JPH05211357A - 抵抗素子の抵抗調整方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 配線金属と抵抗素子薄膜との接合抵抗値を正
確に決定することができる抵抗素子の抵抗調整方法を提
供するものである。 【構成】 Ｐ型半導体基板１上にはアルミ配線金属９が
配置され、その端部が断面斜状に形成されている。この
断面斜状部９ａ上から強磁性磁気抵抗素子薄膜１０が延
設されている。そして、アルミ配線金属９と強磁性磁気
抵抗素子薄膜１０との接合抵抗率をρ_c 、アルミ配線金
属９の断面斜状部９ａの傾斜角をθ、アルミ配線金属９
と強磁性磁気抵抗素子薄膜１０の接触部でのアルミ配線
金属９と強磁性磁気抵抗素子薄膜１０のうちの薄い方
（強磁性磁気抵抗素子薄膜１０）の厚みをｔ、接触部の
長さをＬとしたとき、アルミ配線金属９と強磁性磁気抵
抗素子薄膜１０との接合抵抗Ｒｃが、Ｒｃ＝ρ_c ・ｓｉ
ｎθ／（ｔ・Ｌ）にて決定されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、抵抗素子の抵抗調整
方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、磁気検出装置において、特開昭６
４−１２５８８２号公報にて示されているように、基板
上に形成した薄膜配線金属と強磁性磁気抵抗素子薄膜を
電気接続する方法として、薄膜配線金属の傾斜角を７８
度以下にし、その上に直接、強磁性磁気抵抗素子薄膜を
形成・接続している。そして、このようにすることによ
り、ステップカバレッジを向上させて断線故障の低減を
図っている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】ところが、アルミ系薄
膜配線金属とニッケル系強磁性磁気抵抗素子薄膜の接合
抵抗値の決定方法については不明であった。つまり、金
属膜間（アルミ層配線）の接合抵抗は、接合面積に依存
して変化し、接合抵抗Ｒｃは接合抵抗率をρ_c 、接合部
の面積をＡとすると、Ｒｃ＝ρ_c ／Ａで表されるが、断
面斜状部を有するアルミ系薄膜配線金属とニッケル系強
磁性磁気抵抗素子薄膜を用いる場合には、接合部の面積
Ａには依存しない。

【０００４】そこで、この発明の目的は、配線金属と抵
抗素子薄膜との接合抵抗値を正確に決定することができ
る抵抗素子の抵抗調整方法を提供するものである。

【０００５】

【課題を解決するための手段】この発明は、基板上に端
部が断面斜状に形成されたアルミ系配線金属を配置する
とともに、前記断面斜状部上からニッケル系抵抗素子薄
膜を延設した抵抗素子において、前記アルミ系配線金属
とニッケル系抵抗素子薄膜との接合抵抗率をρ_c 、前記
アルミ系配線金属の断面斜状部の傾斜角をθ、前記アル
ミ系配線金属とニッケル系抵抗素子薄膜の接触部でのア
ルミ系配線金属とニッケル系抵抗素子薄膜のうちの薄い
方の厚みをｔ、接触部の長さをＬとしたとき、アルミ系
配線金属とニッケル系抵抗素子薄膜との接合抵抗Ｒｃ
を、 Ｒｃ＝ρ_c ・ｓｉｎθ／（ｔ・Ｌ） にて決定するようにした抵抗素子の抵抗調整方法をその
要旨とするものである。

【０００６】又、前記アルミ系配線金属上にニッケル系
抵抗素子薄膜を配置する際に真空蒸着法を用いて成膜す
るとともに、２方向以上でアルミ系配線金属とニッケル
系抵抗素子薄膜とが接合した状態で配置するとよい。

