JPH11134732A - 情報記録再生方法 - Google Patents

情報記録再生方法

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JPH11134732A
JPH11134732A JP10234246A JP23424698A JPH11134732A JP H11134732 A JPH11134732 A JP H11134732A JP 10234246 A JP10234246 A JP 10234246A JP 23424698 A JP23424698 A JP 23424698A JP H11134732 A JPH11134732 A JP H11134732A
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Hidekazu Fujii
英一 藤井
Yasuyuki Miyaoka
康之 宮岡
Tsutomu Shiratori
力 白鳥
Masakuni Yamamoto
昌邦 山本
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 1ビームによる磁壁移動再生では再生用スポ
ットの前方からと後方からの磁壁の移動が同時に検出さ
れるため、情報を正確に再生できない。 【解決手段】 1つの再生用スポットを記録媒体に照射
して磁壁移動再生を行う場合、記録マークの再生方向に
沿った長さが最大でも0.2μm以下となるように情報
を記録する。また、記録マークの再生方向に沿った長さ
が最大でも再生用光ビームのスポット径の0.18倍以
下となるように情報を記録する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、記録媒体に情報を
記録、再生する情報記録再生方法、特に、磁壁移動再生
を用いた方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、光磁気ディスクを記録媒体として
用いた光磁気情報記録再生装置は、可搬性があること、
記憶容量が大きいこと、消去書き換えが可能なことなど
により大きな期待が寄せられている。図11はこのよう
な光磁気記録情報再生装置の光ヘッドを示した図であ
る。図11において、15は光源である半導体レーザで
あり、半導体レーザ15から射出された発散光束はコリ
メータレンズ16で平行化された後、ビーム整形プリズ
ム17で断面円形状の平行光束に修正される。この場
合、お互いに直交している直線偏光成分をP偏光、S偏
光とし、この平行光束をP偏光の直線偏光(ここでは、
紙面に平行方向の直線偏光)とする。
【0003】このP偏光の光束は、偏光ビームスプリッ
タ18に入射する。偏光ビームスプリッタの特性として
は、例えばP偏光の透過率は60%、反射率は40%、
S偏光の透過率は0%、反射率は100%である。偏光
ビームスプリッタ18を透過したP偏光の光束は、対物
レンズ19で集光され、光磁気ディスク20の磁性層上
に光スポットとして照射される。また、この光スポット
照射部に磁気ヘッド21から外部磁界が印加され、光ス
ポットの照射と外部磁界の印加によって磁性層上に磁区
(マーク)が記録される。
【0004】光磁気ディスク20からの反射光は、対物
レンズ19を介して偏光ビームスプリッタ18に戻さ
れ、ここで反射光の一部が分離されて再生光学系へもた
らされる。再生光学系では、分離光束を別に用意された
偏光ビームスプリッタ22で更に分離する。偏光ビーム
スプリッタ22の特性としては、例えばP偏光の透過率
は20%、反射率は80%、S偏光の透過率は0%、反
射率は100%である。偏光ビームスプリッタ22で分
離された一方の光束は、集光レンズ28を介してハーフ
プリズム29へ導かれ、ここで2つに分離されて一方が
光検出器30に、他方がナイフエッジ31を介して光検
出器32に導かれる。そして、これらの制御光学系によ
り光スポットのオートトラッキングやオートフォーカシ
ングのためのエラー信号が生成される。
【0005】また、偏光ビームスプリッタ22で分離さ
れた他方の光束は、光束の偏光方向を45度回転させる
ための1/2波長板23、光束を集光する集光レンズ2
4、偏光ビームスプリッタ25、偏光ビームスプリッタ
25より分離された光束をそれぞれ検出するための光検
出器26及び27に導かれ情報が再生される。偏光ビー
ムスプリッタ25の特性としては、P偏光の透過率は1
00%、反射率は0%、S偏光の透過率は0%、反射率
は100%である。光検出器26と27で検出された信
号は、差動アンプ(不図示)で差動検出することで、再
生信号が生成される。
【0006】ここで、光磁気媒体においては、垂直磁化
の方向の違いにより情報を記録している。この磁化の方
向の違いにより情報が記録された光磁気媒体に直線偏光
を照射すると、その反射光の偏光方向は磁化の方向の違
いにより右回りか左回りかに回転する。例えば、光磁気
媒体に入射する直線偏光の偏光方向を図12に示すよう
に座標軸P方向とし、下向き磁化に対する反射光は+θ
k回転したR+、上向き磁化に対する反射光は−θk回
転したR−とし、また、図12に示すような方向に検光
子を置くと、検光子を透過してくる光は、R+に対して
A、R−に対してBとなり、これを光検出器で検出する
と、光強度の差として情報を得ることができる。図11
の例では偏光ビームスプリッタ25が検光子の役目をし
ていて、分離した一方の光束に対し、P軸から+45
度、他方の光束に対し、P軸から−45度の方向の検光
子となる。つまり、光検出器26と27で得られる信号
成分は逆相となるので、個々の信号を差動検出すること
で、ノイズが軽減された再生信号を得ることができる。
【0007】ところで、最近では、この光磁気媒体の記
録密度を高める要求が高まってきている。一般に、光磁
気媒体等の光ディスクの記録密度は再生光学系のレーザ
波長及び対物レンズのNA(開口数)に依存する。即
ち、再生光学系のレーザ波長λと対物レンズのNAが決
まると光スポットの径が決まるため、再生可能な磁区の
大きさはλ/2NA程度が限界となってしまう。従っ
て、従来の光ディスクでは高密度化を実現するために
は、再生光学系のレーザ波長を短くするか、あるいは対
物レンズのNAを大きくする必要があった。しかし、レ
ーザ波長や対物レンズのNAの改善にも限度があるた
め、記録媒体の構成や読み取り方法を工夫し、記録密度
を改善する技術が開発されている。
【0008】例えば、特開平6−290496号公報に
おいては、複数の磁性層を積層してなる光磁気媒体上の
トラックに光スポットを走査することによって、第1の
磁性層に垂直磁化として記録されている磁区(マーク)
を交換結合力を調整するための第2の磁性層を挟んで配
置された第3の磁性層に転写し、第3の磁性層に転写さ
れた磁区の磁壁を移動させることにより、第1の磁性層
に記録されている磁区(マーク)よりも大きくしてから
再生信号を得るという磁壁移動再生方式が提案されてい
る。
【0009】図13は磁壁移動再生方法の原理を説明す
るための図である。図13(a)は光磁気媒体の磁性層
の断面図、図13(b)は光スポットが入射する側から
見た平面図である。図中33は、光磁気媒体であるとこ
ろの光磁気ディスクである。また、34は第1の磁性層
であり、磁区(マーク)として情報を記録する記録層で
ある(記録層)。35は第2の磁性層であり、記録層3
4と36の第3の磁性層との間の交換結合力を調整する
ための調整層である(調整層)。第3の磁性層36は記
録層34に記録されている磁区を転写し、更に調整層3
5の働きと光スポットによる熱分布とを利用して転写し
た磁区の磁壁を移動させることにより、記録層34に記
録されている磁区の大きさよりも大きくする再生層であ
る(再生層)。
【0010】これらの磁性層は室温において交換結合
し、第1の磁性層34は周囲温度近傍の温度において第
3の磁性層36に比べて相対的に磁壁抗磁力が小さく磁
壁移動度が大きい。また、第2の磁性層35は第1、第
3の磁性層よりもキュリー温度が低い磁性膜からなって
いる。37は再生用の光スポットを表わし、38は光磁
気ディスク33上の再生をしようとしている目的のトラ
ックである。記録層34と調整層35と再生層36の各
層中の矢印は原子スピンの向きを表わし、スピンの向き
が相互に逆向きの領域部には39等の磁壁が形成されて
いる。また、40は再生層36に転写された磁区の移動
しようとする磁壁を示している。
【0011】図13(c)はこの光磁気ディスク33に
形成される温度分布を示している。磁壁移動再生は1つ
の光スポットを用いても2つの光スポットを用いても原
理的には可能であるが、ここでは説明を簡単にするため
に、2つの光スポットを用いて再生を行うものとする。
図13には再生信号に寄与する光スポットのみを示して
ある。2つ目の光スポット(不図示)は図13(c)の
