JPH05211402A - 分布定数型回路 - Google Patents
分布定数型回路Info
- Publication number
- JPH05211402A JPH05211402A JP4016004A JP1600492A JPH05211402A JP H05211402 A JPH05211402 A JP H05211402A JP 4016004 A JP4016004 A JP 4016004A JP 1600492 A JP1600492 A JP 1600492A JP H05211402 A JPH05211402 A JP H05211402A
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- JP
- Japan
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- dielectric
- substrate
- transformer
- line
- line width
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 線幅のバラツキによる特性の変化を小さく抑
えることができ、安定した分布定数型回路を得る。 【構成】 所定誘電率の誘電体基板１０上に主線路１４
ａ，１４ｂ，１４ｃと、トランスフォーマー１２とを配
設してストリップラインを形成した分布定数型回路にお
いて、誘電体セラミックス基板１０の少なくとも一部
を、当該誘電体セラミックス基板１０の所定誘電率とは
異なる誘電率の誘電体セラミックス基板１０ａで形成さ
せる。
えることができ、安定した分布定数型回路を得る。 【構成】 所定誘電率の誘電体基板１０上に主線路１４
ａ，１４ｂ，１４ｃと、トランスフォーマー１２とを配
設してストリップラインを形成した分布定数型回路にお
いて、誘電体セラミックス基板１０の少なくとも一部
を、当該誘電体セラミックス基板１０の所定誘電率とは
異なる誘電率の誘電体セラミックス基板１０ａで形成さ
せる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高周波伝送に用いられ
る分布定数型回路に関し、特に誘電率の異なる誘電体基
板で形成される分布定数型回路に関する。
る分布定数型回路に関し、特に誘電率の異なる誘電体基
板で形成される分布定数型回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、高周波伝送に用いられる分布定数
型回路には、主線路に先端開放型４分の１波長スタブを
設け特定周波数を阻止するバンドエリミネーションフィ
ルタ等があり、ストリップラインで構成されることが多
い。上記フィルタ回路に用いられる誘電体基板は、所定
の誘電率のセラミックス等からなっており、例えば、上
記セラミックスを所定の型に入れ、焼結成形をして、一
様な誘電率をもつ基板を得ていた。また、上記基板上に
銅または銀パラジウム等の印刷により導体線路を形成す
るとともに、上記導体線路を形成する対称面にアース面
を設けてストリップラインを構成していた。
型回路には、主線路に先端開放型４分の１波長スタブを
設け特定周波数を阻止するバンドエリミネーションフィ
ルタ等があり、ストリップラインで構成されることが多
い。上記フィルタ回路に用いられる誘電体基板は、所定
の誘電率のセラミックス等からなっており、例えば、上
記セラミックスを所定の型に入れ、焼結成形をして、一
様な誘電率をもつ基板を得ていた。また、上記基板上に
銅または銀パラジウム等の印刷により導体線路を形成す
るとともに、上記導体線路を形成する対称面にアース面
を設けてストリップラインを構成していた。
【０００３】上記フィルタでは、その設計において、一
般的に特性インピーダンスがＺout＝50［Ω］で設計さ
れている他の回路と整合させる必要がある。ここで、比
誘電率εr ＝90，厚みh ＝0.5 ［mm］のセラミックス基
板を用いて特性インピーダンスＺinが他の回路と同じＺ
out ＝50［Ω］で設計しようとすると、周波数と関係な
く、以下に述べる(1) 〜(6) 式から主線路の線幅 W
inは、 Win＝0.012 ［mm］ となり、ストリップラインの製造は線幅が細すぎて困難
となる。また、たとえ上記の線幅のストリップラインが
実現できても、設計値より少しでも線幅 Winがずれる
と、特性インピーダンスＺinが大きく変化してしまい、
所望の特性が得られなくなってしまう。
般的に特性インピーダンスがＺout＝50［Ω］で設計さ
れている他の回路と整合させる必要がある。ここで、比
誘電率εr ＝90，厚みh ＝0.5 ［mm］のセラミックス基
板を用いて特性インピーダンスＺinが他の回路と同じＺ
out ＝50［Ω］で設計しようとすると、周波数と関係な
く、以下に述べる(1) 〜(6) 式から主線路の線幅 W
inは、 Win＝0.012 ［mm］ となり、ストリップラインの製造は線幅が細すぎて困難
