JPH0520720A - 光磁気記録方式 - Google Patents
光磁気記録方式Info
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- JPH0520720A JPH0520720A JP3175159A JP17515991A JPH0520720A JP H0520720 A JPH0520720 A JP H0520720A JP 3175159 A JP3175159 A JP 3175159A JP 17515991 A JP17515991 A JP 17515991A JP H0520720 A JPH0520720 A JP H0520720A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 高価で複雑な光学系を必要とすることなし
に、記録を行いながら記録の確認を行える光磁気記録方
式の提供。 【構成】 室温において保磁力が低く、キュリー温度が
高い第１の磁性層と、前記第１磁性層と交換結合すると
共に前記第１磁性層に比して保磁力が高く、キュリー温
度が低い第２の磁性層を有する光磁気記録媒体に一定強
度の光ビームを照射しながら記録情報に応じて変調され
た磁界を印加することにより情報の記録を行うと共に、
光ビームの反射光を用いて記録情報の確認を行なう。
に、記録を行いながら記録の確認を行える光磁気記録方
式の提供。 【構成】 室温において保磁力が低く、キュリー温度が
高い第１の磁性層と、前記第１磁性層と交換結合すると
共に前記第１磁性層に比して保磁力が高く、キュリー温
度が低い第２の磁性層を有する光磁気記録媒体に一定強
度の光ビームを照射しながら記録情報に応じて変調され
た磁界を印加することにより情報の記録を行うと共に、
光ビームの反射光を用いて記録情報の確認を行なう。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は，レーザービームと外部
磁界とを用いて，反転磁区のビットを形成することによ
り情報の記録を行ない，偏光されたレーザービームを照
射することによって磁気光学効果を利用して情報の読み
出しを行なう光磁気記録方式に関する。
磁界とを用いて，反転磁区のビットを形成することによ
り情報の記録を行ない，偏光されたレーザービームを照
射することによって磁気光学効果を利用して情報の読み
出しを行なう光磁気記録方式に関する。
【０００２】
【従来の技術】光磁気記録方式は，記録媒体にディスク
状の磁性体を用いているので，情報のアクセスが早く，
情報の書き換えが可能であり，さらに記録媒体が交換可
能であるという特徴を有している。
状の磁性体を用いているので，情報のアクセスが早く，
情報の書き換えが可能であり，さらに記録媒体が交換可
能であるという特徴を有している。
【０００３】光磁気記録において情報を書き換える最も
基本的な方法は，回転しているディスク状の記録媒体
に， (i)消去方向に直流外部磁界を印加し，記録したい場所
に連続光のレーザービームを照射して前の情報を消去す
る。
基本的な方法は，回転しているディスク状の記録媒体
に， (i)消去方向に直流外部磁界を印加し，記録したい場所
に連続光のレーザービームを照射して前の情報を消去す
る。
【０００４】(ii)次に，記録方向に直流外部磁界を印加
し，記録したい場所に記録情報に応じて変調されたレー
ザービームを照射して情報を記録する。
し，記録したい場所に記録情報に応じて変調されたレー
ザービームを照射して情報を記録する。
【０００５】(iii)最後に，記録した場所に弱い連続光
のレーザービームを照射して記録情報を読み出し，正し
く記録できたか確認する（ベリファイ動作）。
のレーザービームを照射して記録情報を読み出し，正し
く記録できたか確認する（ベリファイ動作）。
【０００６】光磁気記録においては，記録媒体の欠陥，
劣化，腐食，あるいは，ゴミ，光磁気記録装置の故障等
により正しく記録が行なえない場合が考えられるので，
(iii)の記録の確認は，必ず行なう必要がある。
劣化，腐食，あるいは，ゴミ，光磁気記録装置の故障等
により正しく記録が行なえない場合が考えられるので，
(iii)の記録の確認は，必ず行なう必要がある。
【０００７】以上の説明から明らかなように，情報を書
き換えるためには，ディスク3回転分の時間が必要であ
り，これをディスク2回転，さらにはディスク1 回転で
行なえれば，情報の書き換えのための処理速度が非常に
早くなる。
き換えるためには，ディスク3回転分の時間が必要であ
り，これをディスク2回転，さらにはディスク1 回転で
行なえれば，情報の書き換えのための処理速度が非常に
早くなる。
【０００８】そのために，種々の方法が提案されてい
る。
る。
【０００９】(i)と(ii)を同時に行なう（即ち，オ−バ
−ライト記録）ために，記録情報に応じて変調された外
部磁界のもとで，連続光のレーザービームを照射する方
法，あるいは，特殊な媒体を用いて，直流外部磁界のも
とで，記録情報に応じて強弱に変調されたレーザービー
ムを照射する方法などが提案されている。これらの方法
を用いることにより，(i),(ii),(iii)のプロセスをディ
スク2回転で行なうことができる。
−ライト記録）ために，記録情報に応じて変調された外
部磁界のもとで，連続光のレーザービームを照射する方
法，あるいは，特殊な媒体を用いて，直流外部磁界のも
とで，記録情報に応じて強弱に変調されたレーザービー
ムを照射する方法などが提案されている。これらの方法
を用いることにより，(i),(ii),(iii)のプロセスをディ
スク2回転で行なうことができる。
【００１０】さらに，上記の方法に加えて，1 つの光学
系の中に2 つのレーザービームを組み込み，先行ビーム
によって記録を行ない，後方ビームによって記録の確認
をする方法が提案されている。以上の方法をすべて用い
ることにより，(i),(ii),(iii)のプロセスをディスク1
回転分の時間で行なうことができる。
系の中に2 つのレーザービームを組み込み，先行ビーム
によって記録を行ない，後方ビームによって記録の確認