温度分布を形成するために照射される。今、位置Xsで
光磁気ディスク33上の温度が調整層35のキュリー温
度近傍のTsになっているものとする。図13(a)の
41で示す斜線部はキュリー温度以上になっている領域
を示している。
【0012】図13(d)は図13(c)の温度分布に
対応する再生層36の磁壁エネルギー密度σ1の分布を
示すグラフである。このようにX方向に磁壁エネルギー
密度σ1の勾配があると、位置Xに存在する各層の磁壁
に対して図中に示す力F1が作用し、この力F1は磁壁
エネルギーの低い方に磁壁を移動させるように作用す
る。再生層36は磁壁抗磁力が小さく磁壁移動度が大き
いので、単独ではこの力F1によって容易に磁壁が移動
する。しかし、位置Xsより手前(図13では右側)の
領域ではまだ光磁気ディスク33の温度がTsより低
く、磁壁抗磁力の大きな記録層34との交換結合によ
り、記録層34中の磁壁の位置に対応した位置に再生層
36中の磁壁も固定されることになる。
【0013】ここでは、図13(a)に示すように磁壁
40が媒体の位置Xsにあるとし、また、位置Xsにお
いて光磁気ディスク33の温度が調整層35のキュリー
温度近傍のTsまで上昇し、再生層36と記録層34と
の間の交換結合が切断されるとする。この結果、再生層
36中の磁壁40は矢印Bで示すようにより温度が高く
磁壁エネルギー密度の小さな領域へと瞬間的に移動す
る。従って、再生用の光スポット37が通過すると、ス
ポット内の再生層36の原子スピンは図13(b)に示
すように全て一方向に揃う。そして、媒体の移動に伴っ
て磁壁40(または39等)が瞬間的に移動し、光スポ
ット内の原子スピンの向きが反転し、全て一方向に揃
う。
【0014】光磁気ディスク33からの反射光は図11
で示した従来の光ヘッドと同様の差動検出により再生信
号が検出される。但し、光スポットによって再生される
信号は記録層34に記録されている磁区の大きさによら
ず常に一定な振幅になり、光学的な回折限界に起因する
波形干渉の問題から解放される。つまり、磁壁移動再生
を用いることにより、レーザ波長λと対物レンズのNA
から決まる分解能限界のλ/2NA程度よりも小さな磁
区(マーク)の再生が行え、サブミクロンの線密度の再
生が可能となる。
【0015】図14は2つの光スポットを用いる場合の
光ヘッドの構成例を示している。図14において、42
は記録再生用の半導体レーザで、波長は例えば780n
mである。43は加熱用の半導体レーザで波長は例えば
1.3μmである。両方とも記録媒体に対してP偏光で
入射するように配置されている。半導体レーザ42及び
43から発散されるレーザビームはここでは不図示のビ
ーム成形手段によりほぼ円形にした後、それぞれ44と
45のコリメータレンズにより平行光束にされる。46
は780nmの光を100%透過し、1.3μmの光を
100%反射するように設計されたダイクロックミラー
である。47は偏光ビームスプリッタで、P偏光は70
〜80%を透過し、それに対して垂直の成分であるS偏
光はほぼ100%反射するものである。
【0016】コリメータレンズ44、45で平行化され
た光束はダイクロックミラー46、偏光ビームスプリッ
タ47を経て対物レンズ48に入射する。この際、78
0nmの光束は対物レンズ48の開口の大きさに対して
大きくなるようにしてあり、1.3μmの光束は対物レ
ンズ48の開口の大きさに対して小さくなるようにして
ある。従って、同じ対物レンズ48を用いても1.3μ
mの光束に対してはレンズのNAが小さく作用し、記録
媒体49上での光スポットの大きさが780nmのもの
に比べ大きくなる。記録媒体からの反射光は再び対物レ
ンズ48を経て平行光束になり、偏光ビームスプリッタ
47で反射され、50の光束として得られる。光束50
から不図示の光学系により波長分離等がなされた後、サ
ーボエラー信号や情報再生信号が従来の方式と同様に得
られる。
【0017】図15は記録媒体上の記録再生用の光スポ
ットと加熱用の光スポットの関係を示している。図15
(a)において、51は波長780nmの記録再生用の
光スポット、52は波長1.3μmの加熱用の光スポッ
トである。53はランド54に記録された磁区の磁壁、
55はグルーブである。また、56は加熱用光スポット
52により温度が上昇した領域を示している。このよう
にグルーブ55の間のランド54上において、記録再生
用の光スポット51と加熱用の光スポット52とを結合
させることにより、移動している記録媒体上に図15
(b)に示すような温度勾配を形成する事ができる。温
度勾配と記録再生用の光スポット51との関係は図13
で示したものと同じになり、これによって磁壁移動再生
を行うことができる。
【0018】以上の説明は2ビームを用いた場合の磁壁
移動再生方式であるが、装置の簡便性を考えると1ビー
ムによる再生が望ましい。図16を参照して1ビームで
磁壁移動再生を行う場合の動作について説明する。図1
6(a)は図13(a)と同様に光磁気ディスク33の
断面図である。ディスク33は、記録層34、調整層3
5、再生層36からなっている。図16(b)は光スポ
ットが入射する側から見た平面図である。54はトラッ
クのランド、55はグルーブを示している。57は再生
用の光スポットである。光スポット57を照射すると、
図16(b)のように卵型の等高線で示す温度分布が記
録媒体に生じる。媒体の移動方向は矢印A方向とする。
光磁気媒体33の各磁性層内の矢印は原子スピンの向き
を表している。
【0019】また、60で示す領域は高温部であり、調
整層35のキュリー温度以上になっていて、調整層35
の磁化は消失している。そのため、高温部60の領域で
は記録層34と再生層36の交換結合力は切れており、
記録層34の磁区は再生層36へは転写されていない。
この高温部60以外の領域では交換結合力が働いている
ため、記録層34の磁区は再生層36に転写されてい
る。ここで、低温の領域と高温の領域60との境界に記
録層34に記録されている磁区の磁壁58及び59がさ
しかかると、磁壁58は矢印Bで示す方向に高温部に向
かって移動し、磁壁59は矢印Cで示す方向に高温部に
向かって移動する。61は磁壁58が移動する領域(斜
線部)であり(以下、前領域という)、62は磁壁59
が移動する領域である(斜線部)(以下、後ろ領域とい
う)。図16から明らかなように、このまま従来の差動
検出で情報を再生しようとすると、光スポット57の中
に磁壁58の情報と磁壁59の情報が混じってしまい、
情報を正確に再生することが出来ない。
【0020】図17を参照して1ビームでの再生の場合
の問題点を更に詳しく説明する。図17(a)〜(f)
はトラック上のランド54を再生用の光スポット57が
走査していく様子を示している。記録媒体は図16と同
様に矢印A方向に移動しており、61は前領域、62は
後ろ領域である。ランド54上に孤立磁区63が記録さ
れているものとし、例えば、孤立磁区63のみが上向き
磁化で、それ以外が下向き磁化とする。64,65は孤
立磁区63の両側の磁壁である。また、図17(g)は
それぞれの位置で得られる差動信号の再生波形を示して
いる。まず、図17(a)は光スポット57が孤立磁区
63から離れた位置にある場合の様子を示している。
【0021】この場合は、前領域61、後ろ領域62と
も下向き磁化になっていて、その時の差動検出信号は図
17(g)のように基準レベルを示している。図17
(b)は光スポット57が孤立磁区63に近づいた場合
の様子を示している。しかし、この場合は、磁壁64が
前領域61にはまだ届いておらず、差動検出信号として
は図16(a)の場合と同様に基準レベルを示してい
る。図17(c)は磁壁64が前領域61にちょうど入
った場合である。この場合は、前領域61にある再生層
36の磁壁64は高温部に向かって移動し、図17
(c)に66で示す斜線部が上向き磁化の領域となる。
差動検出信号は図17(g)のように高レベルに変化す
る。
【0022】図17(d)は反対側の磁壁65が前領域
61にちょうど入った場合である。前領域61にある再
生層36の磁壁65は高温部に向かって移動し、下向き
磁化に戻る。差動検出信号も図17(g)のように基準
レベルに戻る。図17(e)はさらに光スポット57が
進み、磁壁64が後ろ領域62にちょうど入った場合を
示している。後ろ領域62にある再生層36の磁壁64
は高温部に向かって移動し、67で示す斜線部の領域が
上向き磁化となる。差動検出信号は図17(g)のよう
に中レベルに変化する。前領域61の時に比べ信号レベ
ルが小さくなるのは、高温部の中心が光スポット57の
中心よりも後ろ側にあるためである。図17(f)は反
対側の磁壁65が後ろ領域62にちょうど入った場合で
ある。後ろ領域62にある再生層36の磁壁65は高温
部に向かって移動し、下向き磁化に戻る。差動検出信号
も基準レベルに戻っている。
【0023】このように1ビームの磁壁移動再生方式を
