JPH05215607A - フォトダイオードアレイ - Google Patents
フォトダイオードアレイInfo
- Publication number
- JPH05215607A JPH05215607A JP4162656A JP16265692A JPH05215607A JP H05215607 A JPH05215607 A JP H05215607A JP 4162656 A JP4162656 A JP 4162656A JP 16265692 A JP16265692 A JP 16265692A JP H05215607 A JPH05215607 A JP H05215607A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photodiode
- integrator
- signal
- charge
- dump
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J3/00—Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
- G01J3/28—Investigating the spectrum
- G01J3/2803—Investigating the spectrum using photoelectric array detector
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/42—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
- G01J1/44—Electric circuits
- G01J1/46—Electric circuits using a capacitor
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/50—Control of the SSIS exposure
- H04N25/57—Control of the dynamic range
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/42—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
- G01J1/44—Electric circuits
- G01J2001/4446—Type of detector
- G01J2001/446—Photodiode
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Spectrometry And Color Measurement (AREA)
- Facsimile Heads (AREA)
- Analogue/Digital Conversion (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 スペクトル歪を回避し、相関ノイズ源を完全
に補償してS/N比を向上させ、クロマトグラフ分析に
おける定量結果を改善させる。 【構成】 複数の nチャネルからなるフォトダイオード
アレイであり、各チャネルは、電流源2として働くよう
に逆バイアスされたフォトダイオード(以下PD)1を有
し、このPD1により供給された光電流Iphを表す即ちP
D1への入射光の強度を表すデジタル出力信号DATAを供
給するA/D変換器を含む。A/D変換器は、可調整電流源
5、積分回路3,4、積分回路の出力信号Voutを所定信号
Vthresholdと比較するコンパレータ7、コンパレータ7
の出力信号Vcompに応じて電流源5 を制御してVout を
或る範囲内に保つ論理回路6からなる。電流源5は好適に
は積分回路3,4 との間での電荷のダンプという形態で電
流を供給する。一方向のダンプ数がカウンタ8によりカ
ウントされて光電流Iphのデジタル測定値となる。
に補償してS/N比を向上させ、クロマトグラフ分析に
おける定量結果を改善させる。 【構成】 複数の nチャネルからなるフォトダイオード
アレイであり、各チャネルは、電流源2として働くよう
に逆バイアスされたフォトダイオード(以下PD)1を有
し、このPD1により供給された光電流Iphを表す即ちP
D1への入射光の強度を表すデジタル出力信号DATAを供
給するA/D変換器を含む。A/D変換器は、可調整電流源
5、積分回路3,4、積分回路の出力信号Voutを所定信号
Vthresholdと比較するコンパレータ7、コンパレータ7
の出力信号Vcompに応じて電流源5 を制御してVout を
或る範囲内に保つ論理回路6からなる。電流源5は好適に
は積分回路3,4 との間での電荷のダンプという形態で電
流を供給する。一方向のダンプ数がカウンタ8によりカ
ウントされて光電流Iphのデジタル測定値となる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、請求項1の序文に基づ
くフォトダイオードアレイに関するものである。フォト
ダイオードアレイは、一般には、個々の感光素子が捕ら
えた光の強度を表す出力信号を発生する、感光素子の線
形配列である。フォトダイオードアレイは、例えば、分
析すべきサンプルを通り、その後、回折格子によって回
折された光を検出する分光光度計に用いられる。
くフォトダイオードアレイに関するものである。フォト
ダイオードアレイは、一般には、個々の感光素子が捕ら
えた光の強度を表す出力信号を発生する、感光素子の線
形配列である。フォトダイオードアレイは、例えば、分
析すべきサンプルを通り、その後、回折格子によって回
折された光を検出する分光光度計に用いられる。
【0002】
【従来の技術】フォトダイオードアレイを用いた分光光
度計は1984年4月の Hewlett-PackardJournal に掲載の
「A High-Speed Spectrophotometric LC Detector 」に
よって公知のものである。この公知の分光計は、クロマ
トグラフ用カラムから溶出する物質を分析するため、液
体クロマトグラフに用いられる。この分光計の場合、カ
ラムから溶出するサンプルが通るサンプルセルに、幅広
スペクトルの紫外線及び可視光線を透過させる。サンプ
