JPH05210884A - 光磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
光磁気記録媒体の製造方法Info
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- JPH05210884A JPH05210884A JP4017105A JP1710592A JPH05210884A JP H05210884 A JPH05210884 A JP H05210884A JP 4017105 A JP4017105 A JP 4017105A JP 1710592 A JP1710592 A JP 1710592A JP H05210884 A JPH05210884 A JP H05210884A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 光磁気ディスク製造の際、保護層の屈折率を
所望の値に精密に調節して均一な品質の光磁気ディスク
を製造することが可能な方法を提供する。 【構成】 光磁気ディスクの保護層のスパッタリングの
際、窒素ガスの導入速度を３−１０SCCMの範囲内で一定
に保持しながら、アルゴンガスの導入速度を所望の屈折
率によって０−１００SCCMの範囲内で多様に変化させ
る。 【効果】 光磁気ディスク製造の際、各ディスク別に保
護層の屈折率に偏差が生じることを防ぐことができ、ま
た、特定のディスクの保護層の屈折率が規格値から外れ
ることを抑制して良好な品質の光磁気ディスクを製造す
ることができる。
所望の値に精密に調節して均一な品質の光磁気ディスク
を製造することが可能な方法を提供する。 【構成】 光磁気ディスクの保護層のスパッタリングの
際、窒素ガスの導入速度を３−１０SCCMの範囲内で一定
に保持しながら、アルゴンガスの導入速度を所望の屈折
率によって０−１００SCCMの範囲内で多様に変化させ
る。 【効果】 光磁気ディスク製造の際、各ディスク別に保
護層の屈折率に偏差が生じることを防ぐことができ、ま
た、特定のディスクの保護層の屈折率が規格値から外れ
ることを抑制して良好な品質の光磁気ディスクを製造す
ることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光磁気記録媒体に関
し、特には、光磁気記録媒体の記録層の片側または両側
の表面に精密に調節された屈折率を有する保護層を形成
させる方法に関する。
し、特には、光磁気記録媒体の記録層の片側または両側
の表面に精密に調節された屈折率を有する保護層を形成
させる方法に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】一般
に、光記録媒体は、データ情報を高密度で記録して貯蔵
でき、長期間に亘って高い信頼性が保持できるので、従
来の磁気テープや磁気ディスクに比べて様々の長所を提
供する。このような光記録媒体の例としては、光磁気デ
ィスク、コンパクトディスク、WORMおよびROM などが挙
げられ、なかでも光磁気ディスクは、記録情報の消去お
よび再記録が可能であることから、最近、多くの脚光を
浴びている。
に、光記録媒体は、データ情報を高密度で記録して貯蔵
でき、長期間に亘って高い信頼性が保持できるので、従
来の磁気テープや磁気ディスクに比べて様々の長所を提
供する。このような光記録媒体の例としては、光磁気デ
ィスク、コンパクトディスク、WORMおよびROM などが挙
げられ、なかでも光磁気ディスクは、記録情報の消去お
よび再記録が可能であることから、最近、多くの脚光を
浴びている。
【０００３】光磁気ディスクは、通常、透明基板と、該
透明基板の上に順次形成される記録層、保護層および反
射層からなる。保護層は記録層の酸化を防止するために
形成されるものとして、記録層を中心としてその片側に
のみ形成してもよく、両側に形成することもできる。
透明基板の上に順次形成される記録層、保護層および反
射層からなる。保護層は記録層の酸化を防止するために
形成されるものとして、記録層を中心としてその片側に
のみ形成してもよく、両側に形成することもできる。
【０００４】かかる保護層の材料としては、ＳｉＯ，Ｓ
