JPH06154578A - ダイヤモンド合成用反応容器 - Google Patents
ダイヤモンド合成用反応容器Info
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- JPH06154578A JPH06154578A JP4185170A JP18517092A JPH06154578A JP H06154578 A JPH06154578 A JP H06154578A JP 4185170 A JP4185170 A JP 4185170A JP 18517092 A JP18517092 A JP 18517092A JP H06154578 A JPH06154578 A JP H06154578A
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 大きな結晶のダイヤモンドを合成するのに用
いられる反応容器。 【構成】 反応領域及びその反応領域中に位置する反応
物質を含むダイヤモンド結晶製造用反応容器であって、
前記反応物質が表面中又は表面上に位置する複数の種子
粒子と、ダイヤモンド合成のための金属触媒／溶媒の集
合物によって前記種子粒子から分離された炭素源からな
り、前記複合物が炭素に富む金属触媒／溶媒の領域と炭
素に乏しい金属触媒／溶媒の領域との交互になったもの
からなるダイヤモンド結晶製造用反応容器。
いられる反応容器。 【構成】 反応領域及びその反応領域中に位置する反応
物質を含むダイヤモンド結晶製造用反応容器であって、
前記反応物質が表面中又は表面上に位置する複数の種子
粒子と、ダイヤモンド合成のための金属触媒／溶媒の集
合物によって前記種子粒子から分離された炭素源からな
り、前記複合物が炭素に富む金属触媒／溶媒の領域と炭
素に乏しい金属触媒／溶媒の領域との交互になったもの
からなるダイヤモンド結晶製造用反応容器。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ダイヤモンド合成に関
する。
する。
【０００２】
【従来の技術】高圧／高温法を用いたダイヤモンド合成
は、商業的に非常によく確立されるようになってきてい
る。その方法には、適当な触媒／溶媒の存在下で炭素状
態図のダイヤモンド安定領域内の温度及び圧力に炭素源
を曝すことを含んでいる。ダイヤモンド合成で有用な触
媒／溶媒はよく知られており、周期律表第VIII族の金属
を含んでいる。
は、商業的に非常によく確立されるようになってきてい
る。その方法には、適当な触媒／溶媒の存在下で炭素状
態図のダイヤモンド安定領域内の温度及び圧力に炭素源
を曝すことを含んでいる。ダイヤモンド合成で有用な触
媒／溶媒はよく知られており、周期律表第VIII族の金属
を含んでいる。
【０００３】ダイヤモンドを合成する最も商業的な方法
は小さな又は比較的小さな粒子を生ずるが、遥かに大き
なダイヤモンドを生成させる方法も知られている。これ
らの方法は一般に反応容器内でダイヤモンドを生成させ
ることを含んでおり、その場合、合成中、ダイヤモンド
種子材料と炭素源との間に予め定められた温度勾配が生
ずるように、ダイヤモンド種子材料が金属触媒／溶媒の
集合物(mass)によって実質的に純粋な炭素源から分離さ
れている。ダイヤモンド種子材料は、反応媒体の温度が
最低値に近くなるような点の所に存在し、一方、炭素源
は温度がその最大値に近くなる点に配置されている。ダ
イヤモンド核生成抑制物質及び（又は）分離用材料の層
を、金属触媒／溶媒の集合物とダイヤモンド種子材料と
の間に挿入する。これに関し、例として米国特許第4,34
0,576 号、第4,073,380 号、第4,034,066 号、第4,301,
134 号、第3,297,407 号、第4,322,396 号、及び第4,28
7,168 号明細書の記載を参照されたい。
は小さな又は比較的小さな粒子を生ずるが、遥かに大き
なダイヤモンドを生成させる方法も知られている。これ
らの方法は一般に反応容器内でダイヤモンドを生成させ
ることを含んでおり、その場合、合成中、ダイヤモンド