ルセルの透過後、サンプル物質によって変更された放射
線のスペクトルが、異なる波長の光線を異なる方向に向
ける回折格子によって導き出される。フォトダイオード
の線形アレイは回折格子によって回折された光を受容す
るように配置される。従って、各ダイオードは、異なる
波長範囲に対応する光を受容する。
度計は1984年4月の Hewlett-PackardJournal に掲載の
「A High-Speed Spectrophotometric LC Detector 」に
よって公知のものである。この公知の分光計は、クロマ
トグラフ用カラムから溶出する物質を分析するため、液
体クロマトグラフに用いられる。この分光計の場合、カ
ラムから溶出するサンプルが通るサンプルセルに、幅広
スペクトルの紫外線及び可視光線を透過させる。サンプ
ルセルの透過後、サンプル物質によって変更された放射
線のスペクトルが、異なる波長の光線を異なる方向に向
ける回折格子によって導き出される。フォトダイオード
の線形アレイは回折格子によって回折された光を受容す
るように配置される。従って、各ダイオードは、異なる
波長範囲に対応する光を受容する。
【0003】上述の分光光度計に用いられているフォト
ダイオードアレイは、「自己走査フォトダイオードアレ
イ」タイプのものである。このような自己走査フォトダ
イオードアレイは、半導体材料上に形成され、複数のフ
ォトセルからなるものである。その各フォトセルは、感
光素子(フォトダイオード)と、フォトダイオードの接
合容量を表しまた半導体チップ上に別個に追加されるコ
ンデンサとから構成される。フォトセルは電子スイッチ
を介して共通出力ライン(ビデオライン)に接続され、
この出力線は更に外部電荷増幅器に接続されている。個
々のフォトセルのスイッチはシフトレジスタによって制
御され、そのシフトレジスタのクロック信号に従ってフ
ォトセルの順次読み出しが行われる。動作時には、最初
に一定値まで充電されているフォトセルのコンデンサ
は、光の入射時にフォトダイオードが生成する電流によ
って放電される。これらのコンデンサは周期的に初期値
まで再充電され、これにより、積分期間中にフォトダイ
オードに入射した光の量が、その転送された電荷の量に
よって表される。コンデンサの再充電は、アレイの一端
におけるフォトセルから始めてそのアレイの他端におけ
るフォトセルまで順次行われる。フォトセルへの電荷の
転送によって、電荷増幅器の出力における電圧に変化が
生じ、その結果、フォトダイオードにおける光の強度を
表す信号が発生する。次にこの信号が、アレイをなす全
てのフォトダイオードに共通のアナログデジタル(A/
D)変換器によって、デジタル信号に変換される。こう
して得られたデジタル信号は更にデータ処理手段によっ
て処理され、分析すべきサンプルに対応するスペクトル
を生成することが可能になる。
ダイオードアレイは、「自己走査フォトダイオードアレ
イ」タイプのものである。このような自己走査フォトダ
イオードアレイは、半導体材料上に形成され、複数のフ
ォトセルからなるものである。その各フォトセルは、感
光素子(フォトダイオード)と、フォトダイオードの接
合容量を表しまた半導体チップ上に別個に追加されるコ
ンデンサとから構成される。フォトセルは電子スイッチ
を介して共通出力ライン(ビデオライン)に接続され、
この出力線は更に外部電荷増幅器に接続されている。個
々のフォトセルのスイッチはシフトレジスタによって制
御され、そのシフトレジスタのクロック信号に従ってフ
ォトセルの順次読み出しが行われる。動作時には、最初
に一定値まで充電されているフォトセルのコンデンサ
は、光の入射時にフォトダイオードが生成する電流によ
って放電される。これらのコンデンサは周期的に初期値
まで再充電され、これにより、積分期間中にフォトダイ
オードに入射した光の量が、その転送された電荷の量に
よって表される。コンデンサの再充電は、アレイの一端
におけるフォトセルから始めてそのアレイの他端におけ
るフォトセルまで順次行われる。フォトセルへの電荷の
転送によって、電荷増幅器の出力における電圧に変化が
生じ、その結果、フォトダイオードにおける光の強度を
表す信号が発生する。次にこの信号が、アレイをなす全
てのフォトダイオードに共通のアナログデジタル(A/
D)変換器によって、デジタル信号に変換される。こう
して得られたデジタル信号は更にデータ処理手段によっ
て処理され、分析すべきサンプルに対応するスペクトル
を生成することが可能になる。
【0004】第2のタイプのフォトダイオードアレイ
は、いわゆる「ランダムアクセスフォトダイオードアレ
イ」である。これらの構造は、共通ビデオラインとそれ
に続く共通の電荷増幅器及びA/D変換器に接続された
複数のフォトセルから構成されているという点で自己走
査フォトダイオードアレイに類似している。自己走査フ
ォトダイオードアレイとの相違は、フォトセルのスイッ
チを制御する方法にある。即ち、シフトレジスタの代わ
りに、起動させるべきスイッチをランダムに選択してフ
ォトセルを任意の順序で選択できるようにすることが可
能なアドレスデコーダが用いられる。
は、いわゆる「ランダムアクセスフォトダイオードアレ
イ」である。これらの構造は、共通ビデオラインとそれ
に続く共通の電荷増幅器及びA/D変換器に接続された
複数のフォトセルから構成されているという点で自己走
査フォトダイオードアレイに類似している。自己走査フ
ォトダイオードアレイとの相違は、フォトセルのスイッ
チを制御する方法にある。即ち、シフトレジスタの代わ
りに、起動させるべきスイッチをランダムに選択してフ
ォトセルを任意の順序で選択できるようにすることが可
能なアドレスデコーダが用いられる。
【0005】第3のタイプのフォトダイオードアレイ
は、いわゆる「多素子フォトダイオードアレイ」であ
る。これらは、シリコンチップ上に線形配列された約5
0未満の多数のフォトダイオードから構成され、そのチ
ップ上にはそのフォトダイオードアレイを動作させる回
路が追加的に設けられていないのが普通である。各フォ
トダイオードの一方の側面はチップから直接引き出さ
れ、他方の側面はチップ上の基板に共通に接続されてい
る。これらのフォトダイオードアレイは2つのモードで
動作させることが可能である、即ち、第1のモードで
は、各フォトダイオードは、信号調整の働きをする演算
増幅器に接続される。これらの増幅器の出力信号は、時
