JPH0521364A - 熱処理装置 - Google Patents
熱処理装置Info
- Publication number
- JPH0521364A JPH0521364A JP17088691A JP17088691A JPH0521364A JP H0521364 A JPH0521364 A JP H0521364A JP 17088691 A JP17088691 A JP 17088691A JP 17088691 A JP17088691 A JP 17088691A JP H0521364 A JPH0521364 A JP H0521364A
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- Japan
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- reaction tube
- boat
- temperature
- gas
- heat treatment
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Abstract
(57)【要約】
【目的】ボートを反応管から引き出すときに、反応管を
強制的に空冷させることで反応管内温度ボートを所要の
低温にまで降温させる時間の短縮化を可能として半導体
ウエハのスループットを向上できるようにする。 【構成】反応管１とヒータ５との間で気密構造のガス通
路６内にマスフローコントローラ８でもって冷却用ガス
を流量制御して導入・排出し、反応管１内のボート３を
強制的に空冷する。
強制的に空冷させることで反応管内温度ボートを所要の
低温にまで降温させる時間の短縮化を可能として半導体
ウエハのスループットを向上できるようにする。 【構成】反応管１とヒータ５との間で気密構造のガス通
路６内にマスフローコントローラ８でもって冷却用ガス
を流量制御して導入・排出し、反応管１内のボート３を
強制的に空冷する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウエハの不純物
拡散工程とか熱酸化処理工程等において用いられる熱処
理装置に関する。
拡散工程とか熱酸化処理工程等において用いられる熱処
理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から、この種の熱処理装置として
は、図２に示すような概略構造を有するホットウォール
型のものが知られている。
は、図２に示すような概略構造を有するホットウォール
型のものが知られている。
【０００３】構造において、１は、縦型の反応管、２
は、反応管１の内部の底面上に配備さたれ保温筒、３
は、保温筒２上に配備されたボートである。このボート
３には多数の半導体ウエハが支持されている。ボート３
はエレベータ（図示を省略）によって反応管１内から挿
入されたり、あるいは引き出される。４は反応管１の上
部開口に接続されたガス管４である。反応管１内部に
は、ガス管４を介して反応ガスが取り入れられる。５は
ヒータであり、このヒータ５は反応管１の周囲に配備さ
れている。
は、反応管１の内部の底面上に配備さたれ保温筒、３
は、保温筒２上に配備されたボートである。このボート
３には多数の半導体ウエハが支持されている。ボート３
はエレベータ（図示を省略）によって反応管１内から挿
入されたり、あるいは引き出される。４は反応管１の上
部開口に接続されたガス管４である。反応管１内部に
は、ガス管４を介して反応ガスが取り入れられる。５は
ヒータであり、このヒータ５は反応管１の周囲に配備さ
れている。
【０００４】作用において、反応管１の内部は、ヒータ
５のパワー制御によって６００〜１１００℃に加熱され
ており、半導体ウエハを支持したボート３がこの反応管
１内部に挿入されることで所定の温度に昇温加熱され
る。
５のパワー制御によって６００〜１１００℃に加熱され
ており、半導体ウエハを支持したボート３がこの反応管
１内部に挿入されることで所定の温度に昇温加熱され
る。
【０００５】半導体ウエハを熱酸化処理する場合は、反
応管１内部には上部開口からガス管４を介して酸素とか
水素とかの反応ガスが導入される。これによって、半導
体ウエハは、酸化、拡散等の処理が行われる。このよう
な処理ののち、ボート３がエレベータなどで反応管１か
ら引き出されて降温冷却される。
応管１内部には上部開口からガス管４を介して酸素とか
水素とかの反応ガスが導入される。これによって、半導
体ウエハは、酸化、拡散等の処理が行われる。このよう
な処理ののち、ボート３がエレベータなどで反応管１か
ら引き出されて降温冷却される。
【０００６】ところで、ボート３には、多数の半導体ウ
エハが搭載されているが、ボート３の挿入・引き出し時
の温度が該半導体ウエハに対する処理温度のように高温
のままであったのでは、半導体ウエハに熱ストレスが加
わり、その結果、半導体ウエハに結晶欠陥等が発生す