種子材料と炭素源との間に予め定められた温度勾配が生
ずるように、ダイヤモンド種子材料が金属触媒／溶媒の
集合物(mass)によって実質的に純粋な炭素源から分離さ
れている。ダイヤモンド種子材料は、反応媒体の温度が
最低値に近くなるような点の所に存在し、一方、炭素源
は温度がその最大値に近くなる点に配置されている。ダ
イヤモンド核生成抑制物質及び（又は）分離用材料の層
を、金属触媒／溶媒の集合物とダイヤモンド種子材料と
の間に挿入する。これに関し、例として米国特許第4,34
0,576 号、第4,073,380 号、第4,034,066 号、第4,301,
134 号、第3,297,407 号、第4,322,396 号、及び第4,28
7,168 号明細書の記載を参照されたい。
【０００４】欧州特許公告第0290044 号には、温度勾配
法により８mm以上の直径を有する大きなダイヤモンドを
合成する方法が記載されており、その場合、直径３mm以
上の種子結晶の（１１１）又は（１００）面が成長表面
として用いられている。成長する表面の全領域は、最初
ダイヤモンド安定領域内で溶解され、然る後、結晶成長
が開始される。結晶成長は、中心部分の高さが周辺部分
の高さよりも高くなった溶媒のプラグ(plug)を用いて行
われる。溶媒のプラグは或る量の添加炭素を含んでいて
もよい。
法により８mm以上の直径を有する大きなダイヤモンドを
合成する方法が記載されており、その場合、直径３mm以
上の種子結晶の（１１１）又は（１００）面が成長表面
として用いられている。成長する表面の全領域は、最初
ダイヤモンド安定領域内で溶解され、然る後、結晶成長
が開始される。結晶成長は、中心部分の高さが周辺部分
の高さよりも高くなった溶媒のプラグ(plug)を用いて行
われる。溶媒のプラグは或る量の添加炭素を含んでいて
もよい。
【０００５】特公昭 61-2631号公報には、反応容器中で
大きな結晶ダイヤモンドを製造する方法が記載されてお
り、その場合、ダイヤモンド種子は触媒／溶媒の層によ
って炭素源から分離されている。種子結晶溶解を最少に
するため、炭素を触媒／溶媒の層に反応条件下で触媒／
溶媒の飽和炭素量の80〜120 ％の量で添加する。
大きな結晶ダイヤモンドを製造する方法が記載されてお
り、その場合、ダイヤモンド種子は触媒／溶媒の層によ
って炭素源から分離されている。種子結晶溶解を最少に
するため、炭素を触媒／溶媒の層に反応条件下で触媒／
溶媒の飽和炭素量の80〜120 ％の量で添加する。
【０００６】〔本発明の要約〕本発明によれば、ダイヤ
モンド結晶を製造する際に用いられる反応容器は、反応
領域、及びその反応領域内に位置する反応物質を含み、
前記反応物質は表面中又は表面上に配置された複数の種
子粒子及びダイヤモンド合成のための金属触媒／溶媒の
集合物により種子粒子から分離された炭素源からなり、
前記集合物は炭素に富む金属触媒／溶媒の領域及び炭素
に乏しい金属触媒／溶媒の領域とが交互になったものか
らなる。そのような集合物は、種子粒子から離れている
炭素源側で、そのような源と接触させて与えられるのも
好ましい。
モンド結晶を製造する際に用いられる反応容器は、反応
領域、及びその反応領域内に位置する反応物質を含み、
前記反応物質は表面中又は表面上に配置された複数の種
子粒子及びダイヤモンド合成のための金属触媒／溶媒の
集合物により種子粒子から分離された炭素源からなり、
前記集合物は炭素に富む金属触媒／溶媒の領域及び炭素
に乏しい金属触媒／溶媒の領域とが交互になったものか
らなる。そのような集合物は、種子粒子から離れている
炭素源側で、そのような源と接触させて与えられるのも
好ましい。
【０００７】更に本発明によるダイヤモンド粒子製造方
法は、高温／高圧装置の反応領域内に上述の型の反応容
器を入れ、反応物質を炭素状態図のダイヤモンド安定領
域内の上昇させた温度及び圧力条件にかけ、種子粒子と
炭素源との間に温度勾配を生じさせ、前記種子粒子がそ
の温度勾配の最低温度値に近い点に位置し、前記炭素源
がその温度勾配の最高温度値に近い点に位置するように
し、そして種子粒子上にダイヤモンド結晶、好ましくは
大きなダイヤモンド結晶を生じさせるのに充分な時間そ
れらの条件を維持する諸工程からなる。
法は、高温／高圧装置の反応領域内に上述の型の反応容
器を入れ、反応物質を炭素状態図のダイヤモンド安定領
域内の上昇させた温度及び圧力条件にかけ、種子粒子と
炭素源との間に温度勾配を生じさせ、前記種子粒子がそ
の温度勾配の最低温度値に近い点に位置し、前記炭素源
がその温度勾配の最高温度値に近い点に位置するように
し、そして種子粒子上にダイヤモンド結晶、好ましくは
大きなダイヤモンド結晶を生じさせるのに充分な時間そ
れらの条件を維持する諸工程からなる。
【０００８】〔好ましい態様についての記述〕種子材料
はダイヤモンド種子材料であるのが好ましい。ダイヤモ
ンド種子材料は、ダイヤモンド成長が主に種子の｛１１
１｝又は｛１００｝面上で行われるように配向していて
もよい。
はダイヤモンド種子材料であるのが好ましい。ダイヤモ
ンド種子材料は、ダイヤモンド成長が主に種子の｛１１
１｝又は｛１００｝面上で行われるように配向していて
もよい。
【０００９】本発明は、比較的大きなダイヤモンド、例
えば少なくとも0.1 カラットの石を、効果的で経済的な
仕方で製造することができる。特に、この大きくて良好
な品質のダイヤモンドを15〜20時間で製造することがで
きることが判明している。
えば少なくとも0.1 カラットの石を、効果的で経済的な
仕方で製造することができる。特に、この大きくて良好
な品質のダイヤモンドを15〜20時間で製造することがで
きることが判明している。
【００１０】金属触媒／溶媒の集合物は、炭素に富む金
属触媒／溶媒の領域と、炭素に乏しい金属触媒／溶媒の
領域とが交互になったものからなる。典型的には、炭素
に富む領域は約3.5 〜５、好ましくは約4.5 重量％の炭
素濃度を有する。炭素に乏しい領域は、実質的に炭素を
全く含まず、即ち、含まれる炭素は400ppmより少ないの
が典型的である。炭素は金属触媒／溶媒中に溶解する
か、又はとれと混合してもよい。この構成により、種子
がダイヤモンドである場合、認め得る程の種子粒子の溶
解を何等起こすことなく、種子粒子上に良好な品質のダ
イヤモンドを成長させることができることが見出されて
いる。
属触媒／溶媒の領域と、炭素に乏しい金属触媒／溶媒の
領域とが交互になったものからなる。典型的には、炭素
に富む領域は約3.5 〜５、好ましくは約4.5 重量％の炭
素濃度を有する。炭素に乏しい領域は、実質的に炭素を
全く含まず、即ち、含まれる炭素は400ppmより少ないの
が典型的である。炭素は金属触媒／溶媒中に溶解する
か、又はとれと混合してもよい。この構成により、種子
がダイヤモンドである場合、認め得る程の種子粒子の溶
解を何等起こすことなく、種子粒子上に良好な品質のダ
イヤモンドを成長させることができることが見出されて
いる。
【００１１】炭素に富む領域と炭素に乏しい領域との組
合せ中の触媒／溶媒中の炭素濃度は、3.7 〜4.0 重量％
の範囲にあるのが好ましい。この範囲の炭素濃度は、良
好な品質の大きな結晶のダイヤモンドを生成するのみな
らず、そのようなダイヤモンドを商業的に魅力のある収
率で与えることが判明している。
合せ中の触媒／溶媒中の炭素濃度は、3.7 〜4.0 重量％
の範囲にあるのが好ましい。この範囲の炭素濃度は、良
好な品質の大きな結晶のダイヤモンドを生成するのみな
らず、そのようなダイヤモンドを商業的に魅力のある収
率で与えることが判明している。
【００１２】種子粒子は、ワンダーストーン(wondersto
ne）、マグネサイト、塩化ナトリウム、又はＨＢＮの如
き材料から作られた当て物の表面上又は中に位置してい
るのが典型的であろう。
ne）、マグネサイト、塩化ナトリウム、又はＨＢＮの如
き材料から作られた当て物の表面上又は中に位置してい
るのが典型的であろう。
【００１３】本発明の一つの態様を、次に図面を参照し
て記述する。図面に関し、そこには加熱器12を取り巻く
ワンダーストーンから作られた外側スリーブ10及びワン
ダーストーンのスリーブ14を有する反応容器が示されて
いる。ワンダーストーンの端部蓋16が、そのスリーブ組
立体の中に反応領域を囲むように与えられている。
て記述する。図面に関し、そこには加熱器12を取り巻く
ワンダーストーンから作られた外側スリーブ10及びワン
ダーストーンのスリーブ14を有する反応容器が示されて
いる。ワンダーストーンの端部蓋16が、そのスリーブ組
立体の中に反応領域を囲むように与えられている。
【００１４】反応領域内には、ダイヤモンド合成に必要
な材料が入れられている。これらの材料には、触媒／溶
媒の二つの集合物18及び20が含まれている。これら二つ
の集合物の間に炭素源、典型的には、微細にされたダイ
ヤモンド又は黒鉛又はそれらの混合物からなる物体22が
挟まれている。ダイヤモンド種子結晶24は当て物28の上
表面26中に部分的に埋められているか、その表面上に置
かれている。種子材料は表面26中に形成されたへこみ又
は凹所中に位置させてもよい。種子結晶24は、希望の又
は選択された面が集合物20に与えられるように表面26の
上又は中に配置してもよい。当て物28はワンダーストー
ン当て物であるのが典型的である。
な材料が入れられている。これらの材料には、触媒／溶
媒の二つの集合物18及び20が含まれている。これら二つ
の集合物の間に炭素源、典型的には、微細にされたダイ
ヤモンド又は黒鉛又はそれらの混合物からなる物体22が
挟まれている。ダイヤモンド種子結晶24は当て物28の上
表面26中に部分的に埋められているか、その表面上に置
かれている。種子材料は表面26中に形成されたへこみ又
は凹所中に位置させてもよい。種子結晶24は、希望の又
は選択された面が集合物20に与えられるように表面26の
上又は中に配置してもよい。当て物28はワンダーストー
ン当て物であるのが典型的である。
【００１５】集合物18、20は本質的に同じであり、炭素
に富む触媒／溶媒の領域と、炭素に乏しい触媒／溶媒の
領域とが交互になった領域からなる。炭素に富む領域は
二つの層30からなるが、炭素に乏しい領域は一つの層か
らなる。それらの層、従って、それらの領域は全て、表
面26及び炭素源22に平行か、又は実質的に平行に横たわ
っていることが認められる。更に集合物20では、炭素に
富む層30はダイヤモンド種子に接触している。
に富む触媒／溶媒の領域と、炭素に乏しい触媒／溶媒の
領域とが交互になった領域からなる。炭素に富む領域は
二つの層30からなるが、炭素に乏しい領域は一つの層か
らなる。それらの層、従って、それらの領域は全て、表
面26及び炭素源22に平行か、又は実質的に平行に横たわ
っていることが認められる。更に集合物20では、炭素に
富む層30はダイヤモンド種子に接触している。
【００１６】交互になった領域は別の形、例えば、各領
域がその隣のものと同心的に湾曲していてもよい。
域がその隣のものと同心的に湾曲していてもよい。
【００１７】炭素に富む層30は、4.5 重量％の炭素を含
むのが典型的であり、それは触媒／溶媒と混合されてい
るのが好ましい。炭素に乏しい層は、典型的には実質的
に炭素を全く含まず、即ち、含まれる炭素は400ppmより
少ない。
むのが典型的であり、それは触媒／溶媒と混合されてい
るのが好ましい。炭素に乏しい層は、典型的には実質的
に炭素を全く含まず、即ち、含まれる炭素は400ppmより
少ない。
【００１８】金属触媒／溶媒は、当分野で既知の多くの
金属又は合金のいずれでもよい。好ましい触媒／溶媒は
コバルト鉄合金であり、典型的には、65重量％のコバル
ト及び35重量％の鉄を含むものである。
金属又は合金のいずれでもよい。好ましい触媒／溶媒は
コバルト鉄合金であり、典型的には、65重量％のコバル
ト及び35重量％の鉄を含むものである。
【００１９】使用する際、反応容器を慣用的高圧／高温
装置の反応領域中に入れる。反応領域の圧力を増大し、
然る後、温度を上昇させて、反応の領域内の条件が炭素
状態図のダイヤモンド安定領域内に入るようにする。典
型的な適用圧力は50〜70キロバールであり、典型的な適
用温度は1450〜〜1650℃である。これらの条件で集合物
20中に温度勾配が生じ、この勾配の高い方の温度が炭素
源の領域にあり、この勾配の最も低い温度が種子結晶の
領域内にあるようにする。上昇させた温度及び圧力条件
を数時間、典型的には、15〜20時間維持する。この時間
中、炭素源材料は集合物20中に溶解し、種子結晶の方へ
拡散する。この炭素溶解期間中、種子結晶の大きな溶解
は起きないことが判明している。拡散する炭素は、種子
結晶に到達し、良好な品質のダイヤモンド成長が種子結
晶の上で起きるようにする。更に、これは、従来法で一
般に必要になっているような核生成抑制層、又は障壁層
を用いることなく行われることに注意すべきである。
装置の反応領域中に入れる。反応領域の圧力を増大し、
然る後、温度を上昇させて、反応の領域内の条件が炭素
状態図のダイヤモンド安定領域内に入るようにする。典
型的な適用圧力は50〜70キロバールであり、典型的な適
用温度は1450〜〜1650℃である。これらの条件で集合物
20中に温度勾配が生じ、この勾配の高い方の温度が炭素
源の領域にあり、この勾配の最も低い温度が種子結晶の
領域内にあるようにする。上昇させた温度及び圧力条件
を数時間、典型的には、15〜20時間維持する。この時間
中、炭素源材料は集合物20中に溶解し、種子結晶の方へ
拡散する。この炭素溶解期間中、種子結晶の大きな溶解
は起きないことが判明している。拡散する炭素は、種子
結晶に到達し、良好な品質のダイヤモンド成長が種子結
晶の上で起きるようにする。更に、これは、従来法で一
般に必要になっているような核生成抑制層、又は障壁層
を用いることなく行われることに注意すべきである。
【００２０】種子材料上に生成したダイヤモンドの大き
さは、上昇させた温度及び圧力条件が維持される時間及
び種子の数に従って変化する。
さは、上昇させた温度及び圧力条件が維持される時間及
び種子の数に従って変化する。
【００２１】良好な品質の大きな結晶のダイヤモンドが
良好な収率で、上に記載し、図面に例示した反応容器を
用い、表Ｉに記載した触媒／溶媒中の種々の炭素濃度を
用いて製造された。触媒／溶媒はコバルト／鉄（65／35
重量％）合金であった。
良好な収率で、上に記載し、図面に例示した反応容器を
用い、表Ｉに記載した触媒／溶媒中の種々の炭素濃度を
用いて製造された。触媒／溶媒はコバルト／鉄（65／35
重量％）合金であった。
【００２２】
【表１】 表Ｉ 平均炭素濃度（重量％)(飽和に対する％） 集合物20 集合物18 全体 3.78(87.9) 3.78(87.9) 3.78(87.9) 3.82(88.8) 3.86(89.5) 3.85(89.5) 3.83(89.1) 3.86(89.8) 3.85(89.5)
【００２３】上の記載で「平均炭素濃度（重量％）」と
は、炭素に富む層と炭素に乏しい層の組合せの中の触媒
／溶媒中の炭素の濃度を意味する。更に「飽和」とは、
反応条件下で触媒／溶媒に飽和する炭素濃度を意味す
る。
は、炭素に富む層と炭素に乏しい層の組合せの中の触媒
／溶媒中の炭素の濃度を意味する。更に「飽和」とは、
反応条件下で触媒／溶媒に飽和する炭素濃度を意味す
る。
【００２４】対照的に、飽和の32.6％及び飽和の93.7％
の炭素濃度を用いると、良好な品質の大きな結晶のダイ
ヤモンドの生成又は商業的に魅力のある収率で生成させ
ることはできなかった。
の炭素濃度を用いると、良好な品質の大きな結晶のダイ
ヤモンドの生成又は商業的に魅力のある収率で生成させ
ることはできなかった。
【００２５】同じ触媒／溶媒を用い、種々の他の平均炭
素濃度を用いた他の一連の実験では、3.7 重量％より低
い全集合物18、20の平均炭素濃度では、生成した良好な
品質の大きなダイヤモンド結晶の％は著しく低下し、4.
0 重量％より大きな平均炭素濃度では、大きな結晶のダ
イヤモンドの収率は商業的に魅力のないものであること
が判明した。これらの実験の結果を表IIに記載する。
素濃度を用いた他の一連の実験では、3.7 重量％より低
い全集合物18、20の平均炭素濃度では、生成した良好な
品質の大きなダイヤモンド結晶の％は著しく低下し、4.
0 重量％より大きな平均炭素濃度では、大きな結晶のダ
イヤモンドの収率は商業的に魅力のないものであること
が判明した。これらの実験の結果を表IIに記載する。
【表２】 表II 平均炭素濃度（重量％) ダイヤモンド成長％ 石品質の評価数 (集合物20、18) 3.91 100 205 3.71 100 188 3.63 85 非常に少ない 3.50 80 非常に少ない 3.36 50 非常に少ない 3.06 41 非常に少ない 3.91 100 208 3.96 100 227 4.01 100 218 4.1 100 139
【図１】本発明の反応容器の一態様の断面図である。
10 外側スリーブ 12 加熱器 14 スリーブ 16 蓋 18 触媒／溶媒の集合物 20 触媒／溶媒の集合物 22 炭素源 24 種子 28 当て物 30 炭素に富む層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 デニス レオナルド ウェルチ 南アフリカ国トランスバール，クルガーズ ドルフ，ウェントワース パーク，メイン リーフ ロード 424
Claims (15)
- 【請求項１】 反応領域及びその反応領域中に位置する
反応物質を含むダイヤモンド結晶製造用反応容器であっ
て、前記反応物質が、表面中又は表面上に位置する複数
の種子粒子と、ダイヤモンド合成のための金属触媒／溶
媒の集合物によって前記種子粒子から分離された炭素源
からなり、前記集合物が炭素に富む金属触媒／溶媒の領
域と炭素に乏しい金属触媒／溶媒の領域との交互になっ
た領域からなるダイヤモンド結晶製造用反応容器。 - 【請求項２】 交互になった領域が、種子粒子が中又は
上に位置している表面に対し平行又は実質的に平行に横
たわっている請求項１に記載の反応容器。 - 【請求項３】 ダイヤモンド合成のための金属触媒／溶
媒の集合物が、炭素源の、種子粒子とは反対側の上に与
えられ、前記源と接触しており、前記金属触媒／溶媒の
集合物が、炭素に富む金属触媒／溶媒の領域と、炭素に
乏しい金属触媒／溶媒の領域とが交互になったものから
なる請求項１又は２に記載の反応容器。 - 【請求項４】 炭素に富む領域が約3.5 〜５重量％の炭
素濃度を有する請求項１〜３のいずれか１項に記載の反
応容器。 - 【請求項５】 炭素に乏しい領域が、炭素が400ppmより
少ない炭素濃度を有する請求項１〜４のいずれか１項に
記載の反応容器。 - 【請求項６】 炭素が金属触媒／溶媒中に溶解される
か、又はそれと混合されている請求項１〜５のいずれか
１項に記載の反応容器。 - 【請求項７】 炭素に富む領域と炭素に乏しい領域との
組合せ中の金属触媒／溶媒の炭素濃度が3.7 〜4.0 重量
％の範囲にある請求項１〜６のいずれか１項に記載の反
応容器。 - 【請求項８】 種子粒子がダイヤモンド種子粒子である
請求項１〜７のいずれか１項に記載の反応容器。 - 【請求項９】 ダイヤモンド種子粒子が、それら粒子の
主に｛１１１｝又は｛１００｝面上にダイヤモンド成長
が行われるように配向されている請求項８に記載の反応
容器。 - 【請求項１０】 金属触媒／溶媒がコバルト／鉄合金で
ある請求項１〜９のいずれか１項に記載の反応容器。 - 【請求項１１】 コバルト／鉄合金が65重量％のコバル
ト及び35重量％の鉄を含む請求項10に記載の反応容器。 - 【請求項１２】 高温／高圧装置の反応領域内に請求項
１〜11のいずれか１項に記載の反応容器を入れ、反応物
体を炭素状態図のダイヤモンド安定領域内の温度及び圧
力条件にかけ、種子粒子と炭素源との間に温度勾配を生
じさせ、前記種子粒子がその温度勾配の最低温度値に近
い点に位置し、前記炭素源がその温度勾配の最高温度値
に近い点に位置するようにし、そして種子粒子上にダイ
ヤモンド結晶を生ずるのに充分な時間それらの条件を維
持する諸工程からなるダイヤモンド結晶製造方法。 - 【請求項１３】 温度及び圧力条件が、少なくとも0.1
カラットの石のダイヤモンド結晶を生ずるのに充分な時
間維持される請求項12に記載の方法。 - 【請求項１４】 反応物体にかける温度が1450〜1650℃
の範囲にあり、圧力が50〜70キロバールの範囲にある請
求項12又は13に記載の方法。 - 【請求項１５】 上昇させた温度及び圧力条件を15〜20
時間維持する請求項12〜14のいずれか１項に記載の方
法。
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