【０００７】

【作用】抵抗素子の抵抗調整を行う際に、アルミ系配線
金属とニッケル系抵抗素子薄膜との接合抵抗率をρ_c 、
アルミ系配線金属の断面斜状部の傾斜角をθ、前記アル
ミ系配線金属とニッケル系抵抗素子薄膜の接触部でのア
ルミ系配線金属とニッケル系抵抗素子薄膜のうちの薄い
方の厚みをｔ、接触部の長さをＬとしたとき、アルミ系
配線金属とニッケル系抵抗素子薄膜との接合抵抗Ｒｃ
が、Ｒｃ＝ρ_c ・ｓｉｎθ／（ｔ・Ｌ）にて決定され
る。

【０００８】又、アルミ系配線金属上にニッケル系抵抗
素子薄膜を配置する際に真空蒸着法を用いて２方向以上
でアルミ系配線金属とニッケル系抵抗素子薄膜とが接合
した状態で配置すると、ニッケル系抵抗素子薄膜の蒸着
時の入射角にバラツキが発生しても、ニッケル系抵抗素
子薄膜のくびれが発生しない方向が少なくとも一方向存
在することとなる。

【０００９】

【実施例】以下、この発明を磁気センサに具体化した一
実施例を図面に従って説明する。図１は磁気センサの断
面図であり、強磁性磁気抵抗素子薄膜１０と信号処理回
路とが同一基板内に集積化されている。又、図２には図
１のＤ部の拡大図を示し、図３にはＤ部の平面図を示
す。

【００１０】図４〜図７には、その製造工程を示す。ま
ず、図４に示すように、Ｐ型半導体基板（シリコン基
板）１の主表面に、公知の半導体加工技術を用いて縦形
ＮＰＮバイポーラトランジスタを形成する。つまり、Ｐ
型半導体基板１の主表面上に、Ｎ⁺ 型埋込層２、Ｎ^- 型
エピタキシャル層３を形成する。そして、Ｎ^- 型エピタ
キシャル層３の主表面上にシリコン酸化膜４を熱酸化法
により形成し、シリコン酸化膜４を所望の回路パターン
によりフォトエッチングし、不純物の拡散にてＰ⁺ 型素
子分離領域５、Ｐ⁺ 型拡散領域６、Ｎ⁺ 型拡散領域７，
８を形成する。即ち、Ｎ⁺ ならばリンを、Ｐ⁺ ならばボ
ロンをイオン注入法もしくは拡散法により選択的に拡散
して形成する。このようにして、縦形ＮＰＮバイポーラ
トランジスタがＮ⁺ 型埋込層２、Ｎ^- 型エピタキシャル
層３、Ｐ⁺ 型拡散領域６、及びＮ⁺ 型拡散領域７，８に
て構成され、このトランジスタは後述する強磁性磁気抵
抗素子薄膜１０からの信号を増幅する。

【００１１】次に、シリコン酸化膜４にフォトリソグラ
フィを用いて選択的に開口部４ａを明け、コンタクト部
を形成する。そして、図５に示すように、Ｐ型半導体基
板１の主表面上に、蒸着法又はスパッタ法にて薄膜のア
ルミ配線金属９を堆積するとともに、このアルミ配線金
属９をフォトエッチングによりパターニングする。この
際、アルミ配線金属９の端部に対し、その断面を傾斜角
θが８０°以下の斜状（テーパ状）に加工する（図にお
いて斜状部を９ａで示す）。その後、熱処理工程により
アルミ配線金属９と回路素子（シリコン）とのオーミッ
ク接合を行なう（合金化処理を行う）。このとき、アル
ミ配線金属９の表面上に酸化層が形成される。

【００１２】引き続き、Ｐ型半導体基板１を真空容器内
に配置し、不活性ガス（例えば、Ａｒガス）のプラズマ
エッチングによりアルミ配線金属９の表面上の酸化層を
エッチング除去する。その後、図６に示すように、真空
を保持したまま同一の真空容器内において強磁性磁気抵
抗素子薄膜１０を電子ビーム真空蒸着法により堆積す
る。よって、アルミ配線金属９と強磁性磁気抵抗素子薄
膜１０との界面には酸化層の存在しない金属接合とな
る。この強磁性磁気抵抗素子薄膜１０は、Ｎｉ−Ｃｏ薄
膜が使用されているとともに、強磁性磁気抵抗素子薄膜
１０は、アルミ配線金属９より薄くなっている（図２参
照）。