間多重化されて共通のA/D変換器に供給される。増幅
器が各フォトセルに関連しているため、その構成は極め
て複雑となる。より単純な代替構成の場合には、フォト
ダイオードアレイと共通の演算増幅器との間にマルチプ
レクサが配置される。しかしながら、この構成では信号
の忠実度が損なわれる。
は、いわゆる「多素子フォトダイオードアレイ」であ
る。これらは、シリコンチップ上に線形配列された約5
0未満の多数のフォトダイオードから構成され、そのチ
ップ上にはそのフォトダイオードアレイを動作させる回
路が追加的に設けられていないのが普通である。各フォ
トダイオードの一方の側面はチップから直接引き出さ
れ、他方の側面はチップ上の基板に共通に接続されてい
る。これらのフォトダイオードアレイは2つのモードで
動作させることが可能である、即ち、第1のモードで
は、各フォトダイオードは、信号調整の働きをする演算
増幅器に接続される。これらの増幅器の出力信号は、時
間多重化されて共通のA/D変換器に供給される。増幅
器が各フォトセルに関連しているため、その構成は極め
て複雑となる。より単純な代替構成の場合には、フォト
ダイオードアレイと共通の演算増幅器との間にマルチプ
レクサが配置される。しかしながら、この構成では信号
の忠実度が損なわれる。
【0006】従って、多素子フォトダイオードアレイは
サンプリングモードで動作し、一方、自己走査及びラン
ダムアクセスフォトダイオードアレイは積分モードで動
作し、即ち、異なるフォトセルからの信号の処理時に、
フォトセルの光電流が蓄積される。
サンプリングモードで動作し、一方、自己走査及びラン
ダムアクセスフォトダイオードアレイは積分モードで動
作し、即ち、異なるフォトセルからの信号の処理時に、
フォトセルの光電流が蓄積される。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】積分モードで動作する
フォトダイオードアレイ、即ち、自己走査及びランダム
アクセスフォトダイオードアレイは、下記のスペクトル
歪と呼ばれる問題を生じるものである。
フォトダイオードアレイ、即ち、自己走査及びランダム
アクセスフォトダイオードアレイは、下記のスペクトル
歪と呼ばれる問題を生じるものである。
【0008】このスペクトル歪の問題は、分析すべきサ
ンプルが時間の関数として変化する分光光度計において
生じる。その典型的な例が、液体クロマトグラフのカラ
ムから溶出するサンプル物質を検出するのに用いられる
分光光度計である。この場合、異なる時間に分光光度計
によって異なるサンプル成分が検出され、更に、純粋な
サンプル物質であっても、その対応するサンプル濃度
は、アップエッジ、頂点、及びダウンエッジを有するク
ロマトグラフピークに基づく時間の関数である。積分フ
ォトダイオードアレイにおける個々のフォトセルからの
信号が順次処理されるので、スペクトルの短い波長に対
応する、アレイの一方の側におけるフォトダイオード
は、他方の側におけるフォトダイオードが波長の長い放
射線をモニタする前に、波長の短い放射線をモニタす
る。カラム内で分離される或る物質に対応するクロマト
グラフピークをモニタする場合、そのピークの頂点にお
いて得られる結果的な波長スペクトル(頂部スペクト
ル)は、そのピークのアップエッジで得られるスペクト
ル(滑昇スペクトル)とは異なり、また、そのピークの
ダウンエッジで得られるスペクトル(滑降スペクトル)
とも異なる。滑昇スペクトルの場合、低い波長から高い
波長へと進むスペクトルの累積中にサンプルの濃度が高
まるので、高い波長が過剰に強調されることになる。ま
た滑降スペクトルの場合には、サンプル濃度が下がり、
高い波長の処理時に低いサンプル濃度が低い波長の処理
時に比べて有効になるので、低い波長が過剰に強調され
ることになる。サンプル物質は、測定されたスペクトル
と電子ライブラリに記憶されているスペクトルとの比較
によって識別されるので、未知のサンプル物質を識別す
る能力が上述のスペクトル歪によって制限される。
ンプルが時間の関数として変化する分光光度計において
生じる。その典型的な例が、液体クロマトグラフのカラ
ムから溶出するサンプル物質を検出するのに用いられる
分光光度計である。この場合、異なる時間に分光光度計
によって異なるサンプル成分が検出され、更に、純粋な
サンプル物質であっても、その対応するサンプル濃度
は、アップエッジ、頂点、及びダウンエッジを有するク
ロマトグラフピークに基づく時間の関数である。積分フ
ォトダイオードアレイにおける個々のフォトセルからの
信号が順次処理されるので、スペクトルの短い波長に対
応する、アレイの一方の側におけるフォトダイオード
は、他方の側におけるフォトダイオードが波長の長い放
射線をモニタする前に、波長の短い放射線をモニタす
る。カラム内で分離される或る物質に対応するクロマト
グラフピークをモニタする場合、そのピークの頂点にお
いて得られる結果的な波長スペクトル(頂部スペクト
ル)は、そのピークのアップエッジで得られるスペクト
ル(滑昇スペクトル)とは異なり、また、そのピークの
ダウンエッジで得られるスペクトル(滑降スペクトル)
とも異なる。滑昇スペクトルの場合、低い波長から高い
波長へと進むスペクトルの累積中にサンプルの濃度が高
まるので、高い波長が過剰に強調されることになる。ま
た滑降スペクトルの場合には、サンプル濃度が下がり、
高い波長の処理時に低いサンプル濃度が低い波長の処理
時に比べて有効になるので、低い波長が過剰に強調され
ることになる。サンプル物質は、測定されたスペクトル
と電子ライブラリに記憶されているスペクトルとの比較
によって識別されるので、未知のサンプル物質を識別す
る能力が上述のスペクトル歪によって制限される。
【0009】液体クロマトグラフィの場合、2つの異な
るサンプル成分がクロマトグラフ用カラムにおいて完全
に分離されないために、クロマトグラムにおける対応す
るピークが分解されずに単一のピークが形成されるとい
うことが発生する場合がある。クロマトグラムにおける
ピークが単一の成分を表すものか又は複数の成分を表す
ものかを判定する方法が「ピーク純度チェック」であ
る。このピーク純度チェックは、ピークの滑昇波長スペ
クトルと、対応するサンプル濃度における滑降スペクト
ルとを比較することである。両方のスペクトルがほぼ一
致すれば、クロマトグラフのピークが単一の成分を表し
