JPH0520972B2 - - Google Patents

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JPH0520972B2
JPH0520972B2 JP331685A JP331685A JPH0520972B2 JP H0520972 B2 JPH0520972 B2 JP H0520972B2 JP 331685 A JP331685 A JP 331685A JP 331685 A JP331685 A JP 331685A JP H0520972 B2 JPH0520972 B2 JP H0520972B2
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circuit
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Yasuhiro Kurosawa
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Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は回線選択継電装置、特に静止化された
しや断器取外し回路の引外し阻止制御に関するも
のである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Technical Field of the Invention] The present invention relates to a line selective relay device, and more particularly to trip prevention control of a stationary disconnector removal circuit.

〔発明の技術的背景〕[Technical background of the invention]

近年の電力系統制御、保護機器のトランジスタ
及び半導体阻止を用いた静止化、更にはマイクロ
コンピユータ応用を目指したデイジタル化の傾向
が、素子の進歩と情報・通信技術の進歩と共に著
しく増大してきている。
BACKGROUND ART In recent years, the trend toward digitalization aimed at power system control, staticization using transistors and semiconductor blocking for protection equipment, and even microcomputer applications has been increasing significantly with advances in elements and information and communication technology.

このような状況の中で系統保護分野において
も、デジタル技術応用としてマイクロコンピユー
タを用いたデイジタルリレーが研究段階から実用
化段階を抑えている。しかし保護装置の中枢部と
なるリレー単体部がデイジタル化されても、しや
断器及び外部制御機器とのインターフエース部は
未だ、静止化されていないのが実情である。その
一例として電力系統の中で低位系統と呼ばれる、
系統の2回線送電線の保護に適用されている回線
選択保護方式のしや断引外し回路を挙げて説明す
る。
Under these circumstances, even in the power grid protection field, digital relays that use microcomputers as digital technology applications are moving from the research stage to the practical application stage. However, even if the relay unit, which is the central part of the protection device, has been digitalized, the reality is that the interface with the disconnector and external control equipment has not yet been made static. One example of this is the system called the low-level system in the electric power system.
A line selection protection system applied to protect two-line power transmission lines in a power grid will be described below.

第4図に代表的な引外し回路例を示す。図中、
152AX,252AXは各々第1回線1L用し
や断器1LCB、第2回線2L用しや断器2LCB
のしや断器閉時に動作する補助リレーの常開接点
第1回線用デイジタルリレー1Aより出力される
主検出リレー(1Mリレー)及び故障検出リレー
(1Fリレー)により駆動される補助リレー1
MX、1FXの動作時「閉」となるa接点が1L
用しや断器1LCBを引外すように構成している。
又、この時、第2回線2L側にてデイジタルリレ
ー2Aが動作し、その結果主検出リレー2M及び
故障検出リレー2Fが動作し、補助リレー2
MX,2FXが閉路したとしても、第1回線1L
側の引外し指令により阻止用補助リレー150
TLが付勢されて、第2回線側の引外し回路が開
路しているために、第2回線2L側のしや断器に
は引外し電流が流れないようになつている。これ
は第1回線1L側と第2回線2L側の関係が逆に
なれば前述した制御回路が逆になるだけである。
このような第1回線1L側しや断指令と第2回線
2L側しや断指令が互いに阻止信号を出力する必
要があるのは保護方式上の問題である。
FIG. 4 shows an example of a typical tripping circuit. In the figure,
152AX and 252AX are respectively 1LCB for the 1st line 1L and 2LCB for the 2nd line 2L.
Auxiliary relay 1 driven by the main detection relay (1M relay) and failure detection relay (1F relay) output from the first line digital relay 1A, which is the normally open contact of the auxiliary relay that operates when the Noshiya disconnector is closed.
The a contact that is “closed” when MX and 1FX are activated is 1L.
It is configured so that the breaker 1LCB can be tripped.
Also, at this time, the digital relay 2A operates on the second line 2L side, and as a result, the main detection relay 2M and failure detection relay 2F operate, and the auxiliary relay 2
Even if MX and 2FX are closed, the first line 1L
The blocking auxiliary relay 150 is triggered by the side tripping command.
Since TL is energized and the tripping circuit on the second line side is open, no tripping current flows through the disconnector on the second line 2L side. This is because if the relationship between the first line 1L side and the second line 2L side is reversed, the above-mentioned control circuit will be reversed.
It is a problem in the protection system that the first line 1L side shedding command and the second line 2L side shedding command need to output blocking signals to each other.