をする方法が提案されている。以上の方法をすべて用い
ることにより，(i),(ii),(iii)のプロセスをディスク1
回転分の時間で行なうことができる。
【００１１】
【発明が解決しようとしている問題点】しかしながら、
記録の確認を行なう方法として，1 つの光学系の中に2
つのレーザービームを組み込むことは，光学系が非常に
複雑になり，また，光学系の機械精度も高いものが要求
されるので，光学系が大きくかつコストも高いものとな
る欠点があった。
記録の確認を行なう方法として，1 つの光学系の中に2
つのレーザービームを組み込むことは，光学系が非常に
複雑になり，また，光学系の機械精度も高いものが要求
されるので，光学系が大きくかつコストも高いものとな
る欠点があった。
【００１２】
【問題点を解決するための手段】本発明は上記問題に鑑
みなされたものであり、高価で複雑な光学系を必要とす
ることなしに，記録を行ないながら記録の確認を行なう
方法を提供することにある。
みなされたものであり、高価で複雑な光学系を必要とす
ることなしに，記録を行ないながら記録の確認を行なう
方法を提供することにある。
【００１３】本発明の上記目的は，光磁気記録方式にお
いて、室温において保磁力が低く，キュリー温度が高い
第1 の磁性層と，前記第１磁性層と交換結合すると共に
前記第１磁性層に比して保磁力が高く，キュリー温度が
低い第2の磁性層を有する光磁気記録媒体に一定強度の
光ビ−ムを照射しながら記録情報に応じて変調された磁
界を印加することにより情報の記録を行うと共に、前記
光ビームの反射光を用いて記録情報の確認を行なうこと
によって達成される。
いて、室温において保磁力が低く，キュリー温度が高い
第1 の磁性層と，前記第１磁性層と交換結合すると共に
前記第１磁性層に比して保磁力が高く，キュリー温度が
低い第2の磁性層を有する光磁気記録媒体に一定強度の
光ビ−ムを照射しながら記録情報に応じて変調された磁
界を印加することにより情報の記録を行うと共に、前記
光ビームの反射光を用いて記録情報の確認を行なうこと
によって達成される。
【００１４】
【実施例】図１は，本発明に基づく光磁気記録方式の一
例を示す略図である。図１において，1 は記録媒体に外
部磁界を印加するためのコイルで不図示の変調回路によ
り記録情報に従って磁界を変調される。2 は記録媒体，
21は室温において保磁力が低く，キュリー温度が高い第
1 の磁性層，22は前記第１磁性層と交換結合すると共に
前記第１磁性層に比して保磁力が高く，キュリー温度が
低い第2 の磁性層，3 は半導体レーザー，4 はハーフプ
リズム，5 は偏光ビームスプリッター，6, 7はフォトダ
イオード（ＰＩＮフォト），8 は差動増幅器、１０は記
録媒体からの再生情報と記録媒体に記録されるはずであ
る記録情報との確認を行うコンパレ−タである。
例を示す略図である。図１において，1 は記録媒体に外
部磁界を印加するためのコイルで不図示の変調回路によ
り記録情報に従って磁界を変調される。2 は記録媒体，
21は室温において保磁力が低く，キュリー温度が高い第
1 の磁性層，22は前記第１磁性層と交換結合すると共に
前記第１磁性層に比して保磁力が高く，キュリー温度が
低い第2 の磁性層，3 は半導体レーザー，4 はハーフプ
リズム，5 は偏光ビームスプリッター，6, 7はフォトダ
イオード（ＰＩＮフォト），8 は差動増幅器、１０は記
録媒体からの再生情報と記録媒体に記録されるはずであ
る記録情報との確認を行うコンパレ−タである。
【００１５】次に本発明の動作原理を説明する。
【００１６】不図示のスピンドルモ−タによって回転し
ている記録媒体2 に一定強度のレーザービームＡ（強度
は記録媒体２の回転速度を考慮して、記録媒体２に照射
した際に、第２磁性層をキュリ−温度近傍に昇温せしめ
る程度に予め設定されている。）を照射すると，レ−ザ
ビ−ムＡの照射されている記録媒体の部分の温度が上昇
し，キュリー温度が低い第2 の磁性層22の磁化が消失す
る。しかし，第1 の磁性層21は第１磁性層２２よりキュ
リー温度が高いので，磁化は残ったままである。第2 の
磁性層の磁化が消失すると，第1 の磁性層と第2 の磁性
層の間の交換結合が働かなくなり，第1 の磁性層は本来
の小さな保磁力になる（交換結合が働いていると第１磁
性層の保持力は見掛け上大きくなる。）。そして，その
状態で記録情報に応じて磁界の方向を変調されたコイル
1 による外部磁界を記録媒体に印加すると第1 の磁性層
の磁化がその磁界の方向にならわされて情報の記録が行
われる。
ている記録媒体2 に一定強度のレーザービームＡ（強度
は記録媒体２の回転速度を考慮して、記録媒体２に照射
した際に、第２磁性層をキュリ−温度近傍に昇温せしめ
る程度に予め設定されている。）を照射すると，レ−ザ
ビ−ムＡの照射されている記録媒体の部分の温度が上昇
し，キュリー温度が低い第2 の磁性層22の磁化が消失す
る。しかし，第1 の磁性層21は第１磁性層２２よりキュ
リー温度が高いので，磁化は残ったままである。第2 の
磁性層の磁化が消失すると，第1 の磁性層と第2 の磁性
層の間の交換結合が働かなくなり，第1 の磁性層は本来
の小さな保磁力になる（交換結合が働いていると第１磁
性層の保持力は見掛け上大きくなる。）。そして，その
状態で記録情報に応じて磁界の方向を変調されたコイル
1 による外部磁界を記録媒体に印加すると第1 の磁性層
の磁化がその磁界の方向にならわされて情報の記録が行
われる。
【００１７】この第1の磁性層の磁化方向は，記録媒体
２に照射したレ−ザビ−ムＡの反射光Ｂの磁気光学効果
（カ−効果若しくはファラデ−効果）の変化としてフォ
トダイオ−ド６、７によってリアルタイムで検出され
る。具体的には、コイル１の磁界印加位置に照射された
レ−ザビ−ムＡは記録媒体２から反射しハ−フプリズム
４、偏向ビ−ムスプリッタ５を介してフォトダイオード
6, 7に入射される。そして、フォトダイオード6, 7の出
力が，差動増幅器8 に入力され差動増幅されることによ
って再生信号が取り出される。そして、再生信号はコン