ｉＯ2 ，Ｓｉ3 Ｎ4 ，ＺｎＳおよびＡｌＮなどが用いら
れるが、この中でも、化学的な安定性に優れるシリコン
窒化物が広く用いられている。情報の記録および再生特
性は保護層の屈折率によって影響を受け易いので、光磁
気ディスクの製造時、保護層の屈折率を的確に調節する
ことは非常に肝要である。
ｉＯ2 ，Ｓｉ3 Ｎ4 ，ＺｎＳおよびＡｌＮなどが用いら
れるが、この中でも、化学的な安定性に優れるシリコン
窒化物が広く用いられている。情報の記録および再生特
性は保護層の屈折率によって影響を受け易いので、光磁
気ディスクの製造時、保護層の屈折率を的確に調節する
ことは非常に肝要である。
【０００５】米国特許第4,782,477 号は、スパッタリン
グ装置のスパッタ室内にＮ2 ガスおよびＡｒガスを導入
しながら、透明基板と記録層の間に、フルオロエチレン
からなる接着層またはＳｉ3 Ｎ4 からなる保護層を形成
させる方法を開示している。しかしながら、この方法に
おいては、保護層を形成する度ごとに、電力、圧力また
はガス導入速度などの工程条件が微細ではあるが変化す
るので、一定の屈折率を有する保護層を得ることは困難
である。これは、光磁気ディスク別で熱磁気記録特性お
よび光学特性が規格値から外れる結果をもたらす。この
ように光磁気ディスクの特性が変化すると、記録および
再生感度が悪化し、信号対雑音比が低下し、波形の瞬間
的な揺れである“ジッタリング”現象が発生することも
ありうる。また、従来、保護層の屈折率を精密に調節で
きる方法は開示もしくは提案されてはいない。
グ装置のスパッタ室内にＮ2 ガスおよびＡｒガスを導入
しながら、透明基板と記録層の間に、フルオロエチレン
からなる接着層またはＳｉ3 Ｎ4 からなる保護層を形成
させる方法を開示している。しかしながら、この方法に
おいては、保護層を形成する度ごとに、電力、圧力また
はガス導入速度などの工程条件が微細ではあるが変化す
るので、一定の屈折率を有する保護層を得ることは困難
である。これは、光磁気ディスク別で熱磁気記録特性お
よび光学特性が規格値から外れる結果をもたらす。この
ように光磁気ディスクの特性が変化すると、記録および
再生感度が悪化し、信号対雑音比が低下し、波形の瞬間
的な揺れである“ジッタリング”現象が発生することも
ありうる。また、従来、保護層の屈折率を精密に調節で
きる方法は開示もしくは提案されてはいない。
【０００６】本発明は、以上のような従来技術の問題点
を鑑みてなされたもので、その目的は、光磁気記録媒体
の熱磁気特性および光学特性に多大な影響を及ぼす保護
層の屈折率を簡便でかつ精密に最適の値に調節できる光
磁気記録媒体の製造方法を提供することにある。
を鑑みてなされたもので、その目的は、光磁気記録媒体
の熱磁気特性および光学特性に多大な影響を及ぼす保護
層の屈折率を簡便でかつ精密に最適の値に調節できる光
磁気記録媒体の製造方法を提供することにある。
【０００７】
【発明が解決するための手段】このような目的を達成す
るために、本発明は、スパッタリング装置のスパッタ室
内で透明基板の上に記録層、保護層および反射層を順次
形成して光磁気記録媒体の製造する方法において、前記
スパッタ室内で窒素ガスおよびアルゴンガスを導入しな
がら、ターゲット物質をスパッタリングして所定の屈折
率の前記保護層を成膜し、この際、前記屈折率は、窒素
ガスの導入速度を一定に保持したまま、アルゴンガスの
導入速度のみを変化させて調節することを特徴とする光
磁気記録媒体の製造方法を提供する。
るために、本発明は、スパッタリング装置のスパッタ室
内で透明基板の上に記録層、保護層および反射層を順次
形成して光磁気記録媒体の製造する方法において、前記
スパッタ室内で窒素ガスおよびアルゴンガスを導入しな
がら、ターゲット物質をスパッタリングして所定の屈折
率の前記保護層を成膜し、この際、前記屈折率は、窒素
ガスの導入速度を一定に保持したまま、アルゴンガスの
導入速度のみを変化させて調節することを特徴とする光
磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【０００８】以下、図面を参照しながら本発明をさらに
詳細に説明すると、次の通りである。図１は、通常の光
磁気ディスクの拡大断面図である。該光磁気ディスク１
