の距離
は、0.6mmまで近づけることができる。次に、光ファ
イバピグテ−ル3の先端部は、半導体レ−ザ1から出射
された光が非球面レンズ6で集光される焦点位置になる
ように位置調整され、スライドリング5を介してYAG
溶接4で固定される。
【0010】(実施例2)図2は、本発明の他の実施例
を示す光半導体モジュ−ルの縦断面図であって、半導体
レ−ザ1は、ヒ−トシンク2にハンダで固定され、この
ヒ−トシンク2は、ステム10に同じくハンダで固定さ
れている。一方、非球面レンズ6は、レンズホルダ7b
に固定され、そして、このレンズホルダ7bとステム1
0とは、窒素雰囲気中で抵抗溶接により固定される。光
ファイバピグテ−ル3の先端部は、半導体レ−ザ1から
出射された光が非球面レンズ6で集光される焦点位置に
なるように位置調整され、スライドリング5を介してY
AG溶接4で固定されている。
【0011】この実施例2と前記の実施例1との相違点
は、この実施例2では、図2に示すように、レンズホル
ダ7bにより、レンズホルダ作用と半導体レ−ザ気密封
止用キャップ作用とを同時にそなえるようにしたもので
あって、図1に示す実施例1のレンズホルダ7aとキャ
ップ9とを一体化した点にある。即ち、この実施例2に
おけるレンズホルダ7bは、レンズホルダ兼キャップと
した点で実施例1と相違する。
【0012】上記実施例1及び実施例2は、いずれも半
導体レ−ザを気密封止するキャップのガラス板(図3の
ガラス板11参照)を廃し、これにより、半導体レ−ザ
とレンズとの間の距離に対する制約を解消し、最適位置
固定が可能となる効果が生ずる。しかも、光学結合のた
めのレンズとして非球面レンズを使用したことにより、
結合効率−2dBが実現し、従来の光半導体モジュ−ル
の結合効率−7dB(図3の従来例の場合)及び−10
dB(図4の他の従来例の場合)に比較して飛躍的に改
善され、要求結合効率が十分に満足する光半導体モジュ
−ルを提供することができる。
【0013】
【発明の効果】本発明は、以上詳記したとおり、半導体
レ−ザ気密封止用ガラス板を廃止することにより、半導
体レ−ザとレンズとの間の距離に対する制約を解消し、
最適位置固定が可能となるばかりでなく、光学結合のた
めのレンズとして非球面レンズを使用したことにより、
結合効率が大幅に改善される顕著な効果が生じ、要求結
合効率が十分に満足する光半導体モジュ−ルを提供する
ことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例を示す光半導体モジュ−ルの
縦断面図である。
【図2】本発明の他の実施例を示す光半導体モジュ−ル
の縦断面図である。
【図3】従来の一例を示す光半導体モジュ−ルの縦断面
図である。
【図4】従来の他の例を示す光半導体モジュ−ルの縦断
面図である。
【符号の説明】
1 半導体レ−ザ 2 ヒ−トシンク 3 光ファィバピグテ−ル 4 YAG溶接点 5 スライドリング 6 非球面レンズ 6a レンズ 6b マイクロレンズ 7 ホルダ 7a レンズホルダ 7b レンズホルダ 8 抵抗溶接 9 キャップ 10 ステム 11 ガラス板

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 キャップで封止された半導体レ−ザと光
    ファイバピグテ−ルとがレンズを介して光学結合された
    光半導体モジュ−ルにおいて、前記レンズが非球面レン
    ズであり、かつ、該非球面レンズが前記キャップに固定
    してなることを特徴とする光半導体モジュ−ル。
  2. 【請求項2】 キャップで封止された半導体レ−ザと光
    ファイバピグテ−ルとがレンズを介して光学結合された
    光半導体モジュ−ルにおいて、前記レンズが非球面レン
    ズであり、かつ、該非球面レンズがレンズホルダ兼キャ
    ップに固定してなることを特徴とする光半導体モジュ−
    ル。
JP3856392A 1992-01-29 1992-01-29 光半導体モジュ−ル Pending JPH05206522A (ja)

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JP3856392A JPH05206522A (ja) 1992-01-29 1992-01-29 光半導体モジュ−ル

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105098577A (zh) * 2015-09-02 2015-11-25 西安精英光电技术有限公司 一种基于球透镜耦合的尾纤激光器
JP2021022631A (ja) * 2019-07-26 2021-02-18 ウシオ電機株式会社 光源装置

Cited By (3)

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US20160124168A1 (en) * 2015-09-02 2016-05-05 Elite Optoelectronics Co., Ltd Pigtailed laser device based on spherical lens coupling
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