パレ−タ１０で記録情報と比較され、再生信号が記録情
報と一致しなければ一連の記録情報を記録媒体上の同じ
場所若しくは違う場所に再記録する。もし、再生信号が
記録情報と一致すれば再記録は行わない。尚、上記再記
録は一連の情報の記録が終わってからでも再生信号が記
録情報と一致しないことを検知してから直ちにでも構わ
ない。このように、記録媒体の欠陥，劣化，腐食，ある
いは，ゴミ，光磁気記録装置の故障等により正しく記録
が行なえない場合には，再生信号が異常になるので，記
録の確認をすることができる。
２に照射したレ−ザビ−ムＡの反射光Ｂの磁気光学効果
（カ−効果若しくはファラデ−効果）の変化としてフォ
トダイオ−ド６、７によってリアルタイムで検出され
る。具体的には、コイル１の磁界印加位置に照射された
レ−ザビ−ムＡは記録媒体２から反射しハ−フプリズム
４、偏向ビ−ムスプリッタ５を介してフォトダイオード
6, 7に入射される。そして、フォトダイオード6, 7の出
力が，差動増幅器8 に入力され差動増幅されることによ
って再生信号が取り出される。そして、再生信号はコン
パレ−タ１０で記録情報と比較され、再生信号が記録情
報と一致しなければ一連の記録情報を記録媒体上の同じ
場所若しくは違う場所に再記録する。もし、再生信号が
記録情報と一致すれば再記録は行わない。尚、上記再記
録は一連の情報の記録が終わってからでも再生信号が記
録情報と一致しないことを検知してから直ちにでも構わ
ない。このように、記録媒体の欠陥，劣化，腐食，ある
いは，ゴミ，光磁気記録装置の故障等により正しく記録
が行なえない場合には，再生信号が異常になるので，記
録の確認をすることができる。
【００１８】次に、本発明において，保磁力が低く，キ
ュリー温度が高い第1の磁性層と，保磁力が高く，キュ
リー温度が低い第2 の磁性層からなる交換結合した磁性
層を有する記録媒体を用いる理由を次に説明する。図２
は，室温において保磁力が高く，キュリー温度が低い通
常の磁性体を単層で記録媒体として用いた場合について
示している。記録媒体2'にレーザービームＡを照射する
と，媒体の温度が上昇し，磁性層の磁化が消失する。こ
の場合レ−ザビ−ムＡの記録媒体２’からの反射光Ｂは
レ−ザビ−ム照射位置の磁化が消失しているために磁気
光学効果を受けていない。即ち、再生信号はほとんど変
化しない（レーザービームの裾からの反射光によってご
く僅かに変化する）。従って，通常の磁性体を単層で記
録媒体として用いた場合には，記録のために記録媒体の
記録位置に照射したレ−ザビ−ムＡの反射光Ｂによって
記録の確認をすることができない。
ュリー温度が高い第1の磁性層と，保磁力が高く，キュ
リー温度が低い第2 の磁性層からなる交換結合した磁性
層を有する記録媒体を用いる理由を次に説明する。図２
は，室温において保磁力が高く，キュリー温度が低い通
常の磁性体を単層で記録媒体として用いた場合について
示している。記録媒体2'にレーザービームＡを照射する
と，媒体の温度が上昇し，磁性層の磁化が消失する。こ
の場合レ−ザビ−ムＡの記録媒体２’からの反射光Ｂは
レ−ザビ−ム照射位置の磁化が消失しているために磁気
光学効果を受けていない。即ち、再生信号はほとんど変
化しない（レーザービームの裾からの反射光によってご
く僅かに変化する）。従って，通常の磁性体を単層で記
録媒体として用いた場合には，記録のために記録媒体の
記録位置に照射したレ−ザビ−ムＡの反射光Ｂによって
記録の確認をすることができない。
【００１９】このため本発明を実施可能な記録媒体とし
ては，少なくとも，室温において保磁力が低く，キュリ
ー温度が高い第1 の磁性層と，該磁性層に比して保磁力
が高く，キュリー温度が低い第2 の磁性層を有し，前記
第1 の磁性層と第2 の磁性層とが交換結合していること
が必要である。又、本発明の記録媒体としては，以下の
様な種々の構成が考えられる。
ては，少なくとも，室温において保磁力が低く，キュリ
ー温度が高い第1 の磁性層と，該磁性層に比して保磁力
が高く，キュリー温度が低い第2 の磁性層を有し，前記
第1 の磁性層と第2 の磁性層とが交換結合していること
が必要である。又、本発明の記録媒体としては，以下の
様な種々の構成が考えられる。
【００２０】(a) レーザービームが入射される透明基板
／第1 の誘電体層／第1 の磁性層／第2 の磁性層／第2
の誘電体層から構成される記録媒体 第1 の誘電体層は磁性層の保護，および／または干渉効
果により光の反射率を低くして記録感度を高めるととも
に磁気光学効果を高めて再生信号を大きくする働きをす
る。材料としては、窒化シリコン(SiN) などの誘電体が
望ましく，その屈折率と膜厚は使用するレーザーの波長
によって決められる。
／第1 の誘電体層／第1 の磁性層／第2 の磁性層／第2
の誘電体層から構成される記録媒体 第1 の誘電体層は磁性層の保護，および／または干渉効
果により光の反射率を低くして記録感度を高めるととも
に磁気光学効果を高めて再生信号を大きくする働きをす
る。材料としては、窒化シリコン(SiN) などの誘電体が
望ましく，その屈折率と膜厚は使用するレーザーの波長
によって決められる。
【００２１】第1 の磁性層の膜厚はレーザービームが第
2 の磁性層に達しない程度に厚くするのが望ましいが，
厚すぎると第2 の磁性層からの交換結合の効果が小さく
なってしまうので，両者のバランスを考えて決められ
る。
2 の磁性層に達しない程度に厚くするのが望ましいが，
厚すぎると第2 の磁性層からの交換結合の効果が小さく
なってしまうので，両者のバランスを考えて決められ
る。
【００２２】第2 の磁性層の膜厚は記録感度と磁気光学
効果のバランスから決められる。
効果のバランスから決められる。
【００２３】第2 の誘電体層は磁性層の保護をするが，
その必要がない場合には設けなくても良い。
その必要がない場合には設けなくても良い。
【００２４】(b) レーザービームが入射される透明基板
／第1 の誘電体層／第1 の磁性層／第2 の磁性層／第2
の誘電体層／金属層から構成される記録媒体 上述の構成(a) において，第2 の誘電体層の上に金属層