【００１３】そして、図７に示すように、この強磁性磁
気抵抗素子薄膜１０をフォトエッチング法にて所望のブ
リッジパターンにエッチングする。この際、強磁性磁気
抵抗素子薄膜１０とアルミ配線金属９は、図２に示すよ
うに強磁性磁気抵抗素子薄膜１０をアルミ配線金属９の
斜状部９ａに十分オーバラップさせる。この斜状部９ａ
により、強磁性磁気抵抗素子薄膜１０とアルミ配線金属
９の電気的接合が行われる。

【００１４】このとき、磁気センサとして機能する強磁
性磁気抵抗素子薄膜１０は、シリコン酸化膜４上に形成
するが、強磁性磁気抵抗素子薄膜１０は、図３に示すよ
うに、例えばその幅Ｗを１０〜１５μｍにフォトエッチ
ングし、所望のブリッジ抵抗となるように、強磁性磁気
抵抗素子薄膜１０の比抵抗と厚みｔ（図２参照）と幅Ｗ
から長さを決定する。

【００１５】最後に、図１に示すように、表面保護膜１
１を形成して強磁性磁気抵抗素子薄膜１０と、Ｐ型半導
体基板１の主表面に作製した回路素子とを外気から保護
する。

【００１６】このように製造された磁気センサにおいて
は、Ｐ型半導体基板１の主表面に作製したＮＰＮトラン
ジスタ、及び図示しないＰＮＰトランジスタ，拡散抵
抗，コンデンサ等の回路素子をアルミ配線金属９により
電気的に接続して、電気回路として機能させる。

【００１７】今、実際の強磁性磁気抵抗素子薄膜１０の
抵抗Ｒｏを考えた場合、それは強磁性磁気抵抗素子薄膜
１０の抵抗Ｒ_Ni-Co と、強磁性磁気抵抗素子薄膜１０と
アルミ配線金属９の接合抵抗Ｒｃとの和で表わされる
（Ｒｏ＝Ｒ_Ni-Co ＋２・Ｒｃ）。このことは、強磁性磁
気抵抗素子薄膜１０の抵抗Ｒｏを設計値通り作り込むに
は強磁性磁気抵抗素子薄膜１０のパターン加工精度はも
ちろんのこと、強磁性磁気抵抗素子薄膜１０とアルミ配
線金属９の接合抵抗をできるだけ小さくし、強磁性磁気
抵抗素子薄膜１０のパターンのみで抵抗値が決定される
ほどにしなければならない。

【００１８】本発明者は、Ｎｉ−Ｃｏ／Ａｌの接合抵抗
が何で決定されているかを実験により調べた。従来、金
属膜間（アルミ層配線）の接合抵抗は、接合面積に依存
して変化し、接合抵抗Ｒｃは接合抵抗率をρ_c 、接合部
の面積をＡとすると、Ｒｃ＝ρ_c ／Ａで表される。しか
し、Ｎｉ−Ｃｏ／Ａｌ系の本構造においては、接合部の
面積Ａには依存せず、強磁性磁気抵抗素子薄膜１０とア
ルミ配線金属９の斜状部９ａの接触面積にのみ、接合抵
抗が依存することを見出した。本構造における接合抵抗
Ｒｃは、アルミ配線金属９と強磁性磁気抵抗素子薄膜１
０との接合抵抗率をρ_c 、アルミ配線金属９の斜状部９
ａの傾斜角をθ（図２参照）、アルミ配線金属９と強磁
性磁気抵抗素子薄膜１０の接触部でのアルミ配線金属９
と強磁性磁気抵抗素子薄膜１０のうちの薄い方（即ち、
強磁性磁気抵抗素子薄膜１０）の厚みをｔ、接触部の長
さをＬとすると、 Ｒｃ＝ρ_c ・ｓｉｎθ／（ｔ・Ｌ）・・・（１） で表わされる。このことから、接合抵抗Ｒｃを所望の設
計値通りの値にすることができる。又、（１）式から接
合抵抗Ｒｃを小さくする工夫が可能となる。即ち、
（１）式でのＬを大きくしてＲｃを小さくすべく、図３
に示すように、アルミ配線金属９の先端部に凹部１２を
形成し、この凹部１２上に強磁性磁気抵抗素子薄膜１０
を配置する。その結果、ＬはＬ１＋Ｌ２＋Ｌ３となり、
凹部１２が無い場合に比べＬを長くすることができる。
つまり、従来は、強磁性磁気抵抗素子薄膜１０の線幅
（これは磁気抵抗変化率の設計値とブリッジ抵抗の設計
値で決定される）のままで、かつ、アルミ配線金属９も
帯状のまま、アルミ配線金属９と接合させていたため接
合抵抗が大きくなっていたが、図３の形状（凹部１２の
形状）とすることにより、一桁以上の接合抵抗の減少が
可能となった。