用いた場合、1つの孤立磁区に対して、前領域と後ろ領
域の2カ所で磁壁が移動するために、2つのパルスが得
られてしまう。実際の信号では磁区が任意に記録されて
いるので、前領域と後ろ領域の磁壁の移動による差動検
出信号への寄与は複雑に混じり合い分離することができ
ない。これを解決する1つの方法として、図18に示す
ように再生層36のキュリー温度マスクを用いる方法が
ある。図18(a)は同様に光磁気ディスク33の断面
図、図18(b)は光スポットが入射する側から見た平
面図である。68は再生用の光スポットであり、同様に
卵型の等高線で示す温度分布が光磁気ディスク33上に
形成されている。
【0024】ここでは、図16の場合よりも光スポット
68のパワーは高く設定している。69のハッチングで
示す領域は高温部であり、再生層36のキュリー温度以
上となっている。このため、高温部69の領域では再生
層36の磁化が消失し、磁壁の移動も行われない。この
高温部69の回りの70で示すハッチングの領域は中温
部である。中温部70は高温部69よりは温度が低い
が、調整層35のキュリー温度以上となっている。
【0025】図16で説明したように高温部69と中温
部70の領域では記録層34と再生層36の交換結合力
は切れており、記録層34の磁区の再生層36への転写
はされていない。一方、中温部70の回りの低温部では
交換結合力が働いているため記録層34の磁区は再生層
36に転写されている。低温部と中温部70との境界に
記録層34に記録されている磁区の磁壁73、74がさ
しかかると、磁壁73は矢印Bで示す方向に高温部に向
かって移動し、磁壁74は矢印Cで示す方向に高温部に
向かって移動する。71は磁壁73が移動する前領域、
72は磁壁74が移動する後ろ領域である。図18
(b)から明らかなように再生層36のキュリー温度を
越える高温部69のために、後ろ領域72が光スポット
68の外にでている。このようにして差動検出による情
報の再生信号には後ろ領域72からの影響が抑制され、
1ビームでの磁壁移動再生を行うことができる。
【0026】
【発明が解決しようとする課題】以上のように磁壁移動
再生を行うには、1ビームによる再生と2ビームによる
再生方法がある。加熱用光スポットと別に再生スポット
を媒体上に照射する2ビームによる再生方法では、2つ
の再生光学系が必要であるため、装置の構成が複雑化す
る。
【0027】これに対し、1ビームによる再生方法で
は、装置の構成は簡単化できるが、再生用光スポットの
前方から再生用光スポット内の高温部に向かって移動す
る磁壁と再生用光スポットの後方から再生用光スポット
内の高温部に向かって移動する磁壁が同時に検出される
ため、情報を正確に再生することができない。これを解
決するために図18で説明したようにキュリー温度マス
クを用いる方法が考えられる。しかし、この方法では、
後ろ領域からの信号を抑制できるので、1ビームでの磁
壁移動再生が可能であるが、前領域も小さくなるので、
信号対ノイズ比が低下するという問題があった。
【0028】本発明は、上記従来の問題点に鑑み、信号
対ノイズ比が低下することなく、1ビームによる磁壁移
動再生を可能とした情報記録再生方法を提供することを
目的とする。
【0029】
【課題を解決するための手段】本発明の目的は、少なく
とも、第1、第2、第3の磁性層が室温において交換結
合して順次積層されている記録媒体であって、前記第1
の磁性層は周囲温度近傍の温度において前記第3の磁性
層に比べて相対的に磁壁抗磁力が小さく磁壁移動度の大
きな磁性膜からなり、前記第2の磁性層は前記第1及び
第3の磁性層よりもキュリー温度の低い磁性膜からなる
記録媒体を用い、磁界の印加及び/又は光ビームの照射
によって情報の記録を行い、磁壁の移動を検出して情報
の再生を行う情報記録再生方法において、記録マークの
再生方向に沿った長さが最大でも0.2μm以下となる
ように情報を記録することを特徴とする情報記録再生方
法によって達成される。
【0030】また、本発明の目的は、少なくとも、第
1、第2、第3の磁性層が室温において交換結合して順
次積層されている記録媒体であって、前記第1の磁性層
は周囲温度近傍の温度において前記第3の磁性層に比べ
て相対的に磁壁抗磁力が小さく磁壁移動度の大きな磁性
膜からなり、前記第2の磁性層は前記第1及び第3の磁
性層よりもキュリー温度の低い磁性膜からなる記録媒体
を用い、磁界の印加及び/又は光ビームの照射によって
情報の記録を行い、磁壁の移動を検出して情報の再生を
行う情報記録再生方法において、記録マークの再生方向
に沿った長さが最大でも再生用光ビームのスポット径の
0.18倍以下となるように情報を記録することを特徴
とする情報記録再生方法によって達成される。
【0031】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。図1は本発明の第1
の実施形態の情報記録再生方法に用いる光磁気記録再生
装置の構成例を示している。図1において、1は情報記
録媒体であるところの光磁気ディスクであり、スピンド
ルモータ2の駆動によって所定の速度で回転する。ま
た、光磁気ディスク1は図示しない機構によって装置内
に導入または装置外に排出される。3は装置内の各部を
制御する制御回路であり、インターフェースコントロー
ラ4を介して外部のコンピュータなどの情報処理装置と
接続されている。制御回路3は情報処理装置との情報の
送受信を制御したり、光磁気ディスク1への記録、再生
動作を制御する。
【0032】光ヘッド5は、光磁気ディスク1に光ビー
ムを照射して情報を記録再生するための記録再生ヘッド
である。光ヘッド5としては、図11で説明したような
1ビームのものを用いている。光ヘッド5は半導体レー
ザ、レーザビームを絞り込む対物レンズ、ディスク1か
らの反射光を検出する光検出器などから構成されてい
る。磁気ヘッド6は光磁気ディスク1を挟んで光ヘッド
5と対向して設けられ、情報の記録時に光磁気ディスク
1に磁界を印加する。光ヘッド及び磁気ヘッド制御回路
7は光ヘッド5から光磁気ディスク1に照射される光ビ
ームの位置、及び磁気ヘッド6の位置を制御するための
制御回路である。
【0033】即ち、光ヘッド及び磁気ヘッド制御回路7
は光ヘッド5と磁気ヘッド6のシーク制御を行い、ま
た、光ヘッド5からの光ビームが回転している光磁気デ
ィスク1の媒体面に合焦するようにフォーカス制御や、
光ヘッド5からの光ビームが情報トラックに追従するよ
うにトラッキング制御を行う。スピンドルモータコント
ローラ10は制御回路3の制御に基づいて光磁気ディス
ク1の回転を制御するための制御回路である。
【0034】情報記録回路8は制御回路3の制御に応じ
て光磁気ディスク1に情報を記録する回路、情報再生回
路9は光ヘッド5からの読み取り信号をもとに光磁気デ
ィスク1の記録情報を再生する回路である。ここで、情
報処理装置から記録命令が発行されると、制御回路3は
各部を制御して光ヘッド5と磁気ヘッド6を目的の情報
トラックに移動させ、また情報処理装置から送信された
情報信号を情報記録回路8に転送する。情報記録回路8
では情報信号を変調し、変調した信号によって磁気ヘッ
ド6を駆動し、また、光ヘッド5内の半導体レーザに記
録用の一定の駆動電流を供給することによって情報トラ
ック上に情報の記録を行う。
【0035】一方、情報処理装置から再生命令が発行さ
れた場合は、制御回路3は各部を制御して光ヘッド5を
目的のトラックに移動させる。また、制御回路3は情報
記録回路8を制御して光ヘッド5内の半導体レーザに再
生用の一定の駆動電流を供給し、光ヘッド5からの再生
用の光ビームを光磁気ディスク1の情報トラックに走査
する。このとき、光ヘッド5で光磁気ディスク1からの
反射光を検出し、情報再生回路9ではこの読み取り信号
をもとに所定の信号処理を行い、記録情報を再生する。
再生されたデータは制御回路3の制御でインターフェー
スコントローラ4を介して外部の情報処理装置に転送さ
れる。
【0036】ここで、光磁気ディスク1としては、図1
3で説明したものを用いている。即ち、光磁気ディスク
1は、磁気ヘッド6の変調磁界により情報を磁区として
記録するための記録層34、記録層34と再生層36と
の間の交換結合を調整するための調整層36、記録層3
4に記録されている磁区を転写し、更に調整層35の働
きと光スポットによる熱分布とを利用して転写した磁区
の磁壁を移動させることにより、記録層34の磁区より
も大きくして再生する再生層36からなっている。
【0037】磁性層群の各層の具体的な材料としては、
遷移金属と希土類金属の各1種類以上の組み合わせによ
る非晶質合金を用いることができる。例えば、遷移金属
としては、主にFe,Co,Ni、希土類金属として
は、主にGd,Tb,Dy,Ho,Nd,Smがある。
代表的な組み合わせとしては、TbFeCo,GdTb
Fe,GdFeCo,GdTbFeCo,GdDyFe
