JPH0521042B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0521042B2 JPH0521042B2 JP60183473A JP18347385A JPH0521042B2 JP H0521042 B2 JPH0521042 B2 JP H0521042B2 JP 60183473 A JP60183473 A JP 60183473A JP 18347385 A JP18347385 A JP 18347385A JP H0521042 B2 JPH0521042 B2 JP H0521042B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- core
- oxide ceramic
- firing
- mold
- hollow body
- Prior art date
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Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、成形後の焼成工程において焼成収縮
を起こさない再結晶SiC又は反応焼結Si3N4から
なる非酸化物セラミツク中空体の製造に好適な、
カーボン質の中子を用いた非酸化物セラミツク中
空体の製造方法に関するものである。
を起こさない再結晶SiC又は反応焼結Si3N4から
なる非酸化物セラミツク中空体の製造に好適な、
カーボン質の中子を用いた非酸化物セラミツク中
空体の製造方法に関するものである。
（従来の技術）
第４図に示すようなパイプ状のセラミツク中空
体や第７図に示すような複雑な内部形状を持つセ
ラミツク中空体を製造するには、金属、石膏等か
らなる中子を用いてスラリーを鋳込成形する方法
が普通であり、再結晶SiCや反応焼結Si3N4等の
非酸化物セラミツクを原料とした場合も同様であ
る。しかし、成形型から取出した成形品を中子を
付けたままで焼成すると中子が成形品と反応した
り中子が熱分解して焼成雰囲気が変化し、所定の
特性の製品が得られなくなるため、焼成前に中子
を成形品から除去する必要があつた。このため、
中子が可溶性のものであるときには中子を溶かし
て除去しているが、このとき成形品が破損し易い
欠点があつた。またパイプ状の成形品の場合には
中子を引抜くことも可能であるが、長尺品の場合
にはやはり破損を生じ易く、更にまた中子のない
状態で焼成するために焼成時に反りや変形を生ず
ることがある欠点もあつた。
体や第７図に示すような複雑な内部形状を持つセ
ラミツク中空体を製造するには、金属、石膏等か
らなる中子を用いてスラリーを鋳込成形する方法
が普通であり、再結晶SiCや反応焼結Si3N4等の
非酸化物セラミツクを原料とした場合も同様であ
る。しかし、成形型から取出した成形品を中子を
付けたままで焼成すると中子が成形品と反応した
り中子が熱分解して焼成雰囲気が変化し、所定の
特性の製品が得られなくなるため、焼成前に中子
を成形品から除去する必要があつた。このため、
中子が可溶性のものであるときには中子を溶かし
て除去しているが、このとき成形品が破損し易い
欠点があつた。またパイプ状の成形品の場合には
中子を引抜くことも可能であるが、長尺品の場合
にはやはり破損を生じ易く、更にまた中子のない
状態で焼成するために焼成時に反りや変形を生ず
ることがある欠点もあつた。
（発明が解決しようとする問題点）
本発明は上記のような従来の問題点を解消し
て、中子を成形品から除去することによる成形品
の破損や焼成時の反り、変形等を防止し、しかも
中子の熱分解等による成形品への悪影響をなくし
た非酸化物セラミツク中空体の製造方法を目的と
して完成されたものである。
て、中子を成形品から除去することによる成形品
の破損や焼成時の反り、変形等を防止し、しかも
中子の熱分解等による成形品への悪影響をなくし
た非酸化物セラミツク中空体の製造方法を目的と
して完成されたものである。
（問題点を解決するための手段）
本発明は、焼成収縮のない再結晶SiC又は反応
焼結Si3N4からなる非酸化物セラミツク中空体を
鋳込成形法により製造する方法であつて、成形型
にカーボン質の中子をセツトした後、上記の非酸
化物セラミツクスラリーを鋳込成形し、成形品を
成形型から取出して乾燥させたうえ中子付きのま