となる。また、たとえ上記の線幅のストリップラインが
実現できても、設計値より少しでも線幅 Winがずれる
と、特性インピーダンスＺinが大きく変化してしまい、
所望の特性が得られなくなってしまう。
【０００４】
【数１】
【０００５】 但し、εre：基板の等価誘電率 εr ：基板の比誘電率 W ：ストリップラインの線幅［mm］ h ：基板の厚み［mm］ λg ：基板上での管内波長［mm］ λ0 ：電波の自由空間波長［mm］ Ｚ ：特性インピーダンス［Ω］ そこで、本出願人は、特願平３−３２６０４２号に示す
ように、λg/4 長のトランスフォーマーを用いて、実際
のフィルタのインピーダンスを下げ、線幅を広げて従来
からの印刷やエッヂング等で回路構成が容易なフィルタ
を提案した。上記提案のフィルタでは、線幅が太くなっ
たので、従来の特性インピーダンスＺin＝50［Ω］での
設計に比べて線幅のバラツキに対する特性インピーダン
スの変化を小さく抑えることができ、安定した特性を得
ることができた。
ように、λg/4 長のトランスフォーマーを用いて、実際
のフィルタのインピーダンスを下げ、線幅を広げて従来
からの印刷やエッヂング等で回路構成が容易なフィルタ
を提案した。上記提案のフィルタでは、線幅が太くなっ
たので、従来の特性インピーダンスＺin＝50［Ω］での
設計に比べて線幅のバラツキに対する特性インピーダン
スの変化を小さく抑えることができ、安定した特性を得
ることができた。
【０００６】またトランスフォーマーの特性インピーダ
ンスＺt は、
ンスＺt は、
【０００７】
【数２】
【０００８】 但し、Ｚout ：外部の特性インピーダンス［Ω］ Ｚin ：フィルタの主線路の特性インピーダンス［Ω］ となる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】ところが、一様な誘電
率の基板上に上記トランスフォーマーとフィルタ回路を
形成する場合、上記提案を達成するためにフィルタの主
線路の線幅に比べトランスフォーマーの線幅は必然的に
細くなってしまう。たとえば、比誘電率εr ＝90、厚み
h ＝0.5 ［mm］のセラミックス基板を用いてフィルタの
主線路の特性インピーダンスをＺin＝10［Ω］とする
と、トランスフォーマーの特性インピーダンスＺt ＝2
2.4［Ω］となる。このとき、フィルタの主線路とトラ
ンスフォーマーの線幅は、それぞれ Win＝1.45［mm］と
Wt ＝0.25［mm］となる。
率の基板上に上記トランスフォーマーとフィルタ回路を
形成する場合、上記提案を達成するためにフィルタの主
線路の線幅に比べトランスフォーマーの線幅は必然的に
細くなってしまう。たとえば、比誘電率εr ＝90、厚み
h ＝0.5 ［mm］のセラミックス基板を用いてフィルタの
主線路の特性インピーダンスをＺin＝10［Ω］とする
と、トランスフォーマーの特性インピーダンスＺt ＝2
2.4［Ω］となる。このとき、フィルタの主線路とトラ
ンスフォーマーの線幅は、それぞれ Win＝1.45［mm］と
Wt ＝0.25［mm］となる。
【００１０】ここで、上記トランスフォーマー及びフィ
ルタを導体の印刷やエッチング等で形成する場合、その
製造公差を線幅のバラツキによる特性インピーダンスの
変化の大きいトランスフォーマーを考慮して厳しくしな
ければならない問題点があった。本発明は、上記問題点
に鑑みなされたもので、製造における線幅のバラツキに
よる特性の変化を従来に比べ抑えることができ、これに
より製造公差に余裕をもたせ、特性の安定した分布定数
型回路を提供することを目的とする。
ルタを導体の印刷やエッチング等で形成する場合、その
製造公差を線幅のバラツキによる特性インピーダンスの
変化の大きいトランスフォーマーを考慮して厳しくしな
ければならない問題点があった。本発明は、上記問題点
に鑑みなされたもので、製造における線幅のバラツキに
よる特性の変化を従来に比べ抑えることができ、これに
より製造公差に余裕をもたせ、特性の安定した分布定数
型回路を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記目的を解決するた
め、本発明では、所定誘電率の誘電体基板上に導体線路
を配設してストリップラインを形成した分布定数型回路
において、前記誘電体基板の少なくとも一部を、当該誘
電体基板の所定誘電率とは異なる誘電率の誘電体で形成
する分布定数型回路が提供される。
め、本発明では、所定誘電率の誘電体基板上に導体線路
を配設してストリップラインを形成した分布定数型回路
において、前記誘電体基板の少なくとも一部を、当該誘
電体基板の所定誘電率とは異なる誘電率の誘電体で形成
する分布定数型回路が提供される。
【００１２】
【作用】この上記構成により、線幅の細いトランスフォ
ーマー部にはフィルタ部に比べて誘電率εr の低い誘電
体を用いることで、トランスフォーマーの特性インピー