る。この結晶欠陥はデバイスの電気的特性に悪影響を与
えるから、ボート３の挿入・引き出しは処理温度よりも
低温で行われるのが普通である。
エハが搭載されているが、ボート３の挿入・引き出し時
の温度が該半導体ウエハに対する処理温度のように高温
のままであったのでは、半導体ウエハに熱ストレスが加
わり、その結果、半導体ウエハに結晶欠陥等が発生す
る。この結晶欠陥はデバイスの電気的特性に悪影響を与
えるから、ボート３の挿入・引き出しは処理温度よりも
低温で行われるのが普通である。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】このように従来の熱処
理装置にあっては、ボート３の挿入・引き出しを処理温
度よりも低温で行なっているが、ボート３を反応管１内
部に挿入し、それを低温から高温にまで昇温するのには
比較的時間が短くて済むものの、処理ののちボート３を
反応管１から引き出すときに反応管内の温度を低温にま
で降温するのにヒータ５の電源をとめてそれを自然冷却
させていたから、長い時間がかかり、その結果、この種
の熱処理装置では、半導体ウエハのスループットがきわ
めて低いものとなっていた。
理装置にあっては、ボート３の挿入・引き出しを処理温
度よりも低温で行なっているが、ボート３を反応管１内
部に挿入し、それを低温から高温にまで昇温するのには
比較的時間が短くて済むものの、処理ののちボート３を
反応管１から引き出すときに反応管内の温度を低温にま
で降温するのにヒータ５の電源をとめてそれを自然冷却
させていたから、長い時間がかかり、その結果、この種
の熱処理装置では、半導体ウエハのスループットがきわ
めて低いものとなっていた。
【０００８】したがって、本発明においては、ボートを
反応管から引き出すときに、反応管を強制的に空冷させ
ることで反応管温度を所要の低温にまで降温させる時間
の短縮化を可能として半導体ウエハのスループットを向
上できるようにしている。
反応管から引き出すときに、反応管を強制的に空冷させ
ることで反応管温度を所要の低温にまで降温させる時間
の短縮化を可能として半導体ウエハのスループットを向
上できるようにしている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の熱処理装置は、
反応管とヒータとを有するとともに、該反応管の周囲に
ヒータを配設してなるものであって、反応管とヒータと
の間をシール材で気密にしてなるガス通路を設けるとと
もに、マスフローコントローラで該ガス通路内に冷却用
ガスを流量制御して導入・排出することを特徴としてい
る。
反応管とヒータとを有するとともに、該反応管の周囲に
ヒータを配設してなるものであって、反応管とヒータと
の間をシール材で気密にしてなるガス通路を設けるとと
もに、マスフローコントローラで該ガス通路内に冷却用
ガスを流量制御して導入・排出することを特徴としてい
る。
【００１０】
【作用】反応管とヒータとの間の気密構造のガス通路内
にマスフローコントローラでもって冷却用ガスを流量制
御して導入・排出できるから、反応管内を強制的に空冷
できることになり、結果、反応管内温度を所要の低温に
まで降温する時間が短縮される。
にマスフローコントローラでもって冷却用ガスを流量制
御して導入・排出できるから、反応管内を強制的に空冷
できることになり、結果、反応管内温度を所要の低温に
まで降温する時間が短縮される。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して詳細
に説明する。
に説明する。
【００１２】図１は、本発明の実施例に係る熱処理装置
の断面図であって、従来例に係る図２と対応する部分に
は同一の符号を付し、同一の符号に係る部分についての
ここでの詳しい説明は省略する。
の断面図であって、従来例に係る図２と対応する部分に
は同一の符号を付し、同一の符号に係る部分についての
ここでの詳しい説明は省略する。
【００１３】本実施例では、反応管１とヒータ５との間
をシール材で気密構造にしてなる冷却用ガス通路６を設
けるとともに、該冷却用ガス通路６の入口６ａにガス管
７を接続するとともに、該ガス管７にマスフローコント
ローラ８を配備し、このマスフローコントローラ８で冷
却用ガス例えば窒素等の不活性ガスを流量制御して冷却
用ガス通路６内に導入し、それを冷却用ガス通路６の出
口６ｂに接続されたガス管９から外部に排出するように
している。
をシール材で気密構造にしてなる冷却用ガス通路６を設
けるとともに、該冷却用ガス通路６の入口６ａにガス管
７を接続するとともに、該ガス管７にマスフローコント
ローラ８を配備し、このマスフローコントローラ８で冷
却用ガス例えば窒素等の不活性ガスを流量制御して冷却
用ガス通路６内に導入し、それを冷却用ガス通路６の出
口６ｂに接続されたガス管９から外部に排出するように
している。
【００１４】その他の構造は従来例のそれと同様であ
る。
る。