Co等がある。また、耐食性の向上や、磁壁抗磁力の調
整のために、Cr,Mn,Cu,Ti,Al,Si,P
t,Inなどを少量添加してもよい。更に、これらの層
構成にAl,AlTa,AlTi,AlCr,Cuなど
の金属層を付加して熱的な特性を調整してもよい。
【0038】ここで、本願発明者は、図1の装置におい
て、光磁気ディスク1に磁区の長さを変えて記録し、各
々の長さの磁区について1ビームによる磁壁移動再生の
実験を行った。具体的には、光磁気ディスク1に磁界変
調記録による単一長さの繰り返し磁区を長さを変えて記
録し、それを図16で説明した1ビームによる磁壁移動
再生方式によって再生し、この再生の際に差動検出信号
のキャリア、ノイズ、ジッターの量をそれぞれ測定し
た。図2はこのときの測定結果を示している。12はキ
ャリアの特性曲線、13はノイズの特性曲線、14はジ
ッターの特性曲線を示している。
【0039】測定条件は次の通りである。光ヘッド5の
光源である半導体レーザの波長は680nm、対物レン
ズの開口比(NA)は0.55、光磁気ディスク1上の
測定位置は半径32mmの所、その場所での線速度は
1.5m/sである。また、再生時の半導体レーザのパ
ワーは磁性層上の温度が再生層のキュリー温度を越えな
い範囲に設定している。つまり、再生用の光スポットの
中に前領域と後ろ領域の2カ所の磁壁が移動する領域が
できている。図2の結果から明らかなように、0.2μ
m以上の長さの磁区では、キャリアの波形は大きくうね
っており、ジッターの値もそのうねりに合わせて上下し
ている。これは、図17で説明したように前領域と後ろ
領域からの信号が周期的に混じり合った影響である。ま
た、0.1〜0.2μmの長さの磁区では、0.2μm
以上の長さの磁区で見られたキャリアの波形のうねりが
なく、ジッターの値も小さいことがわかる。この原因を
もう一度図16を用いて説明する。
【0040】図16において、先にも述べたように高温
部60の領域では調整層35のキュリー温度以上になっ
ているので、記録層34と再生層36との交換結合力は
切られており、記録層34に記録されている磁区のパタ
ーンは再生層36に転写されず、高温部60上の再生層
36の磁壁は高温部に向かって移動しやすくなってい
る。そこで、まず、前領域61について見てみると、媒
体が矢印A方向に回転しているので、記録層34に記録
されている磁区パターンは再生層36にすでに転写され
た状態で前領域61に入ってくる。この際、媒体の移動
に伴い、磁壁58の進む方向と高温部60の進む方向は
逆となり、磁壁58はより再生層の磁壁が移動しやすい
領域(高温部)に入っていく。これによって、常に確実
に磁壁の移動が行われる。
【0041】一方、後ろ領域62では高温部の境界を抜
けた後に記録層34に記録されている磁区パターンが再
生層36に再転写される。この際、媒体の移動に伴い、
磁壁59の進む方向と高温部60の進む方向は同じく逆
であるが、磁壁59は再生層の磁壁が移動可能な領域
(高温部)から遠ざかる。磁区の大きさが充分に大きな
場合は上向き、または下向きの磁区が高温部60の後方
領域に確実に転写され、その時高温部60の境界に生じ
る磁壁は後ろ領域62上を移動する。しかし、この転写
が実現されるためには、ある一定領域に渡って界面磁壁
が蓄積される必要がある。
【0042】具体的には、蓄積された界面磁壁エネルギ
ーが再生層への核形成に必要なエネルギーより大きくな
る必要がある。従って、磁区の長さがある一定以下にな
ると充分な転写が行われる前に次の逆向きの磁区がやっ
てきて、上述のような微小磁区が再生層に転写されるの
は後ろ領域の境界から少し離れた場所となる。その位置
では記録層との間の交換結合力が作用するために、磁壁
の移動が生じず後ろ領域62の磁化配向の変化は生じな
い。つまり、後ろ領域62からの信号の洩れこみを抑制
することができる。
【0043】図2の結果では0.2μm以下でこの抑制
効果が現われている。この限界の値を大きくする手段と
しては、線速度を上げること、媒体の組成を改善するこ
と、再生時に一方向の磁界をかけることなどがある。一
方、磁区の長さが0.1μm以下では、急激にキャリ
ア、ノイズ、ジッターの値が悪くなっているが、これは
この媒体においては、0.1μm以下では記録層34に
安定な磁区が記録されていないためである。媒体組成の
改善や記録方式の改善で0.1μm以下の記録も可能と
なるのは明らかである。
【0044】以上の結果からこの媒体においては記録層
34に記録される磁区の最小の長さが0.1μm程度
で、最大の長さが0.2μm程度となる変調方式を用い
ることにより、1ビームでの磁壁移動再生が可能とな
る。この場合、再生層36のキュリー温度マスクを用い
ていないため、前領域の光スポットに対する割合も大き
くなり、信号に対するノイズの比も良好となる。例え
ば、磁区(マーク)長記録の一例として、MFM変調を
用いることが考えられる。MFM変調では、上向き磁
化、下向き磁化の両方が磁区として扱われ、1T,1.
5T,2Tの3種類の磁区長の組み合わせに情報を変換
して記録する。そこで、MFM変調で記録するには、磁
区長記録で、1T=0.1μm、1.5T=0.15μ
m、2T=0.2μmとして、線速度一定方式による記
録を行うことにより、上記の条件を満たし磁壁移動再生
が可能となる。
【0045】また、磁区(マーク)間記録の一例として
(1,7)変調を用いることが考えられる。この場合
は、上向き磁化、下向き磁化のどちらか一方を選んで磁
区として扱い、記録する磁区の大きさは0.1〜0.2
μmの範囲で選ばれる。例えば0.15μmを磁区の大
きさとする。また、(1,7)変調では2Tから8Tの
間隔で磁区を記録し、この際、最短磁区間隔を磁区の大
きさの2倍以上にする。例えば、0.15μmの磁区の
大きさに対し、最短磁区間隔2Tを0.3μmとする
と、3T〜8Tはそれぞれ3T=0.45μm、4T=
0.6μm、5T=0.75μm、6T=0.9μm、
7T=1.05μm、8T=1.2μmとなり、前述の
条件を満たし、磁壁移動再生が可能となる。
【0046】次に、本発明の第2の実施形態について説
明する。図3は第2の実施形態に用いる光磁気記録再生
装置の構成を示している。図3において、1は光磁気記
録媒体であるところの光磁気ディスクであり、スピンド
ルモータ2の駆動によって所定の速度で回転する。光磁
気ディスク1の下面には、内部に光源の半導体レーザ、
レーザビームを微小光スポットに絞り込んでディスク1
上に照射するためのレンズ、ディスク1からの反射光を
検出する光検出器などの光学素子からなる光ピックアッ
プ100が配置されている。また、光磁気ディスク1を
挟んで光ピックアップ100と対向する位置には、ディ
スク1に磁界を印加するための記録磁界印加装置101
が配置されている。
【0047】光磁気ディスク1は、第1の実施形態で用
いたディスクと同じで、透明基板102上に第1の磁性
層34、第2の磁性層35、第3の磁性層36が順次積
層された構成となっている。基板102としては、例え
ばポリカーボネート、ガラス等の透光性のものを用いる
ことができる。各磁性層は、例えばマグネトロンスパッ
タ装置による連続スパッタリング、または連続蒸着等に
よって被着形成されている。
【0048】これらの磁性層は、真空を破ることなく連
続成膜することによって、互いに交換結合している。ま
た、各々の磁性層を酸化から保護するため、あるいは光
学的、熱的な特性を調整するために、基板102と第1
の磁性層34の間、あるいは第3の磁性層36上に誘電
体などからなる保護層、光干渉層、熱調整層などを設け
てもよい。更に、この構成に、Al,AlTa,AlT
i,AlCr,Cu,Auなどからなる金属層を付加し
て、熱的な特性を調整してもよいし、高分子樹脂からな
る保護コートを付与してもよいし、あるいは成膜後の基
板を貼り合わせてもよい。
【0049】ここで、各磁性層34〜36は、前述のよ
うに種々の磁性材料によって構成することが考えられる
が、例えば、Pr,Nd,Sm,Gd,Tb,Dy,H
oなどの希土類金属元素の一種類あるいは二種類以上が
10〜40at%と、Fe,Co,Niなどの鉄族元素
の一種類あるいは二種類以上が90〜60at%とで構
成される希土類−鉄族非晶質合金によって構成すること
ができる。また、耐食性向上などのために、これにC
r,Mn,Cu,Ti,Al,Si,Pt,Inなどの
元素を少量添加してもよい。
【0050】重希土類−鉄族非晶質合金の場合、飽和磁
化は希土類元素と鉄族元素との組成比により制御するこ
とが可能である。また、キュリー温度も組成比により制
御することが可能であるが、飽和磁化と独立に制御する
ためには、鉄族元素として、Feの一部をCoで置き換
えた材料を用い、置換量を制御する方法がより好ましく
利用できる。即ち、Felat%をCoで置換すること
により、6℃程度のキュリー温度の上昇が見込めるの
で、この関係を用いて所望のキュリー温度となるように
