JPH05210876A - ナノメータ範囲において、経時的に安定な特定的変化を固体表面上に位置を選択してもたらす方法 - Google Patents
ナノメータ範囲において、経時的に安定な特定的変化を固体表面上に位置を選択してもたらす方法Info
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- JPH05210876A JPH05210876A JP4206782A JP20678292A JPH05210876A JP H05210876 A JPH05210876 A JP H05210876A JP 4206782 A JP4206782 A JP 4206782A JP 20678292 A JP20678292 A JP 20678292A JP H05210876 A JPH05210876 A JP H05210876A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 常態的雰囲気条件下に、すなわち室温でかつ
空気中において、変形位置ないしその近傍で、表面の原
子配列を例えば結合破断により破壊することなく、ナノ
メータ範囲の寸法を有する隆起を経時的に安定かつ再現
可能に形成し得る方法を提供すること。 【構成】 変化がもたらされた個所もしくはその近傍に
おける表面の原子配列を破壊することなく、ナノメータ
範囲において、経時的に安定な特定的変化を固体表面上
に位置を選択してもたらす方法において、積層構造を有
する固体表面の少なくとも１層に、空間的および時間的
に限定された吸引力を表面におよぼす局部的探査針の作
用により局部的層剥離をもたらし、ナノメータ範囲にお
いて横方向に長い経時的に安定な局部的隆起を形成する
ことを特徴とする方法。
空気中において、変形位置ないしその近傍で、表面の原
子配列を例えば結合破断により破壊することなく、ナノ
メータ範囲の寸法を有する隆起を経時的に安定かつ再現
可能に形成し得る方法を提供すること。 【構成】 変化がもたらされた個所もしくはその近傍に
おける表面の原子配列を破壊することなく、ナノメータ
範囲において、経時的に安定な特定的変化を固体表面上
に位置を選択してもたらす方法において、積層構造を有
する固体表面の少なくとも１層に、空間的および時間的
に限定された吸引力を表面におよぼす局部的探査針の作
用により局部的層剥離をもたらし、ナノメータ範囲にお
いて横方向に長い経時的に安定な局部的隆起を形成する
ことを特徴とする方法。
Description
【０００１】
【技術分野】本発明は変化がもたらされた個所もしくは
その近傍における表面の原子配列を破壊することなく、
ナノメータ範囲において、経時的に安定な特定的変化を
固体表面上に位置を選択してもたらす方法に関するもの
であり、またこの方法を使用して情報を記憶する方法に
関するものである。
その近傍における表面の原子配列を破壊することなく、
ナノメータ範囲において、経時的に安定な特定的変化を
固体表面上に位置を選択してもたらす方法に関するもの
であり、またこの方法を使用して情報を記憶する方法に
関するものである。
【０００２】
【従来技術】再現可能の態様で読取られ得る極めて微細
なパターンを形成することは、ことにデータ記憶に使用
する場合に極めて興味深い。このような媒体の記憶密度
は、再現可能に書込まれ、読出され得る最小パターンに
より決定される。形成されるパターンの達成可能の寸法
の下限は、以下の２点により限定される。先ず、例えば
書込み／読出しヘッドの形状により、位置的正確性と局
部的解像力が、達成可能の記憶密度を制限する。次に材
料特性、例えば材料の非均質性あるいはホワイトドメイ
ンの寸法が、生起せしめられるパターンの寸法を、希望
する程度まで縮少することを許さない。固体に書込む情
報単位を次第に小さくしてゆく場合の下限は、隣接原子
間の間隔により設定される。高記憶密度のために好まし
い目標は、この基本的限度に接近し、１ビットの情報単
位を僅かに数個の原子に相当する寸法に記憶するに至
る。
なパターンを形成することは、ことにデータ記憶に使用
する場合に極めて興味深い。このような媒体の記憶密度
は、再現可能に書込まれ、読出され得る最小パターンに
より決定される。形成されるパターンの達成可能の寸法
の下限は、以下の２点により限定される。先ず、例えば
書込み／読出しヘッドの形状により、位置的正確性と局
部的解像力が、達成可能の記憶密度を制限する。次に材
料特性、例えば材料の非均質性あるいはホワイトドメイ
ンの寸法が、生起せしめられるパターンの寸法を、希望
