JPH05214319A - 超硬研磨粒子及びその製造方法 - Google Patents
超硬研磨粒子及びその製造方法Info
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- JPH05214319A JPH05214319A JP4275946A JP27594692A JPH05214319A JP H05214319 A JPH05214319 A JP H05214319A JP 4275946 A JP4275946 A JP 4275946A JP 27594692 A JP27594692 A JP 27594692A JP H05214319 A JPH05214319 A JP H05214319A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は超硬研磨粒子及びその製造方法に関
する。 【構成】 本発明の超硬研磨粒子はダイヤモンド及び立
方晶系窒化ホウ素から選ばれる合成超硬研磨粒子におい
て、元素の２以上の安定な同位体を、該同位体が自然界
に存在する比とは異なる比で含有することを特徴とす
る。その製造方法は該超硬研磨粒子のための原料物質及
び触媒／溶媒を含有する反応物を受容する反応容器を装
備する工程と、自然界に同位体が存在する比とは異なる
比で存在する、元素の２以上の安定な同位体の存在下で
該研磨粒子が結晶学的に安定である高温及び高圧状態に
該反応物を置く工程とを含む。
する。 【構成】 本発明の超硬研磨粒子はダイヤモンド及び立
方晶系窒化ホウ素から選ばれる合成超硬研磨粒子におい
て、元素の２以上の安定な同位体を、該同位体が自然界
に存在する比とは異なる比で含有することを特徴とす
る。その製造方法は該超硬研磨粒子のための原料物質及
び触媒／溶媒を含有する反応物を受容する反応容器を装
備する工程と、自然界に同位体が存在する比とは異なる
比で存在する、元素の２以上の安定な同位体の存在下で
該研磨粒子が結晶学的に安定である高温及び高圧状態に
該反応物を置く工程とを含む。
Description
【０００１】
【背景技術】本発明は超硬研磨粒子に関する。
【０００２】ダイヤモンド及び立方晶系窒化ホウ素粒子
は世界中の様々な国で商業的に大量に合成される。合成
は、ダイヤモンドの場合には典型的にはグラファイト
の、立方晶系窒化ホウ素の場合には六方晶系窒化ホウ素
の原料物質を供給することを含み、原料物質は溶媒／触
媒と混合され、次にこの混合物を、生成される特定の粒
子が結晶学的に安定である高温及び高圧状態に置く。
は世界中の様々な国で商業的に大量に合成される。合成
は、ダイヤモンドの場合には典型的にはグラファイト
の、立方晶系窒化ホウ素の場合には六方晶系窒化ホウ素
の原料物質を供給することを含み、原料物質は溶媒／触
媒と混合され、次にこの混合物を、生成される特定の粒
子が結晶学的に安定である高温及び高圧状態に置く。
【０００３】多くの要因の内１以上を変えることによ
り、合成される粒子の成長及び物理的な特性に影響を与
えることが可能である。例えば、変更できる要因は、シ
ステムの温度及び圧力、反応容器の形状、原料物質の不
純物プロフィール並びに溶媒／触媒及び原料物質の機械
的及び物理的特性である。このようにして、粒子は特定
の要求に適合するように調製できる。
り、合成される粒子の成長及び物理的な特性に影響を与
えることが可能である。例えば、変更できる要因は、シ
ステムの温度及び圧力、反応容器の形状、原料物質の不
純物プロフィール並びに溶媒／触媒及び原料物質の機械
的及び物理的特性である。このようにして、粒子は特定
の要求に適合するように調製できる。
【０００４】
【発明の開示】本発明によれば、ダイヤモンド及び窒化
ホウ素から選ばれる合成超硬研磨粒子は、元素の２以上
の安定な同位体をその同位体が自然界に存在する比とは
異なる比で含有することを特徴とする。粒子中における
この特有の同位体の比の存在は、特定目的のためのフィ
ンガープリントをその粒子に提供する。
ホウ素から選ばれる合成超硬研磨粒子は、元素の２以上
の安定な同位体をその同位体が自然界に存在する比とは
異なる比で含有することを特徴とする。粒子中における
この特有の同位体の比の存在は、特定目的のためのフィ
ンガープリントをその粒子に提供する。