Coの添加量を調整する。また、Cr,Tiなどの非磁
性元素を微量添加することにより、逆にキュリー温度を
低下させることも可能である。また、二種類以上の希土
類元素を用いてそれらの組成比を調整することでもキュ
リー温度を制御できる。この他に、ガーネット、白金族
−鉄族周期構造膜、もしくは白金族−鉄族合金などの材
料も使用可能である。
【0051】第1の磁性層34としては、例えば、Gd
Co,GdFeCo,GdFe,NdGdFeCoなど
の垂直磁気異方性の小さな希土類−鉄族非晶質合金や、
Pt/Co,Pd/Coなどの白金族−鉄族周期構造膜
や、ガーネット等のバブルメモリ用材料が望ましい。第
2の磁性層35としては、例えばTbFe,DyFe,
TbDyFe,TbFeCo,DyFeCo,TbDy
FeCo等のキュリー温度の低いものを用いることが望
ましい。
【0052】第3の磁性層36としては、例えば、Tb
FeCo,DyFeCo,TbDyFeCoといった希
土類−鉄族非晶質合金など、垂直磁気異方性及び保磁力
が大きく、微小なピットが記録でき、かつ形成された記
録ピットを安定に保持できるものが望ましい。なお、以
上のように第2の磁性層35を有する構成の光磁気記録
媒体を用いたほうが良好な再生信号が得られるが、第1
の磁性層34として十分に磁壁抗磁力が小さく磁壁移動
度が大きな磁性膜を用いれば、第2の磁性層35は必ず
しも必要ではない。
【0053】ここで、光磁気ディスク1に信号を記録す
る場合、光磁気ディスク1を回転させた状態で、光ピッ
クアップ100から第3の磁性層36がキュリー温度以
上になるようなパワーのレーザ光を照射しながら外部磁
界を変調して行うか、もしくは一定方向の磁界を印加し
ながらレーザパワーを変調することによってディスク1
上に記録を行う。後者の場合、光スポット内の所定領域
のみが第3の磁性層36のキュリー温度近傍になる様に
レーザ光の強度を調整すれば、光スポットの径以下の記
録磁区を形成でき、その結果、光の回折限界以下の周期
の信号を記録することが可能である。
【0054】次に、本実施形態による情報再生の原理に
ついて説明する。従来技術でも説明したが1ビームによ
る磁壁移動再生について今一度説明する。図4(a)は
光磁気ディスク1の再生時の各々の磁性層の状態を示し
ている。105は光ピックアップ100から照射された
再生用光スポットである。また、各磁性層中の矢印10
6は原子スピンの向きを表わし、スピンの向きが相互に
逆向きの領域の境界部には磁壁108が形成されてい
る。基板102上の第1〜第3の磁性層34〜36は室
温において交換結合し、第1の磁性層34は周囲温度近
傍の温度において第3の磁性層36に比べて相対的に磁
壁抗磁力が小さく磁壁移動度の大きな磁性膜からなって
いる。第2の磁性層35は第1、第3の磁性層34,3
6よりもキュリー温度の低い磁性膜からなっている。ま
た、図4(a)にディスク1に記録された記録信号を示
している。
【0055】図4(b)は光磁気ディスク1に形成され
る温度分布を示している。この温度分布は、再生用光ス
ポット105によって媒体上に誘起されるものである。
ここで、位置Xs1においては、媒体温度が第2の磁性
層35のキュリー温度近傍で第1の磁性層34と第3の
磁性層36の間の交換結合が切れる温度Tsになってい
る。図4(c)は図4(b)の温度分布に対応する第1
の磁性層の磁壁エネルギー密度σw 1の分布を示してい
る。この様にx方向に磁壁エネルギー密度σw1の勾配
があると、位置xに存在する各層の磁壁108に対して
次式から求められる力F1が作用し、この力F1は磁壁
エネルギーの低い方に磁壁を移動させるように作用す
る。
【0056】F1=∂σw 1/∂x 一方、磁壁には磁壁が動かないようにするFsも作用し
ている。Fsは次式で与えられる。
【0057】Fs=2π×Ms1×Hw1 ここで、Ms1は第1の磁性層34の飽和磁化、Hw1
は第1の磁性層36の磁壁抗磁力である。媒体温度がT
s以上のときにこのFsが十分に小さければ、力F1に
よって容易に磁壁が移動する。一方、位置xs1より手
前(図4の右側)の領域では、媒体温度がTsより低
く、磁壁抗磁力の大きな第3の磁性層36と交換結合し
ているために、第3の磁性層36中の磁壁の位置に対応
した位置に第1の磁性層34中の磁壁も固定されてい
て、第1の磁性層34中の磁壁はほとんど動かない。
【0058】また、図4(b)に示す様に磁壁108が
媒体の位置xs1にあり、媒体温度が第2の磁性層35
のキュリー温度近傍の温度Tsまで上昇し、第1の磁性
層34と第3の磁性層36との間の交換結合が切断され
ると、第1の磁性層34中の磁壁108は破線の矢印で
示すようにより温度が高く磁壁エネルギー密度の小さな
領域xe1へと高速で移動する。そして、媒体の移動に
伴って磁壁108が位置xs1にくる度に磁壁の移動が
起こり、この磁壁の移動を検出することによって、光学
的な回折限界によらずに高密度に記録された信号を再生
することができる。
【0059】一方、位置xe1よりも後方(図4では左
側)の領域109では、磁壁の移動が起こらずに、第1
の磁性層34の磁化は一定の向きで安定していること
が、信号再生の点からは望ましい。しかし、従来は前述
のようにxe1の後方からxe1に向かう磁壁の移動が
起き、再生信号を悪化させることがあった。本願発明者
は、この点に着目して鋭意検討を行った結果、記録マー
クの長さが一定の長さよりも短いときにxe1よりも後
方からの磁壁の移動が起きなくなることを見いだした。
【0060】詳しくは後述するが、後方からの磁壁の移
動が起きなくなる現象があらわれる記録マーク長は、第
1の実施形態と同様におよそ0.2μmで、記録マーク
長が0.15μm以下になると、後方からの磁壁の移動
はほとんど観測されなくなった。このため、記録情報を
変調した後の最長のマーク長が0.2μm以下となるよ
うな変調方式で情報の記録を行うことにより、補助加熱
手段が必要なく、1ビームで高密度な情報の再生が可能
となる。更に、最長のマーク長が0.15μm以下とな
るような変調方式で情報の記録を行うことにより、より
安定した情報の再生が可能であることがわかった。
【0061】また、第3の磁性層36への情報の記録、
及び室温においての第3の磁性層36から第1の磁性層
34への磁区の転写を安定に行うためには、記録マーク
の長さは長いほうが望ましい。そのため、最大の記録マ
ーク長が最小の記録マーク長の2倍以下となるような変
調方式で情報を記録することがより望ましい。このよう
な変調方式の代表的なものとしては、FM変調、MFM
変調、IDM変調等が知られている。
【0062】次に、図3の光ピックアップ100の構成
について図5を参照して説明する。図5において、ま
ず、本実施形態では、光ピックアップ100として1ビ
ームのものを用いている。601は記録再生用のレーザ
光源で、波長は680nmである。レーザ光源601は
光磁気ディスク1に対してP偏向が入射する様に配置さ
れている。603はビーム整形部付きビームスプリッタ
で、P偏向を70〜80%透過し、S偏向を100%反
射するよう設計されている。605は対物レンズで、記
録再生用のレーザ光源の波長に合わせて設計されてい
る。N.A.は0.55である。
【0063】また、対物レンズ605は、図示しないサ
ーボアクチュエータ及びサーボ回路によって制御され、
光磁気ディスク1の情報トラック上を記録再生用の光ス
ポットが合焦しつつ走査するようにトラッキング制御及
びフォーカス制御を行っている。609は情報信号を検
出するためのRFセンサ615と、トラックエラー信号
及びフォーカスエラー信号を検出するためのサーボセン
サ612に光磁気ディスク1からの反射光を分配するた
めのビームスプリッタである。613は光磁気ディスク
1からの反射光を差動検出するために入射光に対して±
45°の偏光成分を分離するための複屈折性結晶であ
る。この光ピックアップのスポットサイズは、光強度が
1/e2 となるところで直径1.1μmであった。な
お、情報を記録する場合、記録磁界印加装置101とし
て磁気浮上ヘッドを用い、磁界変調方式で記録を行うも
のとする。
【0064】[実施例1]以下、具体的な実施例をもっ
て本発明を更に詳細に説明するが、本発明はその要旨を
越えない限り、以下の実施例に限定されるものではな
い。まず、本願発明者は、1ビームによる磁壁移動再生
に関して後方からの磁壁の移動が起こらなくなる条件を
求める実験を行った。まず、実験に用いる記録媒体を次
のように作製した。即ち、直流マグネトロンスパッタリ
ング装置に、BドープしたSi及びGd,Dy,Tb,
Fe,Coの各ターゲットを取り付け、トラッキング用
の案内溝の形成されたポリカーボネイト基板を基板ホル
ダーに固定した後、1×10-5Pa以下の高真空になる
までチャンバー内をクライオポンプで真空排気をした。
次いで、真空排気をしたままArガスとN2 ガスを0.