する程度まで縮少することを許さない。固体に書込む情
報単位を次第に小さくしてゆく場合の下限は、隣接原子
間の間隔により設定される。高記憶密度のために好まし
い目標は、この基本的限度に接近し、１ビットの情報単
位を僅かに数個の原子に相当する寸法に記憶するに至
る。
【０００３】局部的探査針、例えば走査トンネル型電子
顕微鏡（ＳＴＭ）、あるいは原子力顕微鏡もしくは磁力
顕微鏡の形態における走査顕微鏡用の探査針を使用する
近視野法は、０．１ｎｍよりさらに良好なその高度の位
置正確性のみならず、ことにその高度の局部的解像力の
ために、当然このような記録方法に使用されるべきであ
る。すでに、ＳＴＭ探査針尖端を使用して、４Ｋにおけ
るキセノン原子を超高真空下において特定的に配置する
ことによりニッケル上に文字を書込み得ることが実証さ
れている（ネイチャー３４４（１９９０）５２４におけ
るＤ、Ｍ、アイグラーおよびＥ、Ｋ、シュバィツァーの
論稿）。
顕微鏡（ＳＴＭ）、あるいは原子力顕微鏡もしくは磁力
顕微鏡の形態における走査顕微鏡用の探査針を使用する
近視野法は、０．１ｎｍよりさらに良好なその高度の位
置正確性のみならず、ことにその高度の局部的解像力の
ために、当然このような記録方法に使用されるべきであ
る。すでに、ＳＴＭ探査針尖端を使用して、４Ｋにおけ
るキセノン原子を超高真空下において特定的に配置する
ことによりニッケル上に文字を書込み得ることが実証さ
れている（ネイチャー３４４（１９９０）５２４におけ
るＤ、Ｍ、アイグラーおよびＥ、Ｋ、シュバィツァーの
論稿）。
【０００４】しかしながら、雰囲気条件下、すなわち室
温、空気中において書込み、読出しを行う可能性は、そ
の寸法および書込み処理の再現性に加えて、この種の極
めて微細なパターンを工業的に形成することは極めて困
難である。
温、空気中において書込み、読出しを行う可能性は、そ
の寸法および書込み処理の再現性に加えて、この種の極
めて微細なパターンを工業的に形成することは極めて困
難である。
【０００５】この種のパターンを室温において経時的に
安定に形成することは、例えば尖端を試料中に機械的に
挿入することにより実施可能である（Ａｐｐｌ、Ｐｈｙ
ｓ、Ｌｅｔｔ、５５（１９８９）１３１２におけるファ
ン、レーネンらの論稿）。しかしながら、試料表面は同
時に結合破断により、ほとんどの場合局部的に破壊され
る。従ってこの方法は一旦書き込まれるともはや非可逆
的となり、情報の消去ないし変更は不可能である。そこ
でナノメータ範囲の寸法を有する微小変形を、表面の原
子配列を破壊することなく、固体表面上に書込み得る方
法が要求される。この種の変形は例えば加熱により消去
し得る可能性を有するからである。
安定に形成することは、例えば尖端を試料中に機械的に
挿入することにより実施可能である（Ａｐｐｌ、Ｐｈｙ
ｓ、Ｌｅｔｔ、５５（１９８９）１３１２におけるファ
ン、レーネンらの論稿）。しかしながら、試料表面は同
時に結合破断により、ほとんどの場合局部的に破壊され
る。従ってこの方法は一旦書き込まれるともはや非可逆
的となり、情報の消去ないし変更は不可能である。そこ
でナノメータ範囲の寸法を有する微小変形を、表面の原
子配列を破壊することなく、固体表面上に書込み得る方
法が要求される。この種の変形は例えば加熱により消去
し得る可能性を有するからである。
【０００６】そこで本発明の目的は、常態的雰囲気条件
下に、すなわち室温でかつ空気中において、変形位置な
いしその近傍で、表面の原子配列を例えば結合破断によ
り破壊することなく、ナノメータ範囲の寸法を有する隆
起を経時的に安定かつ再現可能に形成し得る方法を提供
することである。
下に、すなわち室温でかつ空気中において、変形位置な
いしその近傍で、表面の原子配列を例えば結合破断によ
り破壊することなく、ナノメータ範囲の寸法を有する隆
起を経時的に安定かつ再現可能に形成し得る方法を提供
することである。
【０００７】
【発明の要約】しかるに上述の目的は、変化がもたらさ
れた個所もしくはその近傍における表面の原子配列を破
壊することなく、ナノメータ範囲において、経時的に安
定な特定的変化を固体表面上に位置を選択してもたらす
方法において、積層構造を有する固体表面の少なくとも
１層に、空間的および時間的に限定された吸引力を表面
におよぼす局部的探査針の作用により局部的層剥離をも
たらし、ナノメータ範囲において横方向に長い経時的に
安定な局部的隆起を形成することを特徴とする方法によ
り達成され得ることが本発明者らにより見出された。
れた個所もしくはその近傍における表面の原子配列を破
壊することなく、ナノメータ範囲において、経時的に安