【００１９】又、図３の凹部１２の一辺の長さは、アル
ミ配線金属９の厚さの２倍以上になっている。より具体
的には、本実施例ではアルミ配線金属９の厚さが１μｍ
であるとともに、凹部１２の一辺の長さが１６μｍであ
り、凹部１２の一辺の長さはアルミ配線金属９の厚さの
１６倍になっている。

【００２０】このような凹部１２を有する構造とするこ
とにより、図８に示す従来の凹部のない構造ではアルミ
配線金属９と強磁性磁気抵抗素子薄膜１０との接合部で
方向が一方向（図８ではＡ方向）であったが、図３の本
実施例では３方向（Ａ，Ｂ，Ｃ方向）で両者が接合する
こととなる。換言すると、３方向（Ａ，Ｂ，Ｃ方向）の
電流突入面が形成されていることとなる。

【００２１】つまり、従来の一方向でアルミ配線金属９
と強磁性磁気抵抗素子薄膜１０が接合する方法では、強
磁性磁気抵抗素子薄膜１０を成膜する時のＮｉ−Ｃｏ粒
子の基板への入射角により、図９に示すように、アルミ
配線金属９との接触部の端部で強磁性磁気抵抗素子薄膜
１０がくびれてしまう。その結果、許容電流容量が低下
し、くびれ部で強磁性磁気抵抗素子薄膜１０が破壊する
おそれがある。しかしながら、本実施例のように凹部１
２を有する構造とすることにより、３方向でアルミ配線
金属９と強磁性磁気抵抗素子薄膜１０が接合した状態と
なるため、強磁性磁気抵抗素子薄膜１０の蒸着時の入射
角にバラツキが発生しても、図９に示す強磁性磁気抵抗
素子薄膜１０のくびれる方向はあるが、図１０に示すよ
うに強磁性磁気抵抗素子薄膜１０のくびれが発生しない
方向が少なくとも一方向存在することとなる。

【００２２】ここで、図１１に示すように２つの凹部１
２ａ，１２ｂを形成した場合と、図１２に示すように凹
部の無い場合について、強磁性磁気抵抗素子薄膜１０の
破壊率を測定した。尚、図１１，１２においては、強磁
性磁気抵抗素子薄膜１０とアルミ配線金属９との接合
は、強磁性磁気抵抗素子薄膜１０の先端側に幅広部１３
を形成し、接触部長さＬを長くしている。