ていることが立証される。一方、スペクトルスキャンが
一致しなければ、別の成分がピークに影響を及ぼしてい
ることが強く示されていることになる。上述のスペクト
ル歪のため、ピーク純度チェックは、積分期間における
サンプル濃度の変化が小さい場合か、又はサンプル物質
の流れを停止させることによりサンプル濃度がしばらく
の間一定に保たれている場合にしか適用することができ
ない。分離カラム及びサンプルセルを通る流れを停止さ
せるということは、クロマトグラフ測定の量的確度を損
なわせる障害を発生させるので、望ましくない場合が多
い。
るサンプル成分がクロマトグラフ用カラムにおいて完全
に分離されないために、クロマトグラムにおける対応す
るピークが分解されずに単一のピークが形成されるとい
うことが発生する場合がある。クロマトグラムにおける
ピークが単一の成分を表すものか又は複数の成分を表す
ものかを判定する方法が「ピーク純度チェック」であ
る。このピーク純度チェックは、ピークの滑昇波長スペ
クトルと、対応するサンプル濃度における滑降スペクト
ルとを比較することである。両方のスペクトルがほぼ一
致すれば、クロマトグラフのピークが単一の成分を表し
ていることが立証される。一方、スペクトルスキャンが
一致しなければ、別の成分がピークに影響を及ぼしてい
ることが強く示されていることになる。上述のスペクト
ル歪のため、ピーク純度チェックは、積分期間における
サンプル濃度の変化が小さい場合か、又はサンプル物質
の流れを停止させることによりサンプル濃度がしばらく
の間一定に保たれている場合にしか適用することができ
ない。分離カラム及びサンプルセルを通る流れを停止さ
せるということは、クロマトグラフ測定の量的確度を損
なわせる障害を発生させるので、望ましくない場合が多
い。
【0010】スペクトル歪の上述の問題に対処する先行
技術によるアプローチが、EP−A−0 192 20
0に示されている。この先行技術によれば、フォトダイ
オードアレイは、35のフォトダイオードを備えた多素
子フォトダイオードであり、、その各フォトダイオード
は、信号調整用の演算増幅器と、その演算増幅器の出力
信号をサンプリングして保持するサンプル及びホールド
回路とに接続される。サンプル及びホールド回路の出力
信号は、多重スイッチによって多重化され、次いで単一
のA/D変換器によってデジタル信号に順次変換され
る。この既知の装置の回路構成は極めて複雑である。こ
れは、各フォトダイオード毎に演算増幅器とサンプル及
びホールド回路とを必要とするだけでなく、フォトダイ
オード及び高性能A/D変換器の数に対応する多数のチ
ャネルを備えたマルチプレクサを必要とするためであ
る。更に、全ての電子コンポーネントがプリント回路基
板上に個別に形成されるので、広い基板スペース及び大
量の電源が必要になる。
技術によるアプローチが、EP−A−0 192 20
0に示されている。この先行技術によれば、フォトダイ
オードアレイは、35のフォトダイオードを備えた多素
子フォトダイオードであり、、その各フォトダイオード
は、信号調整用の演算増幅器と、その演算増幅器の出力
信号をサンプリングして保持するサンプル及びホールド
回路とに接続される。サンプル及びホールド回路の出力
信号は、多重スイッチによって多重化され、次いで単一
のA/D変換器によってデジタル信号に順次変換され
る。この既知の装置の回路構成は極めて複雑である。こ
れは、各フォトダイオード毎に演算増幅器とサンプル及
びホールド回路とを必要とするだけでなく、フォトダイ
オード及び高性能A/D変換器の数に対応する多数のチ
ャネルを備えたマルチプレクサを必要とするためであ
る。更に、全ての電子コンポーネントがプリント回路基
板上に個別に形成されるので、広い基板スペース及び大
量の電源が必要になる。
【0011】既知のフォトダイオードアレイに関するも
う1つの問題は、フォトダイオードに入射する光に対応
する信号のA/D変換に起因するものである。上述の全
てのタイプのフォトダイオードアレイにおいては、個々
のフォトダイオードからの信号を順次変換する単一のA
/D変換器が用いられている。分光光度測定用途に用い
られるフォトダイオードの数は、極めて多い(1024
まで)ので、A/D変換器の変換速度が極めて高速でな
ければならず、例えば、各フォトダイオードにつき10
0データポイント/秒の時間分解能を得るためには10
0kHz以上となる。更に、分光光度測光用途において
高い測定精度を確保するためには、分解能が高くなけれ
ばならず(好適には16ビットを超える)、また、良好
な線形性を確保しなければならない。これらの要件を十
分に満たすためには、複雑で高価なA/D変換器が必要
になる。速度と分解能との間の妥協策とする一方、コス
トと複雑さとの間の妥協策として、ほとんどの従来のフ
ォトダイオードアレイは、「逐次近似」タイプのA/D
変換器を用いている。しかし、そのようなA/D変換器
は、「ミッシングコード(missing codes)」として知ら
れる微分非線形性(differential non-linearities)を
被ることになる。A/D変換におけるこうした誤差は、
強度のわずかな差を測定しなければならない化学分析用
の分光測光における検出限界に制限を加えることにな
る。
う1つの問題は、フォトダイオードに入射する光に対応
する信号のA/D変換に起因するものである。上述の全
てのタイプのフォトダイオードアレイにおいては、個々
のフォトダイオードからの信号を順次変換する単一のA
/D変換器が用いられている。分光光度測定用途に用い
られるフォトダイオードの数は、極めて多い(1024
まで)ので、A/D変換器の変換速度が極めて高速でな
ければならず、例えば、各フォトダイオードにつき10
0データポイント/秒の時間分解能を得るためには10
0kHz以上となる。更に、分光光度測光用途において
高い測定精度を確保するためには、分解能が高くなけれ
ばならず(好適には16ビットを超える)、また、良好
な線形性を確保しなければならない。これらの要件を十
分に満たすためには、複雑で高価なA/D変換器が必要
になる。速度と分解能との間の妥協策とする一方、コス
トと複雑さとの間の妥協策として、ほとんどの従来のフ
ォトダイオードアレイは、「逐次近似」タイプのA/D
変換器を用いている。しかし、そのようなA/D変換器
は、「ミッシングコード(missing codes)」として知ら