第5図はその機能の必要性を示すものである。
即ち、回線選択保護方式の概略説明図である。本
方式については電気書院版「保護継電技術」(小
林進著)の306頁以降に詳細に記されている。こ
こでは前述した第4図中の第1回線1L側、第2
回線2L側しや断器へのしや断指令による、相互
の阻止用補助リレー150TL,250TLの必要
性についてのみ説明する。第5図aはX端子付近
の1L側F点に事故があつた場合、デイジタルリ
レー1A,1Bには第1回線1L側電流入力変成
器2Aを介して事故電流1F、同じく第2回線2
L側電流入力変成器2Bを介して事故電流2F
取込まれ、その差分電流SFを合成する。
FIG. 5 shows the necessity of this function.
That is, it is a schematic explanatory diagram of a line selection protection method. This method is described in detail on pages 306 onwards in Denki Shoin's ``Protective Relay Technology'' (written by Susumu Kobayashi). Here, the first line 1L side and the second line in FIG.
Only the necessity of mutual blocking auxiliary relays 150TL and 250TL based on the disconnection command to the line 2L side disconnector will be explained. Figure 5a shows that when a fault occurs at point F on the 1L side near the
The fault current 2F is taken in via the L-side current input transformer 2B, and its differential current SF is synthesized.

SF1F2F ……(1) 差分電流SFは第1回線1L側事故電流1F
第2回線2L側事故電流より大きいので、正の値
になつて1号線側の事故と判定し、主検出リレー
の動作出力1M、故障検出リレーの動作出力1F
により、第4図の第1回線1L側の引外し用補助
リレー1MX,1FXを駆動させる。その結果第
1回線1L側のしや断器が引外されて、しや断器
1LCBが開となり、その様相が第5図bに示さ
れている。その後事故点Fに流れる事故電流は、
今までの第1回線1L側に流れていた電流がなく
なり、第2回線2L側に廻り込んで第5図bのよ
うに、事故電流′2FがX端子2L側を介してY
端子2L側から、第1回線1L側に流れ込んで事
故点Fに流れる。従つてX端子のデイジタルリレ
ーは、第2回線2L側の電流の流れから2L側の
主検出リレー及び故障検出リレーが動作側の出力
を出すことになり、引外し条件が成立してしまう
ことになる。しかし前述した第1回線1L側引外
し回路にある阻止用補助リレー150TLの動作
により、第2回線2L側の引外し回路は150
TLのb接点により開路されているため、第2回
線2L側しや断器を誤しや断することは阻止でき
る。しかし送電線には事故電流′2Fは残つたま
まである。この電流をしや断するのはY端子の第
1回線1L側の電流が送電線の内部方向に流れて
いることから、X端子と同一原理、同一保護動作
により第1回線1L側しや断器を引外す制御がな
され、第5図cのように事故回線1L側のX,Y
端子のしや断器のみが開放され、健全回線2L側
のしや断器はそのまま残り、電力の送受電は健全
状態のまま残る。
SF = 1F - 2F ... (1) The differential current SF becomes a positive value because the fault current 1F on the 1L side of the 1st line is larger than the fault current on the 2L side of the 2nd line, and it is determined that the fault is on the line 1 side, and the main Detection relay operating output 1M, failure detection relay operating output 1F
As a result, the auxiliary trip relays 1MX and 1FX on the first line 1L side in FIG. 4 are driven. As a result, the fiber breaker on the first line 1L side is tripped, and the fiber breaker 1LCB is opened, as shown in FIG. 5b. After that, the fault current flowing to fault point F is:
The current that had previously been flowing to the first line 1L side disappears and flows to the second line 2L side, and as shown in Figure 5b, the fault current ' 2F flows through the X terminal 2L side and becomes Y
It flows from the terminal 2L side to the first line 1L side and flows to the fault point F. Therefore, in the digital relay of the X terminal, the main detection relay and failure detection relay on the 2L side will output the operating side due to the current flow on the second line 2L side, and the trip condition will be satisfied. Become. However, due to the operation of the blocking auxiliary relay 150TL in the tripping circuit on the first line 1L side, the tripping circuit on the second line 2L side becomes 150TL.
Since the circuit is opened by the b contact of TL, it is possible to prevent the second line 2L side from being accidentally disconnected. However, the fault current ' 2F remains in the transmission line. The reason why this current is quickly cut off is that the current on the first line 1L side of the Y terminal flows toward the inside of the power transmission line. The device is controlled to trip, and as shown in Figure 5c, X and Y on the fault line 1L side are
Only the terminals and disconnectors are opened, and the terminals and disconnectors on the healthy line 2L side remain as they are, and power transmission and reception remain in a healthy state.