【００２３】その結果を、図１３に示す。図１３は、電
流値に対するアルミ配線金属９の端部での強磁性磁気抵
抗素子薄膜１０が焼き切れて破壊する割合を示してお
り、電流値は本実施でのものを破壊率「１」に規格化し
たものである。この図１３から、アルミ配線金属９の端
部での強磁性磁気抵抗素子薄膜１０の破壊電流値を３倍
以上にすることができることが分かった。即ち、凹部の
無い場合には０．２６であったものが、２つの凹部１２
ａ，１２ｂを形成した場合には０．９５となり、０．９
５／０．２６≒３．６倍に破壊電流値を大きくすること
ができた。このように、３方向でアルミ配線金属９と強
磁性磁気抵抗素子薄膜１０とを接合させてくびれのない
方向で電流を流すこと、及び、接触部長さＬを長くする
ことにより、許容電流容量が増加した。

【００２４】尚、この少なくとも３方向でアルミ配線金
属９と強磁性磁気抵抗素子薄膜１０とを接合させるため
には、他にも、図１４に示すように、正方形又は長方形
のアルミ配線金属９の回りを強磁性磁気抵抗素子薄膜１
０で覆うようにしてもよい。つまり、強磁性磁気抵抗素
子薄膜１０の先端側の幅広部１４にてアルミ配線金属９
の側面部をも接合させ、それにより、３方向でアルミ配
線金属９と強磁性磁気抵抗素子薄膜１０とが接合する状
態で配置するとともに、接触部長さＬを長くしてもよ
い。本構造では、３方向でアルミ配線金属９と強磁性磁
気抵抗素子薄膜１０とが接合する状態で配置させること
となる。又、図１５に示すように、円形のアルミ配線金
属９の回りを強磁性磁気抵抗素子薄膜１０で覆うように
してもよい。本構造では、ほぼ全方向からアルミ配線金
属９と強磁性磁気抵抗素子薄膜１０とを接合させること
ができる。

【００２５】一方、強磁性磁気抵抗素子薄膜１０とアル
ミ配線金属９を接合する場合に、アルミ配線金属９の先
端部に斜状部９ａを形成し、熱処理（フォーミングガス
中）により回路素子とのオーミック接合をとるが、この
工程によりアルミ配線金属９の表面が酸化されてしま
い、強磁性磁気抵抗素子薄膜１０とアルミ配線金属９を
オーミック接合とする場合に障壁層となり、前記（１）
式が成立しなくなるとともに、接合抵抗率ρ_c が１０^-4
Ωcm² 〜１０^-5Ωcm² と大きくなる。しかし、上述した
ように、アルミ配線金属９の表面の酸化層をエッチング
除去することにより、接合抵抗率ρ_c を１０^-6Ωcm² 以
下にできる。この結果として接合抵抗が低減できる。

【００２６】図１６には、アルミ配線金属９の表面の酸
化層をエッチング除去した場合と、酸化層をエッチング
除去しない場合での接合抵抗値の測定結果を示す。同図
のように、酸化層をエッチング除去することにより、接
合抵抗、抵抗値のバラツキがともに１／３以下程度と小
さくなり、又、コンタクト抵抗率（ρ_c ）が１０^-6Ωcm
² 以下となる。

【００２７】このように本実施例では、Ｐ型半導体基板
１上に端部が断面斜状に形成されたアルミ配線金属９を
配置するとともに、断面斜状部９ａ上からニッケル系強
磁性磁気抵抗素子薄膜１０を延設した磁気抵抗素子にお
いて、アルミ配線金属９と強磁性磁気抵抗素子薄膜１０
との接合抵抗率をρ_c 、アルミ配線金属９の断面斜状部
９ａの傾斜角をθ、アルミ配線金属９とニッケル系強磁
性磁気抵抗素子薄膜１０の接触部でのアルミ配線金属９
とニッケル系強磁性磁気抵抗素子薄膜１０のうちの薄い
方（ニッケル系強磁性磁気抵抗素子薄膜１０）の厚みを
ｔ、接触部の長さをＬとしたとき、アルミ配線金属９と
ニッケル系強磁性磁気抵抗素子薄膜１０との接合抵抗Ｒ
ｃを、Ｒｃ＝ρ_c ・ｓｉｎθ／（ｔ・Ｌ）にて決定する
ようにした。よって、アルミ配線金属９とニッケル系強
磁性磁気抵抗素子薄膜１０との接合抵抗Ｒｃを正確に決
定することができる。