定な特定的変化を固体表面上に位置を選択してもたらす
方法において、積層構造を有する固体表面の少なくとも
１層に、空間的および時間的に限定された吸引力を表面
におよぼす局部的探査針の作用により局部的層剥離をも
たらし、ナノメータ範囲において横方向に長い経時的に
安定な局部的隆起を形成することを特徴とする方法によ
り達成され得ることが本発明者らにより見出された。
【０００８】
【発明の構成】本発明方法の好ましい実施態様において
は、例えば走査トンネル型電子顕微鏡の局部的探査針尖
端を、層状半導体に接近させて、試料表面と探査針との
間に静電的に、磁力的に、接着力により、あるいは毛細
管作用により吸引力を生起せしめる。
は、例えば走査トンネル型電子顕微鏡の局部的探査針尖
端を、層状半導体に接近させて、試料表面と探査針との
間に静電的に、磁力的に、接着力により、あるいは毛細
管作用により吸引力を生起せしめる。
【０００９】この方法が図１から図３に略図的に示され
ている。図１は積層状材料から成る試料の横断面図であ
る。各線は層を示し、原子もしくは分子の位置が小円形
で示されている。図２には固体表面に向けて移動し、こ
れに著しく接近し、好ましくは数個の原子の直径に相当
する寸法の間隔まで接近し、あるいは接着力を利用する
場合には接触せしめられる局部的探査針が示されてい
る。二重矢印は探査針と固体表面との間の吸引相互作用
を示す。この力が作用している間に探査針を試料から撤
去すると、試料表面はこの探査針に局部的に追随する。
表面の弾性変形のみは比較的小さい力でもたらされるの
で、探査針と表面の間の吸引相互作用が充分に強力であ
れば、図３に示されるように層剥離が生起せしめられ
る。材料の最上層が局部的にその下方層から剥離される
と、試料表面には局部的隆起が形成される。
ている。図１は積層状材料から成る試料の横断面図であ
る。各線は層を示し、原子もしくは分子の位置が小円形
で示されている。図２には固体表面に向けて移動し、こ
れに著しく接近し、好ましくは数個の原子の直径に相当
する寸法の間隔まで接近し、あるいは接着力を利用する
場合には接触せしめられる局部的探査針が示されてい
る。二重矢印は探査針と固体表面との間の吸引相互作用
を示す。この力が作用している間に探査針を試料から撤
去すると、試料表面はこの探査針に局部的に追随する。
表面の弾性変形のみは比較的小さい力でもたらされるの
で、探査針と表面の間の吸引相互作用が充分に強力であ
れば、図３に示されるように層剥離が生起せしめられ
る。材料の最上層が局部的にその下方層から剥離される
と、試料表面には局部的隆起が形成される。
【００１０】この方法の前提条件は、積層構造を有する
材料、例えば黒鉛あるいはジカルコゲナイド、例えばタ
ングステンジセレナイドもしくはモリブデンジサルファ
イドが使用され、この方法に使用される表面が、材料層
面に平行でなければならないことである。
材料、例えば黒鉛あるいはジカルコゲナイド、例えばタ
ングステンジセレナイドもしくはモリブデンジサルファ
イドが使用され、この方法に使用される表面が、材料層
面に平行でなければならないことである。
【００１１】この方法は層中の原子もしくは分子の結
合、従って凝集力が、各層間のそれよりも著しく強い事
実を利用するものである。従って、比較的弱い外力で異
なる層を局部的に剥離し、これら層内において微視的な
欠陥、結合破断、位置交換、亀裂を形成することなく、
原子もしくは分子が各層内において依然としてその凝集
状態を維持することができる。このようにして原子ない
し分子の層内における配列が完全に保持され、原子ない
し分子の格子が表面において局部的にわずかに捩れるこ
とはあっても、破壊されることはない。剥離によりもた
らされるパターンを消去し得るために必要な要件は、こ
のようにして充足される。
合、従って凝集力が、各層間のそれよりも著しく強い事
実を利用するものである。従って、比較的弱い外力で異
なる層を局部的に剥離し、これら層内において微視的な
欠陥、結合破断、位置交換、亀裂を形成することなく、
原子もしくは分子が各層内において依然としてその凝集
状態を維持することができる。このようにして原子ない
し分子の層内における配列が完全に保持され、原子ない
し分子の格子が表面において局部的にわずかに捩れるこ
とはあっても、破壊されることはない。剥離によりもた
らされるパターンを消去し得るために必要な要件は、こ
のようにして充足される。
【００１２】本発明の好ましい実施態様においては、ト
ンネル作用尖端が局部的探査針の役割りを果たす走査ト
ンネル型顕微鏡を使用する。ことにこのＳＴＭでは表面
変化をもたらすために使用されたのと同じ探査針を使用