【０００５】更に本発明によれば、上述の超硬研磨粒子
を製造する方法は、研磨粒子のための原料物質及び触媒
／溶媒を含有する反応物を受容する反応容器を装備する
工程と、自然界に同位体が存在する比とは異なる比で存
在する、元素の２以上の同位体の存在下で研磨粒子が結
晶学的に安定である高温及び高圧状態に前記反応物を置
く工程とを含む。
を製造する方法は、研磨粒子のための原料物質及び触媒
／溶媒を含有する反応物を受容する反応容器を装備する
工程と、自然界に同位体が存在する比とは異なる比で存
在する、元素の２以上の同位体の存在下で研磨粒子が結
晶学的に安定である高温及び高圧状態に前記反応物を置
く工程とを含む。
【０００６】
【実施例】超硬研磨粒子はダイヤモンド又は立方晶系窒
化ホウ素である。これら粒子はこの分野で公知の方法に
より合成し得る。そのような合成では、フィンガープリ
ントのための同位体は、合成される粒子中にそれらを含
ませることを可能にする形態及び条件で提供される。
化ホウ素である。これら粒子はこの分野で公知の方法に
より合成し得る。そのような合成では、フィンガープリ
ントのための同位体は、合成される粒子中にそれらを含
ませることを可能にする形態及び条件で提供される。
【０００７】ダイヤモンド及び立方晶系窒化ホウ素粒子
の合成は、この分野で周知であり、特許文献で詳細に記
述されている。合成は、研磨粒子が結晶学的に安定であ
る高温及び高圧状態に、研磨粒子のための原料物質及び
触媒／溶媒を置くことを広く含む。ダイヤモンドの原料
物質は、アモルファスカーボン又はグラファイトのよう
な炭素材料であり、他方、立方晶系窒化ホウ素の原料物
質は、一般に六方晶系窒化ホウ素である。広範囲の様々
な触媒／溶媒が使用できる。例示すれば、ダイヤモンド
のための触媒／溶媒は、ニッケル、コバルト及び鉄のよ
うな遷移金属であり、他方、立方晶系窒化ホウ素のため
には、適当な触媒／溶媒の例としてはアルカリ金属の窒
化物及び窒化ホウ素がある。適用される高温及び高圧状
態は、１４００〜１６００℃のオーダーの温度及び４０
〜７０キロバールのオーダーの圧力である。これらの状
態は、ダイヤモンド及び立方晶系窒化ホウ素の合成の双
方に適用される。
の合成は、この分野で周知であり、特許文献で詳細に記
述されている。合成は、研磨粒子が結晶学的に安定であ
る高温及び高圧状態に、研磨粒子のための原料物質及び
触媒／溶媒を置くことを広く含む。ダイヤモンドの原料
物質は、アモルファスカーボン又はグラファイトのよう
な炭素材料であり、他方、立方晶系窒化ホウ素の原料物
質は、一般に六方晶系窒化ホウ素である。広範囲の様々
な触媒／溶媒が使用できる。例示すれば、ダイヤモンド
のための触媒／溶媒は、ニッケル、コバルト及び鉄のよ
うな遷移金属であり、他方、立方晶系窒化ホウ素のため
には、適当な触媒／溶媒の例としてはアルカリ金属の窒
化物及び窒化ホウ素がある。適用される高温及び高圧状
態は、１４００〜１６００℃のオーダーの温度及び４０
〜７０キロバールのオーダーの圧力である。これらの状
態は、ダイヤモンド及び立方晶系窒化ホウ素の合成の双
方に適用される。
【０００８】合成のための反応物は反応容器内に置かれ
る。容器は、一般に、反応物が置かれるカップと、協働
する頂部又はカップを閉じる蓋とからなる。カップの材
料は、一般に、タンタルのような耐熱金属である。充填
されたこの反応容器は、次に、合成のための従来の高温
／高圧装置の反応ゾーンに置かれる。
る。容器は、一般に、反応物が置かれるカップと、協働
する頂部又はカップを閉じる蓋とからなる。カップの材
料は、一般に、タンタルのような耐熱金属である。充填
されたこの反応容器は、次に、合成のための従来の高温
／高圧装置の反応ゾーンに置かれる。
【０００９】本発明の１つの形態としては、選定される
同位体は窒素１４及び窒素１５とすることができ、２つ
の同位体の比率は自然界に存在するものとは異なる。下
記のいずれの方法によっても、そのような同位体を合成
された超硬研磨粒子内に含入させることができる：
同位体は窒素１４及び窒素１５とすることができ、２つ
の同位体の比率は自然界に存在するものとは異なる。下
記のいずれの方法によっても、そのような同位体を合成
された超硬研磨粒子内に含入させることができる：
【００１０】1. 合成に先立って窒素ガスを反応容器内