れる微分非線形性(differential non-linearities)を
被ることになる。A/D変換におけるこうした誤差は、
強度のわずかな差を測定しなければならない化学分析用
の分光測光における検出限界に制限を加えることにな
る。
【0012】先行技術に関連し、本発明の目的は、請求
項1の序文に示すように、先行技術における上述の欠点
を回避する、とりわけ、スペクトル歪をほぼ回避するフ
ォトダイオードアレイを提供することにある。
項1の序文に示すように、先行技術における上述の欠点
を回避する、とりわけ、スペクトル歪をほぼ回避するフ
ォトダイオードアレイを提供することにある。
【0013】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、この目
的は請求項1の特色をなす特徴によって解決される。本
発明の基本をなす原理によれば、各フォトダイオードに
は、フォトダイオードに入射する光の強度に対応する信
号をデジタル信号に変換するため、独立したA/D変換
器が接続されている。A/D変換器が各フォトダイオー
ドに関連しているので、アレイをなす全てのフォトダイ
オードについて光の強度値を表すデジタル信号を同時に
発生させることが可能となる。これは、こうしたデジタ
ル信号が順次発生する先行技術によるフォトダイオード
アレイとは対照的である。このため、本発明のフォトダ
イオードアレイは、先行技術による信号遅延を回避し、
こうした遅延によって生じるスペクトル歪を回避する。
的は請求項1の特色をなす特徴によって解決される。本
発明の基本をなす原理によれば、各フォトダイオードに
は、フォトダイオードに入射する光の強度に対応する信
号をデジタル信号に変換するため、独立したA/D変換
器が接続されている。A/D変換器が各フォトダイオー
ドに関連しているので、アレイをなす全てのフォトダイ
オードについて光の強度値を表すデジタル信号を同時に
発生させることが可能となる。これは、こうしたデジタ
ル信号が順次発生する先行技術によるフォトダイオード
アレイとは対照的である。このため、本発明のフォトダ
イオードアレイは、先行技術による信号遅延を回避し、
こうした遅延によって生じるスペクトル歪を回避する。
【0014】更に、A/D変換の速度に関する要件は、
本発明の場合には、複数のフォトダイオードからの信号
を極めて迅速に変換することにより最初のフォトダイオ
ードからの信号の変換と最後のフォトダイオードからの
信号の変換との間の時間遅延があまり大きくならないよ
うにしなければならない先行技術に比べると、それほど
高くはないので、本発明によれば、積分タイプのA/D
変換器をフォトダイオードアレイに用いることができ
る。こうした積分タイプのA/D変換器は、線形性が極
めて高いという利点を有し、従って、逐次近似タイプの
A/D変換を用いた既知のフォトダイオードアレイに比
較して大幅に改善されたものとなる。
本発明の場合には、複数のフォトダイオードからの信号
を極めて迅速に変換することにより最初のフォトダイオ
ードからの信号の変換と最後のフォトダイオードからの
信号の変換との間の時間遅延があまり大きくならないよ
うにしなければならない先行技術に比べると、それほど
高くはないので、本発明によれば、積分タイプのA/D
変換器をフォトダイオードアレイに用いることができ
る。こうした積分タイプのA/D変換器は、線形性が極
めて高いという利点を有し、従って、逐次近似タイプの
A/D変換を用いた既知のフォトダイオードアレイに比
較して大幅に改善されたものとなる。
【0015】本発明の望ましい実施例の場合、フォトダ
イオードは、逆バイアスがかけられ、入射光レベルに比
例した電流を有する電流源として機能する。本実施例に
よるA/D変換は次のようにして実施される。即ち、各
フォトダイオードが、この電流に対応した電荷を連続的
に累積する積分器の加算ノードに接続されている。可調
整電流をフォトダイオードからの電流に重畳させるため
に可制御電流源が設けられており、その重畳電流の大き
さ及び極性は積分器の出力信号を所定のレベルに保つよ
うに選択される。可制御電流源は、電荷を積分器にダン
プし及び積分器から電荷をダンプするか、又はそのいず
れかを行う電荷ダンプ機構として設計されていることが
好適である。積分器の出力信号は定期的に所定の信号レ
ベルと比較され、これらの比較に応答して、積分器への
及び/又は積分器からの電荷のダンプが、出力信号を所
定レベルに保持するために実施される。所定の時間間隔
におけるこうしたダンプの数はカウントされる。この数
は、光電流のデジタル表現であり、従って、フォトダイ
オードに入射する光の強度のデジタル表現である。上述
のA/D変換技法は、積分タイプのものであり、従っ
て、変換プロセスの極めて良好な線形性が確保される。
イオードは、逆バイアスがかけられ、入射光レベルに比
例した電流を有する電流源として機能する。本実施例に
よるA/D変換は次のようにして実施される。即ち、各
フォトダイオードが、この電流に対応した電荷を連続的
に累積する積分器の加算ノードに接続されている。可調
整電流をフォトダイオードからの電流に重畳させるため
に可制御電流源が設けられており、その重畳電流の大き
さ及び極性は積分器の出力信号を所定のレベルに保つよ
うに選択される。可制御電流源は、電荷を積分器にダン
プし及び積分器から電荷をダンプするか、又はそのいず
れかを行う電荷ダンプ機構として設計されていることが
好適である。積分器の出力信号は定期的に所定の信号レ
ベルと比較され、これらの比較に応答して、積分器への
及び/又は積分器からの電荷のダンプが、出力信号を所
定レベルに保持するために実施される。所定の時間間隔
におけるこうしたダンプの数はカウントされる。この数
は、光電流のデジタル表現であり、従って、フォトダイ
オードに入射する光の強度のデジタル表現である。上述
のA/D変換技法は、積分タイプのものであり、従っ
て、変換プロセスの極めて良好な線形性が確保される。
【0016】電荷ダンプ回路は、積分器への電荷のダン
プと積分器からの電荷のダンプとを行うバイポーラ方式
で設計することもできるし、また、一方向にしか電荷の
ダンプを行わないユニポーラ方式で設計することもでき
る。前者の場合、そのダンプ回路はコンデンサ及び4つ
のスイッチを用いて形成することができるが、後者の場
合は2つのスイッチ及びコンデンサで十分である。