して、変形処理（多くの場合原子レベル解像）の前後に
表面に画像を形成することができる。
ンネル作用尖端が局部的探査針の役割りを果たす走査ト
ンネル型顕微鏡を使用する。ことにこのＳＴＭでは表面
変化をもたらすために使用されたのと同じ探査針を使用
して、変形処理（多くの場合原子レベル解像）の前後に
表面に画像を形成することができる。
【００１３】本発明はまた冷却が不必要である利点を有
する。形成されたパターンは２日までの観察時間にわた
って完全に安定であり、しかも走査顕微鏡を使用して煩
雑に画像形成を反覆したにもかかわらず不変であった。
しかも形成されたパターンは、熱的に生起せしめられる
弛緩により消去され、変化形成前の原状に復帰した。
する。形成されたパターンは２日までの観察時間にわた
って完全に安定であり、しかも走査顕微鏡を使用して煩
雑に画像形成を反覆したにもかかわらず不変であった。
しかも形成されたパターンは、熱的に生起せしめられる
弛緩により消去され、変化形成前の原状に復帰した。
【００１４】従って本発明方法は、情報単位の記憶およ
び消去を行うために、ことに有利に使用される。形成さ
れた各パターンは、１ビットの情報内容に相当する。本
発明方法は、書込み、書込まれた情報の読出しおよびそ
の消去に同じ探査針を使用し得ること、すなわち探査針
が書込みヘッド兼読出しヘッドであること、書込み処理
はピエゾシステムの定置速度およびトンネル作用サイク
ルの時定数によってのみ制約されるに過ぎないことにお
いて有利である。１ビットの情報を書込むための数ミリ
セカンドの書込み速度は、従来の装置を使用して達成で
きるが、マイクロセカンドの範囲の書込み速度は軽微な
変形形成により達成される。
び消去を行うために、ことに有利に使用される。形成さ
れた各パターンは、１ビットの情報内容に相当する。本
発明方法は、書込み、書込まれた情報の読出しおよびそ
の消去に同じ探査針を使用し得ること、すなわち探査針
が書込みヘッド兼読出しヘッドであること、書込み処理
はピエゾシステムの定置速度およびトンネル作用サイク
ルの時定数によってのみ制約されるに過ぎないことにお
いて有利である。１ビットの情報を書込むための数ミリ
セカンドの書込み速度は、従来の装置を使用して達成で
きるが、マイクロセカンドの範囲の書込み速度は軽微な
変形形成により達成される。
【００１５】添付図面を参照して本発明方法をさらに具
体的に説明する。
体的に説明する。
【００１６】気相搬送法により成長させたタングステン
ジセレナイド試料を、まずそのへき開方向に平行にへき
開させて、試料層面に平行な、新規清浄な面を形成す
る。これらの層は、それぞれ図４に示されるように、セ
レン／タングステンの順序でそれぞれ独立した３層を有
する。緑色球状体はセレン原子の位置に相当し、赤色部
分はタングステン原子の位置に相当する。このようにし
て準備されたタングステンジセレナイド試料の表面を、
まず走査トンネル型顕微鏡を使用して原子レベル解像度
で画像形成（図５）した。試料表面のトンネル作用電圧
は０．８Ｖ（トンネル尖端、正極）、トンネル作用電流
は３ｎＡとした。図５における原子間距離は０．３３ｎ
ｍである。
ジセレナイド試料を、まずそのへき開方向に平行にへき
開させて、試料層面に平行な、新規清浄な面を形成す
る。これらの層は、それぞれ図４に示されるように、セ
レン／タングステンの順序でそれぞれ独立した３層を有
する。緑色球状体はセレン原子の位置に相当し、赤色部
分はタングステン原子の位置に相当する。このようにし
て準備されたタングステンジセレナイド試料の表面を、
まず走査トンネル型顕微鏡を使用して原子レベル解像度
で画像形成（図５）した。試料表面のトンネル作用電圧
は０．８Ｖ（トンネル尖端、正極）、トンネル作用電流
は３ｎＡとした。図５における原子間距離は０．３３ｎ
ｍである。
【００１７】次いでトンネル作用尖端を変形処理される
べき試料面上の任意の位置に置き、上述したトンネル作
用パラメータによりトンネル作用範囲に保持した。振幅
３．２ボルト、パルス継続時間２ｍｓから２０ｍｓの正
弦半波の形態における、トンネル作用電圧と同極性の電
圧を、トンネル作用尖端と試料との間に印加した。トン
ネル顕微鏡の制御回路は全処理の間にわたって作動状態
に維持し、パルスによるトンネル作用電流の増大の結果
として、トンネル作用尖端はパルス電圧印加時に制御回
路の時定数で撤去上昇せしめられた。パルスの間に尖端
と試料との間における静電的吸引相互作用の増大によ
り、完全に平坦な試料表面上のパルスが賦課される各位
置に、平滑で円形のバンプとして局部的な層剥離が形成
される。図６には、制御回路の指令による、試料表面か