に導入して合成粒子のドーピングを起こさせる。窒素ガ
スは、天然存在度よりも、窒素１５が一般に測定可能な
程度に大きく濃縮されたものが選ばれる。
に導入して合成粒子のドーピングを起こさせる。窒素ガ
スは、天然存在度よりも、窒素１５が一般に測定可能な
程度に大きく濃縮されたものが選ばれる。
【００１１】2. 反応物中に、所望のＮ１４／Ｎ１５比
を有する適当な窒素含有化合物を、例えば混合により含
入させる。適当な無機の窒素化合物の例は、窒化鉄、窒
化リチウム及び窒化カルシウムである。後の２つはＣＢ
Ｎの合成に特に適している。適当な有機の窒素化合物の
例は、ヘキサメチレンテトラミン、尿素、ピペラジン及
び１、２、４−トリアゾールである。
を有する適当な窒素含有化合物を、例えば混合により含
入させる。適当な無機の窒素化合物の例は、窒化鉄、窒
化リチウム及び窒化カルシウムである。後の２つはＣＢ
Ｎの合成に特に適している。適当な有機の窒素化合物の
例は、ヘキサメチレンテトラミン、尿素、ピペラジン及
び１、２、４−トリアゾールである。
【００１２】3. 合成に使用される触媒／溶媒は、アン
モニアのような窒素１５濃縮の窒化ガスを使用して窒化
することができる。例えば、鉄を窒素１５濃縮のアンモ
ニア及び水素により約５００℃の温度で処理することが
できる。
モニアのような窒素１５濃縮の窒化ガスを使用して窒化
することができる。例えば、鉄を窒素１５濃縮のアンモ
ニア及び水素により約５００℃の温度で処理することが
できる。
【００１３】方法１はダイヤモンド粒子のみに適し、他
方、方法２及び３はダイヤモンド及び立方晶系窒化ホウ
素の双方に適している。
方、方法２及び３はダイヤモンド及び立方晶系窒化ホウ
素の双方に適している。
【００１４】そのように合成された粒子は、望ましいＮ
１４／Ｎ１５比を有し、その比は電子スピン共鳴（ＥＳ
Ｒ）の光学吸収、ルミネッセンス及び質量分析のような
技術を使用して検出できる。
１４／Ｎ１５比を有し、その比は電子スピン共鳴（ＥＳ
Ｒ）の光学吸収、ルミネッセンス及び質量分析のような
技術を使用して検出できる。
【００１５】本発明の別の形態では、元素は、１より多
い安定な同位体を有する触媒／溶媒元素である。元素
は、合成に使用される触媒／溶媒内に含入させることが
でき、或いは合成に使用される触媒／溶媒全体を構成す
ることもできる。例示すると、ニッケルは下記に示すよ
うな天然存在の５つの安定な同位体を有し、鉄は４つの
同様な同位体を有する。これら同位体を、ダイヤモンド
中に不純物として測定可能な量を取り込む。
い安定な同位体を有する触媒／溶媒元素である。元素
は、合成に使用される触媒／溶媒内に含入させることが
でき、或いは合成に使用される触媒／溶媒全体を構成す
ることもできる。例示すると、ニッケルは下記に示すよ
うな天然存在の５つの安定な同位体を有し、鉄は４つの
同様な同位体を有する。これら同位体を、ダイヤモンド
中に不純物として測定可能な量を取り込む。
【００１６】 Ｎｉ５８−６８，２７％ Ｆｅ５４− ５，８２％ Ｎｉ６０−２６，１０％ Ｆｅ５６−９１，８％ Ｎｉ６１− １，１３％ Ｆｅ５７− ２，１％ Ｎｉ６２− ３，５９％ Ｆｅ５８− ０，２８％ Ｎｉ６４− ０，９１％
【００１７】それに代えて、触媒／溶媒を、自然界に存
在する同位体の比率を修正又は変更した、フィンガープ
リントのための元素でドーピングしても良い。そのよう
な元素の例は、ホウ素、クロム、ケイ素、バナジウム、
マグネシウム、カルシウム、チタン及び希土類金属であ
る。ホウ素の場合には、元素はダイヤモンド格子内に置
換位置を取る。
在する同位体の比率を修正又は変更した、フィンガープ
リントのための元素でドーピングしても良い。そのよう
な元素の例は、ホウ素、クロム、ケイ素、バナジウム、
マグネシウム、カルシウム、チタン及び希土類金属であ
る。ホウ素の場合には、元素はダイヤモンド格子内に置
換位置を取る。
【００１８】ニッケル及びホウ素の同位体のためには、
検出技術を、協働するニッケル又はホウ素の単一原子と
共に工学的に活性な格子不純物を使用する光学吸収、又
は質量分析法とすることができる。
検出技術を、協働するニッケル又はホウ素の単一原子と
共に工学的に活性な格子不純物を使用する光学吸収、又
は質量分析法とすることができる。