を設け，金属層による熱伝導により記録媒体の記録面の
面内方向における熱応答性を改善したものである。この
場合には，第2 の誘電体層は，磁性層と金属層の間の熱
的な絶縁層として働く。絶縁層が要らない場合には設け
なくても良いし，また，金属層を保護する目的で金属層
の上に第3 の誘電体層を設けても良い。
／第1 の誘電体層／第1 の磁性層／第2 の磁性層／第2
の誘電体層／金属層から構成される記録媒体 上述の構成(a) において，第2 の誘電体層の上に金属層
を設け，金属層による熱伝導により記録媒体の記録面の
面内方向における熱応答性を改善したものである。この
場合には，第2 の誘電体層は，磁性層と金属層の間の熱
的な絶縁層として働く。絶縁層が要らない場合には設け
なくても良いし，また，金属層を保護する目的で金属層
の上に第3 の誘電体層を設けても良い。
【００２５】(c) レーザービームが入射される透明基板
／第1 の誘電体層／薄い第1 の磁性層／薄い第2 の磁性
層／第2 の誘電体層／金属層から構成される記録媒体 構成(b) において，第1 の磁性層と第2 の磁性層を薄く
し，レーザービームが第1 の磁性層，第2 の磁性層を通
過して金属層にまで達するようにしたものである。この
記録媒体の記録時における磁気光学効果は，第2 の磁性
層の磁気光学効果の消失の影響を受けて，構成(a), (b)
に比べて小さくなるが（磁性層が単層の場合に比べれば
まだかなり大きい), 記録感度が改善される効果があ
る。
／第1 の誘電体層／薄い第1 の磁性層／薄い第2 の磁性
層／第2 の誘電体層／金属層から構成される記録媒体 構成(b) において，第1 の磁性層と第2 の磁性層を薄く
し，レーザービームが第1 の磁性層，第2 の磁性層を通
過して金属層にまで達するようにしたものである。この
記録媒体の記録時における磁気光学効果は，第2 の磁性
層の磁気光学効果の消失の影響を受けて，構成(a), (b)
に比べて小さくなるが（磁性層が単層の場合に比べれば
まだかなり大きい), 記録感度が改善される効果があ
る。
【００２６】上記本発明の第1 の磁性層としては，希土
類−鉄族非晶質合金，例えば，Gd-Fe-Co, Tb-Fe-Co, Dy
- Fe-Co, Gd-Tb-Fe-Co, Gd-Dy-Fe-Co, Tb-Dy-Fe-Co, Nd
-Fe-Co, Nd-Gd-Fe-Co, Nd-Tb-Fe-Co, Nd-Dy-Fe-Co, あ
るいは，白金族−鉄族周期構造膜，例えば，Pt/Co, 第2
の磁性層としては，希土類−鉄族非晶質合金，例え
ば，Tb-Fe-Co, Dy-Fe-Co, Tb-Dy-Fe-Co などが望まし
い。
類−鉄族非晶質合金，例えば，Gd-Fe-Co, Tb-Fe-Co, Dy
- Fe-Co, Gd-Tb-Fe-Co, Gd-Dy-Fe-Co, Tb-Dy-Fe-Co, Nd
-Fe-Co, Nd-Gd-Fe-Co, Nd-Tb-Fe-Co, Nd-Dy-Fe-Co, あ
るいは，白金族−鉄族周期構造膜，例えば，Pt/Co, 第2
の磁性層としては，希土類−鉄族非晶質合金，例え
ば，Tb-Fe-Co, Dy-Fe-Co, Tb-Dy-Fe-Co などが望まし
い。
【００２７】第1 の磁性層の保磁力は1 kOe 程度以下が
望ましい。また，第2 の磁性層の保磁力は数kOe 以上，
望ましくは5kOe 以上，より望ましくは10 kOe以上に設
定される。
望ましい。また，第2 の磁性層の保磁力は数kOe 以上，
望ましくは5kOe 以上，より望ましくは10 kOe以上に設
定される。
【００２８】第1 の磁性層のキュリー温度は200 ℃以
上，より望ましくは300 ℃以上，第2の磁性層のキュリ
ー温度は200 ℃以下が望ましい。
上，より望ましくは300 ℃以上，第2の磁性層のキュリ
ー温度は200 ℃以下が望ましい。
【００２９】第1 の磁性層と第2 の磁性層にはCr, Al,
Ti, Pt, Nbなどの耐食性改善のための元素添加を行なっ
ても良い。添加量としては，全体に対して，1 atm.% か
ら10atm.%程度，望ましくは2 atm.% から6 atm.% 程度
が良い。このときCrなどの磁気光学効果を低下させるよ
うな元素を添加する場合には，第1 の磁性層には多量の
Coと少量のCrを添加し，第2の磁性層には少量のCoと多
量のCrを添加すると良い。
Ti, Pt, Nbなどの耐食性改善のための元素添加を行なっ
ても良い。添加量としては，全体に対して，1 atm.% か
ら10atm.%程度，望ましくは2 atm.% から6 atm.% 程度
が良い。このときCrなどの磁気光学効果を低下させるよ
うな元素を添加する場合には，第1 の磁性層には多量の
Coと少量のCrを添加し，第2の磁性層には少量のCoと多
量のCrを添加すると良い。
【００３０】次に、本発明の記録媒体の各磁性層の磁化
反転磁界の温度依存性について述べる。
反転磁界の温度依存性について述べる。
【００３１】以下の例では，Gd-Fe-Co-Cr は，Gdターゲ
ットとFe68Co29Cr3 ターゲットを用いた同時スパッタ法
により，Tb-Fe-Co-Cr は，TbターゲットとFe83Co12Cr5
ターゲットを用いた同時スパッタ法により作製した。
ットとFe68Co29Cr3 ターゲットを用いた同時スパッタ法
により，Tb-Fe-Co-Cr は，TbターゲットとFe83Co12Cr5
ターゲットを用いた同時スパッタ法により作製した。
【００３２】Tb-Fe-Co-Cr 層のキュリー温度は約190 ℃
程度，Gd-Fe-Co-Cr 層のキュリー温度は推定300 ℃以上
である。
程度，Gd-Fe-Co-Cr 層のキュリー温度は推定300 ℃以上
である。
【００３３】図３には，第1 の誘電体層SiN(屈折率2.2
5，膜厚516 A)／第1 の磁性層Gd-Fe-Co-Cr (Fe-Co副格
子磁化優勢，飽和磁化100 emu/cm3, 膜厚400 A)／第2
の磁性層Tb-Fe-Co-Cr (Fe-Co副格子磁化優勢，飽和磁化
100 emu/cm3, 膜厚400 A)／第2の誘電体層SiN(屈折率2.
