JPS6251005B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6251005B2 JPS6251005B2 JP54058907A JP5890779A JPS6251005B2 JP S6251005 B2 JPS6251005 B2 JP S6251005B2 JP 54058907 A JP54058907 A JP 54058907A JP 5890779 A JP5890779 A JP 5890779A JP S6251005 B2 JPS6251005 B2 JP S6251005B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- line
- power supply
- wavelength
- stub
- circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/42—Modifications of amplifiers to extend the bandwidth
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/60—Amplifiers in which coupling networks have distributed constants, e.g. with waveguide resonators
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microwave Amplifiers (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
- Waveguide Connection Structure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、マイクロストリツプ基板上のトラン
ジスタ回路に電源電圧あるいはバイアス電圧を供
給する電源供給回路に関する。
ジスタ回路に電源電圧あるいはバイアス電圧を供
給する電源供給回路に関する。
従来、この種のトランジスタ回路にバイアス電
圧あるいはコレクタ電圧を供給するために、トラ
ンジスタ回路の使用中心周波数に対して1/4波長
であるようなシヨートスタブ線路が電源供給回路
として広く用いられている。
圧あるいはコレクタ電圧を供給するために、トラ
ンジスタ回路の使用中心周波数に対して1/4波長
であるようなシヨートスタブ線路が電源供給回路
として広く用いられている。
一般にマイクロストリツプによる線路の一端を
シヨートした時の他端のインピーダンスＺは Ｚ＝Zotan（２π／λｇ・Ｌ） Zo：線路の特性インピーダンス λｇ：マイクロストリツプ上における１
波長の長さ Ｌ：線路の長さ と表わされ、Ｌ＝1/4λｇとすることによりＺ＝
∞となる。このように1/4波長線路の一端をコン
デンサなどで接地し、等価的にシヨートスタブと
して用いることにより1/4波長線路の他端が高イ
ンピーダンスとなり回路に影響を与えずに電源を
供給することができる。
シヨートした時の他端のインピーダンスＺは Ｚ＝Zotan（２π／λｇ・Ｌ） Zo：線路の特性インピーダンス λｇ：マイクロストリツプ上における１
波長の長さ Ｌ：線路の長さ と表わされ、Ｌ＝1/4λｇとすることによりＺ＝
∞となる。このように1/4波長線路の一端をコン
デンサなどで接地し、等価的にシヨートスタブと
して用いることにより1/4波長線路の他端が高イ
ンピーダンスとなり回路に影響を与えずに電源を
供給することができる。
このような電源供給回路では1/4波長線路がフ
オトエツチングなどで形成できるため再現性、量
産性に富むという利点がある。
オトエツチングなどで形成できるため再現性、量
産性に富むという利点がある。
しかし、この電源供給回路を広帯域トランジス
タ回路等に用いた場合、この1/4波長線路がフイ
ルタ特性を有するために広帯域化が困難となる。
これを解決する方法としてこの1/4波長線路の幅
を細くして線路の特性インピーダンスを高くする
ことが一般に行なわれているが、線路の幅を細く
することは製作上限度がある。
タ回路等に用いた場合、この1/4波長線路がフイ
ルタ特性を有するために広帯域化が困難となる。
これを解決する方法としてこの1/4波長線路の幅
を細くして線路の特性インピーダンスを高くする
ことが一般に行なわれているが、線路の幅を細く
することは製作上限度がある。
本発明の目的は前述の欠点を除いた広帯域の電
源供給回路を提供することにある。
源供給回路を提供することにある。
本発明の電源供給回路は1/4波長スタブで構成
し、これをオープンスタブとシヨートスタブに分
割することによつて帯域幅を広くすることを特徴
とするものである。
し、これをオープンスタブとシヨートスタブに分
割することによつて帯域幅を広くすることを特徴
とするものである。
以下、図面を用いて本発明をより詳細に説明す
る。第１図は従来の電源供給回路の実施例を示
す。図において１は入力端子、２は結合コンデン
サ、３はバイアス電源供給端子、４はコレクタ電
源供給端子、５はトランジスタ、６は入力整合用
線路、７は出力整合用線路、８は1/4波長ストリ
ツプ線路、９は出力端子である。第１図では1/4
波長のストリツプ線路８によつて、入力整合線路
６および出力整合線路７に電源を供給している。
このような電源供給回路は前述のような欠点があ
る。
る。第１図は従来の電源供給回路の実施例を示
す。図において１は入力端子、２は結合コンデン
サ、３はバイアス電源供給端子、４はコレクタ電
源供給端子、５はトランジスタ、６は入力整合用
線路、７は出力整合用線路、８は1/4波長ストリ
ツプ線路、９は出力端子である。第１図では1/4
波長のストリツプ線路８によつて、入力整合線路
６および出力整合線路７に電源を供給している。
このような電源供給回路は前述のような欠点があ
る。
ここで、第２図ａのごとく信号線１０に対して
オープンスタブ１２′とシヨートスタブ１２″とで
構成した1/4波長のストリツプ線路１２を考えて
みる。
オープンスタブ１２′とシヨートスタブ１２″とで
構成した1/4波長のストリツプ線路１２を考えて
みる。
第２図において信号線１０より見たサセプタン