【００１９】本発明の例を次に説明する。自然界に存在
する比とは異なるＮ１４／Ｎ１５比を有する窒素を合成
ダイヤモンド粒子内に導入する。合成ダイヤモンド生成
物の特徴的な黄色は、製造中にダイヤモンド内に１５０
〜３５０ppm の不純物窒素が含入されることに大きく起
因する。窒素不純物の供給源は溶媒金属中の窒素、グラ
ファイト原料物質と化学的に結合している窒素、及び反
応容器内に存在するポロシティー内に閉じ込められてい
る窒素である。
する比とは異なるＮ１４／Ｎ１５比を有する窒素を合成
ダイヤモンド粒子内に導入する。合成ダイヤモンド生成
物の特徴的な黄色は、製造中にダイヤモンド内に１５０
〜３５０ppm の不純物窒素が含入されることに大きく起
因する。窒素不純物の供給源は溶媒金属中の窒素、グラ
ファイト原料物質と化学的に結合している窒素、及び反
応容器内に存在するポロシティー内に閉じ込められてい
る窒素である。
【００２０】窒素の安定な同位体はＮ１４及びＮ１５で
ある。Ｎ１５の天然存在度は０．３７％で、残りのＮ１
４は９９．６３％である。従って、合成的に製造される
ダイヤモンドは、典型的には０．３７％のＮ１５含有率
を有する。
ある。Ｎ１５の天然存在度は０．３７％で、残りのＮ１
４は９９．６３％である。従って、合成的に製造される
ダイヤモンドは、典型的には０．３７％のＮ１５含有率
を有する。
【００２１】合成ダイヤモンド中の窒素不純物の飛び抜
けて最も大きな部分は、ダイヤモンド格子内の単一置換
原子の形を取る。これら単一窒素原子上の対を成さない
電子のために、それらは電子スピン共鳴（ＥＳＲ）を使
用して検出できる。Ｎ１５同位体のＥＳＲの強度線は、
Ｎ１４のそれとは異なる磁界強度の位置にあり、従って
区別できる。
けて最も大きな部分は、ダイヤモンド格子内の単一置換
原子の形を取る。これら単一窒素原子上の対を成さない
電子のために、それらは電子スピン共鳴（ＥＳＲ）を使
用して検出できる。Ｎ１５同位体のＥＳＲの強度線は、
Ｎ１４のそれとは異なる磁界強度の位置にあり、従って
区別できる。
【００２２】Ｎ１５濃縮のダイヤモンド粒子を以下のよ
うに製造した。グラファイト及びコバルト触媒／溶媒の
混合物を、密閉した反応容器内に入れた。密閉後、反応
容器の側部に孔を開け、排気を行い、孔空き容器を大気
圧の窒素ガス雰囲気下に置いた。窒素ガスは、窒素１５
の２０％濃縮を行った。次に、小さな半田のスポットに
より孔を塞ぐことで容器を再密閉した。
うに製造した。グラファイト及びコバルト触媒／溶媒の
混合物を、密閉した反応容器内に入れた。密閉後、反応
容器の側部に孔を開け、排気を行い、孔空き容器を大気
圧の窒素ガス雰囲気下に置いた。窒素ガスは、窒素１５
の２０％濃縮を行った。次に、小さな半田のスポットに
より孔を塞ぐことで容器を再密閉した。
【００２３】密閉した反応容器を、従来の高温及び高圧
装置の反応ゾーン内に置き、１５００℃の温度及び６０
キロバールの圧力を与えた。この高温及び高圧状態を１
０〜１５分の間維持した。公知の従来技術を使用して、
ダイヤモンドを反応容器から回収した。
装置の反応ゾーン内に置き、１５００℃の温度及び６０
キロバールの圧力を与えた。この高温及び高圧状態を１
０〜１５分の間維持した。公知の従来技術を使用して、
ダイヤモンドを反応容器から回収した。
【００２４】ＥＳＲの使用により、窒素１５がダイヤモ
ンド粒子中で検出された。かかる検出は、低い金属含有
率を有するダイヤモンド粒子ではもっと容易に行うこと
ができる。そのような粒子において、Ｎ１５が、天然存
在度よりも約１桁大きい約２％であると測定された。
ンド粒子中で検出された。かかる検出は、低い金属含有
率を有するダイヤモンド粒子ではもっと容易に行うこと
ができる。そのような粒子において、Ｎ１５が、天然存
在度よりも約１桁大きい約２％であると測定された。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ジョフレイ ジョン デービス 南アフリカ国トランスバール，ランドバー グ，リンデン エクスト．，バウンダリィ ロード 36 (72)発明者 ロバート チャールズ バーンズ 南アフリカ国トランスバール，ノースクリ フ，ロス エンジェルズ ドライブ 15
Claims (18)
- 【請求項１】 ダイヤモンド及び立方晶系窒化ホウ素か