０は、溝が形成された第１表面と、光ビームが入射する
ことになる第２表面とを有する透明基板１２を備える。
詳細に説明すると、次の通りである。図１は、通常の光
磁気ディスクの拡大断面図である。該光磁気ディスク１
０は、溝が形成された第１表面と、光ビームが入射する
ことになる第２表面とを有する透明基板１２を備える。
【０００９】周知の通り、透明基板１２はマスタリング
工程を通じて得られたスタンパを用いて製作し、その原
料としては、透明な樹脂物質、例えば、ポリメチルメタ
クリレート、非晶質オレフィン、ポリカーボネート、エ
ポキシなどが用いられる。このような基板の第１表面に
は、スパッタリングまたはプラズマ重合などにより、例
えば、第１の保護層１４、記録層１６、第２の保護層１
８および反射層２０が順次成膜され、この中で、反射層
２０を除いた全ての成膜層は光ビームを透過させ得るよ
うに透明な材質からなっている。また、透明基板１２の
第２表面には、該基板が掻かれることを防ぐための硬化
樹脂層２２が被覆される。
工程を通じて得られたスタンパを用いて製作し、その原
料としては、透明な樹脂物質、例えば、ポリメチルメタ
クリレート、非晶質オレフィン、ポリカーボネート、エ
ポキシなどが用いられる。このような基板の第１表面に
は、スパッタリングまたはプラズマ重合などにより、例
えば、第１の保護層１４、記録層１６、第２の保護層１
８および反射層２０が順次成膜され、この中で、反射層
２０を除いた全ての成膜層は光ビームを透過させ得るよ
うに透明な材質からなっている。また、透明基板１２の
第２表面には、該基板が掻かれることを防ぐための硬化
樹脂層２２が被覆される。
【００１０】上述の光磁気ディスクの製造においては、
図２に示すような従来のスパッタリング装置３０が用い
られる。スパッタリング装置３０は密閉可能なスパッタ
室３２を備えており、該室３２の中には１つ以上のマグ
ネトロンスパッタソース３４が収納される。図２におい
ては、説明の簡略化のために１つのスパッタソース３４
のみを示した。かかるスパッタソース３４は、タ−ゲッ
ト物質３６の支持のためにスパッタ室３２の底に設けら
れると共に、外部の無線周波数電源３８および直流電源
４０に電気的に接続される。また、前記スパッタ室３２
の壁部には、窒素ガス供給源４２と連通する窒素導入口
４４、アルゴンガス供給源４６と連通するアルゴン導入
口４８並びに排気装置５０に連結された排気口５２が設
けられている。
図２に示すような従来のスパッタリング装置３０が用い
られる。スパッタリング装置３０は密閉可能なスパッタ
室３２を備えており、該室３２の中には１つ以上のマグ
ネトロンスパッタソース３４が収納される。図２におい
ては、説明の簡略化のために１つのスパッタソース３４
のみを示した。かかるスパッタソース３４は、タ−ゲッ
ト物質３６の支持のためにスパッタ室３２の底に設けら
れると共に、外部の無線周波数電源３８および直流電源
４０に電気的に接続される。また、前記スパッタ室３２
の壁部には、窒素ガス供給源４２と連通する窒素導入口
４４、アルゴンガス供給源４６と連通するアルゴン導入
口４８並びに排気装置５０に連結された排気口５２が設
けられている。
【００１１】スパッタリングを開始する前に、スパッタ
室３２を所定の負圧になるまで排気する。その後、スパ
ッタ室３２の中に、スパッタリングに必要な反応ガス
を、窒素ガス供給源４２およびアルゴンガス供給源４６
から所定の速度で供給する。スパッタ室３２は、その天
井部に回転自在の基板ホルダー５４を備え、該ホルダー
５４はスパッタリングの過程中、スパッタリングの対象
の基板１２をその底面に把持する。また、前記ホルダー
５４は回転軸５６を介在して回転駆動機５８に連結さ
れ、該回転駆動機５８は上述の無線周波数電源３８また
は直流電源４０から電力を供給される。
室３２を所定の負圧になるまで排気する。その後、スパ
ッタ室３２の中に、スパッタリングに必要な反応ガス
を、窒素ガス供給源４２およびアルゴンガス供給源４６
から所定の速度で供給する。スパッタ室３２は、その天
井部に回転自在の基板ホルダー５４を備え、該ホルダー
５４はスパッタリングの過程中、スパッタリングの対象
の基板１２をその底面に把持する。また、前記ホルダー
５４は回転軸５６を介在して回転駆動機５８に連結さ
