JPH0521205A - 角板形チツプ固定抵抗器 - Google Patents
角板形チツプ固定抵抗器Info
- Publication number
- JPH0521205A JPH0521205A JP3193563A JP19356391A JPH0521205A JP H0521205 A JPH0521205 A JP H0521205A JP 3193563 A JP3193563 A JP 3193563A JP 19356391 A JP19356391 A JP 19356391A JP H0521205 A JPH0521205 A JP H0521205A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resistor
- chip fixed
- ruthenium
- rectangular plate
- fixed resistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 22
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 9
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 21
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 claims description 7
- -1 ruthenium organometallic compound Chemical class 0.000 claims description 4
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims description 2
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011575 calcium Substances 0.000 claims description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 2
- 125000005474 octanoate group Chemical class 0.000 claims 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 9
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 26
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 description 12
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 11
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 9
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 6
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- WWZKQHOCKIZLMA-UHFFFAOYSA-N octanoic acid Chemical compound CCCCCCCC(O)=O WWZKQHOCKIZLMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009966 trimming Methods 0.000 description 2
- RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N Abietic-Saeure Natural products C12CCC(C(C)C)=CC2=CCC2C1(C)CCCC2(C)C(O)=O RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018487 Ni—Cr Inorganic materials 0.000 description 1
- KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N Rosin Natural products O(C/C=C/c1ccccc1)[C@H]1[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H](O)[C@@H](CO)O1 KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N 0.000 description 1
- OBETXYAYXDNJHR-UHFFFAOYSA-N alpha-ethylcaproic acid Natural products CCCCC(CC)C(O)=O OBETXYAYXDNJHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N chromium nickel Chemical compound [Cr].[Ni] VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008034 disappearance Effects 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 229910001925 ruthenium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N ruthenium(iv) oxide Chemical compound O=[Ru]=O WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N trans-cinnamyl beta-D-glucopyranoside Natural products OC1C(O)C(O)C(CO)OC1OCC=CC1=CC=CC=C1 KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 抵抗体を薄くかつ小型化しても焼成時におけ
る抵抗体の抵抗値変化が少なく、しかも簡便にかつ安価
に製造可能な角板形チップ固定抵抗器を提供すること。 【構成】 基板と、該基板上に形成された抵抗体と、該
抵抗体に通電するための電極とを具備する角板形チップ
固定抵抗器であって、該抵抗体が、ルテニウムの有機金
属化合物を含有する抵抗体インクを焼成してなる抵抗体
膜であることを特徴とする、前記角板形チップ固定抵抗
器。
る抵抗体の抵抗値変化が少なく、しかも簡便にかつ安価
に製造可能な角板形チップ固定抵抗器を提供すること。 【構成】 基板と、該基板上に形成された抵抗体と、該
抵抗体に通電するための電極とを具備する角板形チップ
固定抵抗器であって、該抵抗体が、ルテニウムの有機金
属化合物を含有する抵抗体インクを焼成してなる抵抗体
膜であることを特徴とする、前記角板形チップ固定抵抗
器。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は角板形チップ固定抵抗器
に関し、さらに詳しくは特定組成の抵抗体インクを焼成
してなる抵抗体を具備する角板形チップ固定抵抗器に関
するものである。
に関し、さらに詳しくは特定組成の抵抗体インクを焼成
してなる抵抗体を具備する角板形チップ固定抵抗器に関
するものである。
【0002】
【従来の技術】角板形チップ固定抵抗器は、一般に、セ
ラミックス等の基板上に抵抗体と電極とを印刷法等で形
成し、焼成して得られる。そして、通常は、上記抵抗体
の保護のために抵抗体を低融点ガラス等でオーバーコー
トしている。さらに近年は、電極のハンダによる消失を
防止するために電極の上にNiメッキ等の中間メッキ膜
と、さらにその上にハンダメッキ膜を設け、ハンダ付け
性を保証している。
ラミックス等の基板上に抵抗体と電極とを印刷法等で形
成し、焼成して得られる。そして、通常は、上記抵抗体
の保護のために抵抗体を低融点ガラス等でオーバーコー
トしている。さらに近年は、電極のハンダによる消失を
防止するために電極の上にNiメッキ等の中間メッキ膜
と、さらにその上にハンダメッキ膜を設け、ハンダ付け
性を保証している。
【0003】従来の角板形チップ固定抵抗器の抵抗体と
してはメタルグレーズ抵抗体等が一般的に使用されてお
り、酸化ルテニウム粉末とガラスフリットとを混合した
もの等の厚膜ペーストを印刷・焼成して抵抗体膜を形成
していた。しかし、上記従来の厚膜ペーストを使用した
場合、近年の角板形チップ固定抵抗器の小型化に伴って
抵抗体の有効面積をより小さく、例えば0.3×0.3
mm程度にすると、オーバーコートガラスや電極の焼成
時に抵抗値が大きく変化してしまうという問題が生じて
きた。また、上記従来の厚膜ペーストを使用した場合、
抵抗体膜の焼成後の厚みを数十μmレベルより薄くする
ことは困難であり、角板形チップ固定抵抗器の小型化を
妨害する要因となっていた。
してはメタルグレーズ抵抗体等が一般的に使用されてお
り、酸化ルテニウム粉末とガラスフリットとを混合した
もの等の厚膜ペーストを印刷・焼成して抵抗体膜を形成
していた。しかし、上記従来の厚膜ペーストを使用した
場合、近年の角板形チップ固定抵抗器の小型化に伴って
抵抗体の有効面積をより小さく、例えば0.3×0.3
mm程度にすると、オーバーコートガラスや電極の焼成
時に抵抗値が大きく変化してしまうという問題が生じて
きた。また、上記従来の厚膜ペーストを使用した場合、
抵抗体膜の焼成後の厚みを数十μmレベルより薄くする
ことは困難であり、角板形チップ固定抵抗器の小型化を
妨害する要因となっていた。
【0004】また、従来、薄膜の抵抗体を得る方法とし
て、ニッケルクロム等の金属を真空蒸着やスパッタリン
グ等によって着膜する方法があった。しかしながら、こ
の方法によると、角板形チップ固定抵抗器の小型化はあ
る程度可能なものの、製造設備が高価でかつ製造工程が
煩雑であり、角板形チップ固定抵抗器の低価格化が困難
という問題があった。
て、ニッケルクロム等の金属を真空蒸着やスパッタリン
グ等によって着膜する方法があった。しかしながら、こ
の方法によると、角板形チップ固定抵抗器の小型化はあ
る程度可能なものの、製造設備が高価でかつ製造工程が
煩雑であり、角板形チップ固定抵抗器の低価格化が困難
という問題があった。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記従来技術
の有する問題に鑑みてなされたものであり、抵抗体を薄
くかつ小型化しても焼成時における抵抗体の抵抗値変化
が少なく、しかも簡便にかつ安価に製造可能な角板形チ
ップ固定抵抗器を提供することを目的とするものであ
る。
の有する問題に鑑みてなされたものであり、抵抗体を薄
くかつ小型化しても焼成時における抵抗体の抵抗値変化
が少なく、しかも簡便にかつ安価に製造可能な角板形チ
ップ固定抵抗器を提供することを目的とするものであ
る。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明者らは上記目的を
達成すべく鋭意研究した結果、ルテニウムの有機金属化
合物を含有する抵抗体インクを用いることによって上記
課題が解決されることを見出し、本発明に到達した。
達成すべく鋭意研究した結果、ルテニウムの有機金属化
合物を含有する抵抗体インクを用いることによって上記
課題が解決されることを見出し、本発明に到達した。
【0007】すなわち本発明の角板形チップ固定抵抗器
は、基板と、該基板上に形成された抵抗体と、該抵抗体
に通電するための電極とを具備する角板形チップ固定抵
抗器であって、該抵抗体が、ルテニウムの有機金属化合
物を含有する抵抗体インクを焼成してなる抵抗体膜であ
ることを特徴とするものである。
は、基板と、該基板上に形成された抵抗体と、該抵抗体
に通電するための電極とを具備する角板形チップ固定抵
抗器であって、該抵抗体が、ルテニウムの有機金属化合
物を含有する抵抗体インクを焼成してなる抵抗体膜であ
ることを特徴とするものである。
【0008】以下、本発明の角板形チップ固定抵抗器に
ついてより詳細に説明する。
ついてより詳細に説明する。
【0009】本発明の角板形チップ固定抵抗器の抵抗体
は、ルテニウムの有機金属化合物を含有する抵抗体イン
クを焼成してなる抵抗体膜である必要がある。
は、ルテニウムの有機金属化合物を含有する抵抗体イン
クを焼成してなる抵抗体膜である必要がある。
【0010】本発明においてはルテニウムのスルフォ樹
脂酸塩系(ロジン系)、メルカプチッド系、アミン系等
の有機金属化合物が使用可能であるが、ルテニウムのス
ルフォ樹脂酸塩、アミン化合物、メルカプチドおよびオ
クタン酸塩からなる群から選ばれる少なくとも一種を用
いるとより安定した抵抗体膜が得られる傾向にあるので
好ましい。
脂酸塩系(ロジン系)、メルカプチッド系、アミン系等
の有機金属化合物が使用可能であるが、ルテニウムのス
ルフォ樹脂酸塩、アミン化合物、メルカプチドおよびオ
クタン酸塩からなる群から選ばれる少なくとも一種を用
いるとより安定した抵抗体膜が得られる傾向にあるので
好ましい。
【0011】本発明に係る抵抗体インク中の他の成分は
特に制限されず、有機ビヒクル等が適宜添加されるが、
ルテニウム以外の金属の有機金属化合物、例えばビスマ
ス、ケイ素、バリウム、鉛、ホウ素、アルミニウム、カ
ルシウムおよび亜鉛からなる群から選ばれる少なくとも
一種の金属の有機金属化合物、が含有されることが好ま
しい。
特に制限されず、有機ビヒクル等が適宜添加されるが、
ルテニウム以外の金属の有機金属化合物、例えばビスマ
ス、ケイ素、バリウム、鉛、ホウ素、アルミニウム、カ
ルシウムおよび亜鉛からなる群から選ばれる少なくとも
一種の金属の有機金属化合物、が含有されることが好ま
しい。
【0012】また、本発明に係る抵抗体インク中のルテ
ニウム以外の金属成分合計含有量が、インク中のルテニ
ウム100重量部に対して50〜2000重量部である
ことが好ましい。それは、上記範囲外の抵抗体インクを
用いると均一な焼成膜を得ることが困難となる等の弊害
が生じる傾向にあるからである。
ニウム以外の金属成分合計含有量が、インク中のルテニ
ウム100重量部に対して50〜2000重量部である
ことが好ましい。それは、上記範囲外の抵抗体インクを
用いると均一な焼成膜を得ることが困難となる等の弊害
が生じる傾向にあるからである。
【0013】本発明において上記抵抗体インクを基板上
に印刷、焼成する具体的な方法は特に制限されず、例え
ば上記抵抗体インクを基板表面にスクリーン印刷法等に
より印刷し、その後700〜900℃で焼成する方法等
が一般的に採用される。また、その際の製造条件も特に
制限されず、適宜選択される。
に印刷、焼成する具体的な方法は特に制限されず、例え
ば上記抵抗体インクを基板表面にスクリーン印刷法等に
より印刷し、その後700〜900℃で焼成する方法等
が一般的に採用される。また、その際の製造条件も特に
制限されず、適宜選択される。
【0014】本発明の角板形チップ固定抵抗器の他の構
造は特に制限されず、基板としてはアルミナ等のセラミ
ックス、電極としてはAg/Pb電極等の導電膜のよう
な従来公知のものでもよい。もちろん、上記抵抗体の保
護のために抵抗体を低融点ガラス等でオーバーコートし
たり、ハンダによる消失を防止するために電極の上にN
iメッキ等の中間メッキ膜と、さらにその上にハンダメ
ッキ膜を設けたりするとより好ましい。
造は特に制限されず、基板としてはアルミナ等のセラミ
ックス、電極としてはAg/Pb電極等の導電膜のよう
な従来公知のものでもよい。もちろん、上記抵抗体の保
護のために抵抗体を低融点ガラス等でオーバーコートし
たり、ハンダによる消失を防止するために電極の上にN
iメッキ等の中間メッキ膜と、さらにその上にハンダメ
ッキ膜を設けたりするとより好ましい。
【0015】本発明の角板形チップ固定抵抗器の製造方
法に関しても、上記抵抗体インクを基板上に焼成して抵
抗体を形成する以外の方法は特に制限されず、基板上に
抵抗体、電極、オーバーコートガラス等を印刷・焼成に
より順次形成する方法等でよく、形成順序も特に制限さ
れない。
法に関しても、上記抵抗体インクを基板上に焼成して抵
抗体を形成する以外の方法は特に制限されず、基板上に
抵抗体、電極、オーバーコートガラス等を印刷・焼成に
より順次形成する方法等でよく、形成順序も特に制限さ
れない。
【0016】
【実施例】以下、図面を参照しながら実施例および比較
例に基づいて本発明をより具体的に説明する。
例に基づいて本発明をより具体的に説明する。
【0017】実施例1
図1は本実施例で作成した角板形チップ固定抵抗器の側
断面図であり、以下の手順で作成した。
断面図であり、以下の手順で作成した。
【0018】先ず、アルミナ基板1上にRu有機金属ペ
ースト(株式会社ノリタケカンパニーリミテド製)を#
200ステンレススクリーンを用いてW/Lが0.3/
0.3(mm/mm)のパターンで印刷し、70℃で2
0分間乾燥後、最高温度を850℃に設定した空気雰囲
気焼成炉内で焼成し、焼成膜厚が1.5〜2.0μmで
かつシート抵抗値が10Ωの抵抗体2(Ru有機抵抗
体)を形成した。また、同様にして、他のアルミナ基板
1上にシート抵抗値が10kΩ、1MΩの抵抗体2をそ
れぞれ形成した。
ースト(株式会社ノリタケカンパニーリミテド製)を#
200ステンレススクリーンを用いてW/Lが0.3/
0.3(mm/mm)のパターンで印刷し、70℃で2
0分間乾燥後、最高温度を850℃に設定した空気雰囲
気焼成炉内で焼成し、焼成膜厚が1.5〜2.0μmで
かつシート抵抗値が10Ωの抵抗体2(Ru有機抵抗
体)を形成した。また、同様にして、他のアルミナ基板
1上にシート抵抗値が10kΩ、1MΩの抵抗体2をそ
れぞれ形成した。
【0019】次に、抵抗体2を形成した各基板1の上面
および下面に一次電極3としてAg/Pb電極を印刷形
成し、850℃で焼成した。続いて、抵抗体2上に下層
オーバーコートガラス4を印刷形成して600℃で焼成
し、レーザトリミングを実施した後、さらに上層オーバ
ーコートガラス5を印刷形成して乾燥後600℃で焼成
した。
および下面に一次電極3としてAg/Pb電極を印刷形
成し、850℃で焼成した。続いて、抵抗体2上に下層
オーバーコートガラス4を印刷形成して600℃で焼成
し、レーザトリミングを実施した後、さらに上層オーバ
ーコートガラス5を印刷形成して乾燥後600℃で焼成
した。
【0020】次に、基板1を一次分割し、基板1の端面
にAg電極6を印刷形成して600℃で焼成した。さら
に、基板1を二次分割し、電極3,6表面上にNiメッ
キ7およびハンダメッキ8を順次施して図1に示す本発
明の角板形チップ固定抵抗器を得た。
にAg電極6を印刷形成して600℃で焼成した。さら
に、基板1を二次分割し、電極3,6表面上にNiメッ
キ7およびハンダメッキ8を順次施して図1に示す本発
明の角板形チップ固定抵抗器を得た。
【0021】得られた角板形チップ固定抵抗器の抵抗体
2の抵抗変化率(△R)を各々以下のようにして求め
た。すなわち、レーザトリミング後の抵抗体2の抵抗値
をR1とし、端面電極(Ag電極6)焼成後の抵抗体2
の抵抗値をR2として各々測定し、それらの値から抵抗
変化率(△R)を下記式: △R(%)=(R 2−R1)/R1×100 に従って算出した。得られた結果を図2に示す。
2の抵抗変化率(△R)を各々以下のようにして求め
た。すなわち、レーザトリミング後の抵抗体2の抵抗値
をR1とし、端面電極(Ag電極6)焼成後の抵抗体2
の抵抗値をR2として各々測定し、それらの値から抵抗
変化率(△R)を下記式: △R(%)=(R 2−R1)/R1×100 に従って算出した。得られた結果を図2に示す。
【0022】比較例1
Ru有機金属ペーストの代わりに従来の市販Ru厚膜ペ
ーストを用いて抵抗体2(厚膜Ru抵抗体、焼成膜厚:
7〜10μm)を形成した以外は実施例1と同様にして
角板形チップ固定抵抗器を得、抵抗変化率(△R)を求
めた。得られた結果を図2に示す。
ーストを用いて抵抗体2(厚膜Ru抵抗体、焼成膜厚:
7〜10μm)を形成した以外は実施例1と同様にして
角板形チップ固定抵抗器を得、抵抗変化率(△R)を求
めた。得られた結果を図2に示す。
【0023】実施例2
図3は本実施例で作成した角板形チップ固定抵抗器の側
断面図であり、以下の手順で作成した。
断面図であり、以下の手順で作成した。
【0024】先ず、アルミナ基板1の上面および下面に
Au/Pt/Pb有機金属ペースト(株式会社ノリタケ
カンパニーリミテド製、商品名:D−70)を#400
ステンレススクリーンを用いて印刷し、70℃で20分
間乾燥後、最高温度を850℃に設定した空気雰囲気焼
成炉内で焼成し、焼成膜厚が0.3〜0.5μmの一次
電極3を形成した。
Au/Pt/Pb有機金属ペースト(株式会社ノリタケ
カンパニーリミテド製、商品名:D−70)を#400
ステンレススクリーンを用いて印刷し、70℃で20分
間乾燥後、最高温度を850℃に設定した空気雰囲気焼
成炉内で焼成し、焼成膜厚が0.3〜0.5μmの一次
電極3を形成した。
【0025】次に、一次電極3を形成したアルミナ基板
1上にRu有機金属ペースト(株式会社ノリタケカンパ
ニーリミテド製)を#200ステンレススクリーンを用
いてW/Lが0.3/0.3(mm/mm)のパターン
で印刷し、70℃で20分間乾燥後、最高温度を850
℃に設定した空気雰囲気焼成炉内で焼成して焼成膜厚が
1.5〜2.0μmでかつシート抵抗値が10Ωの抵抗
体2(Ru有機抵抗体)を形成した。また、同様にし
て、他のアルミナ基板1上に一次電極3並びにシート抵
抗値が10kΩ、1MΩの抵抗体2をそれぞれ形成し
た。
1上にRu有機金属ペースト(株式会社ノリタケカンパ
ニーリミテド製)を#200ステンレススクリーンを用
いてW/Lが0.3/0.3(mm/mm)のパターン
で印刷し、70℃で20分間乾燥後、最高温度を850
℃に設定した空気雰囲気焼成炉内で焼成して焼成膜厚が
1.5〜2.0μmでかつシート抵抗値が10Ωの抵抗
体2(Ru有機抵抗体)を形成した。また、同様にし
て、他のアルミナ基板1上に一次電極3並びにシート抵
抗値が10kΩ、1MΩの抵抗体2をそれぞれ形成し
た。
【0026】続いて、一次電極3及び低抗体2を形成し
た各基板1上に実施例1と同様にして下層オーバーコー
トガラス4および上層オーバーコートガラス5を形成
し、一次分割後端面にAg電極6を形成し、さらに二次
分割後Niメッキ7およびハンダメッキ8を順次施して
図3に示す本発明の角板形チップ固定抵抗器を得た。
た各基板1上に実施例1と同様にして下層オーバーコー
トガラス4および上層オーバーコートガラス5を形成
し、一次分割後端面にAg電極6を形成し、さらに二次
分割後Niメッキ7およびハンダメッキ8を順次施して
図3に示す本発明の角板形チップ固定抵抗器を得た。
【0027】得られた角板形チップ固定抵抗器の抵抗体
2の抵抗変化率(△R)を各々実施例1と同様にして求
めた。得られた結果を図4に示す。
2の抵抗変化率(△R)を各々実施例1と同様にして求
めた。得られた結果を図4に示す。
【0028】比較例2
Ru有機金属ペーストの代わりに従来の市販Ru厚膜ペ
ーストを用いて抵抗体2(厚膜Ru抵抗体、焼成膜厚:
7〜10μm)を形成した以外は実施例2と同様にして
角板形チップ固定抵抗器を得、抵抗変化率(△R)を求
めた。得られた結果を図4に示す。
ーストを用いて抵抗体2(厚膜Ru抵抗体、焼成膜厚:
7〜10μm)を形成した以外は実施例2と同様にして
角板形チップ固定抵抗器を得、抵抗変化率(△R)を求
めた。得られた結果を図4に示す。
【0029】図2および図4から明らかなように、本発
明に係るRu有機金属ペーストを用いて抵抗体を形成し
た実施例1〜2の角板形チップ固定抵抗器においては、
抵抗体の抵抗変化率が非常に小さく、いずれのシート抵
抗値の抵抗体にあっても抵抗値の安定性に優れたもので
あった。
明に係るRu有機金属ペーストを用いて抵抗体を形成し
た実施例1〜2の角板形チップ固定抵抗器においては、
抵抗体の抵抗変化率が非常に小さく、いずれのシート抵
抗値の抵抗体にあっても抵抗値の安定性に優れたもので
あった。
【0030】それに対して、従来のRu厚膜ペーストを
用いて抵抗体を形成した比較例1〜2の角板形チップ固
定抵抗器にあっては、抵抗体の抵抗変化率が大きく、特
にシート抵抗値が小さいと抵抗体の抵抗変化率が著しく
大きかった。
用いて抵抗体を形成した比較例1〜2の角板形チップ固
定抵抗器にあっては、抵抗体の抵抗変化率が大きく、特
にシート抵抗値が小さいと抵抗体の抵抗変化率が著しく
大きかった。
【0031】
【発明の効果】本発明の角板形チップ固定抵抗器は、抵
抗体を薄くかつ小型化しても焼成時における抵抗体の抵
抗値変化が少なく、抵抗値の安定性に優れたものであ
る。また、本発明の角板形チップ固定抵抗器にあって
は、抵抗値の安定性に優れしかも薄くかつ小型の抵抗体
を印刷・焼成という比較的簡便な製造工程でかつ安価な
製造設備で製造でき、角板形チップ固定抵抗器の低価格
化が可能となる。
抗体を薄くかつ小型化しても焼成時における抵抗体の抵
抗値変化が少なく、抵抗値の安定性に優れたものであ
る。また、本発明の角板形チップ固定抵抗器にあって
は、抵抗値の安定性に優れしかも薄くかつ小型の抵抗体
を印刷・焼成という比較的簡便な製造工程でかつ安価な
製造設備で製造でき、角板形チップ固定抵抗器の低価格
化が可能となる。
【図1】 実施例1および比較例1で作成した角板形チ
ップ固定抵抗器の側断面図である。
ップ固定抵抗器の側断面図である。
【図2】 実施例1および比較例1で得た角板形チップ
固定抵抗器の抵抗体の抵抗変化率(△R)を示すグラフ
である。
固定抵抗器の抵抗体の抵抗変化率(△R)を示すグラフ
である。
【図3】 実施例2および比較例2で作成した角板形チ
ップ固定抵抗器の側断面図である。
ップ固定抵抗器の側断面図である。
【図4】 実施例2および比較例2で得た角板形チップ
固定抵抗器の抵抗体の抵抗変化率(△R)を示すグラフ
である。
固定抵抗器の抵抗体の抵抗変化率(△R)を示すグラフ
である。
1:アルミナ基板、2:抵抗体、3:一次電極、4:下
層オーバーコートガラス、5:上層オーバーコートガラ
ス、6:Ag電極、7:Niメッキ、8:ハンダメッキ
層オーバーコートガラス、5:上層オーバーコートガラ
ス、6:Ag電極、7:Niメッキ、8:ハンダメッキ
Claims (4)
- 【請求項1】 基板と、該基板上に形成された抵抗体
と、該抵抗体に通電するための電極とを具備する角板形
チップ固定抵抗器であって、該抵抗体が、ルテニウムの
有機金属化合物を含有する抵抗体インクを焼成してなる
抵抗体膜であることを特徴とする、前記角板形チップ固
定抵抗器。 - 【請求項2】 前記ルテニウムの有機金属化合物が、ル
テニウムのスルフォ樹脂酸塩、アミン化合物、メルカプ
チドおよびオクタン酸塩からなる群から選ばれる少なく
とも一種である、請求項1に記載の角板形チップ固定抵
抗器。 - 【請求項3】 前記抵抗体インクが、ビスマス、ケイ
素、バリウム、鉛、ホウ素、アルミニウム、カルシウム
および亜鉛からなる群から選ばれる少なくとも一種の金
属の有機金属化合物をさらに含有するものである、請求
項1または2に記載の角板形チップ固定抵抗器。 - 【請求項4】 前記抵抗体インク中のルテニウム以外の
金属成分合計含有量が、該インク中のルテニウム100
重量部に対して50〜2000重量部である、請求項1
〜3のうちのいずれかに記載の角板形チップ固定抵抗
器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3193563A JPH0521205A (ja) | 1991-07-09 | 1991-07-09 | 角板形チツプ固定抵抗器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3193563A JPH0521205A (ja) | 1991-07-09 | 1991-07-09 | 角板形チツプ固定抵抗器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0521205A true JPH0521205A (ja) | 1993-01-29 |
Family
ID=16310113
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3193563A Pending JPH0521205A (ja) | 1991-07-09 | 1991-07-09 | 角板形チツプ固定抵抗器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0521205A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0852059A4 (en) * | 1996-02-05 | 1999-08-11 | Emc Technology Inc | ASYMMETRIC RESISTANCE CONTACT |
| US6151771A (en) * | 1997-06-10 | 2000-11-28 | Cyntec Company | Resistance temperature detector (RTD) formed with a surface-mount-device (SMD) structure |
| US6359546B1 (en) * | 1999-01-27 | 2002-03-19 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Chip device, and method of making the same |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02155751A (ja) * | 1988-12-09 | 1990-06-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | サーマルヘッド |
| JPH02155964A (ja) * | 1988-12-08 | 1990-06-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜抵抗体形成用スクリーン印刷インキおよびこのインキを使用した薄膜抵抗体の形成方法 |
-
1991
- 1991-07-09 JP JP3193563A patent/JPH0521205A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02155964A (ja) * | 1988-12-08 | 1990-06-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜抵抗体形成用スクリーン印刷インキおよびこのインキを使用した薄膜抵抗体の形成方法 |
| JPH02155751A (ja) * | 1988-12-09 | 1990-06-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | サーマルヘッド |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0852059A4 (en) * | 1996-02-05 | 1999-08-11 | Emc Technology Inc | ASYMMETRIC RESISTANCE CONTACT |
| US6151771A (en) * | 1997-06-10 | 2000-11-28 | Cyntec Company | Resistance temperature detector (RTD) formed with a surface-mount-device (SMD) structure |
| US6359546B1 (en) * | 1999-01-27 | 2002-03-19 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Chip device, and method of making the same |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4604676A (en) | Ceramic capacitor | |
| US5189284A (en) | Resistor, process for producing the same, and thermal head using the same | |
| JPH0521205A (ja) | 角板形チツプ固定抵抗器 | |
| JPH05234703A (ja) | 厚膜抵抗体を製造するための抵抗組成物 | |
| JP2555536B2 (ja) | 白金温度センサの製造方法 | |
| JPS6335081B2 (ja) | ||
| JPH01286402A (ja) | 抵抗体及び抵抗体の製造方法 | |
| JPS639327B2 (ja) | ||
| JP2777206B2 (ja) | 厚膜抵抗器の製造方法 | |
| JP2526431B2 (ja) | 抵抗体およびその製造方法 | |
| JP2507102B2 (ja) | 感温素子の製造法 | |
| JP2760035B2 (ja) | 厚膜回路基板 | |
| JP2775884B2 (ja) | サーマルヘッド | |
| JP2761320B2 (ja) | オーバーコート用無機組成物 | |
| JP2646751B2 (ja) | サーマルヘッド | |
| JPH071723B2 (ja) | 薄膜抵抗体 | |
| JP2847894B2 (ja) | 抵抗体膜形成方法 | |
| JPH07192968A (ja) | 電子部品及びその製造方法 | |
| JPH043901A (ja) | 酸化ルテニウム系薄膜抵抗体及びその製造方法 | |
| JP3333267B2 (ja) | 白金温度センサ | |
| JP3141967B2 (ja) | セラミック電子部品 | |
| JP2718196B2 (ja) | 角板型薄膜チップ抵抗器の製造方法 | |
| JP3625129B2 (ja) | 厚膜抵抗ペースト | |
| JP3107095B2 (ja) | 抵抗体膜形成材料 | |
| JPH02166703A (ja) | 抵抗体の製造方法及びその抵抗体を用いたサーマルヘッドの製造方法 |