ら選ばれる合成超硬研磨粒子において、元素の２以上の
安定な同位体をそれらの同位体が自然界に存在する比と
は異なる比で含有することを特徴とする粒子。 - 【請求項２】 前記元素が窒素であり、前記同位体がＮ
１４及びＮ１５である、請求項１に記載の粒子。 - 【請求項３】 前記元素がニッケルであり、前記同位体
がＮｉ５８、Ｎｉ６０、Ｎｉ６１、Ｎｉ６２及びＮｉ６
４から選ばれる、請求項１に記載の粒子。 - 【請求項４】 前記元素が鉄であり、前記同位体がＦｅ
５４、Ｆｅ５６、Ｆｅ５７及びＦｅ５８から選ばれる、
請求項１に記載の粒子。 - 【請求項５】 請求項１に記載の超硬研磨粒子を製造す
る方法であって、前記研磨粒子のための原料物質及び触
媒／溶媒を含有する反応物を受容する反応容器を装備す
る工程と、自然界に同位体が存在する比とは異なる比で
存在する、元素の２以上の安定な同位体の存在下で該研
磨粒子が結晶学的に安定である高温及び高圧状態に該反
応物を置く工程とを含む方法。 - 【請求項６】 前記研磨粒子がダイヤモンドで、前記元
素が窒素であり、自然界に存在する比とは異なるＮ１４
／Ｎ１５比を有する窒素ガスを反応容器内に導入し、次
いで前記反応物を高温及び高圧状態に置く、請求項５に
記載の方法。 - 【請求項７】 前記元素が窒素であり、自然界に存在す
る比とは異なるＮ１４／Ｎ１５比を有する窒素含有化合
物が前記反応物に含まれる、請求項５に記載の方法。 - 【請求項８】 前記窒素含有化合物を前記原料物質及び
触媒／溶媒と混合する、請求項７に記載の方法。 - 【請求項９】 前記窒素含有化合物が窒化鉄、窒化リチ
ウム及び窒化カルシウムから選ばれる無機化合物であ
る、請求項７又は８に記載の方法。 - 【請求項１０】 前記窒素含有化合物がヘキサメチレン
テトラミン、尿素、ピペラジン及び１、２、４−トリア
ゾールから選ばれる有機化合物である、請求項７又は８
に記載の方法。 - 【請求項１１】 前記元素が窒素であり、かつ前記反応
物中の触媒／溶媒を窒素１５濃縮の窒化ガスを使用して
窒化する、請求項７又は８に記載の方法。 - 【請求項１２】 前記元素が溶媒／触媒元素であり、該
元素を前記反応物の触媒／溶媒中に含ませる、請求項５
に記載の方法。 - 【請求項１３】 前記研磨粒子がダイヤモンドで、前記
元素がニッケルである、請求項１２に記載の方法。 - 【請求項１４】 ニッケルの同位体がＮｉ５８、Ｎｉ６
０、Ｎｉ６１、Ｎｉ６２及びＮｉ６４から選ばれる、請
求項１３に記載の方法。 - 【請求項１５】 前記研磨粒子がダイヤモンドで、前記
元素が鉄である、請求項１２に記載の方法。 - 【請求項１６】 鉄の同位元素がＦｅ５４、Ｆｅ５６、
Ｆｅ５７、Ｆｅ５８から選ばれる、請求項１５に記載の
方法。 - 【請求項１７】 前記触媒／溶媒が前記元素でドーピン
グされる、請求項５に記載の方法。 - 【請求項１８】 前記元素がホウ素、クロム、ケイ素、
バナジウム、マグネシウム、カルシウム、チタン、及び
希土類金属から選ばれる、請求項１７に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| ZA91/8165 | 1991-10-14 | ||
| ZA918165 | 1991-10-14 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05214319A true JPH05214319A (ja) | 1993-08-24 |
Family
ID=67210363
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4275946A Pending JPH05214319A (ja) | 1991-10-14 | 1992-10-14 | 超硬研磨粒子及びその製造方法 |
Country Status (9)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5401283A (ja) |
| EP (1) | EP0537976B1 (ja) |
| JP (1) | JPH05214319A (ja) |
| KR (1) | KR930007804A (ja) |
| AT (1) | ATE154382T1 (ja) |