れ、該回転駆動機５８は上述の無線周波数電源３８また
は直流電源４０から電力を供給される。
【００１２】上述のスパッタリング装置３０を用いて、
図１の光磁気ディスクを製造する際は、まず、基板１２
をその第１表面、即ち、溝を有する表面が下に向かうよ
うにホルダー５４に固定すると共に、ターゲット物質３
６をスパッタソース３４の上に載置する。次いで、排気
装置５０を駆動して、スパッタ室３２が適切な負圧、例
えば、２×１０-3Torrまで排気されるようにし、窒素ガ
スおよびアルゴンガスを所定の速度で導入する。回転駆
動機５８によりホルダー５４を回転させながら、スパッ
タソース３４に電源を引加して、基板１２の第１表面に
所定の厚さ、例えば、１，０００Ａ厚さのシリコン窒化
物層（第１の保護層）が形成されるまでスパッタリング
を続ける。一応、第１の保護層の被覆が完了した後、該
保護層の上に記録層、第２の保護層および反射層を順次
形成する。この時、第２の保護層は、上述のような方式
で成膜し、記録層および反射層は公知の方式により成膜
する。そして、最後に、基板１２の第２表面の上に硬化
樹脂層を被覆して光磁気ディスクを完成する。
図１の光磁気ディスクを製造する際は、まず、基板１２
をその第１表面、即ち、溝を有する表面が下に向かうよ
うにホルダー５４に固定すると共に、ターゲット物質３
６をスパッタソース３４の上に載置する。次いで、排気
装置５０を駆動して、スパッタ室３２が適切な負圧、例
えば、２×１０-3Torrまで排気されるようにし、窒素ガ
スおよびアルゴンガスを所定の速度で導入する。回転駆
動機５８によりホルダー５４を回転させながら、スパッ
タソース３４に電源を引加して、基板１２の第１表面に
所定の厚さ、例えば、１，０００Ａ厚さのシリコン窒化
物層（第１の保護層）が形成されるまでスパッタリング
を続ける。一応、第１の保護層の被覆が完了した後、該
保護層の上に記録層、第２の保護層および反射層を順次
形成する。この時、第２の保護層は、上述のような方式
で成膜し、記録層および反射層は公知の方式により成膜
する。そして、最後に、基板１２の第２表面の上に硬化
樹脂層を被覆して光磁気ディスクを完成する。
【００１３】本発明によると、前記第１の保護層または
第２の保護層を成膜する際に、工程変数としての電力お
よび内部圧力を、例えば、２KWおよび２×１０-3Torrで
一定に保持する。このように、電力および内部圧力を一
定に保持させる訳は、保護層の成膜速度の過度の増加ま
たは減少により光磁気ディスクの収率が低下することを
防ぐと共に、アルゴンガスの導入速度を変化させること
によって屈折率の調節を容易に行なうことを可能にする
ためである。
第２の保護層を成膜する際に、工程変数としての電力お
よび内部圧力を、例えば、２KWおよび２×１０-3Torrで
一定に保持する。このように、電力および内部圧力を一
定に保持させる訳は、保護層の成膜速度の過度の増加ま
たは減少により光磁気ディスクの収率が低下することを
防ぐと共に、アルゴンガスの導入速度を変化させること
によって屈折率の調節を容易に行なうことを可能にする
ためである。
【００１４】その後、窒素ガスとアルゴンガスとをスパ
ッタ室内に導入するが、この際、窒素ガスの導入速度は
３−１０SCCMの範囲内で一定の値に保持する一方、アル
ゴンガスの導入速度は所望の保護層の屈折率により０−
１００SCCMの範囲内で多様に調節する。
ッタ室内に導入するが、この際、窒素ガスの導入速度は
３−１０SCCMの範囲内で一定の値に保持する一方、アル
ゴンガスの導入速度は所望の保護層の屈折率により０−
１００SCCMの範囲内で多様に調節する。
【００１５】特に、窒素ガスの導入速度は、保護層が窒
素で飽和されない程度に十分低いべきである。もし、導
入される窒素ガスの速度が１０SCCM以上になると、保護
層が窒素により飽和されて、アルゴンガスの導入速度を
変化させても屈折率の調節が不可能になる恐れがあり、
３SCCM未満になると、保護層内の窒素が不足して、やは
り、アルゴンガスの導入速度の変化による屈折率の調節
が不可能になる問題がある。
素で飽和されない程度に十分低いべきである。もし、導
入される窒素ガスの速度が１０SCCM以上になると、保護
層が窒素により飽和されて、アルゴンガスの導入速度を