らの尖端撤去と同時に、２個の電圧パルスにより対応す
る位置に形成された、直径約３ｎｍの２個の層剥離バン
プが示されている。これら図６のパターンはその形成に
使用され、かつそれ以前の未変形試料表面の画像形成に
使用されたものと同じトンネル作用尖端で画像形成され
たものである。原子レベル解像度で画像形成された図６
は、変形形成部分および近傍において、表面原子配列が
変形処理後にも維持されていることを示している。
べき試料面上の任意の位置に置き、上述したトンネル作
用パラメータによりトンネル作用範囲に保持した。振幅
３．２ボルト、パルス継続時間２ｍｓから２０ｍｓの正
弦半波の形態における、トンネル作用電圧と同極性の電
圧を、トンネル作用尖端と試料との間に印加した。トン
ネル顕微鏡の制御回路は全処理の間にわたって作動状態
に維持し、パルスによるトンネル作用電流の増大の結果
として、トンネル作用尖端はパルス電圧印加時に制御回
路の時定数で撤去上昇せしめられた。パルスの間に尖端
と試料との間における静電的吸引相互作用の増大によ
り、完全に平坦な試料表面上のパルスが賦課される各位
置に、平滑で円形のバンプとして局部的な層剥離が形成
される。図６には、制御回路の指令による、試料表面か
らの尖端撤去と同時に、２個の電圧パルスにより対応す
る位置に形成された、直径約３ｎｍの２個の層剥離バン
プが示されている。これら図６のパターンはその形成に
使用され、かつそれ以前の未変形試料表面の画像形成に
使用されたものと同じトンネル作用尖端で画像形成され
たものである。原子レベル解像度で画像形成された図６
は、変形形成部分および近傍において、表面原子配列が
変形処理後にも維持されていることを示している。
【００１８】この図面代用写真に示されるパターンは、
室温、空気雰囲気中において形成されたものであり、こ
の条件下に数日間安定であることが実証された。またこ
のパターン書込みが超高真空下においても行われ得るこ
と、このような条件下においても経時的に安定であるこ
とも実証された。
室温、空気雰囲気中において形成されたものであり、こ
の条件下に数日間安定であることが実証された。またこ
のパターン書込みが超高真空下においても行われ得るこ
と、このような条件下においても経時的に安定であるこ
とも実証された。
【００１９】情報記憶に使用するためには、読出し操作
が記憶された情報を変形しないことが重要である。これ
を実証するため、ＳＴＭを使用してこの種の層剥離パタ
ーンを種々の試料面上に形成し、その直後および長い待
機時間後（約２０時間後）に、数時間にわたり走査処理
を反覆し、同一パターンを５０００回画像形成した。そ
の結果パターンには全く変化が認められなかった。
が記憶された情報を変形しないことが重要である。これ
を実証するため、ＳＴＭを使用してこの種の層剥離パタ
ーンを種々の試料面上に形成し、その直後および長い待
機時間後（約２０時間後）に、数時間にわたり走査処理
を反覆し、同一パターンを５０００回画像形成した。そ
の結果パターンには全く変化が認められなかった。
【００２０】層剥離パターンが形成されているタングス
テンジセレナイド試料表面を６００℃において約４０分
間加熱弛緩させ、平坦な試料表面の原状を回復し得るこ
とが確認された。
テンジセレナイド試料表面を６００℃において約４０分
間加熱弛緩させ、平坦な試料表面の原状を回復し得るこ
とが確認された。
【図１】 各層を直線で、原子ないし分子を小円形で示
す、積層状材料断面の概念図である。
す、積層状材料断面の概念図である。
【図２】同上材料表面に接近する探査針とこの固体表面
との間の吸引相互作用を示す同上概念図である。
との間の吸引相互作用を示す同上概念図である。
【図３】吸引相互作用により局部的層剥離が生起せしめ
られた状態を示す同上概念図である。
られた状態を示す同上概念図である。
【図４】気相搬送法により成長させたタングステンジセ
レナイドをへき開方向に平行にへき開されて層面に新規
清浄面を形成した状態の、セレン／チタン３層断面を示
す図面代用顕微鏡写真である。
レナイドをへき開方向に平行にへき開されて層面に新規
清浄面を形成した状態の、セレン／チタン３層断面を示
す図面代用顕微鏡写真である。
【図５】上記タングステンジセレナイド試料の表面を示
す、走査トンネル型顕微鏡写真による原子レベル解像度
における図面代用顕微鏡写真である。
す、走査トンネル型顕微鏡写真による原子レベル解像度
における図面代用顕微鏡写真である。
【図６】走査トンネル型顕微鏡のトンネル作用尖端で同
上試料上に形成された直径約３ｎｍの２個の層剥離パタ
ーンを、同じトンネル作用尖端で画像形成した図面代用