| CA (1) | CA2079665A1 (ja) |
| DE (1) | DE69220320T2 (ja) |
| TW (1) | TW242158B (ja) |
| ZA (1) | ZA927268B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009501120A (ja) * | 2005-07-13 | 2009-01-15 | ザッハトレーベン ヒェミー ゲゼルシヤフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 標識化された無機添加剤 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5593783A (en) * | 1994-06-17 | 1997-01-14 | Advanced Technology Materials, Inc. | Photochemically modified diamond surfaces, and method of making the same |
| US6652004B1 (en) * | 1999-08-03 | 2003-11-25 | Michael R. Lam | Item made from combination of rare and common materials and method of making the same |
| US7368710B2 (en) * | 2000-02-09 | 2008-05-06 | Xceleron Limited | Sample preparation method |
| KR101240785B1 (ko) | 2003-12-12 | 2013-03-07 | 엘리멘트 식스 리미티드 | 화학적 증착 다이아몬드에 마크를 통합시키는 방법 |
| AU2004303615A1 (en) † | 2003-12-12 | 2005-07-07 | Element Six Limited | Method of incorporating a mark in CVD diamond |
| US9242342B2 (en) | 2012-03-14 | 2016-01-26 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Manufacture and method of making the same |
| CN103877914B (zh) * | 2014-04-01 | 2016-01-27 | 山东建筑大学 | 高强度细颗粒立方氮化硼单晶及其合成方法和应用 |
| CN105326509B (zh) * | 2015-10-16 | 2018-10-26 | 同济大学 | 一种指纹显现磁性粉及其制备方法与应用 |
| CN105411598B (zh) * | 2015-11-30 | 2018-08-24 | 同济大学 | 一种TiO2/C强化指纹显现磁性粉及其制备方法与应用 |
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|---|---|---|---|---|
| US3779726A (en) * | 1969-03-07 | 1973-12-18 | Norton Co | A method of making a metal impregnated grinding tool |
| US4062660A (en) * | 1973-04-16 | 1977-12-13 | Nicholas Michael G | Method of producing nickel coated diamond particles |
| JPS5061413A (ja) * | 1973-10-01 | 1975-05-27 | ||
| US4188194A (en) * | 1976-10-29 | 1980-02-12 | General Electric Company | Direct conversion process for making cubic boron nitride from pyrolytic boron nitride |