変化させても屈折率の調節が不可能になる恐れがあり、
３SCCM未満になると、保護層内の窒素が不足して、やは
り、アルゴンガスの導入速度の変化による屈折率の調節
が不可能になる問題がある。
【００１６】
【作用】本発明の方法では、スパッタリング装置を用い
た記録層の表面への保護層の成膜において、窒素ガスの
導入速度を一定に保持したまま、アルゴンガスの導入速
度のみを適切に変化させることによって保護層の屈折率
を最適値に調節する。
た記録層の表面への保護層の成膜において、窒素ガスの
導入速度を一定に保持したまま、アルゴンガスの導入速
度のみを適切に変化させることによって保護層の屈折率
を最適値に調節する。
【００１７】
【実施例】次に、本発明の方法により保護層を成膜する
実施例およびそれに対する比較例を詳細に説明する。 実施例１
実施例およびそれに対する比較例を詳細に説明する。 実施例１
【００１８】シリコンウェハで製造された透明基板をス
パッタリング装置の基板ホルダーに取付けると共に、シ
リコンターゲットをスパッタソースの上に載置した。内
部圧力が２×１０-3Torrになるまでスパッタ室を排気し
た後、アルゴンガスと窒素ガスとを各々１５SCCMおよび
７SCCMの速度で導入した。排気装置を再び稼働させて内
部圧力が２×１０-3Torrになるようにした後、スパッタ
ソースに２KWの無線周波数電源を印加して約２０分間ス
パッタリングを行なった。この結果、基板の上に１，０
００Ａ厚さの保護層、即ち、シリコン窒化物層が成膜さ
れた。このようにして得られたシリコン窒化物層の屈折
率を楕円偏光計を用いて６３２８Ａの波長で測定し、そ
の結果を図３の曲線Ｅ1-7 に示した。 実施例２−７
パッタリング装置の基板ホルダーに取付けると共に、シ
リコンターゲットをスパッタソースの上に載置した。内
部圧力が２×１０-3Torrになるまでスパッタ室を排気し
た後、アルゴンガスと窒素ガスとを各々１５SCCMおよび
７SCCMの速度で導入した。排気装置を再び稼働させて内
部圧力が２×１０-3Torrになるようにした後、スパッタ
ソースに２KWの無線周波数電源を印加して約２０分間ス
パッタリングを行なった。この結果、基板の上に１，０
００Ａ厚さの保護層、即ち、シリコン窒化物層が成膜さ
れた。このようにして得られたシリコン窒化物層の屈折
率を楕円偏光計を用いて６３２８Ａの波長で測定し、そ
の結果を図３の曲線Ｅ1-7 に示した。 実施例２−７
【００１９】アルゴンガスの導入速度を２８，５５，６
９，８１，９１および１００SCCMに各々変化させたこと
を除いては、実施例１と同様の操作を繰返して全６種類
のシリコン窒化物層を得た。これらのシリコン窒化物層
の各々に対する屈折率を測定して図３の曲線Ｅ1-7 に示
した。 実施例８−１４
９，８１，９１および１００SCCMに各々変化させたこと
を除いては、実施例１と同様の操作を繰返して全６種類
のシリコン窒化物層を得た。これらのシリコン窒化物層
の各々に対する屈折率を測定して図３の曲線Ｅ1-7 に示
した。 実施例８−１４
【００２０】スパッタソースに直流電源を印加し、アル
ゴンガスの導入速度を７，２１，４５，６１，７６，８
７および９２SCCMに変化させたことを除いては、実施例
１−７と同様の操作を繰返して全７種類のシリコン窒化
物層を得た。これらのシリコン窒化物層の各々に対する
屈折率を測定して図４の曲線Ｅ8-14に示した。 比較例１−７
ゴンガスの導入速度を７，２１，４５，６１，７６，８
７および９２SCCMに変化させたことを除いては、実施例
１−７と同様の操作を繰返して全７種類のシリコン窒化
物層を得た。これらのシリコン窒化物層の各々に対する
屈折率を測定して図４の曲線Ｅ8-14に示した。 比較例１−７
【００２１】アルゴンガスの導入速度を７５SCCMで一定
にし、窒素ガスの導入速度を１３，１４，１５，１７，
２２，２６および３２SCCMに変化させたことを除いて
は、実施例１−７と同様の操作を繰返して全７種類のシ
リコン窒化物層を得た。これらのシリコン窒化物層の各
々に対する屈折率を測定して図３の曲線Ｃ1-7 に示し
た。 比較例８−１４
にし、窒素ガスの導入速度を１３，１４，１５，１７，
２２，２６および３２SCCMに変化させたことを除いて