プと積分器からの電荷のダンプとを行うバイポーラ方式
で設計することもできるし、また、一方向にしか電荷の
ダンプを行わないユニポーラ方式で設計することもでき
る。前者の場合、そのダンプ回路はコンデンサ及び4つ
のスイッチを用いて形成することができるが、後者の場
合は2つのスイッチ及びコンデンサで十分である。
【0017】要するに、本発明は先行技術に対して下記
の利点を提供するものである。
の利点を提供するものである。
【0018】A/D変換器が各フォトダイオードに関連
しているので、1つのフォトダイオードからなる信号チ
ャネルのそれぞれについて同時の及び独立した動作が可
能であり、このため上述のスペクトル歪の問題が回避さ
れる。
しているので、1つのフォトダイオードからなる信号チ
ャネルのそれぞれについて同時の及び独立した動作が可
能であり、このため上述のスペクトル歪の問題が回避さ
れる。
【0019】信号処理チャネルのそれぞれの同時かつ独
立した動作の特徴は、光学基準補償として知られる方法
の制限をなくすことにより、クロマトグラフ信号の定量
分析において極めて重量な利点を更に提供する。この方
法の場合、分析すべき成分が吸収することのない波長範
囲における基準信号を連続的にモニタして、該成分が吸
収する波長範囲におけるサンプル信号から差し引く。こ
の光学基準補償方法の場合、光源のフリッカノイズ、電
子の移動相及び温度ドリフトの屈折率による影響といっ
た測定システムにおける相関ノイズ及びドリフト源を抑
制することができる。これらの相関ノイズ及びドリフト
源の補償方法は、2つの調波の重畳理論から周知のよう
に、サンプル波長の信号と基準波長の信号とが同相であ
ることを必要とする。積分フォトダイオードアレイの個
々のフォトダイオードからの信号が順次処理されるた
め、基準波長の信号は、サンプル波長の信号に比較して
遅延させられる。この結果として、相関ノイズ信号の周
波数に基づき基準信号の移相が生じる。修正信号の相関
ノイズ源の残りの振幅は、2つの信号のベクトル加算に
よって求められ、移相が90〜180度の範囲である場
合には所定の周波数において増幅することもできる。こ
のため、この光学基準補償法は、先行技術によるフォト
ダイオードアレイに必ずしも有効とは限らない。しか
し、本発明による信号の同時処理の場合には、移相が生
じることはなく、相関ノイズ源を完全に補償することが
できる。その結果として、S/N比が向上し、従ってク
ロマトグラフ分析における定量結果が改善されることに
なる。
立した動作の特徴は、光学基準補償として知られる方法
の制限をなくすことにより、クロマトグラフ信号の定量
分析において極めて重量な利点を更に提供する。この方
法の場合、分析すべき成分が吸収することのない波長範
囲における基準信号を連続的にモニタして、該成分が吸
収する波長範囲におけるサンプル信号から差し引く。こ
の光学基準補償方法の場合、光源のフリッカノイズ、電
子の移動相及び温度ドリフトの屈折率による影響といっ
た測定システムにおける相関ノイズ及びドリフト源を抑
制することができる。これらの相関ノイズ及びドリフト
源の補償方法は、2つの調波の重畳理論から周知のよう
に、サンプル波長の信号と基準波長の信号とが同相であ
ることを必要とする。積分フォトダイオードアレイの個
々のフォトダイオードからの信号が順次処理されるた
め、基準波長の信号は、サンプル波長の信号に比較して
遅延させられる。この結果として、相関ノイズ信号の周
波数に基づき基準信号の移相が生じる。修正信号の相関
ノイズ源の残りの振幅は、2つの信号のベクトル加算に
よって求められ、移相が90〜180度の範囲である場
合には所定の周波数において増幅することもできる。こ
のため、この光学基準補償法は、先行技術によるフォト
ダイオードアレイに必ずしも有効とは限らない。しか
し、本発明による信号の同時処理の場合には、移相が生
じることはなく、相関ノイズ源を完全に補償することが
できる。その結果として、S/N比が向上し、従ってク
ロマトグラフ分析における定量結果が改善されることに
なる。
【0020】各信号チャネルにA/D変換器が含まれて
いたとしても、その結果としての回路は、やはり単純な
ものであり、ほんのわずかな数の構成要素しか必要とし
ない。フォトダイオードはA/D変換器と共に単一のチ
ップ上に集積可能であるため、スペースを節約した構成
となる。その結果としてのチップサイズは、従来のフォ
トダイオードアレイと同一オーダーの大きさを有する。
1つの完全なチャネルを形成するのに必要な面積は、従
来のフォトダイオードアレイにおいて積分期間中に電荷
を蓄積するコンデンサを形成するのに必要な面積とほぼ
同一である。本発明のフォトダイオードアレイに用いら
れるコンデンサのサイズは、こうした従来の電荷蓄積コ
ンデンサより数桁も小さいオーダーを有する。フォトダ
イオードとA/D変換器を含む信号処理回路とを単一チ
ップ上に集積することが可能なため、A/D変換器を備
えた信号処理回路が個別のプリント回路基板上に個別の
構成要素として配置される従来の装置に比べてコストが
低下することになる。
いたとしても、その結果としての回路は、やはり単純な
ものであり、ほんのわずかな数の構成要素しか必要とし
ない。フォトダイオードはA/D変換器と共に単一のチ
ップ上に集積可能であるため、スペースを節約した構成
となる。その結果としてのチップサイズは、従来のフォ
トダイオードアレイと同一オーダーの大きさを有する。
1つの完全なチャネルを形成するのに必要な面積は、従
来のフォトダイオードアレイにおいて積分期間中に電荷
を蓄積するコンデンサを形成するのに必要な面積とほぼ
同一である。本発明のフォトダイオードアレイに用いら
れるコンデンサのサイズは、こうした従来の電荷蓄積コ
ンデンサより数桁も小さいオーダーを有する。フォトダ
イオードとA/D変換器を含む信号処理回路とを単一チ
ップ上に集積することが可能なため、A/D変換器を備
えた信号処理回路が個別のプリント回路基板上に個別の
構成要素として配置される従来の装置に比べてコストが
低下することになる。
【0021】単一の半導体チップ上に集積化する別の利
点は、信号電子回路の温度ドリフト挙動が改善される点
にある。これは、チップ上の全ての構成要素が、ほぼ同
じ温度にさらされるので、多くの構成要素のドリフトに
よる影響がキャンセルされるためである。