3Paとなるまでチャンバー内に導入し、基板を回転さ
せながら光透過層であるSiN層を1000オングスト
ローム成膜した。
【0065】引き続いて、真空排気をしたままArガス
を0.3Paとなるまでチャンバー内に導入し、基板を
回転させながら第1の磁性層としてGdCo層を300
オングストローム、第2の磁性層としてDyFe層を1
00オングストローム、第3の磁性層としてTbFeC
o層を400オングストローム順次成膜した。最後に光
透過層の成膜時と同様の条件で、保護層としてSiN層
を800オングストローム成膜した。SiN層の屈折率
は、2.3になるようにArガスとN2 ガスの混合比を
調整した。また、各磁性層はGd,Dy,Tb,Fe,
Coの各ターゲットに直流パワーを印加して成膜した。
各磁性層の組成はすべて補償組成近傍になるように調整
し、キュリー温度は第1の磁性層が250℃以上、第2
の磁性層が160℃、第3の磁性層が290℃程度とな
るように設定した。
【0066】また、このようにして作製した記録媒体の
グルーブ上に高パワーのレーザ光を集光して照射し、5
00℃以上に加熱することによってグルーブ部分のみに
アニール処理を行った。図6はこのアニール処理を施こ
した記録媒体を示している。図中110は基板、111
は第1〜第3の磁性層を含む磁性層である。図6ではこ
の他に光透過層112と保護層113が設けられてい
る。また、グルーブ部114上の磁性層111はアニー
ル処理によって非磁性層116に変化し、この非磁性層
116によってランド部115上に積層された磁性層1
11はグルーブ部114の部分でほぼ磁気的に分離され
ている。
【0067】なお、実際には、グルーブ部の磁性層がア
ニール処理によって完全に非磁性層にならなくても、飽
和磁化が十分に小さくなればグルーブ部での結合は無視
することができる。本実施形態において、各情報トラッ
ク間で互いに磁気的に分離されるとは、この様な状態も
含まれている。このランド部115上に幅いっぱいに反
転磁区を形成すると、図7に示す様にランド部115上
の磁区の境界部に閉じていない磁壁117が形成され
る。このような磁壁117は、トラック方向に移動させ
てもトラック側部の磁壁の生成・消滅を伴わないので、
容易に移動させることができる。
【0068】このようにして20枚の記録媒体を作製
し、各々の記録媒体について次のような記録、再生実験
を行った。まず、作製した記録媒体を記録再生用光ビー
ムとの相対速度が2m/sとなるように回転させ、記録
再生用レーザ源601を7mWでDC照射しながら図8
(b)に示すような磁界を印加することによって、媒体
上に図8(a)のような信号を記録した。記録マークA
の長さと記録マークの間隔Bの比はA:B=1:10と
し、記録マークの長さAを0.1μm、0.15μm、
0.2μm、0.25μm、0.3μm、0.35μ
m、0.4μmと変化させて信号を記録した。磁界の強
度は±200(Oe)とした。
【0069】次に、このようにして記録した記録マーク
を再生用光ビームのパワーを2.0mWとして再生し、
再生信号をオシロスコープで観察した。この時、再生用
光ビームの後方からの磁壁の移動が起こらなければ、図
8(c)の様に再生用光スポットの前方からの磁壁の移
動による1つの再生波形を観察することができる。一
方、再生用光ビームの後方からの磁壁の移動が起きれ
ば、図8(d)の様に再生用光スポットの後方からと前
方からの磁壁の移動による2つの再生波形を観察するこ
とができる。
【0070】図9は20枚の記録媒体について再生実験
を行った場合の結果を示している。横軸は記録マークの
長さ、縦軸は再生用光ビームの後方からの磁壁の移動が
観察された記録媒体の枚数を示している。図9の実験結
果から明らかなように、記録マークの長さが0.25μ
m以上では再生用光ビームの後方からの磁壁の移動が必
ず起きてしまうが、記録マークの長さを0.2μm以下
にすれば、再生用光ビームの後方からの磁壁の移動が起
こらない記録媒体が20枚中4枚得られることがわか
る。また、記録マークの長さを0.15μm以下にすれ
ば、ほとんどの記録媒体が再生用光ビームの後方からの
磁壁の移動を伴わずに情報の再生ができることがわか
る。
【0071】[実施例2]次に、実施例1で用いた20
枚の記録媒体のうち、0.2μmの記録マーク長におい
て再生用光ビームの後方からの磁壁の移動が観察されな
かった記録媒体を選んで、以下の実験を行った。まず、
図3の装置を用いて、磁界変調記録方式で図10(b)
に一部示す様なMFM変調されたランダム信号を記録媒
体に記録した。図10(b)の信号は図10(a)に示
すデータをMFM変調したものである。この信号を記録
するための記録磁界を図10(c)に示している。記録
を行う場合、記録媒体を記録再生用光ビームとの相対速
度が2m/sとなるように回転させ、記録再生用レーザ
ーを7mWでDC照射しながら図10(c)に示すよう
な磁界を印加することによって図10(b)に一部を示
す信号を記録した。記録磁界は±200エルステッドと
し、記録信号のデータビット間隔Tは50nsとした。
この時、媒体上に記録されるマークの長さは、0.1μ
m、0.15μm、0.2μmの3通りの長さになる。
【0072】このように記録した信号を再生用光ビーム
のパワーを2.0mWを再生として再生を行い、再生信
号のパルス幅のタイムインターバルを測定し、ジッター
を計測した。測定結果は、0.1μmのマークのジッタ
ーは6.7ns、0.15μmのマークのジッターは
6.8ns、0.2μmのマークのジッターは6.8n
sとなり、いずれも良好な値が得られた。この測定結果
から図9の実験で後方からの磁壁の移動が起きなかった
媒体は再生信号のジッターも小さく、再生を良好に行え
ることを確認できた。特に、MFM変調は最長記録マー
クと最短記録マークの比が小さいという特徴を持ってい
るため、記録マークの最大の長さが0.2μm以下の場
合好適に使用することができる。
【0073】[比較例1]次に、実施例2と比較するた
め、記録信号のデータビット間隔Tを75nsとし、そ
の他は実施例2と同じ条件でMFM変調されたランダム
信号を記録媒体に記録した。この時、媒体上に記録され
るマークの長さは、0.15μm、0.225μm、
0.3μmの3通りの長さになる。この信号を再生用光
ビームのパワーを2.0mWとして再生を行い、再生信
号のパルス幅のタイムインターバルを測定し、ジッター
を計測した。この結果、0.15μmのマークのジッタ
ーは18ns、0.225μmのマークのジッターは1
6ns、0.2μmのマークのジッターは13nsとな
り、先の実施例2の結果より大幅に悪化してしまった。
つまり、この場合は、記録マークの最大の長さは0.3
μmであるため、ジッターは大幅に悪化した。
【0074】[実施例3]また、実施例1で作製した記
録媒体のうち0.2μmの記録マーク長において再生用
光ビームの後方からの磁壁の移動が観察されなかった記
録媒体を選んで、以下の実験を行った。まず、実施例2
と同様に図3の装置を用いて磁界変調記録方式で図10
(b)に示す様なMFM変調されたランダム信号を記録
媒体に記録し、このときは記録媒体と記録再生用光ビー
ムとの相対速度を1.5m/sとし、記録再生用レーザ
を5.5mWでDC照射しながら、図10(c)に示す
ような磁界を印加して図10(b)に一部を示す信号を
記録した。記録磁界は±200エルステッドとし、記録
信号のデータビット間隔Tは67nsとした。この時、
媒体上に記録されるマークの長さは、0.1μm、0.