は、実施例１−７と同様の操作を繰返して全７種類のシ
リコン窒化物層を得た。これらのシリコン窒化物層の各
々に対する屈折率を測定して図３の曲線Ｃ1-7 に示し
た。 比較例８−１４
【００２２】スパッタソースに直流電源を印加し、窒素
ガスの導入速度を２６，２７，２８，３０，３５，４０
および４５SCCMに変化させたことを除いては、比較例１
−７と同様の操作を繰返して全７種類のシリコン窒化物
層を得た。これらのシリコン窒化物層の各々に対する屈
折率を測定して図４の曲線Ｃ8-14に示した。
ガスの導入速度を２６，２７，２８，３０，３５，４０
および４５SCCMに変化させたことを除いては、比較例１
−７と同様の操作を繰返して全７種類のシリコン窒化物
層を得た。これらのシリコン窒化物層の各々に対する屈
折率を測定して図４の曲線Ｃ8-14に示した。
【００２３】図３は、上述した実施例１−７と比較例１
−７において、無線周波数電源で成膜したシリコン窒化
物層の屈折率を比較して示したグラフである。この図面
から知られるように、窒素ガスの導入速度を一定にし、
アルゴンガスの導入速度を変化させた場合にはシリコン
窒化物層の屈折率が緩やかに変化したが、逆にアルゴン
ガスの導入速度を一定にし、窒素ガスの導入速度を変化
させた場合には、該屈折率が窒素ガスの導入速度に極め
て敏感に反応することが判明した。従って、窒素ガスの
導入速度を変化させた場合には、屈折率の精密な調節が
困難であることが分かる。
−７において、無線周波数電源で成膜したシリコン窒化
物層の屈折率を比較して示したグラフである。この図面
から知られるように、窒素ガスの導入速度を一定にし、
アルゴンガスの導入速度を変化させた場合にはシリコン
窒化物層の屈折率が緩やかに変化したが、逆にアルゴン
ガスの導入速度を一定にし、窒素ガスの導入速度を変化
させた場合には、該屈折率が窒素ガスの導入速度に極め
て敏感に反応することが判明した。従って、窒素ガスの
導入速度を変化させた場合には、屈折率の精密な調節が
困難であることが分かる。
【００２４】図４は、実施例８−１４と比較例８−１４
から直流電源で成膜したシリコン窒化物層の屈折率を比
較して示したグラフである。直流電源を用いた場合に
も、シリコン窒化物層の屈折率は窒素ガスの導入速度の
変化に極めて敏感に反応した。但し、同一の厚さのシリ
コン窒化物層を成膜するのに必要とする窒素ガスの量
は、直流電源を用いる場合がさらに多かった。他方、ア
ルゴンガスの消耗量はその反対であった。
から直流電源で成膜したシリコン窒化物層の屈折率を比
較して示したグラフである。直流電源を用いた場合に
も、シリコン窒化物層の屈折率は窒素ガスの導入速度の
変化に極めて敏感に反応した。但し、同一の厚さのシリ
コン窒化物層を成膜するのに必要とする窒素ガスの量
は、直流電源を用いる場合がさらに多かった。他方、ア
ルゴンガスの消耗量はその反対であった。
【００２５】
【発明の効果】以上、述べたように、本発明によると、
窒素ガスの導入速度を一定にし、アルゴンガスの導入速
度のみを変化させて保護層を成膜することによって、光
磁気ディスクの製造時、保護層の屈折率を所望の値に極
めて精密に調節することができ、この結果、均一な熱磁
気特性および光学特性を有する光磁気ディスクを一定の
規格で大量生産することができる。
窒素ガスの導入速度を一定にし、アルゴンガスの導入速
度のみを変化させて保護層を成膜することによって、光
磁気ディスクの製造時、保護層の屈折率を所望の値に極
めて精密に調節することができ、この結果、均一な熱磁
気特性および光学特性を有する光磁気ディスクを一定の
規格で大量生産することができる。
【図１】記録層の両側に保護層を有する典型的な光磁気
ディスクの一部拡大断面図。
ディスクの一部拡大断面図。
【図２】本発明の方法において、保護層の成膜に用いら
れるスパッタリング装置の概略図。
れるスパッタリング装置の概略図。
【図３】スパッタリング用電源として無線周波数電源を
用い、アルゴンガスまたは窒素ガスの導入速度を増減さ
せた場合の、保護層の屈折率の変化様状を示すグラフ。
用い、アルゴンガスまたは窒素ガスの導入速度を増減さ
せた場合の、保護層の屈折率の変化様状を示すグラフ。
【図４】スパッタリング用電源として直流電源を用い、