【００２８】又、アルミ配線金属９上にニッケル系強磁
性磁気抵抗素子薄膜１０を配置する際に真空蒸着法を用
いて成膜するとともに、図３での凹部１２の形成にて２
方向以上でアルミ配線金属９とニッケル系強磁性磁気抵
抗素子薄膜１０とが接合した状態で配置することによ
り、ニッケル系強磁性磁気抵抗素子薄膜１０の蒸着時の
入射角にバラツキが発生しても、ニッケル系強磁性磁気
抵抗素子薄膜１０のくびれが発生しない方向が少なくと
も一方向存在することとなる。つまり、強磁性磁気抵抗
素子薄膜１０のくびれ防止のためにアルミ配線金属９と
強磁性磁気抵抗素子薄膜１０との直線的な対向線長を長
くすると接合面積が広くなってしまい、又、Ｎｉ−Ｃｏ
蒸着時に入射角を制御しようとすると真空蒸着装置での
ホルダの最適位置にセットしなければならなかったが、
本実施例ではそのようなことが回避され、より簡単に、
かつ確実にアルミ配線金属９と強磁性磁気抵抗素子薄膜
１０とを接合することができる。

【００２９】さらに、磁気センサとしてＮｉ−Ｃｏ系の
強磁性磁気抵抗素子薄膜１０を用いる場合、Ｌの値を大
きくすることによりＲｃの値が小さくなりブリッジ間の
抵抗値のバラツキにより発生するオフセット電圧が１／
３〜１／２と大幅に低減できる。さらには、車載用とし
て、この磁気センサを用いる場合、バッテリー電圧が直
接、強磁性磁気抵抗素子薄膜１０に印加される場合に、
Ｎｉ−Ｃｏ／Ａｌの接合抵抗が大きいとこの部分が焼損
することがあるが、本実施例では接合抵抗を設計値通り
作製できることにより、このような不具合は回避でき
る。

【００３０】又、Ａｌシンタ工程（熱処理工程）後に電
子ビーム蒸着法によりそのまま強磁性磁気抵抗素子薄膜
１０を堆積した場合には、アルミシンター工程で形成さ
れたアルミ配線金属９の表面上の酸化層がそのまま残っ
てしまうが、本実施例のように、同一真空容器内で、は
じめに、不活性ガス（例えば、Ａｒガス）のブラズマエ
ッチングによりアルミ配線金属９の表面上の酸化層をエ
ッチング除去し、その後に強磁性磁気抵抗素子薄膜１０
を真空を破らず電子ビーム蒸着させているので、強磁性
磁気抵抗素子薄膜１０とアルミ配線金属９の界面には酸
化層の存在しない金属接合となる。

【００３１】尚、この発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、例えば、前記実施例ではアルミ配線金属９
よりも強磁性磁気抵抗素子薄膜１０の方が薄いので前記
（１）式での「ｔ」を強磁性磁気抵抗素子薄膜１０の厚
みとしたが、強磁性磁気抵抗素子薄膜１０よりもアルミ
配線金属９の方が薄い場合は、アルミ配線金属９の厚み
を前記（１）式での「ｔ」とすればよい。

【００３２】又、上記実施例では半導体基板１にバイポ
ーラＩＣを形成した場合を示したが、ＭＯＳ構造により
回路を形成しても、又、集積化せずにガラス基板上やシ
リコン上に絶縁層を形成した基板上にＮｉ−Ｃｏ／Ａｌ
接合を設けた場合に適用してもよい。

【００３３】さらには、上記実施例では、強磁性磁気抵
抗素子薄膜としてＮｉ−Ｃｏ薄膜を用いたが、他にもＮ
ｉ−Ｆｅ、Ｎｉ−Ｆｅ−Ｃｏ等の強磁性磁気抵抗素子薄
膜を用いてもよい。