| IE47393B1 (en) * | 1977-09-12 | 1984-03-07 | De Beers Ind Diamond | Abrasive materials |
| SU1039397A1 (ru) * | 1982-01-07 | 1988-11-07 | Научно-исследовательский институт ядерной физики при Томском политехническом институте | Устройство дл создани радиоактивных алмазных индикаторов |
| US4610699A (en) * | 1984-01-18 | 1986-09-09 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Hard diamond sintered body and the method for producing the same |
| EP0243825B1 (en) * | 1986-04-17 | 1994-01-05 | Sumitomo Electric Industries Limited | Wire incrusted with abrasive grain and method for producing the same |
| JPS637269A (ja) * | 1986-06-24 | 1988-01-13 | Brother Ind Ltd | 焼結用加熱炉 |
| AU634601B2 (en) * | 1989-12-11 | 1993-02-25 | General Electric Company | Single-crystal diamond of very high thermal conductivity |
| US5173089A (en) * | 1990-03-30 | 1992-12-22 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method for producing the polycrystalline diamond tool |
-
1992
- 1992-09-23 ZA ZA927268A patent/ZA927268B/xx unknown
- 1992-09-30 TW TW081107774A patent/TW242158B/zh active
- 1992-10-01 CA CA002079665A patent/CA2079665A1/en not_active Abandoned
- 1992-10-13 DE DE69220320T patent/DE69220320T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1992-10-13 KR KR1019920018792A patent/KR930007804A/ko not_active Withdrawn
- 1992-10-13 AT AT92309298T patent/ATE154382T1/de active
- 1992-10-13 EP EP92309298A patent/EP0537976B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1992-10-14 JP JP4275946A patent/JPH05214319A/ja active Pending
-
1993
- 1993-10-14 US US08/136,493 patent/US5401283A/en not_active Expired - Fee Related
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| JP2009501120A (ja) * | 2005-07-13 | 2009-01-15 | ザッハトレーベン ヒェミー ゲゼルシヤフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 標識化された無機添加剤 |
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