15μm、0.2μmの3通りの長さになる。
【0075】このように記録した信号を、再生用光ビー
ムのパワーを1.7mWとして再生を行い、再生信号の
パルス幅のタイムインターバルを測定し、ジッターを計
測した。測定結果は、0.1μmのマークのジッターは
8.5ns、0.15μmのマークのジッターは8.6
ns、0.2μmのマークのジッターは8.4nsとな
り、いずれも良好な値が得られた。ここで、実施例2、
3においてMFM変調を例としているが、MFM変調の
場合、最長の記録マーク長は最小のマーク長の2倍であ
る。このような場合、以上のジッターの測定結果から明
らかなように良好な結果が得られ、最大記録マーク長は
最小記録マーク長の2倍以下とするのが望ましい。な
お、先にも説明したが、最大記録マーク長が最小記録マ
ーク長の2倍以下となるような変調方式としては、MF
M変調以外にFM変調、IDM変調等が挙げられる。
【0076】[比較例2]また、実施例3と比較するた
め、最短マークの長さが0.1μm、最長マークの長さ
が0.4μmとなるように(1,7)変調されたランダ
ム信号を記録し、ジッターを測定する実験を試みた。使
用する装置、媒体、記録条件は実施例3と同様である。
この時、媒体上に記録されるマークの長さは、0.1μ
m、0.15μm、0.2μm、0.25μm、0.3
μm、0.35μm、0.4μmの7通りの長さにな
る。この信号を再生用光ビームのパワーを1.7mWと
して再生を行い、再生信号のパルス幅のタイムインター
バルを測定し、ジッターを計測したところ、各マーク長
の信号が分離せず、ジッターの測定はできなかった。こ
れは、記録マークの最大の長さが0.4μmのためであ
る。
【0077】[実施例4]更に、実施例1で作製した記
録媒体のうち0.2μmの記録マーク長において再生用
光ビームの後方からの磁壁の移動が観察されなかった記
録媒体を選んで、以下の実験を行った。まず、図3の装
置を用いて磁界変調記録方式で(2,7)ピットポジシ
ョン変調されたランダム信号を各々の記録媒体に記録し
た。記録媒体と記録再生用光ビームとの相対速度は2m
/s、記録レーザパワーは7mWでDC照射とした。記
録磁界は±200エルステッドとした。記録信号のデー
タビット間隔Tは100nsとし、記録マークは0.7
5Tの長さで記録した。この時、媒体上に記録されるマ
ークの長さは0.15μmとなり、記録マークの間隔は
0.3μm、0.4μm、0.5μm、0.6μm、
0.7μm、0.8μmの6通りの長さになる。
【0078】このように記録した信号を、再生用光ビー
ムのパワーを2mWとして再生を行い、再生信号のパル
ス間隔のタイムインターバルを測定し、ジッターを計測
したところ、各パルス間隔のジッターは6.5nsから
6.8nsの範囲にあり、良好な値が得られた。即ち、
このようなピットポジション記録においては、マーク長
は固定で、マーク間隔を変えて記録するので、マーク長
を0.2μm以下とする方法を容易に用いることができ
る。
【0079】[実施例5]次に、条件を変えて記録媒体
を作製し、得られた媒体を用いて同様の実験を行った。
まず、記録媒体を作製する場合、直流マグネトロンスパ
ッタリング装置にBドープしたSi及びGd、Dy、T
b、Fe、Coの各ターゲットを取り付け、トラッキン
グ用の案内溝が形成されたポリカーボネイト基板を基板
ホルダーに固定した後、1×10-5Pa以下の高真空に
なるまでチャンバー内をクライオポンプで真空排気し
た。次いで、真空排気をしたままArガスとN2 ガスを
0.3Paとなるまでチャンバー内に導入し、基板を回
転させながら光干渉層としてSiN層を800オングス
トローム成膜した。
【0080】引き続いて、真空排気をしたままArガス
を0.3Paとなるまでチャンバー内に導入し、基板を
回転させながら第1の磁性層としてGd0.23(Fe0.97
Co 0.030.77層を300オングストローム、第2の磁
性層としてDy0.20(Fe0. 95Co0.05)層を100オ
ングストローム、第3の磁性層としてTb0.20(Fe
0.80Co0.200.80層を800オングストローム順次成
膜した。最後に、光干渉層の成膜時と同様の条件で、保
護層としてSiN層を800オングストローム成膜し
た。SiN層の屈折率は2.3となるようにArガスと
2 ガスの混合比を調整した。各磁性層はGd、Dy、
Tb、Fe、Coの各ターゲットに直流パワーを印加し
て成膜した。また、各磁性層の組成は全て補償組成近傍
になるように調整されており、キュリー温度は第1の磁
性層が250℃、第2の磁性層が160℃、第3の磁性
層が290℃程度であった。
【0081】この媒体のグルーブ上に高パワーのレーザ
光を集光して照射し、500℃以上に加熱してグルーブ
部分のみにアニール処理を行った。この媒体は、実施例
1の媒体と同様にグルーブ部上に積層された磁性層はア
ニール処理によって非磁性層に変質している。この非磁
性層によって、ランド上に積層された磁性層はグルーブ
の部分でほぼ磁気的に分離されている。なお、実際に
は、グルーブ部の磁性層がアニール処理によって完全に
非磁性層にならなくても、飽和磁化が十分に小さくなれ
ばグルーブ部での結合は無視できる。また、本実施形態
において各情報トラック間で互いに磁気的に分離される
とはこの様な状態も含まれる。
【0082】この様にして20枚の光磁気記録媒体を作
製し、記録再生特性を測定した。測定に用いた記録再生
装置の光ピックアップは、記録再生用のレーザ光源の波
長が630nmで、対物レンズのNAが0.60である
以外は実施例1で用いたもの(図5の光ピックアップ)
と同じである。この光ピックアップのスポットサイズ
は、光強度が1/e2 となるところで直径0.9μmで
あった。また、情報の記録は、実施例1と同様に磁気浮
上ヘッドを用いて、磁界変調記録方式によって行った。
【0083】次に、作製した記録媒体を記録再生用光ビ
ームとの相対速度が2m/sとなるように回転させ、記
録再生用レーザを5mWでDC照射しながら図8(b)
に示すような磁界を印加して図8(a)の信号を記録し
た。この際、記録マークの長さAと記録マークの間隔B
の比がA:B=1:10となるようにして、記録マーク
の長さAを0.1μm、0.12μm、0.14μm、
0.16μm、0.18μm、0.20μm、0.22
μm、0.24μmと変化させて信号の記録を行った。
磁界の強度は±200(Oe)とした。
【0084】この記録マークを、再生用光ビームのパワ
ーを1.7mWとして再生信号をオシロスコープで観察
した。この時、再生用光ビームの後方からの磁壁の移動
が起こらなければ図8(c)の様な再生波形が観察さ
れ、再生用光ビームの後方からの磁壁の移動が起きれば
図8(d)の様な波形が観察される。20枚の記録媒体
について調べた結果を図19に示す。図19において、
横軸は記録マークの長さ、縦軸は再生用光ビームの後方
からの磁壁の移動が観察された記録媒体の枚数を示して
いる。図19から、記録マークの長さが0.20μm以
上では再生用光ビームの後方からの磁壁の移動が必ず起
きてしまうが、記録マークの長さを0.16μm以下に
すれば再生用光ビームの後方からの磁壁の移動が起こら
ない記録媒体が20枚中5枚得られることがわかる。更
に、記録マークの長さを0.12μm以下にすれば、全
ての記録媒体が再生用光ビームの後方からの磁壁の移動
を伴わずに情報の再生ができた。
【0085】図20は上記結果を、横軸を(記録マーク
の長さ/再生用光ビームのスポット径)とし、縦軸を
(再生用光ビームの後方からの磁壁の移動が観察された
記録媒体の枚数)としてプロットした図である。図中×
印で示してあるのが実施例5の再生用光ビームのスポッ
ト径が0.9μmの場合の結果である。また、○印で示
してあるのが実施例1のスポット径が1.1μmの場合
の結果である。図20から、記録マークの長さを再生用
光ビームのスポット径の0.18倍以下にすれば、再生
用光ビームの後方からの磁壁の移動を伴わずに情報の再
生が可能であることがわかる。また、記録マークの長さ
を再生用光ビームのスポット径の0.15倍以下にすれ
ば、より安定に再生用光ビームの後方からの磁壁の移動
を伴わずに情報の再生が出来ることがわかる。なお、光