ま非酸化性の雰囲気炉中で焼成し、その後カーボ
ン質の中子を焼成品から取除くことを特徴とする
ものである。
焼結Si3N4からなる非酸化物セラミツク中空体を
鋳込成形法により製造する方法であつて、成形型
にカーボン質の中子をセツトした後、上記の非酸
化物セラミツクスラリーを鋳込成形し、成形品を
成形型から取出して乾燥させたうえ中子付きのま
ま非酸化性の雰囲気炉中で焼成し、その後カーボ
ン質の中子を焼成品から取除くことを特徴とする
ものである。
上記のように、本発明は焼成収縮のない再結晶
SiC又は反応焼結Si3N4からなる非酸化物セラミ
ツク中空体の製造方法に関するもので、非酸化物
セラミツクであつても緻密質SiCや緻密質Si3N4
は焼成により大きく収縮するために、本発明の対
象からは除外される。
SiC又は反応焼結Si3N4からなる非酸化物セラミ
ツク中空体の製造方法に関するもので、非酸化物
セラミツクであつても緻密質SiCや緻密質Si3N4
は焼成により大きく収縮するために、本発明の対
象からは除外される。
本発明において用いられるカーボン質の中子は
非酸化性の雰囲気中においては高温度でも安定な
ものであり、再結晶SiC又は反応焼結Si3N4から
なる非酸化物セラミツク成形品を焼成する際にそ
の特性に影響を与えることがなく、また酸化性の
雰囲気中で加熱すれば焼失して容易に除去するこ
とができる利点を有するものである。なお、中子
の形状が焼成品から引抜くことができるものであ
る場合には必ずしも中子を焼失させる必要はな
く、中子を焼成品から取除く手段は特に限定され
るものではない。
非酸化性の雰囲気中においては高温度でも安定な
ものであり、再結晶SiC又は反応焼結Si3N4から
なる非酸化物セラミツク成形品を焼成する際にそ
の特性に影響を与えることがなく、また酸化性の
雰囲気中で加熱すれば焼失して容易に除去するこ
とができる利点を有するものである。なお、中子
の形状が焼成品から引抜くことができるものであ
る場合には必ずしも中子を焼失させる必要はな
く、中子を焼成品から取除く手段は特に限定され
るものではない。
（実施例）
次に本発明の好ましい実施例を示す。
実施例 １
第１図に示すように石膏製の成形型１の内部に
カーボン質の中子２をセツトし、平均粒径10μの
金属シリコン100重量部に１部の助剤と30部の水
と0.5部の解膠剤とをトロンメルで混合した非酸
化物セラミツクスラリー３を注入した。これを必
要に応じて0.5〜３Kg／cm2の圧縮空気より加圧し
て成形型１の内表面に非酸化物セラミツクスラリ
ー３を着肉させ、得られた成形体４を第２図に示
すように中子２を付けたまま成形型１から取出し
た。次にこれを40〜100℃で約15時間乾燥したう
えで第３図のように中子２付きのままN2ガス雰
囲気炉５中にセツトし、1400℃で焼成した。この
結果、金属シリコンはN2ガスと反応して焼成収
縮のない非酸化物セラミツクであるSi3N4に変化
するが、カーボン質の中子２はこの反応に全く関
与することがない。またこの反応の際に成形体４
には焼成収縮が生じないので焼成中に中子２が破
壊されることがないうえ、焼成完了後にはカーボ
ン質の中子２を焼成品から容易に引抜くことがで
き、第４図に示すとおりのパイプ状の非酸化物セ
ラミツク中空体６が得られた。中子２を除去する
際には焼成品は十分に大きい強度を持つので破壊
されることがなく、また中子２付きのまま焼成さ
れるので反りや変形を生ずることもなく、寸法精
度に優れた非酸化物セラミツク中空体６が得られ
た。
カーボン質の中子２をセツトし、平均粒径10μの
金属シリコン100重量部に１部の助剤と30部の水
と0.5部の解膠剤とをトロンメルで混合した非酸
化物セラミツクスラリー３を注入した。これを必
要に応じて0.5〜３Kg／cm2の圧縮空気より加圧し
て成形型１の内表面に非酸化物セラミツクスラリ
ー３を着肉させ、得られた成形体４を第２図に示
すように中子２を付けたまま成形型１から取出し
た。次にこれを40〜100℃で約15時間乾燥したう
えで第３図のように中子２付きのままN2ガス雰
囲気炉５中にセツトし、1400℃で焼成した。この
結果、金属シリコンはN2ガスと反応して焼成収
縮のない非酸化物セラミツクであるSi3N4に変化
するが、カーボン質の中子２はこの反応に全く関
与することがない。またこの反応の際に成形体４
には焼成収縮が生じないので焼成中に中子２が破