アルゴンガスまたは窒素ガスの導入速度を増減させた場
合の、保護層の屈折率の変化様状を示すグラフである。
アルゴンガスまたは窒素ガスの導入速度を増減させた場
合の、保護層の屈折率の変化様状を示すグラフである。
１２…透明基板 １４，１８…保護層 １６…記録層 ２０…反射層 ２２…透明導電層 ３０…スパッタリング装置
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成４年３月６日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１８】シリコンウェハで製造された透明基板をス
パッタリング装置の基板ホルダーに取付けると共に、シ
リコンターゲットをスパッタソースの上に載置した。内
部圧力が２×１０−７ Ｔｏｒｒになるまでスパッタ室を
排気した後、アルゴンガスと窒素ガスとを各々１５ＳＣ
ＣＭおよび７ＳＣＣＭ速度で導入した。排気装置を再び
稼働させて内部圧力が２×１０−３Ｔｏｒｒになるよう
にした後、スパッタソースに２ＫＷの無線周波数電源を
印加して約１０分間スパッタリングを行なった。この結
果、基板の上に１，０００Ａ厚さの保護層、即ち、シリ
コン窒化物層が成膜された。このようにして得られたシ
リコン窒化物層の屈折率を楕円偏光計を用いて６３２８
Ａの波長で測定し、その結果を図３の曲線Ｅ１−７に示
した。
パッタリング装置の基板ホルダーに取付けると共に、シ
リコンターゲットをスパッタソースの上に載置した。内
部圧力が２×１０−７ Ｔｏｒｒになるまでスパッタ室を
排気した後、アルゴンガスと窒素ガスとを各々１５ＳＣ
ＣＭおよび７ＳＣＣＭ速度で導入した。排気装置を再び
稼働させて内部圧力が２×１０−３Ｔｏｒｒになるよう
にした後、スパッタソースに２ＫＷの無線周波数電源を
印加して約１０分間スパッタリングを行なった。この結
果、基板の上に１，０００Ａ厚さの保護層、即ち、シリ
コン窒化物層が成膜された。このようにして得られたシ
リコン窒化物層の屈折率を楕円偏光計を用いて６３２８
Ａの波長で測定し、その結果を図３の曲線Ｅ１−７に示
した。
Claims (5)
- 【請求項１】 スパッタリング装置のスパッタ室内で、
透明基板の上に記録層、保護層、反射層を順次形成して
光磁気記録媒体を製造する方法において、前記スパッタ
室内に窒素ガスおよびアルゴンガスを導入しながらタ−
ゲット物質をスパッタリングして所定の屈折率を有する
該保護層を成膜し、この際、該屈折率は、窒素ガスの導
入速度を一定に保持したまま、アルゴンガスの導入速度
のみを変化させて調節することを特徴とする光磁気記録
媒体の製造方法。 - 【請求項２】 前記窒素ガスの導入速度が３−１０SCCM
の範囲内で一定に保持され、前記アルゴンガスの導入速
度が０−１００SCCMの範囲内で変化することを特徴とす
る請求項１に記載の光磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項３】 前記スパッタリングを２×１０-3Torrの
圧力の下で行うことを特徴とする請求項１に記載の光磁
気記録媒体の製造方法。 - 【請求項４】 前記保護層がシリコン窒化物からなるこ
とを特徴とする請求項１に記載の光磁気記録媒体の製造
方法。 - 【請求項５】 電力と内部圧力を一定に保持したまま、
前記スパッタリングを行うことを特徴とする請求項１に
記載の光磁気記録媒体の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019910003514A KR930009690B1 (ko) | 1991-03-05 | 1991-03-05 | 광자기 기록 매체의 제조방법 |
| KR1991-3514 | 1991-03-05 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05210884A true JPH05210884A (ja) | 1993-08-20 |
Family
ID=19311782
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4017105A Pending JPH05210884A (ja) | 1991-03-05 | 1992-01-31 | 光磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5240581A (ja) |