【００１５】このような構造ではマスフローコントロー
ラ８によって、冷却用ガスの流量制御をして反応管１内
のボート３を所要の精度の高い降温速度で強制的に空冷
できることになり、結果、半導体ウエハに対する熱処理
ののちは、反応管内温度を所要の低温にまで強制的に所
要の温度にまで降温する時間が短縮される。
ラ８によって、冷却用ガスの流量制御をして反応管１内
のボート３を所要の精度の高い降温速度で強制的に空冷
できることになり、結果、半導体ウエハに対する熱処理
ののちは、反応管内温度を所要の低温にまで強制的に所
要の温度にまで降温する時間が短縮される。
【００１６】
【発明の効果】以上説明したことから明らかなように、
本発明によれば、反応管とヒータとの間を気密にしてな
るガス通路内にマスフローコントローラでもって冷却用
ガスを流量制御して導入・排出できるようにしたから、
反応管内を強制的に空冷できることになり、これによっ
て、反応管温度を所要の低温にまで降温する時間を短縮
してして半導体ウエハのスループットを向上できるよう
になった。
本発明によれば、反応管とヒータとの間を気密にしてな
るガス通路内にマスフローコントローラでもって冷却用
ガスを流量制御して導入・排出できるようにしたから、
反応管内を強制的に空冷できることになり、これによっ
て、反応管温度を所要の低温にまで降温する時間を短縮
してして半導体ウエハのスループットを向上できるよう
になった。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例に係る熱処理装置の断面図であ
る。
る。
【図２】従来例に係る熱処理装置の断面図である。
１ 反応管 ３ ボート ５ ヒータ ６ ガス通路 ７ ガス管 ８ マスフローコントローラ
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成３年１２月１９日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】このように従来の熱処
理装置にあっては、ボート３の挿入・引き出しを処理温
度よりも低温で行なっているが、ボート３を反応管１内
部に挿入し、それを低温から高温にまで昇温するのには
比較的時間が短くて済むものの、処理ののちボート３を
反応管１から引き出すときに反応管内の温度を低温にま
で降温するのにヒータ５のパワーを落と してそれを自然
冷却させていたから、長い間がかかり、その結果、この
種の熱処理装置では、半導体ウエハのスループットがき
わめて低いものとなっていた。
理装置にあっては、ボート３の挿入・引き出しを処理温
度よりも低温で行なっているが、ボート３を反応管１内
部に挿入し、それを低温から高温にまで昇温するのには
比較的時間が短くて済むものの、処理ののちボート３を
反応管１から引き出すときに反応管内の温度を低温にま
で降温するのにヒータ５のパワーを落と してそれを自然
冷却させていたから、長い間がかかり、その結果、この
種の熱処理装置では、半導体ウエハのスループットがき
わめて低いものとなっていた。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 反応管とヒータとを有するとともに、該
反応管の周囲にヒータを配設してなる熱処理装置であっ
て、 反応管とヒータとの間をシール材で気密にしてなるガス
通路を設けるとともに、マスフローコントローラで該ガ
ス通路内に冷却用ガスを流量制御して導入・排出するこ
とを特徴とする熱処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17088691A JPH0521364A (ja) | 1991-07-11 | 1991-07-11 | 熱処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17088691A JPH0521364A (ja) | 1991-07-11 | 1991-07-11 | 熱処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0521364A true JPH0521364A (ja) | 1993-01-29 |
Family
ID=15913143
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17088691A Pending JPH0521364A (ja) | 1991-07-11 | 1991-07-11 | 熱処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0521364A (ja) |
-
1991
- 1991-07-11 JP JP17088691A patent/JPH0521364A/ja active Pending
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