写真である。
上試料上に形成された直径約３ｎｍの２個の層剥離パタ
ーンを、同じトンネル作用尖端で画像形成した図面代用
写真である。
Claims (10)
- 【請求項１】 変化がもたらされた個所もしくはその近
傍における表面の原子配列を破壊することなく、ナノメ
ータ範囲において、経時的に安定な特定的変化を固体表
面上に位置を選択してもたらす方法において、積層構造
を有する固体表面の少なくとも１層に、空間的および時
間的に限定された吸引力を表面におよぼす局部的探査針
の作用により局部的層剥離をもたらし、ナノメータ範囲
において横方向に長い経時的に安定な局部的隆起を形成
することを特徴とする方法。 - 【請求項２】 請求項（１）による方法において、使用
される局部的探査針が表面感知性走査探査針であること
を特徴とする方法。 - 【請求項３】 請求項（１）による方法において、固体
表面が、表面変化をもたらすために使用された同じ表面
感知性走査探査針を使用して、上記表面変化形成の前後
において、画像形成されることを特徴とする方法。 - 【請求項４】 請求項（１）による方法において、積層
構造を有する固体が、黒鉛もしくは金属ジカルコゲナイ
ドであることを特徴とする方法。 - 【請求項５】 請求項（１）による方法において、使用
される吸引力が、局部的探査針と固体表面との間に電圧
パルスを賦課することにより生起せしめられる静電的吸
引相互作用であることを特徴とする方法。 - 【請求項６】 請求項（１）による方法において、使用
される吸引力が、磁気的局部探査針と固体表面との間に
おける磁気的相互作用であることを特徴とする方法。 - 【請求項７】 請求項（１）による方法において、使用
される吸引力が、探査針尖端および局部的探査針との接
触により有効となる試料と、固体表面との間における接
着力であって、この吸引力が、表面から探査針を撤去す
る際に、局部的層剥離をもたらすことを特徴とする方
法。 - 【請求項８】 請求項（１）による方法において、使用
される吸引力が、探査針尖端および局部的探査針との接
触により有効となる試料と、固体表面との間におけるフ
ァンデルワールス吸着力であって、この吸引力が、表面
から探査針を撤去する際に、局部的層剥離をもたらすこ
とを特徴とする方法。 - 【請求項９】 請求項（１）による方法において、局部
的探査針と固体表面との間に液体が置かれ、表面から探
査針を撤去する際にこの液が毛細管作用により局部的層
剥離をもたらすことを特徴とする方法。 - 【請求項１０】 請求項（１）により生起せしめられた
層剥離構造を、固体表面の熱処理により消去する方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE4126497A DE4126497A1 (de) | 1991-08-10 | 1991-08-10 | Verfahren zur gezielten modifikation von festkoerperoberflaechen im nanometerbereich durch lokale delamination sowie verwendung des verfahrens zur speicherung von informationseinheiten |
| DE4126497.5 | 1991-08-10 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05210876A true JPH05210876A (ja) | 1993-08-20 |
Family
ID=6438064
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4206782A Withdrawn JPH05210876A (ja) | 1991-08-10 | 1992-08-03 | ナノメータ範囲において、経時的に安定な特定的変化を固体表面上に位置を選択してもたらす方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5359199A (ja) |
| EP (1) | EP0527379A1 (ja) |
| JP (1) | JPH05210876A (ja) |
| CA (1) | CA2074438A1 (ja) |
| DE (1) | DE4126497A1 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2541091B2 (ja) * | 1993-02-26 | 1996-10-09 | 日本電気株式会社 | 炭素材料とその製造方法 |