スＢ（ω）は、線路の損失を無視すれば、 Ｂ（ω）＝１／Ｚ０tan｛２π／λ（Ｌ−ｌ）｝−
１／Ｚｏcot （２π／λｌ） Zo：線路の特性インピーダンス λ：マイクロストリツプライン基板上におけ
る一波長の長さ と表わされる。
スＢ（ω）は、線路の損失を無視すれば、 Ｂ（ω）＝１／Ｚ０tan｛２π／λ（Ｌ−ｌ）｝−
１／Ｚｏcot （２π／λｌ） Zo：線路の特性インピーダンス λ：マイクロストリツプライン基板上におけ
る一波長の長さ と表わされる。
また、反伝達関数をＴ（ｊω）＝V2／V1（ただ
しV1：入力電圧、V2：出力電圧）とすると ｜Ｔ（ｊω）｜２＝４／４＋ＺＬ ２Ｂ（ω）２ ただし、ＺL：負荷インピーダンス となる。
しV1：入力電圧、V2：出力電圧）とすると ｜Ｔ（ｊω）｜２＝４／４＋ＺＬ ２Ｂ（ω）２ ただし、ＺL：負荷インピーダンス となる。
これより第２図の1/4波長線路１２のｌ／Ｌに
対する比帯域幅（Δω／ωｏ；ωｏは中心周波
数、Δωは3dB帯域幅）求めると、第３図のよう
な傾向を示す。すなわち1/4波長線路１２の比帯
域幅はｌ／Ｌの変化によつて変化する。従つて信
号線１０の位置を適当に変化させることによつ
て、同一の特性インピーダンス線路では回路の比
帯域幅を従来の1/4波長線路の場合と比べて広く
することができる。なお、従来の1/4波長線路の
帯域幅は第３図に示すｌ／Ｌ＝1.0の時の値であ
る。
対する比帯域幅（Δω／ωｏ；ωｏは中心周波
数、Δωは3dB帯域幅）求めると、第３図のよう
な傾向を示す。すなわち1/4波長線路１２の比帯
域幅はｌ／Ｌの変化によつて変化する。従つて信
号線１０の位置を適当に変化させることによつ
て、同一の特性インピーダンス線路では回路の比
帯域幅を従来の1/4波長線路の場合と比べて広く
することができる。なお、従来の1/4波長線路の
帯域幅は第３図に示すｌ／Ｌ＝1.0の時の値であ
る。
第４図に本発明による電源供給回路を用いたト
ランジスタ回路の一例を示す。第４図では、第２
図の1/4波長のストリツプ線路１２′および１２″
にそれぞれ相当する部分がオープンスタブ１４お
よびシヨートスタブ１３であり、オープンスタブ
１４とシヨートスタブ１３の合わせた長さが1/4
波長になる。この時、オープンスタブ１４とシヨ
ートスタブ１３の長さの比は第３図で示される最
も比帯域幅が広くなる値に選らばれる。このよう
にすることにより第４図によるトランジスタ回路
は広帯域化しても電源供給回路の影響をほとんど
受けない。他の構成は第１図と全く同じである。
ランジスタ回路の一例を示す。第４図では、第２
図の1/4波長のストリツプ線路１２′および１２″
にそれぞれ相当する部分がオープンスタブ１４お
よびシヨートスタブ１３であり、オープンスタブ
１４とシヨートスタブ１３の合わせた長さが1/4
波長になる。この時、オープンスタブ１４とシヨ
ートスタブ１３の長さの比は第３図で示される最
も比帯域幅が広くなる値に選らばれる。このよう
にすることにより第４図によるトランジスタ回路
は広帯域化しても電源供給回路の影響をほとんど
受けない。他の構成は第１図と全く同じである。
第１図は従来の電源供給回路を用いたトランジ
スタ回路例である。第２図は1/4波長のマイクロ
ストリツプ線路を信号線でオープンスタブおよび
シヨートスタブに分割した図例、第３図は第２図
の回路の比帯域幅対ｌ／Ｌ特性を示す。第４図は
本発明の電源供給回路を用いたトランジスタ回路
例である。 図において、１は入力端子、２はコンデンサ、
３はバイアス電源供給端子、４はコレクタ電源供
給端子、５はトランジスタ、６は入力整合用線
路、７は出力整合用線路、８は1/4波長線路、９
は出力端子、１０は信号線、１２は本発明による
1/4波長線路（１２′はオープンスタブ、１２″は
シヨートスタブである）、１３および１４は本発
明による1/4波長線路である。
スタ回路例である。第２図は1/4波長のマイクロ
ストリツプ線路を信号線でオープンスタブおよび
シヨートスタブに分割した図例、第３図は第２図
の回路の比帯域幅対ｌ／Ｌ特性を示す。第４図は
本発明の電源供給回路を用いたトランジスタ回路
例である。 図において、１は入力端子、２はコンデンサ、
３はバイアス電源供給端子、４はコレクタ電源供
給端子、５はトランジスタ、６は入力整合用線
路、７は出力整合用線路、８は1/4波長線路、９
は出力端子、１０は信号線、１２は本発明による
1/4波長線路（１２′はオープンスタブ、１２″は
シヨートスタブである）、１３および１４は本発
明による1/4波長線路である。
Claims (1)
- １ マイクロストリツプ基板上のトランジスタ回
路に電源電圧あるいはバイアス電圧を供給する電
源供給回路において、前記トランジスタ回路の入
力端子あるいは出力端子に結合されたオープンス
タブと、一端が前記入力端子あるいは出力端子に
結合されたシヨートスタブと、前記シヨートスタ
ブの他端とアース間に接続されたコンデンサと、
前記シヨートスタブの他端に電源を供給する手段
とを含み、前記オープンスタブとシヨートスタブ
の長さの和が前記トランジスタ回路の動作中心周
波数に対して1/4波長であることを特徴とする電
源供給回路。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5890779A JPS55150601A (en) | 1979-05-14 | 1979-05-14 | Electric power supply circuit |
| US06/145,850 US4320353A (en) | 1979-05-14 | 1980-05-01 | Solid-state amplifier circuit for high-frequency signals |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5890779A JPS55150601A (en) | 1979-05-14 | 1979-05-14 | Electric power supply circuit |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS55150601A JPS55150601A (en) | 1980-11-22 |
| JPS6251005B2 true JPS6251005B2 (ja) | 1987-10-28 |