以上の内容は回線選択継電方式のシーケンシヤ
ルしや断と呼称されている機能であり、前述した
第1回線1L側、第2回線2L側相互の阻止信号
の有効性を説明したものである。しかし、前述し
たようにマイクロコンピユータ応用によるデイジ
タルリレー技術と相俟つて、引外し回路の機械機
構、及び電磁力を利用した補助リレーの半導体素
子への置換えが急務になつてきている。このよう
な状況下で引外し回路の静止化ということから注
目されているのが制御極付制御整流素子(以下半
導体スイツチング素子と云う)の適用である。こ
の素子の動作機能については半導体の書物等に記
載されている。半導体スイツチング素子の特性例
を第6図に示す。前記素子のシンボルを図中のb
に示す。(A、K、G)は各々アノード、カソー
ド、ゲートのシンボル名である。同図aの逆阻止
領域は通常のダイオードと略々同特性である。順
阻止領域が通常のダイオードと異なり、ゲートの
電流制御により阻止電圧が変わるが、図中の高導
通領域にある時は通常のダイオードの順方向状態
と同一であるが、この時ゲート電流をG1から
G2の状態にゲートレベルを低下させても阻止状態
には戻らない。更に阻止状態に戻すには、アノー
ド・カソード間の電圧を開放するか、又は逆阻止
電圧を加えればよい。即ち半導体スイツチング素
子の高導通領域特性と順阻止領域の関係が、第4
図に示されるように引外し指令により動作する補
助リレー152TX,252TXが動作した時、
第1回線1L側しや断器が開放するまで動作継続
となるモードと同一となる。このような半導体ス
イツチング素子の特性を利用して、しや断器引外
し回路を構成すると第7図のようになる。デイジ
タルリレー1A,1Bから出力される主検出リレ
ー動作出力1M、故障検出リレー動作出力1Fが
動作することにより、ゲート入力インターフエー
ス5A,5Bを介して半導体スイツチング素子5
C,5Dのゲートに電流が入力され、半導体スイ
ツチング素子5C,5Dは共に高導通領域にな
る。その結果しや断器が開放されて、半導体スイ
ツチング素子5C,5Dのアノード・カソード間
は開放状態になり所定時間後にはしや断器が投入
されても阻止状態を保持できる。
The above is a function called sequential disconnection of the line selective relay system, and explains the effectiveness of the above-mentioned mutual blocking signals on the first line 1L side and the second line 2L side. However, as mentioned above, along with digital relay technology based on microcomputers, there is an urgent need to replace the mechanical mechanism of the tripping circuit and the auxiliary relay that utilizes electromagnetic force with semiconductor elements. Under such circumstances, the application of a controlled rectifier element with a control pole (hereinafter referred to as a semiconductor switching element) is attracting attention in order to make the tripping circuit stationary. The operating functions of this element are described in semiconductor books and the like. FIG. 6 shows an example of the characteristics of a semiconductor switching element. The symbol of the element is b in the figure.
Shown below. (A, K, G) are the symbol names of anode, cathode, and gate, respectively. The reverse blocking region shown in FIG. 5A has substantially the same characteristics as a normal diode. The forward blocking region is different from that of a normal diode, and the blocking voltage changes depending on the gate current control. However, when it is in the high conduction region shown in the figure, it is the same as the forward state of a normal diode, but at this time the gate current is changed to G1. from
Even if the gate level is lowered to the G2 state, the blocking state does not return. Further, to return to the blocking state, the voltage between the anode and cathode may be released or a reverse blocking voltage may be applied. In other words, the relationship between the high conduction region characteristics and the forward blocking region of a semiconductor switching element is
As shown in the figure, when the auxiliary relays 152TX and 252TX operate according to the tripping command,
This mode is the same as the mode in which operation continues until the disconnector on the first line 1L side is opened. When a circuit breaker tripping circuit is constructed by utilizing the characteristics of such a semiconductor switching element, it becomes as shown in FIG. When the main detection relay operation output 1M and failure detection relay operation output 1F output from the digital relays 1A and 1B operate, the semiconductor switching element 5 is activated via the gate input interfaces 5A and 5B.
A current is input to the gates of semiconductor switching elements 5C and 5D, and both semiconductor switching elements 5C and 5D become highly conductive regions. As a result, the breaker is opened, and the anodes and cathodes of the semiconductor switching elements 5C and 5D are opened, so that the blocking state can be maintained even if the breaker is turned on after a predetermined period of time.