25，膜厚700 A)からなる記録媒体 (前記構成(a))の各磁
性層の磁化反転磁界の温度依存性を示す。ここで，△は
Tb-Fe-Co-Cr 層の磁化反転磁界，●はGd-Fe-Co-Cr 層の
磁化反転磁界である。
5，膜厚516 A)／第1 の磁性層Gd-Fe-Co-Cr (Fe-Co副格
子磁化優勢，飽和磁化100 emu/cm3, 膜厚400 A)／第2
の磁性層Tb-Fe-Co-Cr (Fe-Co副格子磁化優勢，飽和磁化
100 emu/cm3, 膜厚400 A)／第2の誘電体層SiN(屈折率2.
25，膜厚700 A)からなる記録媒体 (前記構成(a))の各磁
性層の磁化反転磁界の温度依存性を示す。ここで，△は
Tb-Fe-Co-Cr 層の磁化反転磁界，●はGd-Fe-Co-Cr 層の
磁化反転磁界である。
【００３４】Fe-Co 副格子磁化優勢，飽和磁化100 emu/
cm3 のGd-Fe-Co-Cr 膜は，よく知られているように，そ
の保磁力は単独では数10 Oe 程度しかない。図３に示す
ように，Tb-Fe-Co- Cr層と交換結合することによって，
Gd-Fe-Co-Cr 層の磁化反転磁界は数kOe 程度に上昇して
いる。温度が上昇してTb-Fe-Co-Cr のキュリー温度に近
づくと，Tb-Fe-Co-Cr 層とGd- Fe-Co-Cr層の磁化反転磁
界が低下していく。Tb-Fe-Co-Cr がキュリー温度に達す
ると，Tb-Fe-Co-Cr 層の磁化が消失し、Gd-Fe-Co-Cr 層
にTb-Fe-Co-Cr 層からの交換力が働かなくなり，Gd-Fe-
Co-Cr 層の磁化反転磁界は本来の小さなものとなる。即
ち、この状態で外部磁化により容易に磁化の反転が可能
となる。
cm3 のGd-Fe-Co-Cr 膜は，よく知られているように，そ
の保磁力は単独では数10 Oe 程度しかない。図３に示す
ように，Tb-Fe-Co- Cr層と交換結合することによって，
Gd-Fe-Co-Cr 層の磁化反転磁界は数kOe 程度に上昇して
いる。温度が上昇してTb-Fe-Co-Cr のキュリー温度に近
づくと，Tb-Fe-Co-Cr 層とGd- Fe-Co-Cr層の磁化反転磁
界が低下していく。Tb-Fe-Co-Cr がキュリー温度に達す
ると，Tb-Fe-Co-Cr 層の磁化が消失し、Gd-Fe-Co-Cr 層
にTb-Fe-Co-Cr 層からの交換力が働かなくなり，Gd-Fe-
Co-Cr 層の磁化反転磁界は本来の小さなものとなる。即
ち、この状態で外部磁化により容易に磁化の反転が可能
となる。
【００３５】このような磁性材料を用いることにより，
本願発明の光磁気記録方式を実現できる。
本願発明の光磁気記録方式を実現できる。
【００３６】図４には，他の例として，第1 の誘電体層
SiN(屈折率2.25，膜厚516 A)／第1の磁性層Gd-Fe-Co-Cr
(Fe-Co 副格子磁化優勢，飽和磁化100 emu/cm3, 膜厚40
0 A)／第2 の磁性層Tb-Fe-Co-Cr(飽和磁化0 emu/cm3,
膜厚400 A)／第2 の誘電体層SiN(屈折率2.25，膜厚700
A)からなる記録媒体の各磁性層の磁化反転磁界の温度依
存性を示す。
SiN(屈折率2.25，膜厚516 A)／第1の磁性層Gd-Fe-Co-Cr
(Fe-Co 副格子磁化優勢，飽和磁化100 emu/cm3, 膜厚40
0 A)／第2 の磁性層Tb-Fe-Co-Cr(飽和磁化0 emu/cm3,
膜厚400 A)／第2 の誘電体層SiN(屈折率2.25，膜厚700
A)からなる記録媒体の各磁性層の磁化反転磁界の温度依
存性を示す。
【００３７】図５には，他の例として，第1 の誘電体層
SiN(屈折率2.25，膜厚516 A)／第1の磁性層Gd-Fe-Co-Cr
(Fe-Co 副格子磁化優勢，飽和磁化100 emu/cm3, 膜厚40
0 A)／第2 の磁性層Tb-Fe-Co-Cr(Tb副格子磁化優勢，飽
和磁化100 emu/cm3, 膜厚400 A)／第2 の誘電体層SiN
(屈折率2.25，膜厚700 A)からなる記録媒体の各磁性層
の磁化反転磁界の温度依存性を示す。
SiN(屈折率2.25，膜厚516 A)／第1の磁性層Gd-Fe-Co-Cr
(Fe-Co 副格子磁化優勢，飽和磁化100 emu/cm3, 膜厚40
0 A)／第2 の磁性層Tb-Fe-Co-Cr(Tb副格子磁化優勢，飽
和磁化100 emu/cm3, 膜厚400 A)／第2 の誘電体層SiN
(屈折率2.25，膜厚700 A)からなる記録媒体の各磁性層
の磁化反転磁界の温度依存性を示す。
【００３８】図６には，他の例として，第1 の誘電体層
SiN(屈折率2.25，膜厚516 A)／第1の磁性層Gd-Fe-Co-Cr
(Fe-Co 副格子磁化優勢，飽和磁化100 emu/cm3, 膜厚40
0 A)／第2 の磁性層Tb-Fe-Co-Cr(Tb副格子磁化優勢，飽
和磁化200 emu/cm3, 膜厚400 A)／第2 の誘電体層SiN
(屈折率2.25，膜厚700 A)からなる記録媒体の各磁性層
の磁化反転磁界の温度依存性を示す。
SiN(屈折率2.25，膜厚516 A)／第1の磁性層Gd-Fe-Co-Cr
(Fe-Co 副格子磁化優勢，飽和磁化100 emu/cm3, 膜厚40
0 A)／第2 の磁性層Tb-Fe-Co-Cr(Tb副格子磁化優勢，飽
和磁化200 emu/cm3, 膜厚400 A)／第2 の誘電体層SiN
(屈折率2.25，膜厚700 A)からなる記録媒体の各磁性層
の磁化反転磁界の温度依存性を示す。
【００３９】図７には，他の例として，第1 の誘電体層
SiN(屈折率2.25，膜厚516 A)／第1の磁性層Gd-Fe-Co-Cr
(Fe-Co 副格子磁化優勢，飽和磁化50 emu/cm3, 膜厚400
A)／第2 の磁性層Tb-Fe-Co-Cr(Tb副格子磁化優勢，飽
和磁化100 emu/cm3, 膜厚400A)／第2 の誘電体層SiN(屈
折率2.25，膜厚700 A)からなる記録媒体の各磁性層の磁
化反転磁界の温度依存性を示す。
SiN(屈折率2.25，膜厚516 A)／第1の磁性層Gd-Fe-Co-Cr
(Fe-Co 副格子磁化優勢，飽和磁化50 emu/cm3, 膜厚400
A)／第2 の磁性層Tb-Fe-Co-Cr(Tb副格子磁化優勢，飽
和磁化100 emu/cm3, 膜厚400A)／第2 の誘電体層SiN(屈
折率2.25，膜厚700 A)からなる記録媒体の各磁性層の磁
化反転磁界の温度依存性を示す。
【００４０】図８には，他の例として，第1 の誘電体層
SiN(屈折率2.25，膜厚516 A)／第1の磁性層Gd-Fe-Co-Cr
(Fe-Co 副格子磁化優勢，飽和磁化150 emu/cm3, 膜厚4
