JPH0555392A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH0555392A JPH0555392A JP21530891A JP21530891A JPH0555392A JP H0555392 A JPH0555392 A JP H0555392A JP 21530891 A JP21530891 A JP 21530891A JP 21530891 A JP21530891 A JP 21530891A JP H0555392 A JPH0555392 A JP H0555392A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer wiring
- semiconductor device
- wiring
- abnormal growth
- area
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 多層配線を有する半導体装置において、第１
層配線に生じる異常成長を軽減し、信頼性の向上をはか
った製造欠陥に強い半導体装置を得る。 【構成】 第１層配線３中に開口部６を設け、第１層配
線３と第２層配線５の交差面積を小さくし、異常成長を
軽減したことを特徴としている。
層配線に生じる異常成長を軽減し、信頼性の向上をはか
った製造欠陥に強い半導体装置を得る。 【構成】 第１層配線３中に開口部６を設け、第１層配
線３と第２層配線５の交差面積を小さくし、異常成長を
軽減したことを特徴としている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、多層配線を有する半導
体装置に関するものである。
体装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図３は従来の多層配線を有する半導体装
置を示す平面図、図４は、図３のＢ−Ｂ面での断面図で
ある。これらの図において、１はコンタクトや他の配線
との接続のない半導体基板、２は絶縁膜、３は第１層配
線（下層配線ともいう）、４は層間絶縁膜、５は第２層
配線（上層配線ともいう）である。
置を示す平面図、図４は、図３のＢ−Ｂ面での断面図で
ある。これらの図において、１はコンタクトや他の配線
との接続のない半導体基板、２は絶縁膜、３は第１層配
線（下層配線ともいう）、４は層間絶縁膜、５は第２層
配線（上層配線ともいう）である。
【０００３】近年のＩＣやＬＳＩの大容量化に伴い、チ
ップ面積を小さくするために多層配線が採用されてい
る。図３はアルミの２層配線を用いた時の従来例を示し
ている。下層配線３と上層配線５とは、層間絶縁膜４に
より分離され、別の電位を持っている。しかしながら、
配線材料のアルミは自己拡散係数が大きく、製造過程の
熱処理により異常成長等を起こしやすい。この異常成長
が発生した時の断面図を図４に示す。このような異常成
長が発生すると、上層配線５が断線を起こしたり、上層
配線５と下層配線３との層間耐圧が低くなるといった問
題を起こしたりする。また、アルミの異常成長は、配線
面積の大きい場所で発生しやすいという特徴を持ってい
る。
ップ面積を小さくするために多層配線が採用されてい
る。図３はアルミの２層配線を用いた時の従来例を示し
ている。下層配線３と上層配線５とは、層間絶縁膜４に
より分離され、別の電位を持っている。しかしながら、
配線材料のアルミは自己拡散係数が大きく、製造過程の
熱処理により異常成長等を起こしやすい。この異常成長
が発生した時の断面図を図４に示す。このような異常成
長が発生すると、上層配線５が断線を起こしたり、上層
配線５と下層配線３との層間耐圧が低くなるといった問
題を起こしたりする。また、アルミの異常成長は、配線
面積の大きい場所で発生しやすいという特徴を持ってい
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記のような従来の半
導体装置では、第１層配線３と第２層配線５が交差する
部分において、交差部の第１層配線３の面積が大きいと
ころでは、第１層配線３の異常成長が生じ、第２層配線
５の断線を引き起こしたり、第１層配線３と第２層配線
５の層間耐圧が低くなるという問題点があった。
導体装置では、第１層配線３と第２層配線５が交差する
部分において、交差部の第１層配線３の面積が大きいと
ころでは、第１層配線３の異常成長が生じ、第２層配線
５の断線を引き起こしたり、第１層配線３と第２層配線
５の層間耐圧が低くなるという問題点があった。
【０００５】本発明は、上記のような問題点を解決する
ためになされたもので、第１層配線に生じる異常成長を
軽減することにより、第２層配線の断線を防止し、信頼
性の向上をはかり、製造欠陥に強い半導体装置を得るこ
とを目的としている。
ためになされたもので、第１層配線に生じる異常成長を
軽減することにより、第２層配線の断線を防止し、信頼
性の向上をはかり、製造欠陥に強い半導体装置を得るこ
とを目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体装置
は、第１層配線と第２層配線の交差部で、部分的に第１
層配線に開口部を設け、第１層配線と第２層配線とが交
差する交差面積を小さくしたものである。
は、第１層配線と第２層配線の交差部で、部分的に第１
層配線に開口部を設け、第１層配線と第２層配線とが交
差する交差面積を小さくしたものである。
【０００７】
【作用】本発明においては、第１層配線中に設けられた
開口部により、第１層配線と第２層配線の交差面積が小
さくなり、第１層配線に生じる異常成長が軽減され、上
層の第２層配線も断線をおこすことなく正常に配線され
る。
開口部により、第１層配線と第２層配線の交差面積が小
さくなり、第１層配線に生じる異常成長が軽減され、上
層の第２層配線も断線をおこすことなく正常に配線され
る。
【０００８】
【実施例】図１は本発明の一実施例を示す平面図、図２
は、図１のＡ−Ａ面での断面図である。これらの図にお
いて、１〜５は従来装置と全く同一のものであり、６は
前記第１層配線３に部分的に設けた開口部である。
は、図１のＡ−Ａ面での断面図である。これらの図にお
いて、１〜５は従来装置と全く同一のものであり、６は
前記第１層配線３に部分的に設けた開口部である。
【０００９】上記のように構成された半導体装置におい
ては、第１層配線３と第２層配線５が交差する部分は、
第１層配線３中に設けた開口部６により、第２層配線５
と開口部６の重なったところの面積分だけ、第１層配線
３と第２層配線５の交差面積が小さくなる。
ては、第１層配線３と第２層配線５が交差する部分は、
第１層配線３中に設けた開口部６により、第２層配線５
と開口部６の重なったところの面積分だけ、第１層配線
３と第２層配線５の交差面積が小さくなる。
【００１０】これによって、第１層配線３で生じる異常
成長の発生領域とその確率も小さくすることができる。
成長の発生領域とその確率も小さくすることができる。
【００１１】なお、上記実施例ではアルミの２層配線を
用いた場合を示しているが、アルミの３層以上の多層配
線およびポリシリコンとアルミなどを組み合わせた半導
体装置にも同様の効果が期待できる。
用いた場合を示しているが、アルミの３層以上の多層配
線およびポリシリコンとアルミなどを組み合わせた半導
体装置にも同様の効果が期待できる。
【００１２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
第１層配線中に開口部を設け、第１層配線と第２層配線
の交差面積を小さくしたので、第１層配線に生じる異常
成長が軽減され、信頼性の向上が期待でき、製造欠陥に