又、第7図の回路で系統事故が保護区間外で故
障検出リレー1Fが動作して、主検出リレーが不
動作で1Mが不動作の時は、半導体スイツチング
素子5Cのゲートには電流が流れず順阻止状態の
ままであり、半導体スイツチング素子5Dのゲー
トに電流が流れてもアノード・カソード間に順電
流が流れない。従つて事故がなくなつて、半導体
スイツチング素子5Dのゲート電流がなくなれば
元の状態に戻る。
In addition, in the circuit shown in Fig. 7, when a system fault occurs outside the protected area and failure detection relay 1F operates, the main detection relay is inoperative and 1M is inoperative, current flows to the gate of semiconductor switching element 5C. The semiconductor switching element 5D remains in the forward blocking state, and even if current flows through the gate of the semiconductor switching element 5D, no forward current flows between the anode and the cathode. Therefore, when the accident disappears and the gate current of the semiconductor switching element 5D disappears, the original state is restored.

以上がしや断器引外し回路の静止化を狙つた時
の制御極付制御整流素子の適用回路である。
The above is an application circuit of a control rectifier with a control pole when aiming to make a circuit breaker trip circuit stationary.

〔背景技術の問題点〕[Problems with background technology]

しかしこのような半導体スイツチング素子を使
つた場合に、しや断器に引外し指令が出されたこ
とを確認できる信号、即ち第4図の152TX,
252TXに相当する信号が作成できない。第7
図の静止化された引外し回路に第4図の152
TXを接続できれば何ら問題はないが、静止化と
いう目的から大きく外れることになる。
However, when such a semiconductor switching element is used, a signal that can confirm that a tripping command has been issued to the circuit breaker, ie, 152TX in Fig. 4, is generated.
A signal corresponding to 252TX cannot be created. 7th
152 in Figure 4 to the static trip circuit in Figure 4.
There will be no problem if you can connect TX, but it will greatly deviate from the purpose of staticization.

〔発明の目的〕[Purpose of the invention]

本発明は上記問題点を解決するためになされた
ものであり、回線選択保護方式のしや断器引外し
回路に半導体スイツチング素子を適用した場合で
も、事故回線側のしや断器に確実にしや断電流が
流れたことを確認して、健全回線の誤しや断を防
止し得る回線選択継電装置を提供することを目的
としている。
The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and even when a semiconductor switching element is applied to a line-selective protection type line-breaker tripping circuit, it is possible to ensure that the line-breaker tripping circuit on the fault line side is It is an object of the present invention to provide a line selection relay device that can prevent faulty or disconnection of a healthy line by confirming that a fault or disconnection current has flowed.

〔発明の概要〕[Summary of the invention]

本発明では、従来の回線選択リレー及び故障検
出リレーの各接点に代えて、半導体スイツチング
素子を用いたトリツプ回路とし、この半導体スイ
ツチング素子のオン・オフ操作をフリツプ・フロ
ツプ素子と論理回路とによつて構成し、他回線の
しや断器を引外する指令がないことで「1」とな
る信号をフリツプ・フロツプ素子のセツト側入力
とし、両回線しや断器の少なくとも一方が閉じて
いることで「1」となる信号をリセツト側入力と
し、リセツト側入力が「0」の時にセツト側入力
を保持するように動作させることにより、各半導
体スイツチング素子を操作させ、従来の接点操作
の場合による選択性と同様な動作結果を静止化に
ても得るようにしたものである。
In the present invention, a trip circuit using a semiconductor switching element is used instead of the contacts of the conventional line selection relay and failure detection relay, and the on/off operation of the semiconductor switching element is performed using a flip-flop element and a logic circuit. A signal that becomes ``1'' when there is no command to trip the disconnector of the other line is input to the set side of the flip-flop element, and at least one of the disconnectors of both lines is closed. By using the signal that becomes ``1'' as the reset side input and holding the set side input when the reset side input is ``0'', each semiconductor switching element is operated, and in the case of conventional contact operation. The same selectivity can be obtained even when the system is stationary.