| JP (1) | JPH05210884A (ja) |
| KR (1) | KR930009690B1 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0639655B1 (en) * | 1993-07-28 | 2000-09-27 | Asahi Glass Company Ltd. | Method and apparatus for sputtering |
| DE69431573T2 (de) * | 1993-07-28 | 2003-06-12 | Asahi Glass Co., Ltd. | Verfahren zur Herstellung von Schichten |
| US6059873A (en) | 1994-05-30 | 2000-05-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Optical processing method with control of the illumination energy of laser light |
| US6893543B1 (en) * | 1995-09-01 | 2005-05-17 | Unaxis Balzers Ag | Information carrier and method for producing the same |
| EP1260604A4 (en) * | 2000-01-27 | 2006-12-27 | Nikon Corp | METHOD FOR PRODUCING A FILM OF COMPOSITE MATERIAL WITH A GAS-PRODUCING ELEMENT |
| JP3965479B2 (ja) * | 2003-07-28 | 2007-08-29 | 株式会社エフ・ティ・エスコーポレーション | 箱型対向ターゲット式スパッタ装置及び化合物薄膜の製造方法 |
| CN101786800A (zh) * | 2010-02-10 | 2010-07-28 | 洛阳新晶润工程玻璃有限公司 | 一种提高低辐射镀膜玻璃生产效率的方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4959136A (en) * | 1986-09-17 | 1990-09-25 | Eastman Kodak Company | Method for making an amorphous aluminum-nitrogen alloy layer |
| JPS6478450A (en) * | 1987-09-19 | 1989-03-23 | Victor Company Of Japan | Manufacture of interfering film for magneto-optical disc |
| JPH01176067A (ja) * | 1987-12-29 | 1989-07-12 | Hoya Corp | 窒化シリコン膜の成膜方法 |
-
1991
- 1991-03-05 KR KR1019910003514A patent/KR930009690B1/ko not_active Expired - Fee Related
-
1992
- 1992-01-31 JP JP4017105A patent/JPH05210884A/ja active Pending
- 1992-03-03 US US07/844,850 patent/US5240581A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5240581A (en) | 1993-08-31 |
| KR930009690B1 (ko) | 1993-10-08 |
| KR920018695A (ko) | 1992-10-22 |
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