ビームのスポット径とは光ビームの強度が1/e2 とな
る直径のことである。
【0086】[実施例6]次に、実施例5で作製した光
磁気記録媒体のうち、0.16μmの記録マーク長にお
いて再生用光ビームの後方からの磁壁の移動が観察され
なかった記録媒体を選んで、以下の実験を行った。実験
に用いた記録再生装置は実施例5と同様のものである。
まず、記録再生装置を用いて磁界変調記録方式でMFM
変調されたランダム信号を光磁気記録媒体に記録した。
記録媒体は記録再生用光ビームとの相対速度が1.5m
/sとなるように回転させ、記録再生用レーザを4mW
でDC照射しながら信号を記録した。記録磁界は±20
0エルステッド、記録信号のデータビット間隔Tは53
nsとした。この時、媒体上に記録されるマークの長さ
は、0.08μm、0.12μm、0.16μmの3通
りの長さになり、再生用光ビームのスポット径に対して
それぞれ0.089倍、0.133倍、0.177倍の
長さになっている。
【0087】このように記録した信号を、再生用光ビー
ムのパワーを1.5mWとして再生を行い、再生信号の
パルス幅のタイムインターバルを測定し、ジッターを計
測した。この結果、0.08μmのマークのジッターは
7.4ns、0.12μmのマークのジッターは7.2
ns、0.16μmのマークのジッターは7.2ns
と、いずれも良好な値が得られた。
【0088】[比較例3]次に、実施例6との比較のた
め、記録信号のデータビット間隔Tを80nsとし、そ
の他は実施例6と同様にしてMFM変調されたランダム
信号の記録を行った。この時、記録媒体上に記録される
マークの長さは、0.12μm、0.18μm、0.2
4μmの3通りの長さになる。この信号を再生用光ビー
ムのパワーを1.5mWとして再生を行い、再生信号の
パルス幅のタイムインターバルを測定し、ジッターの計
測を試みた。しかし、各マーク長の信号が分離せず、ジ
ッターの計測は出来なかった。
【0089】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、記
録マークの再生方向に沿った長さが最大でも0.2μm
以下となるように情報を記録することにより、再生用ス
ポットの前方からと後方からの磁壁の移動が検出される
ことはなく、1ビームによる磁壁移動再生であっても情
報を正確に再生することができる。また、キュリー温度
マスクを用いる方法のように信号対ノイズ比が低下する
ことはなく、良好な信号対ノイズで情報を再生すること
ができる。更に、記録マークの再生方向に沿った長さが
最大でも再生用光ビームのスポット径の0.18倍以下
となるように情報を記録することにより、同様に1ビー
ムによる磁壁移動再生を正確に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施形態の情報記録再生方法に
係る光磁気記録再生装置を示した図である。
【図2】図1の装置を用いてマーク長に対するキャリ
ア、ノイズ、ジッターを測定した場合の測定結果を示し
た図である。
【図3】本発明の第2の実施形態の情報記録再生方法に
係る情報記録再生装置を示した図である。
【図4】図3の装置の磁壁移動再生を説明するための図
である。
【図5】図3の装置の光ピックアップを示した図であ
る。
【図6】本発明の第2の実施形態で用いる記録媒体の断
面図である。
【図7】図6の記録媒体の平面図である。
【図8】本発明の第2の実施形態で実験を行った場合の
記録信号、変調磁界及び再生信号波形を示した図であ
る。
【図9】本発明の第2の実施形態の記録マーク長に対す
る再生用光スポットの後方からの磁壁の移動が生じない
媒体の枚数を示した図である。
【図10】図3の装置を用いて更にMFM変調によって
情報を記録してジッターを測定する場合の各部の信号を
示した図である。
【図11】従来の光磁気記録再生装置に用いられる光学
系を示した図である。
【図12】光磁気信号の再生を説明するための図であ
る。
【図13】従来の磁壁移動再生の原理を説明するための
図である。
【図14】2ビームで磁壁移動再生を行う場合の光ヘッ
ドを示した図である。
【図15】2ビームによる磁壁移動再生を説明するため
の図である。
【図16】1ビームによる磁壁移動再生を説明するため
の図である。
【図17】1ビームによる磁壁移動再生の問題点を説明
するための図である。
【図18】キュリー温度マスクを用いた磁壁移動再生を
説明するための図である。
【図19】本発明の第2の実施形態の記録マーク長に対
する再生用光スポットの後方からの磁壁の移動が生じな
い媒体の枚数を示す図である。
【図20】図19、図9の結果を、横軸を記録マークの
長さ/再生用光ビームのスポット径、縦軸を再生用光ビ
ームの後方からの磁壁の移動が観察された記録媒体の枚
数としてプロットした図である。
【符号の説明】
1 光磁気ディスク 5 光ヘッド 6 磁気ヘッド 34 第1の磁性層(記録層) 35 第2の磁性層(調整層) 36 第3の磁性層(転写層) 100 光ピックアップ 101 記録磁界印加装置
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山本 昌邦 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キヤ ノン株式会社内

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 少なくとも、第1、第2、第3の磁性層
    が室温において交換結合して順次積層されている記録媒
    体であって、前記第1の磁性層は周囲温度近傍の温度に
    おいて前記第3の磁性層に比べて相対的に磁壁抗磁力が
    小さく磁壁移動度の大きな磁性膜からなり、前記第2の
    磁性層は前記第1及び第3の磁性層よりもキュリー温度
    の低い磁性膜からなる記録媒体を用い、磁界の印加及び
    /又は光ビームの照射によって情報の記録を行い、磁壁
    の移動を検出して情報の再生を行う情報記録再生方法に
    おいて、記録マークの再生方向に沿った長さが最大でも
    0.2μm以下となるように情報を記録することを特徴
    とする情報記録再生方法。
  2. 【請求項2】 請求項1に記載の情報記録再生方法にお
    いて、記録マークの再生方向に沿った長さが、0.15
    μm以下となるように情報を記録することを特徴とする
    情報記録再生方法。
  3. 【請求項3】 少なくとも、第1、第2、第3の磁性層
    が室温において交換結合して順次積層されている記録媒
    体であって、前記第1の磁性層は周囲温度近傍の温度に
    おいて前記第3の磁性層に比べて相対的に磁壁抗磁力が
    小さく磁壁移動度の大きな磁性膜からなり、前記第2の
    磁性層は前記第1及び第3の磁性層よりもキュリー温度
    の低い磁性膜からなる記録媒体を用い、磁界の印加及び
    /又は光ビームの照射によって情報の記録を行い、磁壁
    の移動を検出して情報の再生を行う情報記録再生方法に
    おいて、記録マークの再生方向に沿った長さが最大でも
    再生用光ビームのスポット径の0.18倍以下となるよ
    うに情報を記録することを特徴とする情報記録再生方
    法。
  4. 【請求項4】 請求項3に記載の情報記録再生方法にお
    いて、記録マークの再生方向に沿った長さが再生用光ビ
    ームのスポット径の0.15倍以下となるように情報を
    記録することを特徴とする情報記録再生方法。
  5. 【請求項5】 請求項1または3に記載の情報記録再生
    方法において、記録マークの再生方向に沿った最大のマ
    ーク長が、最少のマーク長の2倍以下となるように情報
    を記録することを特徴とする情報記録再生方法。
JP10234246A 1997-08-29 1998-08-20 情報記録再生方法 Pending JPH11134732A (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
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