00A)／第2 の磁性層Tb-Fe-Co-Cr(Tb副格子磁化優勢，飽
和磁化100 emu/cm3, 膜厚400 A)／第2 の誘電体層SiN
(屈折率2.25，膜厚700 A)からなる記録媒体の各磁性層
の磁化反転磁界の温度依存性を示す。
SiN(屈折率2.25，膜厚516 A)／第1の磁性層Gd-Fe-Co-Cr
(Fe-Co 副格子磁化優勢，飽和磁化150 emu/cm3, 膜厚4
00A)／第2 の磁性層Tb-Fe-Co-Cr(Tb副格子磁化優勢，飽
和磁化100 emu/cm3, 膜厚400 A)／第2 の誘電体層SiN
(屈折率2.25，膜厚700 A)からなる記録媒体の各磁性層
の磁化反転磁界の温度依存性を示す。
【００４１】次に、各磁性層の磁気光学効果の温度依存
性について述べる。
性について述べる。
【００４２】以下の例では，Gd-Fe-Co-Cr は，Gd50Co50
ターゲットとFe93Co4Cr3ターゲットを用いた同時スパッ
タ法により，Tb-Fe-Co-Cr は，TbターゲットとFe93Co4C
r3ターゲットを用いた同時スパッタ法により作製した。
ターゲットとFe93Co4Cr3ターゲットを用いた同時スパッ
タ法により，Tb-Fe-Co-Cr は，TbターゲットとFe93Co4C
r3ターゲットを用いた同時スパッタ法により作製した。
【００４３】Tb-Fe-Co-Cr 層のキュリー温度は約160 ℃
程度，Gd-Fe-Co-Cr 層のキュリー温度は推定300 ℃以上
である。
程度，Gd-Fe-Co-Cr 層のキュリー温度は推定300 ℃以上
である。
【００４４】本願発明の光磁気記録方式に用いられる記
録媒体では，磁性層の磁化反転磁界の温度変化とともに
その磁気光学効果の温度変化も重要である。
録媒体では，磁性層の磁化反転磁界の温度変化とともに
その磁気光学効果の温度変化も重要である。
【００４５】第1 の誘電体層SiN(屈折率2.3, 膜厚750
A)／第1 の磁性層Gd-Fe-Co-Cr(Fe-Co 副格子磁化優勢，
飽和磁化100 emu/cm3, 膜厚300A)／第2 の磁性層Tb-Fe-
Co-Cr(Fe-Co 副格子磁化優勢，飽和磁化200 emu/cm3,
膜厚500 A)／第2 の誘電体層SiN(屈折率2.3, 膜厚700
A)からなる記録媒体 (前記構成(a))の磁気光学効果の温
度依存性を図９に示す。ここで，R は光の強度反射
率，αはα = (θK 2＋γK 2)1/2 (θK ：カー回転角，γ
K ：カー楕円率）である。
A)／第1 の磁性層Gd-Fe-Co-Cr(Fe-Co 副格子磁化優勢，
飽和磁化100 emu/cm3, 膜厚300A)／第2 の磁性層Tb-Fe-
Co-Cr(Fe-Co 副格子磁化優勢，飽和磁化200 emu/cm3,
膜厚500 A)／第2 の誘電体層SiN(屈折率2.3, 膜厚700
A)からなる記録媒体 (前記構成(a))の磁気光学効果の温
度依存性を図９に示す。ここで，R は光の強度反射
率，αはα = (θK 2＋γK 2)1/2 (θK ：カー回転角，γ
K ：カー楕円率）である。
【００４６】比較のために，第1 の誘電体層SiN(屈折率
2.3, 膜厚750 A)／磁性層Tb-Fe-Co-Cr(Fe- Co副格子磁
化優勢，飽和磁化200 emu/cm3, 膜厚800 A)／第2 の誘
電体層SiN(屈折率2.3,膜厚700 A)からなる記録媒体の磁
気光学効果の温度依存性を図９に示す。ではTb- Fe
-Co-Crのキュリー温度約160 ℃に向かってRαが単調に
減少していき，キュリー温度（すなわち記録温度）で R
αが0 となっている。このような媒体では，図２に示す
ように記録時に，記録用の光ビームの反射光を用いて記
録の確認を行なうことができない。
2.3, 膜厚750 A)／磁性層Tb-Fe-Co-Cr(Fe- Co副格子磁
化優勢，飽和磁化200 emu/cm3, 膜厚800 A)／第2 の誘
電体層SiN(屈折率2.3,膜厚700 A)からなる記録媒体の磁
気光学効果の温度依存性を図９に示す。ではTb- Fe
-Co-Crのキュリー温度約160 ℃に向かってRαが単調に
減少していき，キュリー温度（すなわち記録温度）で R
αが0 となっている。このような媒体では，図２に示す
ように記録時に，記録用の光ビームの反射光を用いて記
録の確認を行なうことができない。
【００４７】他の例として，第1 の誘電体層SiN(屈折率
2.0, 膜厚1020 A) ／第1 の磁性層Gd-Fe-Co-Cr(Fe-Co
副格子磁化優勢，飽和磁化100 emu/cm3, 膜厚100 A)／
第2の磁性層Tb-Fe-Co-Cr(Fe-Co 副格子磁化優勢，飽和
磁化200 emu/cm3, 膜厚100A)／第2 の誘電体層SiN(屈
折率2.0, 膜厚300 A)／金属層Al-Cr(膜厚450 A)からな
る記録媒体 (前記構成(c))の磁気光学効果の温度依存性
を図９に示す。
2.0, 膜厚1020 A) ／第1 の磁性層Gd-Fe-Co-Cr(Fe-Co
副格子磁化優勢，飽和磁化100 emu/cm3, 膜厚100 A)／
第2の磁性層Tb-Fe-Co-Cr(Fe-Co 副格子磁化優勢，飽和
磁化200 emu/cm3, 膜厚100A)／第2 の誘電体層SiN(屈
折率2.0, 膜厚300 A)／金属層Al-Cr(膜厚450 A)からな
る記録媒体 (前記構成(c))の磁気光学効果の温度依存性
を図９に示す。
【００４８】図９の比較のために，第1 の誘電体層Si
N(屈折率2.0, 膜厚1020 A) ／磁性層Tb- Fe-Co-Cr(Fe-
Co副格子磁化優勢，飽和磁化200 emu/cm3,膜厚200 A)／
第2 の誘電体層SiN(屈折率2.0, 膜厚300 A)／金属層Al
-Cr(膜厚450 A)からなる記録媒体の磁気光学効果の温度
依存性を図９に示す。やはり，キュリー温度（すなわ
ち記録温度）で Rαが0 となり，本願発明を達成できな
い。
N(屈折率2.0, 膜厚1020 A) ／磁性層Tb- Fe-Co-Cr(Fe-
Co副格子磁化優勢，飽和磁化200 emu/cm3,膜厚200 A)／
第2 の誘電体層SiN(屈折率2.0, 膜厚300 A)／金属層Al
-Cr(膜厚450 A)からなる記録媒体の磁気光学効果の温度
依存性を図９に示す。やはり，キュリー温度（すなわ
ち記録温度）で Rαが0 となり，本願発明を達成できな
い。
【００４９】他の例として，第1 の誘電体層SiN(屈折率
2.3, 膜厚940 A)／第1 の磁性層Gd-Fe-Co- Cr(Fe-Co副
格子磁化優勢，飽和磁化150 emu/cm3,膜厚100 A)／第2