強い半導体装置が得られる。
第１層配線中に開口部を設け、第１層配線と第２層配線
の交差面積を小さくしたので、第１層配線に生じる異常
成長が軽減され、信頼性の向上が期待でき、製造欠陥に
強い半導体装置が得られる。
【図１】本発明の一実施例を示す半導体装置の平面図で
ある。
ある。
【図２】図１のＡ−Ａ面の断面図である。
【図３】従来の半導体装置の平面図である。
【図４】図３のＢ−Ｂ面の断面図である。
１ 半導体基板 ２ 絶縁膜 ３ 第１層配線 ４ 層間絶縁膜 ５ 第２層配線 ６ 開口部
Claims (1)
- 【請求項１】半導体基板上の絶縁膜上に、第１層配線と
第２層配線が層間絶縁膜を介して交差する多層配線が形
成された半導体装置において、前記第１層配線と第２層
配線の交差部で、部分的に前記第１層配線に開口部を設
けたことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21530891A JPH0555392A (ja) | 1991-08-27 | 1991-08-27 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21530891A JPH0555392A (ja) | 1991-08-27 | 1991-08-27 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0555392A true JPH0555392A (ja) | 1993-03-05 |
Family
ID=16670172
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21530891A Pending JPH0555392A (ja) | 1991-08-27 | 1991-08-27 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0555392A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2020043340A (ja) * | 2009-01-22 | 2020-03-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
-
1991
- 1991-08-27 JP JP21530891A patent/JPH0555392A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2020043340A (ja) * | 2009-01-22 | 2020-03-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| US10878736B2 (en) | 2009-01-22 | 2020-12-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for driving display device |
| US10896633B2 (en) | 2009-01-22 | 2021-01-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for driving display device |
| JP2022033123A (ja) * | 2009-01-22 | 2022-02-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| US11551596B2 (en) | 2009-01-22 | 2023-01-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for driving display device |
| JP2023022076A (ja) * | 2009-01-22 | 2023-02-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| US12062310B2 (en) | 2009-01-22 | 2024-08-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for driving display device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4587549A (en) | Multilayer interconnection structure for semiconductor device | |
| US5955788A (en) | Semiconductor device having multilevel wiring with improved planarity | |
| JPH0555392A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS63143845A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JPH0430465A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2738145B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPS63308924A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS62104138A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH07153756A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JPS6211505B2 (ja) | ||
| JPH02192145A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2800525B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2534714B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH01128448A (ja) | 半導体装置の配線接続部 | |
| KR100247911B1 (ko) | 반도체장치 및 그 제조방법 | |
| JPH02161755A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0521426A (ja) | 半導体集積回路 | |
| JPH02183536A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0513591A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0536844A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH03101132A (ja) | 多層配線構造 | |
| JPH04345052A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH05144808A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH06125012A (ja) | 半導体装置の配線構造 | |
| JPS61188946A (ja) | 多層配線半導体集積回路 |