点は、信号電子回路の温度ドリフト挙動が改善される点
にある。これは、チップ上の全ての構成要素が、ほぼ同
じ温度にさらされるので、多くの構成要素のドリフトに
よる影響がキャンセルされるためである。
【0022】本発明のフォトダイオードアレイは、信号
処理ステージが少数に保たれるため低ノイズになるとい
う別の利点を有する。低ノイズになるもう1つの要因と
して、本発明の望ましい実施例におけるA/D変換が、
ダンプ数と入射光の強度とが比例する電荷ダンプ機構に
よって行われるという事実がある。このため、ダンプ数
は、光の強度が弱ければ少なくなり、その結果、小さい
信号についてのS/N比が向上する。
処理ステージが少数に保たれるため低ノイズになるとい
う別の利点を有する。低ノイズになるもう1つの要因と
して、本発明の望ましい実施例におけるA/D変換が、
ダンプ数と入射光の強度とが比例する電荷ダンプ機構に
よって行われるという事実がある。このため、ダンプ数
は、光の強度が弱ければ少なくなり、その結果、小さい
信号についてのS/N比が向上する。
【0023】以下に本発明の実施例を図面を参照して一
層詳細に説明する。
層詳細に説明する。
【0024】
【実施例】図1は本発明の一実施例によるフォトダイオ
ードアレイにおける信号処理チャネルを概略的に示すも
のであり、この信号処理チャネルは、フォトダイオード
1と、このフォトダイオード1からの信号をDATAと
いう語で示されるデジタル出力信号に変換するための関
連するA/D変換器とから構成される。本発明の完全な
フォトダイオードアレイは、図1に示すタイプの複数の
n個の同一の信号処理チャネルから構成される。ここで
nは、数百から千程度のオーダーを有する可能性のあ
る、アレイのフォトダイオードの個数である。n個のフ
ォトダイオードを備えたn個の信号処理チャネルは、単
一の半導体チップ上に集積可能なものである。図10及
び図11に本発明による完全なフォトダイオードアレイ
を示す。図1に示すように、フォトダイオード1は、逆
バイアスされ、電流源2により記号で示す電流源の働き
をする。この電流は入射光レベルに比例する。フォトダ
イオード1は、フィードバックループにおける演算増幅
器3及びコンデンサ4からなる積分器の加算ノード10に
接続されている。フォトダイオードのバイアス電圧は、
加算ノード10における電圧Vsum(仮想Vref)に
対応する。論理回路6の出力信号に応答して制御可能な
もう1つの電流源5が設けられている。論理回路6の入
力はコンパレータ7の出力に接続されており、該コンパ
レータ7の一方の入力信号は積分器3,4の出力信号V
outであり、他方の入力信号は所定の信号Vthre
sholdである。図1に示す回路は、積分器3、4の
出力信号Voutを所定値Vthresholdに保つ
ように動作する。これを達成するため、論理回路6が電
流源5を制御して、定期的に電荷を積分器へ及び/又は
積分器から電荷をダンプするようにする。所定の積分時
間中に積分器へとダンプされる電荷パケットの数は、カ
ウンタ8によってカウントされ、この電荷パケット数
は、フォトダイオード1によって生成される光電流Ip
hのデジタル測定値である。本発明に実施例によれば、
積分時間の長さは、プログラム可能であり、A/D変換
器の分解能を決定する。積分時間は2n に比例する。こ
こで、nはビット数で表したA/D変換器の分解能であ
る。
ードアレイにおける信号処理チャネルを概略的に示すも
のであり、この信号処理チャネルは、フォトダイオード
1と、このフォトダイオード1からの信号をDATAと
いう語で示されるデジタル出力信号に変換するための関
連するA/D変換器とから構成される。本発明の完全な
フォトダイオードアレイは、図1に示すタイプの複数の
n個の同一の信号処理チャネルから構成される。ここで
nは、数百から千程度のオーダーを有する可能性のあ
る、アレイのフォトダイオードの個数である。n個のフ
ォトダイオードを備えたn個の信号処理チャネルは、単
一の半導体チップ上に集積可能なものである。図10及
び図11に本発明による完全なフォトダイオードアレイ
を示す。図1に示すように、フォトダイオード1は、逆
バイアスされ、電流源2により記号で示す電流源の働き
をする。この電流は入射光レベルに比例する。フォトダ
イオード1は、フィードバックループにおける演算増幅
器3及びコンデンサ4からなる積分器の加算ノード10に
接続されている。フォトダイオードのバイアス電圧は、
加算ノード10における電圧Vsum(仮想Vref)に
対応する。論理回路6の出力信号に応答して制御可能な
もう1つの電流源5が設けられている。論理回路6の入
力はコンパレータ7の出力に接続されており、該コンパ
レータ7の一方の入力信号は積分器3,4の出力信号V
outであり、他方の入力信号は所定の信号Vthre
sholdである。図1に示す回路は、積分器3、4の
出力信号Voutを所定値Vthresholdに保つ
ように動作する。これを達成するため、論理回路6が電
流源5を制御して、定期的に電荷を積分器へ及び/又は
積分器から電荷をダンプするようにする。所定の積分時
間中に積分器へとダンプされる電荷パケットの数は、カ
ウンタ8によってカウントされ、この電荷パケット数
は、フォトダイオード1によって生成される光電流Ip
hのデジタル測定値である。本発明に実施例によれば、
積分時間の長さは、プログラム可能であり、A/D変換
器の分解能を決定する。積分時間は2n に比例する。こ
こで、nはビット数で表したA/D変換器の分解能であ
る。
【0025】図2には、電流源5の特定の実施例をより
詳細に示した図1の回路が示されている。この実施例に
より、電流源5から積分器3,4への電荷の転送(ダン
プ)だけでなく、積分器3,4からの電荷の転送も可能
になる。以下で「パイポーラ」と称する本実施例では、
両方の極性の入力電流を処理することが可能である。電
流源又は「ダンプ機構」は、スイッチ式コンデンサ技法
によって実現され、コンデンサCd及び4つのスイッチ
S1,S2,S3,S4から構成される。電流は、まず
スイッチS2,S3を閉じてコンデンサCdを電圧Vd
まで充電し、次にスイッチS1,S4を閉じて電荷を積
分器にダンプすることによって、積分器の加算ノードに
送り込まれる。
詳細に示した図1の回路が示されている。この実施例に
より、電流源5から積分器3,4への電荷の転送(ダン