〔発明の実施例〕[Embodiments of the invention]

以下図面を参照して実施例を説明する。第1図
は本発明による回線選択継電装置の一実施例図で
ある。
Examples will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a diagram showing an embodiment of a line selective relay device according to the present invention.

第1図において、5C1,5D1は半導体スイ
ツチング素子であり、従来例で説明した主検出リ
レー及び故障検出リレーの接点1MX,1FXに
対応している。5A1,5A2は半導体スイツチ
ング素子5C1,5D1のゲート回路に接続され
たゲート入力インターフエイスで、第1回線側の
デイジタルリレー1Aからの入力が導入される。
前記したデイジタルリレー1A内にはインヒビツ
ト回路63M,63Fがあり、インヒビツト回路
63M及び63Fの禁止入力端は共通になつてフ
リツプ・フロツプFF1の出力端に接続される。
インヒビツト回路63M,63Fの夫々他方の入
力端には主検出リレー1M及び故障検出リレー1
Fの入力が接続され、更にフリツプ・フロツプ回
路FF1のセツト入力端Sには後述する第2回線
側からの250TL出力が接続され、又リセツト
端Rは第2回線側のフリツプ・フロツプFF2に
共通接続され、NAND回路62に接続される。
なおNAND回路62には第1回線及び第2回線
の各しや断器のパレツトスイツチの開閉信号15
2A,252Aが入力される。又、半導体スイツ
チング素子5C1,5D1には夫々並列にフオト
カプラー6A1,6B1が抵抗64を介して接続
され、2次例のフオトトランジスタはNOR1回路
61を介して、第2回線用のデイジタルリレー内
にあるフリツプ・フロツプFF2のセツト入力端
子Sに接続されている。なお152−a,252
−aはしや断器のパレツトスイツチである。以上
の説明は第1回線側についてであるが、第2回線
側も全く同様である。そして第2回線側のNOR
回路612からの出力250TLが第1回線用FF
1のセツト入力端Sに入力される。
In FIG. 1, 5C1 and 5D1 are semiconductor switching elements, which correspond to the contacts 1MX and 1FX of the main detection relay and failure detection relay explained in the conventional example. 5A1 and 5A2 are gate input interfaces connected to the gate circuits of the semiconductor switching elements 5C1 and 5D1, into which the input from the digital relay 1A on the first line side is introduced.
The digital relay 1A has inhibit circuits 63M and 63F, and the inhibit input terminals of the inhibit circuits 63M and 63F are commonly connected to the output terminal of the flip-flop FF1.
Main detection relay 1M and failure detection relay 1 are connected to the other input terminals of inhibit circuits 63M and 63F, respectively.
Furthermore, the 250TL output from the second line side, which will be described later, is connected to the set input terminal S of the flip-flop circuit FF1, and the reset terminal R is common to the flip-flop FF2 on the second line side. and is connected to the NAND circuit 62.
In addition, the NAND circuit 62 has an open/close signal 15 for each of the first line and the second line and a pallet switch for disconnection.
2A and 252A are input. Further, photocouplers 6A1 and 6B1 are connected in parallel to the semiconductor switching elements 5C1 and 5D1, respectively, via a resistor 64, and the phototransistors of the secondary example are connected to the digital relay for the second line via the NOR 1 circuit 61. It is connected to the set input terminal S of the flip-flop FF2 located at the flip-flop FF2. Furthermore, 152-a, 252
-a is the pallet switch for the fence and disconnector. Although the above explanation concerns the first line side, the second line side is also completely similar. and NOR on the second line side
Output 250TL from circuit 61 2 is FF for the first line
It is input to the set input terminal S of 1.

上記構成を有する回線選択継電装置の動作を説
明する。
The operation of the line selection relay device having the above configuration will be explained.