ダンスＺinを変えずに線幅 Wt を太くし、ストリップラ
インの製造による線幅のバラツキに対して特性の安定化
を図ることができる。
ーマー部にはフィルタ部に比べて誘電率εr の低い誘電
体を用いることで、トランスフォーマーの特性インピー
ダンスＺinを変えずに線幅 Wt を太くし、ストリップラ
インの製造による線幅のバラツキに対して特性の安定化
を図ることができる。
【００１３】
【実施例】本発明の実施例を図１の図面に基づき説明す
る。図１は、本発明に係る分布定数型回路をバンドエリ
ミネーションフィルタとして用いた場合の構成を示す斜
視図である。図において、１０，１０ａは厚みh が同じ
で比誘電率εr の異なる誘電体セラミックス基板、１２
はフィルタ回路と他の回路を整合させるトランスフォー
マー、１３は上記トランスフォーマー１２の間に構成さ
れたフィルタ回路、１１はアース面である。このフィル
タ回路１３は、１４ａ，１４ｂ，１４ｃの主線路と、１
５，１６，１７，１８の先端開放スタブで構成されてい
る。
る。図１は、本発明に係る分布定数型回路をバンドエリ
ミネーションフィルタとして用いた場合の構成を示す斜
視図である。図において、１０，１０ａは厚みh が同じ
で比誘電率εr の異なる誘電体セラミックス基板、１２
はフィルタ回路と他の回路を整合させるトランスフォー
マー、１３は上記トランスフォーマー１２の間に構成さ
れたフィルタ回路、１１はアース面である。このフィル
タ回路１３は、１４ａ，１４ｂ，１４ｃの主線路と、１
５，１６，１７，１８の先端開放スタブで構成されてい
る。
【００１４】誘電体セラミックス基板１０，１０ａは、
焼結成形する前に、それぞれを所定の大きさに型抜きし
て、組み合わせた後に焼結成形している。また、それぞ
れ別々に焼結成形した後に接着してもよい。さらに、上
記方法等で一体化された誘電体セラミックス基板上に、
銅または銀パラジウムの印刷もしくは銅メッキ後のエッ
チングにより、トランスフォーマー１２、フィルタ回路
１３、アース面１１を形成している。
焼結成形する前に、それぞれを所定の大きさに型抜きし
て、組み合わせた後に焼結成形している。また、それぞ
れ別々に焼結成形した後に接着してもよい。さらに、上
記方法等で一体化された誘電体セラミックス基板上に、
銅または銀パラジウムの印刷もしくは銅メッキ後のエッ
チングにより、トランスフォーマー１２、フィルタ回路
１３、アース面１１を形成している。
【００１５】例えば、誘電体セラミックス基板１０は、
従来例と同様に、比誘電率εr ＝90、厚みh ＝0.5 ［m
m］のセラミックスからなり、その基板上には、フィル
タ回路１３が構成されている。フィルタ回路１３は、主
線路１４ａ，１４ｂ，１４ｃをそれぞれ特性インピーダ
ンスＺin＝10［Ω］とし、線幅 Win＝1.45［mm］、長さ
linが通過周波数 f0 のλg/4 となっており、また、先
端開放スタブ１５〜１８をそれぞれの阻止周波数 f1 〜
f4 のλg/4 長で、線幅がフィルタ回路１３の入力端か
らみた特性インピーダンスＺinが10［Ω］となるように
設計されている。さらに、誘電体セラミックス基板１０
ａは、比誘電率εr ＝35、厚みh ＝0.5 ［mm］のセラミ
ックスからなり、その基板上には、トランスフォーマー
１２が構成されている。トランスフォーマー１２の特性
インピーダンスＺt は、他の外部回路の特性インピーダ
ンスＺout ＝50［Ω］と上記フィルタ回路の特性インピ
ーダンスＺin＝10［Ω］を整合するため、(7) 式からＺ
t ＝22.4［Ω］とし、その線幅 Wt は(1) 〜(6) 式から
Wt ＝0.79［mm］、長さ lt は通過周波数 f0 のλg/4
となっている。図１では、トランスフォーマー１２を形
成する誘電体セラミックス基板１０ａの比誘電率がフィ
ルタ回路を形成する誘電体セラミックス基板１０と比べ
て低くなっていて、管内波長λg が長くなりトランスフ
ォーマー長 ltが長くなるので、小型化のためにトラン
スフォーマー１２を折り曲げて配設している。
従来例と同様に、比誘電率εr ＝90、厚みh ＝0.5 ［m
m］のセラミックスからなり、その基板上には、フィル
タ回路１３が構成されている。フィルタ回路１３は、主
線路１４ａ，１４ｂ，１４ｃをそれぞれ特性インピーダ
ンスＺin＝10［Ω］とし、線幅 Win＝1.45［mm］、長さ
linが通過周波数 f0 のλg/4 となっており、また、先
端開放スタブ１５〜１８をそれぞれの阻止周波数 f1 〜
f4 のλg/4 長で、線幅がフィルタ回路１３の入力端か
らみた特性インピーダンスＺinが10［Ω］となるように
設計されている。さらに、誘電体セラミックス基板１０
ａは、比誘電率εr ＝35、厚みh ＝0.5 ［mm］のセラミ
ックスからなり、その基板上には、トランスフォーマー
１２が構成されている。トランスフォーマー１２の特性
インピーダンスＺt は、他の外部回路の特性インピーダ
ンスＺout ＝50［Ω］と上記フィルタ回路の特性インピ
