JPH0521426A - 半導体集積回路 - Google Patents
半導体集積回路Info
- Publication number
- JPH0521426A JPH0521426A JP17078691A JP17078691A JPH0521426A JP H0521426 A JPH0521426 A JP H0521426A JP 17078691 A JP17078691 A JP 17078691A JP 17078691 A JP17078691 A JP 17078691A JP H0521426 A JPH0521426 A JP H0521426A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- electrodes
- adjacent
- insulating film
- integrated circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 14
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract description 7
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 abstract description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は配線容量の小い電極配線を有する提供
することにある。 【構成】半導体基板１上に絶縁膜２を介して平行に隣接
して配置される電極配線のうち、その膜厚が隣接配線間
隔よりも大きい場合は、層間絶縁膜５を介して互い異層
の第１及び第２の電極配線３Ａ，３Ｂで構成する。
することにある。 【構成】半導体基板１上に絶縁膜２を介して平行に隣接
して配置される電極配線のうち、その膜厚が隣接配線間
隔よりも大きい場合は、層間絶縁膜５を介して互い異層
の第１及び第２の電極配線３Ａ，３Ｂで構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体集積回路に関し、
特に電極配線の構成に関するものである。
特に電極配線の構成に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体集積回路の電極配線につき
図２を用いて説明する。図２は半導体集積回路における
電極配線を示す断面図である。
図２を用いて説明する。図２は半導体集積回路における
電極配線を示す断面図である。
【０００３】半導体基板１上に酸化シリコン等からなる
絶縁膜２が形成されており、この絶縁膜２上には、図に
は示されていないが、絶縁膜２に開口部を設け、この開
口部を介して所望の下層半導体領域等に接続された電極
配線３が配置され、その上にカバー絶縁膜４が形成され
た構造となっている。
絶縁膜２が形成されており、この絶縁膜２上には、図に
は示されていないが、絶縁膜２に開口部を設け、この開
口部を介して所望の下層半導体領域等に接続された電極
配線３が配置され、その上にカバー絶縁膜４が形成され
た構造となっている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】このような従来の電極
配線は図２に示した通りであって、電極パターンが形成
できうる限りに於て、同層で電極配線３が複数形成され
ている。従来に於ては電極配線の膜厚ｔは通常０．７μ
ｍが使用されており、これに対し微細化技術が進歩し電
極配線間隔Ｌが０．５μｍ以下が実現され得る状況、即
ちｔ〉Ｌの状況となりつつある。このような状況で平行
する隣接配線を形成した場合は、その配線間の側面用量
が増大し、配線の負荷容量により半導体集積回路の応答
スピードが遅くなるという問題点があった。
配線は図２に示した通りであって、電極パターンが形成
できうる限りに於て、同層で電極配線３が複数形成され
ている。従来に於ては電極配線の膜厚ｔは通常０．７μ
ｍが使用されており、これに対し微細化技術が進歩し電
極配線間隔Ｌが０．５μｍ以下が実現され得る状況、即
ちｔ〉Ｌの状況となりつつある。このような状況で平行
する隣接配線を形成した場合は、その配線間の側面用量
が増大し、配線の負荷容量により半導体集積回路の応答
スピードが遅くなるという問題点があった。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体集積回路
は、平行に隣接して配置される隣接電極配線の電極配線
膜厚ｔ，隣接配線間隔Ｌでｔ〉Ｌなるものに対し、絶縁
膜を介し互に異層の電極配線構成を備えているものであ
る。
は、平行に隣接して配置される隣接電極配線の電極配線
膜厚ｔ，隣接配線間隔Ｌでｔ〉Ｌなるものに対し、絶縁
膜を介し互に異層の電極配線構成を備えているものであ
る。
【０００６】
【実施例】図１は本発明の一実施例の断面図である。図
１に於ける従来例と同等のものは同一記号で表わされて
いる。
１に於ける従来例と同等のものは同一記号で表わされて
いる。
【０００７】図１に示す様に、半導体基板１上には、絶
縁膜２を介して平行に隣接する隣接電極配線が形成され
ているか、電極膜厚ｔが隣接電極間隔Ｌより厚いため、
電極配線は、第１の電極配線３Ａと、この上の層間絶縁
膜５の上に形成された第２の電極配線３Ｂとから構成さ
れている。
縁膜２を介して平行に隣接する隣接電極配線が形成され
ているか、電極膜厚ｔが隣接電極間隔Ｌより厚いため、
電極配線は、第１の電極配線３Ａと、この上の層間絶縁
膜５の上に形成された第２の電極配線３Ｂとから構成さ
れている。
【０００８】このように電極間隔が電極の膜厚より小さ
い場合、電極を２層に形成することにより、側面容量を
減少させることができる。尚４はカバー絶縁膜である。
い場合、電極を２層に形成することにより、側面容量を
減少させることができる。尚４はカバー絶縁膜である。
【０００９】上記実施例においては、隣接して配置すべ
き電極配線を層間絶縁膜を介して２層に形成した場合に
ついて説明したか、３層以上の多層配線としてもよいこ
とは勿論である。
き電極配線を層間絶縁膜を介して２層に形成した場合に
ついて説明したか、３層以上の多層配線としてもよいこ
とは勿論である。
【００１０】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、平行した
隣接電極配線間のスペースが微小になって来たときに、
互に絶縁膜を介して電極配線を多層に配置することによ
り、隣接電極間要領を大きく低減させることができると
いう効果を有する。
隣接電極配線間のスペースが微小になって来たときに、
互に絶縁膜を介して電極配線を多層に配置することによ
り、隣接電極間要領を大きく低減させることができると
いう効果を有する。
【図１】本発明の一実施例の断面図。
【図２】従来の半導体集積回路の一例の断面図。
１ 半導体基板 ２ 絶縁膜 ３ 電極配線 ３Ａ 第１の電極配線 ３Ｂ 第２の電極配線 ４ カバー絶縁膜 ５ 層間絶縁膜
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 平行に隣接して配置されるべき複数の電
極配線を有する半導体集積回路において、電極配線間の
間隔より電極配線の膜厚が大きい前記電極配線は複数層
に分けて形成されていることを特徴とする半導体集積回
路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17078691A JPH0521426A (ja) | 1991-07-11 | 1991-07-11 | 半導体集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17078691A JPH0521426A (ja) | 1991-07-11 | 1991-07-11 | 半導体集積回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0521426A true JPH0521426A (ja) | 1993-01-29 |
Family
ID=15911345
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17078691A Pending JPH0521426A (ja) | 1991-07-11 | 1991-07-11 | 半導体集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0521426A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63141A (ja) * | 1986-06-19 | 1988-01-05 | Fujitsu Ltd | 半導体記憶装置 |
-
1991
- 1991-07-11 JP JP17078691A patent/JPH0521426A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63141A (ja) * | 1986-06-19 | 1988-01-05 | Fujitsu Ltd | 半導体記憶装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19970722 |