の磁性層Tb-Fe-Co- Cr(Fe-Co副格子磁化優勢，飽和磁化
200 emu/cm3, 膜厚200 A)／第2 の誘電体層SiN(屈折率
2.3, 膜厚300 A)／金属層Al-Cr(膜厚450 A)からなる記
録媒体 (前記構成(c))の磁気光学効果の温度依存性を図
９に示す。
2.3, 膜厚940 A)／第1 の磁性層Gd-Fe-Co- Cr(Fe-Co副
格子磁化優勢，飽和磁化150 emu/cm3,膜厚100 A)／第2
の磁性層Tb-Fe-Co- Cr(Fe-Co副格子磁化優勢，飽和磁化
200 emu/cm3, 膜厚200 A)／第2 の誘電体層SiN(屈折率
2.3, 膜厚300 A)／金属層Al-Cr(膜厚450 A)からなる記
録媒体 (前記構成(c))の磁気光学効果の温度依存性を図
９に示す。
【００５０】以上の様に本発明で適用可能な光磁気記録
媒体の層構成は少なくとも，室温において保磁力が低
く，キュリー温度が高い第1 の磁性層と，該磁性層に比
して保磁力が高く，キュリー温度が低い第2 の磁性層を
有し，前記第1 の磁性層と第2の磁性層とが交換結合し
ているものであることが分かる。
媒体の層構成は少なくとも，室温において保磁力が低
く，キュリー温度が高い第1 の磁性層と，該磁性層に比
して保磁力が高く，キュリー温度が低い第2 の磁性層を
有し，前記第1 の磁性層と第2の磁性層とが交換結合し
ているものであることが分かる。
【００５１】［実験例］図９の記録媒体を用いて，図
１に示す方法により実験を行なった。
１に示す方法により実験を行なった。
【００５２】レーザー波長780 nm，レンズ開口数0.53の
評価機を用いて，基板回転数1800 rpm，ディスク半径32
mm の場所に，レーザーパワー5 mWで3 MHz の信号を記
録した。その後，1 MHz の信号を記録しながら，その反
射光を検出し観察したところ，図１０に示すような信号
が得られた。3 MHz の信号が混入しているものの1 MHz
の信号がきれいに再生されているのが分かる。
評価機を用いて，基板回転数1800 rpm，ディスク半径32
mm の場所に，レーザーパワー5 mWで3 MHz の信号を記
録した。その後，1 MHz の信号を記録しながら，その反
射光を検出し観察したところ，図１０に示すような信号
が得られた。3 MHz の信号が混入しているものの1 MHz
の信号がきれいに再生されているのが分かる。
【００５３】次に，1 MHz の信号を記録した後，3 MHz
の信号を記録しながら，その反射光を検出し観察したと
ころ，図１１に示すような信号が得られた。1 MHz の信
号が混在しているものの3 MHz の信号がきれいに再生さ
れているのが分かる。
の信号を記録しながら，その反射光を検出し観察したと
ころ，図１１に示すような信号が得られた。1 MHz の信
号が混在しているものの3 MHz の信号がきれいに再生さ
れているのが分かる。
【００５４】
【発明の効果】以上のように、本発明は少なくとも，室
温において保磁力が低く，キュリー温度が高い第1 の磁
性層と，該磁性層に比して保磁力が高く，キュリー温度
が低い第2 の磁性層を有し，前記第1 の磁性層と第2 の
磁性層とが交換結合している記録媒体を用いて，記録時
に，記録用の光ビームの反射光を用いることにより，従
来の光学系を用いて記録の確認を行なうことができる。
温において保磁力が低く，キュリー温度が高い第1 の磁
性層と，該磁性層に比して保磁力が高く，キュリー温度
が低い第2 の磁性層を有し，前記第1 の磁性層と第2 の
磁性層とが交換結合している記録媒体を用いて，記録時
に，記録用の光ビームの反射光を用いることにより，従
来の光学系を用いて記録の確認を行なうことができる。
【図１】本願発明の光磁気記録方式の一例を示している
図，
図，
【図２】従来の光磁気記録方式を示している図，
【図３】本発明の光磁気記録方式に用いられる光磁気記
録媒体の磁化反転磁界の温度依存性の一例を示す図。
録媒体の磁化反転磁界の温度依存性の一例を示す図。
【図４】本発明の光磁気記録方式に用いられる光磁気記
録媒体の磁化反転磁界の温度依存性の他の例を示す図。
録媒体の磁化反転磁界の温度依存性の他の例を示す図。
【図５】本発明の光磁気記録方式に用いられる光磁気記
録媒体の磁化反転磁界の温度依存性の他の例を示す図。
録媒体の磁化反転磁界の温度依存性の他の例を示す図。
【図６】本発明の光磁気記録方式に用いられる光磁気記
録媒体の磁化反転磁界の温度依存性の他の例を示す図。
録媒体の磁化反転磁界の温度依存性の他の例を示す図。
【図７】本発明の光磁気記録方式に用いられる光磁気記
録媒体の磁化反転磁界の温度依存性の他の例を示す図。
録媒体の磁化反転磁界の温度依存性の他の例を示す図。
【図８】本発明の光磁気記録方式に用いられる光磁気記
録媒体の磁化反転磁界の温度依存性の他の例を示す図。
録媒体の磁化反転磁界の温度依存性の他の例を示す図。
【図９】本発明の光磁気記録方式に用いられる光磁気記
録媒体と他の光磁気記録媒体の磁気光学効果の温度依存
性の一例を示す図。
録媒体と他の光磁気記録媒体の磁気光学効果の温度依存
性の一例を示す図。
【図１０】本発明の光磁気記録方式において，記録時
に，記録用の光ビームの反射光の検出波形を示している
図である。
に，記録用の光ビームの反射光の検出波形を示している
図である。
【図１１】本発明の光磁気記録方式において，記録時
に，記録用の光ビームの反射光の検出波形を示している
図である。
に，記録用の光ビームの反射光の検出波形を示している
図である。
1 外部磁界を印加するためのコイル 2 記録媒体 21 第1 の磁性層 22 第2 の磁性層 3 半導体レーザー 4 ハーフプリズム 5 偏光ビームスプリッター 6, 7フォトダイオード 8 差動増幅器 9 記録情報 2' 記録媒体
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 室温において保磁力が低く，キュリー温
度が高い第1 の磁性層と，前記第１磁性層と交換結合す
ると共に前記第１磁性層に比して保磁力が高く，キュリ
ー温度が低い第2 の磁性層を有する光磁気記録媒体に一
定強度の光ビ−ムを照射しながら記録情報に応じて変調
された磁界を印加することにより情報の記録を行うと共
に、前記光ビームの反射光を用いて記録情報の確認を行
なうことを特徴とする光磁気記録方式。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3175159A JPH0520720A (ja) | 1991-07-16 | 1991-07-16 | 光磁気記録方式 |