壊されることがないうえ、焼成完了後にはカーボ
ン質の中子２を焼成品から容易に引抜くことがで
き、第４図に示すとおりのパイプ状の非酸化物セ
ラミツク中空体６が得られた。中子２を除去する
際には焼成品は十分に大きい強度を持つので破壊
されることがなく、また中子２付きのまま焼成さ
れるので反りや変形を生ずることもなく、寸法精
度に優れた非酸化物セラミツク中空体６が得られ
た。
実施例 ２
第５図に示すように石膏製の成形型１の内部に
カーボン質の中子２をセツトし、粒径１mm以下の
SiC 100部に解膠剤0.2部、水20部とを加えて15時
間トロンメル混合した非酸化物セラミツクスラリ
ー３を注入し、排泥鋳込法により鋳込成形した。
得られた成形体４を中子２付きのまま成形型１か
ら取出し、40〜100℃で15時間乾燥したうえ第６
図のようにアルゴン雰囲気炉５中にセツトし、
2300℃で２時間焼成した。この焼成により焼成収
縮のほとんどない非酸化物セラミツクである再結
晶SiCからなる焼成品が得られたが、カーボン質
の中子２はSiCの再結晶に何ら影響を与えること
がない。次に中子２付きの焼成品を酸化性雰囲気
中において500℃以上に加熱すれば、カーボン質
の中子２は焼失して第７図に示すような再結晶
SiCからなる非酸化物セラミツク中空体６が得ら
れた。本実施例においては、中子２は焼失させる
方法により焼成品から除去されるので、図示のよ
うに中子２を引抜きが不可能な形状のものとして
おくことができ、任意の形状の非酸化物セラミツ
ク中空体６を製造することができる。
カーボン質の中子２をセツトし、粒径１mm以下の
SiC 100部に解膠剤0.2部、水20部とを加えて15時
間トロンメル混合した非酸化物セラミツクスラリ
ー３を注入し、排泥鋳込法により鋳込成形した。
得られた成形体４を中子２付きのまま成形型１か
ら取出し、40〜100℃で15時間乾燥したうえ第６
図のようにアルゴン雰囲気炉５中にセツトし、
2300℃で２時間焼成した。この焼成により焼成収
縮のほとんどない非酸化物セラミツクである再結
晶SiCからなる焼成品が得られたが、カーボン質
の中子２はSiCの再結晶に何ら影響を与えること
がない。次に中子２付きの焼成品を酸化性雰囲気
中において500℃以上に加熱すれば、カーボン質
の中子２は焼失して第７図に示すような再結晶
SiCからなる非酸化物セラミツク中空体６が得ら
れた。本実施例においては、中子２は焼失させる
方法により焼成品から除去されるので、図示のよ
うに中子２を引抜きが不可能な形状のものとして
おくことができ、任意の形状の非酸化物セラミツ
ク中空体６を製造することができる。
（発明の効果）
本発明は以上の説明から明らかなように、カー
ボン質の中子がセツトされた成形型を用いて、再
結晶SiC又は反応焼結Si3N4を得るための非酸化
物セラミツクスラリーを鋳込成形するとともに、
中子付きのまま雰囲気炉中で焼成して焼成後に中
子を取除くようにしたものであるから、中子を焼
成前に除去することに伴なう成形品の破損を防止
することができるうえ、中子の焼成時における反
り変形を防止して寸法精度の良い非酸化物セラミ
ツク中空体を得ることができるものである。しか
もカーボン質の中子は化学的に極めて安定で非酸
化性の雰囲気炉中においては成形品の焼成に影響
を及ぼすことがなく、所定の特性のセラミツク中
空体を得ることができる。本発明は焼成収縮を起
さない再結晶SiC又は反応焼結Si3N4からなる非
酸化物セラミツク中空体の製造に好適なものであ
り、従来の欠点を解消したカーボン質の中子を用
いた非酸化物セラミツク中空体の製造方法とし
て、産業の発展に寄与するところは極めて大であ
る。
ボン質の中子がセツトされた成形型を用いて、再
結晶SiC又は反応焼結Si3N4を得るための非酸化
物セラミツクスラリーを鋳込成形するとともに、
中子付きのまま雰囲気炉中で焼成して焼成後に中
子を取除くようにしたものであるから、中子を焼
成前に除去することに伴なう成形品の破損を防止
することができるうえ、中子の焼成時における反
り変形を防止して寸法精度の良い非酸化物セラミ
ツク中空体を得ることができるものである。しか
もカーボン質の中子は化学的に極めて安定で非酸
化性の雰囲気炉中においては成形品の焼成に影響
を及ぼすことがなく、所定の特性のセラミツク中
空体を得ることができる。本発明は焼成収縮を起