| DE4342314C2 (de) * | 1993-12-11 | 1997-08-14 | Joachim Behrendt | Verfahren zur Erzeugung von Strukturen |
| US5831181A (en) * | 1995-09-29 | 1998-11-03 | The Regents Of The University Of California | Automated tool for precision machining and imaging |
| US6398940B1 (en) | 1999-02-05 | 2002-06-04 | Danmarks Tekniske Universitet | Method for fabricating nanoscale patterns on a surface |
| JP2010516053A (ja) * | 2007-01-15 | 2010-05-13 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 電気スイッチング素子 |
| US9177592B2 (en) * | 2013-08-29 | 2015-11-03 | Elwha Llc | Systems and methods for atomic film data storage |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3581522D1 (de) * | 1984-12-28 | 1991-02-28 | Toshiba Kawasaki Kk | Auswechselbares speichersystem. |
| US4987312A (en) * | 1989-11-07 | 1991-01-22 | International Business Machines Corporation | Process for repositioning atoms on a surface using a scanning tunneling microscope |
| US5144148A (en) * | 1989-11-07 | 1992-09-01 | International Business Machines Corporation | Process for repositioning atoms on a surface using a scanning tunneling microscope |
| JP2743213B2 (ja) * | 1990-07-25 | 1998-04-22 | キヤノン株式会社 | 記録及び／又は再生を行なう装置および方法 |
| US5216631A (en) * | 1990-11-02 | 1993-06-01 | Sliwa Jr John W | Microvibratory memory device |
| ATE104717T1 (de) * | 1990-11-12 | 1994-05-15 | Plasser Bahnbaumasch Franz | Weichentransportwagen. |
-
1991
- 1991-08-10 DE DE4126497A patent/DE4126497A1/de not_active Withdrawn
-
1992
- 1992-07-22 CA CA002074438A patent/CA2074438A1/en not_active Abandoned
- 1992-07-27 EP EP92112773A patent/EP0527379A1/de not_active Withdrawn
- 1992-08-03 JP JP4206782A patent/JPH05210876A/ja not_active Withdrawn
- 1992-08-04 US US07/924,487 patent/US5359199A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5359199A (en) | 1994-10-25 |
| CA2074438A1 (en) | 1993-02-11 |
| EP0527379A1 (de) | 1993-02-17 |
| DE4126497A1 (de) | 1993-02-11 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19991005 |