Family
ID=13097875
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5890779A Granted JPS55150601A (en) | 1979-05-14 | 1979-05-14 | Electric power supply circuit |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4320353A (ja) |
| JP (1) | JPS55150601A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01153807A (ja) * | 1987-11-11 | 1989-06-16 | Avdel Syst Ltd | ブッシュ |
| JPH0979247A (ja) * | 1995-09-08 | 1997-03-25 | Takeshi Kameyama | ネジの緩み止め |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5827402A (ja) * | 1981-08-12 | 1983-02-18 | Hitachi Ltd | Ｓｈｆ受信機の前置増幅回路 |
| US4583049A (en) * | 1984-06-15 | 1986-04-15 | Trw Inc. | Feed-forward circuit |
| US5065117A (en) * | 1989-06-06 | 1991-11-12 | Sharp Kabushiki Kaisha | Microwave circuit |
| JPH0358019U (ja) * | 1989-10-12 | 1991-06-05 | ||
| JP2892452B2 (ja) * | 1990-07-16 | 1999-05-17 | 富士通株式会社 | 増幅回路 |
| JPH0563470A (ja) * | 1991-09-05 | 1993-03-12 | Fujitsu Ltd | バイアス回路 |
| US5617059A (en) * | 1995-07-07 | 1997-04-01 | Ssb Technologies, Inc. | Power amplifier, and associated method, for a microwave repeater station |
| US6893101B2 (en) | 2001-07-27 | 2005-05-17 | Telefonaktiebolaget L.M. Ericsson | Active element bias circuit for RF power transistor input |
| US6677830B2 (en) * | 2001-09-11 | 2004-01-13 | Triquint Technology Holding Co. | Broadband matching network for an electroabsorption optical modulator |
| JP4585337B2 (ja) * | 2005-03-14 | 2010-11-24 | 株式会社エヌ・ティ・ティ・ドコモ | バイアス回路 |
| JP4852088B2 (ja) * | 2008-11-04 | 2012-01-11 | 株式会社東芝 | バイアス回路 |
| JP5253321B2 (ja) * | 2009-08-04 | 2013-07-31 | 三菱電機株式会社 | 広帯域増幅器 |
| JP6098195B2 (ja) * | 2013-02-01 | 2017-03-22 | 富士通株式会社 | 増幅器 |
| JP6337473B2 (ja) * | 2014-01-15 | 2018-06-06 | 富士通株式会社 | 集積回路及び送受信装置 |
| CN111711425B (zh) * | 2020-06-28 | 2024-04-16 | 深圳大学 | 一种基于功率放大器的耦合偏置电路及微波传输设备 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3869678A (en) * | 1973-12-18 | 1975-03-04 | Rca Corp | Multiple transistor microwave amplifier |
| JPS5338071A (en) * | 1976-09-18 | 1978-04-07 | Shin Meiwa Ind Co Ltd | Two-stage plural-raw parking equipment |
| SU657587A1 (ru) * | 1977-04-25 | 1979-04-15 | Московский авиационный технологический институт им. К.Э.Циолковского | Сверхвысокочастотный транзисторный усилитель |
-
1979
- 1979-05-14 JP JP5890779A patent/JPS55150601A/ja active Granted
-
1980
- 1980-05-01 US US06/145,850 patent/US4320353A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01153807A (ja) * | 1987-11-11 | 1989-06-16 | Avdel Syst Ltd | ブッシュ |
| JPH0979247A (ja) * | 1995-09-08 | 1997-03-25 | Takeshi Kameyama | ネジの緩み止め |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS55150601A (en) | 1980-11-22 |
| US4320353A (en) | 1982-03-16 |
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