【００３４】又、上記実施例では、熱処理工程（シンタ
工程）後のアルミ配線について述べたが、アルミ表面は
空気中に放置しても、水洗によっても簡単に酸化層が形
成されるので、この酸化層を除去してから強磁性磁気抵
抗素子薄膜１０を形成してもよい。

【００３５】さらに、図１７に示すように、強磁性磁気
抵抗素子薄膜１０（Ｎｉ−Ｃｏ薄膜）を有する磁気セン
サにおいて、この強磁性磁気抵抗素子薄膜１０に対する
サージ電圧等の保護のために強磁性磁気抵抗素子薄膜１
０と同じ材料からなる保護抵抗体１５を用いた場合に適
用してもよい。つまり、Ｐ型半導体基板１上に端部が断
面斜状に形成されたアルミ配線金属９を配置するととも
に、断面斜状部９ａ上から強磁性磁気抵抗素子薄膜１０
と同じ材料からなる保護抵抗体１５を延設した磁気セン
サにおいて、接合抵抗Ｒｃを、Ｒｃ＝ρ_c ・ｓｉｎθ／
（ｔ・Ｌ）にて決定するようにしてもよい。

【００３６】

【発明の効果】以上詳述したようにこの発明によれば、
配線金属と抵抗素子薄膜との接合抵抗値を正確に決定す
ることができる優れた効果を発揮する。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例の磁気センサの断面図である。

【図２】図１のＤ部の拡大図である。

【図３】強磁性磁気抵抗素子薄膜とアルミ配線金属との
接合状態を示す平面図である。

【図４】磁気センサの製造工程を示す断面図である。

【図５】磁気センサの製造工程を示す断面図である。

【図６】磁気センサの製造工程を示す断面図である。

【図７】磁気センサの製造工程を示す断面図である。

【図８】比較のための強磁性磁気抵抗素子薄膜とアルミ
配線金属との接合状態を示す平面図である。

【図９】強磁性磁気抵抗素子薄膜とアルミ配線金属との
接合部を示す断面図である。

【図１０】強磁性磁気抵抗素子薄膜とアルミ配線金属と
の接合部を示す断面図である。

【図１１】磁気センサの平面図である。

【図１２】比較のための磁気センサの平面図である。

【図１３】電流値と膜破壊率との関係を示す図である。

【図１４】応用例の磁気センサの平面図である。

【図１５】応用例の磁気センサの平面図である。

【図１６】接合抵抗の測定結果を示す図である。

【図１７】他の別例の磁気センサの断面図である。

【符号の説明】

１ Ｐ型半導体基板 ９ アルミ配線金属 ９ａ 斜状部 １０ 強磁性磁気抵抗素子薄膜

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板上に端部が断面斜状に形成されたア
   ルミ系配線金属を配置するとともに、前記断面斜状部上
   からニッケル系抵抗素子薄膜を延設した抵抗素子におい
   て、 前記アルミ系配線金属とニッケル系抵抗素子薄膜との接
   合抵抗率をρ_c 、前記アルミ系配線金属の断面斜状部の
   傾斜角をθ、前記アルミ系配線金属とニッケル系抵抗素
   子薄膜の接触部でのアルミ系配線金属とニッケル系抵抗
   素子薄膜のうちの薄い方の厚みをｔ、接触部の長さをＬ
   としたとき、アルミ系配線金属とニッケル系抵抗素子薄
   膜との接合抵抗Ｒｃを、 Ｒｃ＝ρ_c ・ｓｉｎθ／（ｔ・Ｌ） にて決定するようにしたことを特徴とする抵抗素子の抵
   抗調整方法。
2. 【請求項２】 アルミ系配線金属上にニッケル系抵抗素
   子薄膜を配置する際に真空蒸着法を用いて成膜するとと
   もに、２方向以上でアルミ系配線金属とニッケル系抵抗
   素子薄膜とが接合した状態で配置してなる請求項１に記
   載の抵抗素子の抵抗調整方法。