さない再結晶SiC又は反応焼結Si3N4からなる非
酸化物セラミツク中空体の製造に好適なものであ
り、従来の欠点を解消したカーボン質の中子を用
いた非酸化物セラミツク中空体の製造方法とし
て、産業の発展に寄与するところは極めて大であ
る。
第１図〜第４図は本発明の第１の実施例の製造
工程を示す一部切欠正面図、第５図〜第７図は第
２の実施例の製造工程を示す断面図である。 １：成形型、２：中子、３：非酸化物セラミツ
クスラリー、５：雰囲気炉。
工程を示す一部切欠正面図、第５図〜第７図は第
２の実施例の製造工程を示す断面図である。 １：成形型、２：中子、３：非酸化物セラミツ
クスラリー、５：雰囲気炉。
Claims (1)
- １ 焼成収縮のない再結晶SiC又は反応焼結
Si3N4からなる非酸化物セラミツク中空体を鋳込
成形法により製造する方法であつて、成形型にカ
ーボン質の中子をセツトした後、上記の非酸化物
セラミツクスラリーを鋳込成形し、成形品を成形
型から取出して乾燥させたうえ中子付きのまま非
酸化性の雰囲気炉中で焼成し、その後カーボン質
の中子を焼成品から取除くことを特徴とするカー
ボン質の中子を用いた非酸化物セラミツク中空体
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18347385A JPS6242802A (ja) | 1985-08-21 | 1985-08-21 | カーボン質の中子を用いた非酸化物セラミック中空体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18347385A JPS6242802A (ja) | 1985-08-21 | 1985-08-21 | カーボン質の中子を用いた非酸化物セラミック中空体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6242802A JPS6242802A (ja) | 1987-02-24 |
| JPH0521042B2 true JPH0521042B2 (ja) | 1993-03-23 |
Family
ID=16136409
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18347385A Granted JPS6242802A (ja) | 1985-08-21 | 1985-08-21 | カーボン質の中子を用いた非酸化物セラミック中空体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6242802A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3704433B2 (ja) * | 1998-08-31 | 2005-10-12 | 京セラ株式会社 | 粉末加圧成形方法 |
| JP2002216626A (ja) * | 2001-01-19 | 2002-08-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 発光管の製造方法 |
| NO334256B1 (no) * | 2009-04-23 | 2014-01-20 | Saint Gobain Ind Keramik Rodental Gmbh | Fremgangsmåte for fremstilling av keramisk formdel av reaksjonsbundet silisiumnitrid, apparatur samt anvendelse derav |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5964198A (ja) * | 1982-10-04 | 1984-04-12 | Nanba Press Kogyo Kk | 粒状構造物本体の内部に型抜きできない貫通中空部を形成する方法 |
-
1985
- 1985-08-21 JP JP18347385A patent/JPS6242802A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6242802A (ja) | 1987-02-24 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |