JPS639327B2 - - Google Patents
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- JPS639327B2 JPS639327B2 JP7075681A JP7075681A JPS639327B2 JP S639327 B2 JPS639327 B2 JP S639327B2 JP 7075681 A JP7075681 A JP 7075681A JP 7075681 A JP7075681 A JP 7075681A JP S639327 B2 JPS639327 B2 JP S639327B2
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Landscapes
- Non-Insulated Conductors (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は金属酸化膜と電極の一括形成法に関す
るものである。
るものである。
現在オプトエレクトロニクスデバイスに多く使
用されている透明導電膜は主に、In2O3,
SnO2In2O3―SnO2,SnO2―Sb2O5などの金属酸
化膜がある。これら金属酸化膜は何れも他金属と
の接着性が悪く、最も一般的な半田による電極形
成が難しい。このため他素子との接続用、集電用
などの電極パタン形成には、金属の蒸着法、導電
性ゴムを用いる方法、導電性インキの印刷法を用
いるなど各種技術的な考慮がなされており、この
中でも接続信頼性、量産性のよい電極形成法とし
ては印刷法がある。しかし、透明導電膜上に電極
形成を行う場合には透明導電膜形成工程、印刷工
程、焼成工程に大別される工程を必要とし、特に
透明電極形成工程が量産性向上に対する阻害要因
となつている。また焼成工程では、既に形成され
た透明導電膜に500℃以上の温度をかけることに
なることから、透明導電膜の抵抗値変動などの悪
影響もある。
用されている透明導電膜は主に、In2O3,
SnO2In2O3―SnO2,SnO2―Sb2O5などの金属酸
化膜がある。これら金属酸化膜は何れも他金属と
の接着性が悪く、最も一般的な半田による電極形
成が難しい。このため他素子との接続用、集電用
などの電極パタン形成には、金属の蒸着法、導電
性ゴムを用いる方法、導電性インキの印刷法を用
いるなど各種技術的な考慮がなされており、この
中でも接続信頼性、量産性のよい電極形成法とし
ては印刷法がある。しかし、透明導電膜上に電極
形成を行う場合には透明導電膜形成工程、印刷工
程、焼成工程に大別される工程を必要とし、特に
透明電極形成工程が量産性向上に対する阻害要因
となつている。また焼成工程では、既に形成され
た透明導電膜に500℃以上の温度をかけることに
なることから、透明導電膜の抵抗値変動などの悪
影響もある。
本発明の目的は上記した従来技術の欠点を無く
し、量産性の高い金属酸化膜と電極の一括形成法
を彫供するにある。
し、量産性の高い金属酸化膜と電極の一括形成法
を彫供するにある。
このため、本発明においては、焼成することに
よつて、金属酸化膜となる、有機金属錯体の皮膜
上に、量産性の高い印刷法を用いて焼成すること
により、電極となる貴金属系の印刷インキを印刷
し、熱処理の悪影響を防ぐためこれらを同時に焼
成することにより、金属酸化膜と電極を一括形成
することが要点である。
よつて、金属酸化膜となる、有機金属錯体の皮膜
上に、量産性の高い印刷法を用いて焼成すること
により、電極となる貴金属系の印刷インキを印刷
し、熱処理の悪影響を防ぐためこれらを同時に焼
成することにより、金属酸化膜と電極を一括形成
することが要点である。
即ち(1)基体面上に形成した、有機金属化合物の
膜上に、Ag,Pd,Au,Ptの何れか一種、又は
二種以上の金属と、ガラス質粉末と有機結着剤と
溶剤とから成る印刷インキを所望のパターン状に
印刷形成した後、これを同時に焼成することで金
属酸化膜と電極を一括形成する方法であり、これ
に用いる(2)有機金属化合物は、In,Sn,Sb,Ti,
Si,Taから選ばれる少なくとも一種の金属化合
物であることを特徴とする。
膜上に、Ag,Pd,Au,Ptの何れか一種、又は
二種以上の金属と、ガラス質粉末と有機結着剤と
溶剤とから成る印刷インキを所望のパターン状に
印刷形成した後、これを同時に焼成することで金
属酸化膜と電極を一括形成する方法であり、これ
に用いる(2)有機金属化合物は、In,Sn,Sb,Ti,
Si,Taから選ばれる少なくとも一種の金属化合
物であることを特徴とする。
このうち焼成後に電極を形成する印刷インキと
して代表的なものはAg系では住友金属鉱山社製
S―8700(焼成温度600℃)Ag―Pd系では昭栄化
学工業社製D―4302(焼成温度760℃)Au系では
Dupont社の8760(焼成温度850℃)Pt―Au系では
Electro―Science Laboratories社の#5835(焼成
温度550〜650℃) などがあげられ、これらの印刷法は、公知の何
れの方式を用いてもよいが特にスクリン印刷が、
精度上好ましい。また先に述べた、In,Sn,Ti,
Si,Taから選ばれる少なくとも一種の金属化合
物としては、塩化物、硝酸塩又は有機金属化合
物、特にカルボン酸基を有する例えば、マレイン
酸、シトラコン酸、イタコン酸、コハク酸、リン
ゴ酸などに代表されるようなものとの錯体化合物
等があるが、これらの内、塗布を形成した場合、
成膜性の良好なものを用いることが好ましい。
して代表的なものはAg系では住友金属鉱山社製
S―8700(焼成温度600℃)Ag―Pd系では昭栄化
学工業社製D―4302(焼成温度760℃)Au系では
Dupont社の8760(焼成温度850℃)Pt―Au系では
Electro―Science Laboratories社の#5835(焼成
温度550〜650℃) などがあげられ、これらの印刷法は、公知の何
れの方式を用いてもよいが特にスクリン印刷が、
精度上好ましい。また先に述べた、In,Sn,Ti,
Si,Taから選ばれる少なくとも一種の金属化合
物としては、塩化物、硝酸塩又は有機金属化合
物、特にカルボン酸基を有する例えば、マレイン
酸、シトラコン酸、イタコン酸、コハク酸、リン
ゴ酸などに代表されるようなものとの錯体化合物
等があるが、これらの内、塗布を形成した場合、
成膜性の良好なものを用いることが好ましい。
以下に本発明を実施例に基づき、更に詳細に説
明する。なお、実施例中に( )で記した組成分
比に特にことわりのない場合は全て重量部で記し
てある。
明する。なお、実施例中に( )で記した組成分
比に特にことわりのない場合は全て重量部で記し
てある。
〔実施例 1〕
シトラコン酸(5)、In(NO3)3.3H2O(8),CH3SnO
(0.56)、エタノール(95)、エチレングリコール
(5)、発煙硝酸(0.56)の組成分比から成る溶液を
シリコンウエハ上にスピンコートし、200℃5分
間乾燥し120nmの有機金属錯体膜を形成した。こ
の有機金属錯体膜上にAu系印刷インキ(Dupont
社製8760)をスクリン印刷し、線幅150μmのパタ
ーンを形成し、更に150℃30分の乾燥を行つた後
850℃で焼成することによつて、In2O3―SnO2の
金属酸化膜とAu電極をシリコンウエハ上に一括
形成した。
(0.56)、エタノール(95)、エチレングリコール
(5)、発煙硝酸(0.56)の組成分比から成る溶液を
シリコンウエハ上にスピンコートし、200℃5分
間乾燥し120nmの有機金属錯体膜を形成した。こ
の有機金属錯体膜上にAu系印刷インキ(Dupont
社製8760)をスクリン印刷し、線幅150μmのパタ
ーンを形成し、更に150℃30分の乾燥を行つた後
850℃で焼成することによつて、In2O3―SnO2の
金属酸化膜とAu電極をシリコンウエハ上に一括
形成した。
〔実施例 2〕
無水マレイン酸(5)、(CH3)2SnO(13)、Sb
(C6H5)3(1.5)、発煙硝酸(13)、エチルセロソル
ブ(70)の組成分比から成る溶液をシリコンウエ
ハ上にスピンコートし、110℃5分間乾燥し、
200nmの有機金属錯体膜を形成した。この有機金
属錯体膜上にAg系印刷インキ(住友鉱山社製S
―8700)をスクリン印刷し、線幅200μmのパター
ンを形成し、更に150℃30分の乾燥を行つた後600
℃で焼成することによつて、SnO2―Sb2O5の金
属酸化膜とAg電極をシリコンウエハー上に一括
形成した。
(C6H5)3(1.5)、発煙硝酸(13)、エチルセロソル
ブ(70)の組成分比から成る溶液をシリコンウエ
ハ上にスピンコートし、110℃5分間乾燥し、
200nmの有機金属錯体膜を形成した。この有機金
属錯体膜上にAg系印刷インキ(住友鉱山社製S
―8700)をスクリン印刷し、線幅200μmのパター
ンを形成し、更に150℃30分の乾燥を行つた後600
℃で焼成することによつて、SnO2―Sb2O5の金
属酸化膜とAg電極をシリコンウエハー上に一括
形成した。
〔実施例 3〕
Ti(OC3H7)2(CH3COCHCOCH3)2(5)、エチル
アルコール(50)の組成分比から成る溶液をシリ
コンウエハ上にスピンコートし、150℃5分間乾
燥し1500nmの有機金属錯体膜を形成した。この
膜上にAg―Pd系印刷インキ(昭栄化学工業社製
D―4302)をスクリン印刷し、線幅200μmのパタ
ーンを形成し、更に150℃30分の乾燥を行つた後
760℃で焼成することによつて、TiO2の金属酸化
膜とAg―Pd電極をシリコンウエハー上に一括形
成した。
アルコール(50)の組成分比から成る溶液をシリ
コンウエハ上にスピンコートし、150℃5分間乾
燥し1500nmの有機金属錯体膜を形成した。この
膜上にAg―Pd系印刷インキ(昭栄化学工業社製
D―4302)をスクリン印刷し、線幅200μmのパタ
ーンを形成し、更に150℃30分の乾燥を行つた後
760℃で焼成することによつて、TiO2の金属酸化
膜とAg―Pd電極をシリコンウエハー上に一括形
成した。
以上説明した様に本発明による方法を用いるこ
とにより、従来より、量産性に優れる、金属酸化
膜と電極の一括形成が可能となる。
とにより、従来より、量産性に優れる、金属酸化
膜と電極の一括形成が可能となる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 基体面上に形成した有機金属化合物の膜上
に、Ag,Pd,Au,Ptの何れか一種又は二種以
上の金属とガラス質粉末と、有機結着剤と溶剤と
から成る印刷インキを所望のパターン状に印刷形
成した後、これを同時に焼成することを特徴とす
る金属酸化膜と電極の一括形成法。 2 上記有機金属化合物はIn,Sn,Sb,Ti,Si,
Taから選ばれる少なくとも一種の金属化合物で
あることを特徴とする特許請求範囲第1項記載の
金属酸化膜と電極の一括形成法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7075681A JPS57187806A (en) | 1981-05-13 | 1981-05-13 | Method of simultaneously forming metallic oxide film and electrode |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7075681A JPS57187806A (en) | 1981-05-13 | 1981-05-13 | Method of simultaneously forming metallic oxide film and electrode |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57187806A JPS57187806A (en) | 1982-11-18 |
| JPS639327B2 true JPS639327B2 (ja) | 1988-02-27 |
Family
ID=13440665
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7075681A Granted JPS57187806A (en) | 1981-05-13 | 1981-05-13 | Method of simultaneously forming metallic oxide film and electrode |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57187806A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01141826U (ja) * | 1988-03-24 | 1989-09-28 | ||
| JPH0646029U (ja) * | 1992-11-27 | 1994-06-24 | 積水化成品工業株式会社 | 裏込め材 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6112876A (ja) * | 1984-06-28 | 1986-01-21 | Mitsubishi Chem Ind Ltd | 無電解めつき浴 |
| JPS61184532A (ja) * | 1985-02-13 | 1986-08-18 | Tokyo Denshi Kagaku Kk | 感光性組成物 |
| JP5103145B2 (ja) * | 2007-11-15 | 2012-12-19 | シャープ株式会社 | 光電変換装置用基板およびそれを用いた光電変換装置 |
-
1981
- 1981-05-13 JP JP7075681A patent/JPS57187806A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01141826U (ja) * | 1988-03-24 | 1989-09-28 | ||
| JPH0646029U (ja) * | 1992-11-27 | 1994-06-24 | 積水化成品工業株式会社 | 裏込め材 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57187806A (en) | 1982-11-18 |
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