先ず定常状態から説明する。第1回線しや断器
1LCB及び第2回線しや断器2LCBが共に閉時
は、論理信号152A,252Aは共に「1」で
あり、NAND回路62の出力は「0」になつて
いる。したがつて、フリツプ・フロツプ(FF1,
FF2)のリセツトR側に「0」の信号が入り、
フリツプ・フロツプ(FF1,FF2)は共にセツ
ト信号の状態に依存する。又、半導体スイツチン
グ素子5C1,5D1は共にOFF状態(順阻止
状態)にあり、ホトカプラー6A1,6B1の1
次側に制限抵抗64を介して電流が流れ、ホトカ
プラー6A1,6B1の出力が共に「1」で、
NORゲート61を介して第2回線2L側デイジ
タルリレー1Bに取込まれ、フリツプ・フロツプ
FF2のセツトS側に入力される。第2回線2L
側のホトカプラーについても同様のことが言え
る。即ち、デイジタルリレー1Aに取込まれる第
2回線2L側からのホトカプラー出力250TL
は、フリツプ・フロツプFF1のセツトS側に入
力される。したがつてフリツプ・フロツプFF1
の出力が「0」の状態でインヒビツト回路63
M,63Fに入力されている。
First, the steady state will be explained. When both the first line disconnector 1LCB and the second line disconnector 2LCB are closed, the logic signals 152A and 252A are both "1", and the output of the NAND circuit 62 is "0". Therefore, flip-flop (FF1,
A “0” signal enters the reset R side of FF2),
Both flip-flops (FF1, FF2) depend on the state of the SET signal. Further, both semiconductor switching elements 5C1 and 5D1 are in the OFF state (forward blocking state), and one of the photocouplers 6A1 and 6B1 is in the OFF state (forward blocking state).
Current flows to the next side via the limiting resistor 64, and the outputs of the photocouplers 6A1 and 6B1 are both "1",
It is taken into the digital relay 1B on the second line 2L side via the NOR gate 61, and the flip-flop
It is input to the set S side of FF2. 2nd line 2L
The same can be said about the side photocoupler. In other words, the photocoupler output 250TL from the second line 2L side is taken into the digital relay 1A.
is input to the set S side of flip-flop FF1. Therefore, flip-flop FF1
When the output of is "0", the inhibit circuit 63
It is input to M, 63F.

次に第1回線1L側に第5図aに示す事故が発
生した場合の応動を説明する。即ち、第1回線1
Lに内部事故が発生すると、デイジタルリレー1
Aの主検出リレー1M及び故障検出リレー1Fが
動作状態になり、デイジタルリレー1Aのインヒ
ビツト回路63M,63Fの出力が共に「1」
で、ゲート入力インターフエイス5A1,5B1
を介して半導体スイツチング素子5C1,5D1
が共にターンオンして、第6図に示す特性の高導
通領域に入り、しや断器1LCBのコイル152
TCに電流が流れて動作することになる。その結
果第1回線1L側しや断器1LCBがしや断動作
することにより、NAND回路62に第1回線1
Lしや断器1LCBの開時「0」なる信号152
Aが入力され、NAND回路62の出力が「1」
となり、前述したフリツプ・フロツプFF2のリ
セツト側に「1」が入力され、デイジタルリレー
1Bの出力が「0」側に阻止され、第1回線1L
側事故でしや断器が開になつても第5図のbに相
当する状態でありながら、第2回線2L側しや断
器2LCBに引外し指令が出力されて健全回線側
の誤しや断を防止することができる。前述の説明
中に再三記しているデイジタルリレー1A,1B
中のフリツプ・フロツプFF1,FF2、又はイン
ヒビツト回路63は全て機能を説明するためのも
のであり、実際には取込まれたしや断器情報等は
プログラムで処理し、前記機能を満足するように
処理される。第2図にデイジタルリレーの構成図
を示す。第2図中の電流入力変成器CT及び電圧
入力変成器PDを介して得られる電流、電圧を所
定の出力レベルに変換する入力変換器21に入力
する。その出力は所望外の周波数成分を除くため
のフイルター22に入力され、その出力は一定の
サンプリング周期でサンプリングして次サンプリ
ングまでホールドするサンプルホールド回路
(S/H)23及びその並列出力を直列データに
変換するMPX24を介してアナログデイジタル
変換器(A/D)25にてデイジタル量に変換さ
れる。デイジタル量に変換されたデータはデータ
メモリー(RAM)26に格納され、保護演算プ
ログラムを記憶するプログラムメモリー27に従
つてCPU28にて所定の保護演算を実行する。
又、保護演算に必要な1L側、2L側しや断器の
開閉状態を示す補助リレーの接点152A,25
2Aの状態をインターフエース29を介して入出
力インターフエース30に取込む。更に所定の保
護演算及び論理制御した結果を入出力インターフ
エース30及び外部機構インターフエースを介し
て引外し回路指令を出力する。即ち引外し回路指
令としては、第1図の出力1M,1Fとインヒビ
ツト回路を通した出力が該当する。又第2図の整
定部31はリレー動作判定演算等に必要な整定値
を取込むためのインターフエース及及専用メモリ
ーを内蔵している。
Next, the response when the accident shown in FIG. 5a occurs on the first line 1L side will be explained. That is, the first line 1
If an internal accident occurs in L, digital relay 1
The main detection relay 1M and failure detection relay 1F of A are activated, and the outputs of the inhibit circuits 63M and 63F of the digital relay 1A are both "1".
And gate input interface 5A1, 5B1
Semiconductor switching elements 5C1, 5D1 via
turn on together and enter the high conduction region with the characteristics shown in FIG.
Current flows through the TC and it operates. As a result, the first line 1L side disconnector 1LCB operates to disconnect the first line 1L.
Signal 152 that becomes “0” when the L-shaped circuit breaker 1LCB opens
A is input, and the output of the NAND circuit 62 is "1"
Therefore, "1" is input to the reset side of flip-flop FF2 mentioned above, the output of digital relay 1B is blocked to "0" side, and the first line 1L
Even if the breaker opens due to an accident on the side, a trip command is output to the 2L side breaker 2LCB on the 2nd line 2L side, even though the condition corresponds to b in Figure 5. It is possible to prevent damage and breakage. Digital relays 1A and 1B mentioned repeatedly in the above explanation
The flip-flops FF1, FF2, or the inhibit circuit 63 inside are all for explaining the functions, and in reality, the captured fault information, disconnection information, etc. are processed by a program to satisfy the above functions. will be processed. Figure 2 shows a configuration diagram of the digital relay. The current and voltage obtained through the current input transformer CT and voltage input transformer PD in FIG. 2 are input to an input converter 21 that converts them to a predetermined output level. The output is input to a filter 22 for removing undesired frequency components, and the output is input to a sample hold circuit (S/H) 23 that samples at a constant sampling period and holds it until the next sampling, and its parallel output is converted into serial data. It is converted into a digital quantity by an analog-to-digital converter (A/D) 25 via an MPX 24 which converts it into a digital quantity. The data converted into digital quantities is stored in a data memory (RAM) 26, and a predetermined protection calculation is executed by the CPU 28 according to a program memory 27 that stores a protection calculation program.
In addition, auxiliary relay contacts 152A and 25 indicate the opening/closing status of the 1L side and 2L side disconnectors necessary for protection calculation.
The state of 2A is taken into the input/output interface 30 via the interface 29. Further, the results of predetermined protection calculation and logic control are outputted as a trip circuit command via the input/output interface 30 and the external mechanism interface. That is, the tripping circuit command corresponds to the outputs 1M and 1F in FIG. 1 and the outputs passed through the inhibit circuit. Further, the setting section 31 in FIG. 2 has a built-in interface and dedicated memory for taking in setting values necessary for relay operation determination calculations, etc.