| EP19920306408 EP0523944A3 (en) | 1991-07-16 | 1992-07-14 | Magneto optical recording medium and method |
| EP97202863A EP0818783A3 (en) | 1991-07-16 | 1992-07-14 | Magneto optical recording medium and method |
| CA002073924A CA2073924C (en) | 1991-07-16 | 1992-07-15 | Magneto-optical recording method using a magneto-optical recording medium having two or more magnetic layers to allow recording and reproduction to be effected simultaneously and magneto-optical recording medium used in the method |
| AU20308/92A AU660315B2 (en) | 1991-07-16 | 1992-07-15 | Magneto-optical recording method using a magneto-optical recording medium having two or more magnetic layers to allow recording and reproduction to be effected simultaneously and magneto-optical recording medium used in the method |
| KR1019920012709A KR960016891B1 (ko) | 1991-07-16 | 1992-07-16 | 광자기기록방식 |
| US08/257,453 US5428586A (en) | 1991-07-16 | 1994-06-08 | Magneto-optical recording method using a magneto-optical recording medium having two or more magnetic layers to allow recording and reproduction to be effected simultaneously and magneto-optical recording medium used in the method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3175159A JPH0520720A (ja) | 1991-07-16 | 1991-07-16 | 光磁気記録方式 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0520720A true JPH0520720A (ja) | 1993-01-29 |
Family
ID=15991296
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3175159A Pending JPH0520720A (ja) | 1991-07-16 | 1991-07-16 | 光磁気記録方式 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0520720A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5406533A (en) * | 1992-08-26 | 1995-04-11 | Pioneer Electronic Corporation | Information signal recording apparatus |
| US5563851A (en) * | 1991-11-19 | 1996-10-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Magneto-optical recording apparatus capable of reproducing recording information while recording |
| US5793713A (en) * | 1995-10-19 | 1998-08-11 | Nec Corporation | Magneto-optical recording device and method for judging the recorded signals by detecting magnetization states |
| US5862105A (en) * | 1994-03-16 | 1999-01-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Information recording method capable of verifying recorded information simultaneously with recording, and magneto-optical recording medium used in the method |
-
1991
- 1991-07-16 JP JP3175159A patent/JPH0520720A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5563851A (en) * | 1991-11-19 | 1996-10-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Magneto-optical recording apparatus capable of reproducing recording information while recording |
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| US5793713A (en) * | 1995-10-19 | 1998-08-11 | Nec Corporation | Magneto-optical recording device and method for judging the recorded signals by detecting magnetization states |
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