ーダンスＺin＝10［Ω］を整合するため、(7) 式からＺ
t ＝22.4［Ω］とし、その線幅 Wt は(1) 〜(6) 式から
Wt ＝0.79［mm］、長さ lt は通過周波数 f0 のλg/4
となっている。図１では、トランスフォーマー１２を形
成する誘電体セラミックス基板１０ａの比誘電率がフィ
ルタ回路を形成する誘電体セラミックス基板１０と比べ
て低くなっていて、管内波長λg が長くなりトランスフ
ォーマー長 ltが長くなるので、小型化のためにトラン
スフォーマー１２を折り曲げて配設している。
【００１６】上記本実施例では、従来例での比誘電率ε
r ＝90で一様な誘電体セラミックス基板を用いたときに
比べ、トランスフォーマー１２の線幅 Wt が太くなり、
製造における線幅 Wt のバラツキによる特性の変化を抑
えることができ、より安定した分布定数型回路が得られ
る。
r ＝90で一様な誘電体セラミックス基板を用いたときに
比べ、トランスフォーマー１２の線幅 Wt が太くなり、
製造における線幅 Wt のバラツキによる特性の変化を抑
えることができ、より安定した分布定数型回路が得られ
る。
【００１７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明では、所定
誘電率の誘電体基板上に導体線路を配設してストリップ
ラインを形成した分布定数型回路において、前記誘電体
基板の少なくとも一部を、当該誘電体基板の所定誘電率
とは異なる誘電率の誘電体で形成するので、線幅のバラ
ツキによる特性の変化を小さく抑えることができ、安定
した分布定数型回路を提供できる。
誘電率の誘電体基板上に導体線路を配設してストリップ
ラインを形成した分布定数型回路において、前記誘電体
基板の少なくとも一部を、当該誘電体基板の所定誘電率
とは異なる誘電率の誘電体で形成するので、線幅のバラ
ツキによる特性の変化を小さく抑えることができ、安定
した分布定数型回路を提供できる。
【図１】本発明に係る分布定数型回路をバンドエリミネ
ーションフィルタとして用いた場合の構成を示す斜視図
である。
ーションフィルタとして用いた場合の構成を示す斜視図
である。
１０ 誘電体セラミックス基板 １０ａ 誘電率が異なる誘電体セラミックス基板 １１ アース面 １２ トランスフォーマー １３ フィルタ回路 １４ａ，１４ｂ，１４ｃ 主線路 １５，１６，１７，１８ 先端開放スタブ
Claims (1)
- 【請求項１】 所定誘電率の誘電体基板上に導体線路を
配設してストリップラインを形成した分布定数型回路に
おいて、前記誘電体基板の少なくとも一部を、当該誘電
体基板の所定誘電率とは異なる誘電率の誘電体で形成す
ることを特徴とする分布定数型回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4016004A JPH05211402A (ja) | 1992-01-31 | 1992-01-31 | 分布定数型回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4016004A JPH05211402A (ja) | 1992-01-31 | 1992-01-31 | 分布定数型回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05211402A true JPH05211402A (ja) | 1993-08-20 |
Family
ID=11904473
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4016004A Pending JPH05211402A (ja) | 1992-01-31 | 1992-01-31 | 分布定数型回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05211402A (ja) |
Cited By (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| KR20020013185A (ko) * | 2000-08-11 | 2002-02-20 | 윤종용 | 복수의 유전상수를 갖는 회로기판 및 그 제조 방법 |
| EP1376750A1 (en) * | 2002-06-27 | 2004-01-02 | Harris Corporation | High efficiency quarter-wave transformer |
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-
1992
- 1992-01-31 JP JP4016004A patent/JPH05211402A/ja active Pending
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