本発明は半導体スイツチング素子のみを対称に
して記述したが、前記素子に代わつて従来からの
補助リレー接点を適用した引外し回路においても
同様の効果を期待できることは言うまでもない。
その一例を第3図に示す。第3図の補助リレー1
MX,1FX及び2MX,2FXは第4図の補助リ
レーと同目的のものであることは言うまでもな
い。
Although the present invention has been described with reference to a semiconductor switching element only, it goes without saying that similar effects can be expected in a tripping circuit in which a conventional auxiliary relay contact is applied in place of the semiconductor switching element.
An example is shown in FIG. Auxiliary relay 1 in Figure 3
It goes without saying that MX, 1FX and 2MX, 2FX have the same purpose as the auxiliary relay shown in Figure 4.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上の如く本発明では低位系統の保護方式とし
て汎く適用されている2回線送電線保護を目的と
する回線選択保護方式のしや断器引外し回路に半
導体スイツチング素子を適用した場合でも、事故
回線側のしや断器に確実にしや断電流が流れたこ
とを確認して、健全回線側の誤しや断を防止でき
る。
As described above, in the present invention, even when a semiconductor switching element is applied to a disconnector trip circuit of a line selection protection system for the purpose of protecting two-line power transmission lines, which is widely applied as a protection system for low-level systems, it is possible to prevent accidents. By confirming that the disconnection current has definitely flowed to the disconnector on the line side, it is possible to prevent errors and disconnections on the healthy line side.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明による回線選択継電装置に適用
される回線間トリツプ阻止回路の実施例図、第2
図は本発明の適用リレーであるデイジタルリレー
の構成図、第3図は回線間トリツプ阻止回路の他
の実施例図、第4図は従来の引外し回路例図、第
5図は回線選択保護方式のしや断器引外し回路の
相互阻止機能の必要性を示す図、第6図は半導体
スイツチング素子の特性図、第7図は半導体スイ
ツチング素子のしや断器引外し回路例を示す図で
ある。 1A,1B……デイジタルリレー、5A,5B
……半導体スイツチング素子ゲート入力インター
フエース、5C,5D……SCR回路、6A1,
6B1,6C1,6D1……ホトカプラー回路。
FIG. 1 is an embodiment of an inter-line trip prevention circuit applied to a line selective relay device according to the present invention, and FIG.
Figure 3 is a block diagram of a digital relay, which is a relay to which the present invention is applied, Figure 3 is a diagram of another embodiment of an inter-line trip prevention circuit, Figure 4 is an example of a conventional tripping circuit, and Figure 5 is line selection protection. Figure 6 is a characteristic diagram of a semiconductor switching element, and Figure 7 is a diagram showing an example of a circuit breaker tripping circuit for a semiconductor switching element. It is. 1A, 1B...Digital relay, 5A, 5B
...Semiconductor switching element gate input interface, 5C, 5D...SCR circuit, 6A1,
6B1, 6C1, 6D1...Photocoupler circuit.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1 2回線送電線の保護を行なう回線選択継電装
置において、事故回線の選択機能を有する第1の
手段と、事故発生を検出する第2の手段と、他回
線のしや断器を引外する指令がないことで「1」
となる信号をセツト側入力とし、両回線のしや断
器の少なくとも一方が閉じていることで「1」と
なる信号をリセツト側入力とし、リセツト側入力
が「0」の時にセツト側入力を保持するフリツプ
フロツプ機能を有する第3の手段と、第3の手段
のノツト出力と前記第1の手段の出力とを入力と
するアンド機能を有する第4の手段と、第3の手
段のノツト出力と前記第2の手段の出力とを入力
とするアンド機能を有する第5の手段と、第4の
手段の出力を入力として所定のレベルに変換する
第6の手段と、第5の手段の出力を入力として所
定のレベルに変換する第7の手段と、第6の手段
及び第7の手段の出力が各ゲートに入力してアノ
ード・カソード間にしや断器引外し電流を流す制
御極付制御整流素子からなる第8の手段及び第9
の手段と、第8の手段及び第9の手段のアノー
ド・カソード間に所定の電圧が印加されているこ
とを検出する第10の手段及び第11の手段と、第10
の手段及び第11の手段との出力を入力として各々
が共に「0」の状態にある時「1」と判断する、
即ち自回線の引外し回路に引外し指令が出力され
ていないことを検出する第12の手段とからなるこ
とを特徴とする回線選択継電装置。
1. In a line selection relay device that protects a two-line power transmission line, the first means has a function of selecting the faulty line, the second means has the function of detecting the occurrence of an accident, and has a function of tripping the fault line or disconnector of the other line. “1” because there is no command to do so.
The signal that becomes ``1'' when at least one of the wires and disconnectors of both lines is closed is the reset side input, and when the reset side input is ``0'', the set side input is input. a third means having a flip-flop function for holding; a fourth means having an AND function which inputs the not output of the third means and the output of the first means; and the not output of the third means; a fifth means having an AND function that takes the output of the second means as an input; a sixth means that takes the output of the fourth means as an input and converts it to a predetermined level; A seventh means for converting the input to a predetermined level, and a controlled rectifier with a control pole for inputting the outputs of the sixth means and the seventh means to each gate to flow a shear breaker tripping current between the anode and cathode. Eighth means consisting of an element and a ninth means
means, tenth means and eleventh means for detecting that a predetermined voltage is applied between the anode and cathode of the eighth means and the ninth means;
When the outputs of the means and the eleventh means are input and both are in the state of "0", it is judged as "1".
That is, a line selection relay device comprising a twelfth means for detecting that a tripping command is not output to the tripping circuit of its own line.
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