プ)だけでなく、積分器3,4からの電荷の転送も可能
になる。以下で「パイポーラ」と称する本実施例では、
両方の極性の入力電流を処理することが可能である。電
流源又は「ダンプ機構」は、スイッチ式コンデンサ技法
によって実現され、コンデンサCd及び4つのスイッチ
S1,S2,S3,S4から構成される。電流は、まず
スイッチS2,S3を閉じてコンデンサCdを電圧Vd
まで充電し、次にスイッチS1,S4を閉じて電荷を積
分器にダンプすることによって、積分器の加算ノードに
送り込まれる。
【0026】積分器への又は積分器からのこうした電荷
転送についてのスイッチS1〜S4のスイッチング動作
を図3及び図4のタイミングチャートに示す。ここで、
g1〜g4はスイッチS1〜S4を動作させる制御信号
をそれぞれ表すものである。図3は電荷が積分器にダン
プされる状況を示し、図4は積分器から電荷がダンプさ
れる状況を示すものである。信号g1〜g4におけるパ
ルスは閉じたスイッチを表している。
転送についてのスイッチS1〜S4のスイッチング動作
を図3及び図4のタイミングチャートに示す。ここで、
g1〜g4はスイッチS1〜S4を動作させる制御信号
をそれぞれ表すものである。図3は電荷が積分器にダン
プされる状況を示し、図4は積分器から電荷がダンプさ
れる状況を示すものである。信号g1〜g4におけるパ
ルスは閉じたスイッチを表している。
【0027】積分器に電荷を転送する場合、コンデンサ
CdをVrefまで充電するためにスイッチS2,S3
を閉じる。次にスイッチS1,S4を閉じることにより
積分器に電荷をダンプする。図3において、充電段階及
びダンプ段階は、それぞれ「充電」及び「ダンプ」で示
されている。図4によれば、まずスイッチS1,S3を
閉じてコンデンサCdを電圧Vsum(仮想Vref)
まで充電し、引き続きスイッチS2,S4を閉じて電荷
を空にすることにより、積分器から電荷が除去される。
CdをVrefまで充電するためにスイッチS2,S3
を閉じる。次にスイッチS1,S4を閉じることにより
積分器に電荷をダンプする。図3において、充電段階及
びダンプ段階は、それぞれ「充電」及び「ダンプ」で示
されている。図4によれば、まずスイッチS1,S3を
閉じてコンデンサCdを電圧Vsum(仮想Vref)
まで充電し、引き続きスイッチS2,S4を閉じて電荷
を空にすることにより、積分器から電荷が除去される。
【0028】光電流IphのA/D変換は下記のように
行われる。コンパレータ7を定期的に動作させて、その
入力におけるVoutとVthresholdの比較を
行い、VoutがVthresholdより大きい場合
に論理「1」に対応する出力信号Vcompを生成し、
VoutがVthresholdより小さい場合には論
理「0」に対応する出力信号Vcompを生成する。V
compが論理「1」に対応する場合、論理回路6がそ
れに対応するスイッチS1及びS4の動作を行うことに
より積分器へのダンプを開始する。これにより積分器の
出力に負の電圧ステップが生じることになる。Vcom
pが論理「0」に対応する場合には、論理回路6が積分
器からのダンプを開始する。この負のフィードバック特
性によって、積分器の出力信号Voutは常にVthr
esholdのまわりの所定の電圧範囲内に留まること
になる。この範囲は積分器内のコンデンサの容量Cin
t及びダンプされる電荷の量によって決まる。光電流I
phがゼロに等しければ、積分器からのダンプ数は積分
器へのダンプ数に等しい。フォトダイオードにより積分
器の加算ノードから光電流が送出される場合には、積分
器へのダンプ数が積分器からのダンプ数を超えることに
なる。光電流が、A/D変換器の動作範囲の上限(Ip
hmax)に等しい場合には、全てのダンプが積分器に
対して行われる。Iphmaxを超えると、光電流によ
って蓄積された電荷が、積分器へダンプ可能な電荷の量
を超えることになる。この上限は、(主クロック周波
数、即ち図2の信号Mclkによって決定される)ダン
プサイクルの期間、ダンプコンデンサの容量Cd、及び
Vrefによって決まる。Vref及びダンプコンデン
サの容量は一定であるが、クロック周波数は、フォトダ
イオードに入射する放射線の強度に適合させるため、外
部の発信器によって選択することができる。
行われる。コンパレータ7を定期的に動作させて、その
入力におけるVoutとVthresholdの比較を
行い、VoutがVthresholdより大きい場合
に論理「1」に対応する出力信号Vcompを生成し、
VoutがVthresholdより小さい場合には論
理「0」に対応する出力信号Vcompを生成する。V
compが論理「1」に対応する場合、論理回路6がそ
れに対応するスイッチS1及びS4の動作を行うことに
より積分器へのダンプを開始する。これにより積分器の
出力に負の電圧ステップが生じることになる。Vcom
pが論理「0」に対応する場合には、論理回路6が積分
器からのダンプを開始する。この負のフィードバック特
性によって、積分器の出力信号Voutは常にVthr
esholdのまわりの所定の電圧範囲内に留まること
になる。この範囲は積分器内のコンデンサの容量Cin
t及びダンプされる電荷の量によって決まる。光電流I
phがゼロに等しければ、積分器からのダンプ数は積分
器へのダンプ数に等しい。フォトダイオードにより積分
器の加算ノードから光電流が送出される場合には、積分
器へのダンプ数が積分器からのダンプ数を超えることに
なる。光電流が、A/D変換器の動作範囲の上限(Ip
hmax)に等しい場合には、全てのダンプが積分器に
対して行われる。Iphmaxを超えると、光電流によ
って蓄積された電荷が、積分器へダンプ可能な電荷の量
を超えることになる。この上限は、(主クロック周波
数、即ち図2の信号Mclkによって決定される)ダン
プサイクルの期間、ダンプコンデンサの容量Cd、及び
Vrefによって決まる。Vref及びダンプコンデン
サの容量は一定であるが、クロック周波数は、フォトダ
イオードに入射する放射線の強度に適合させるため、外
部の発信器によって選択することができる。
【0029】光電流を表すデジタルデータは、積分時間
中に一方向のダンプをカウントすることによって生成さ
れる。このカウントはカウンタ8によって行われる。積
分器へ又は積分器から電荷をダンプするための完全なダ
ンプサイクルは、信号Mclkの6クロックサイクルか
ら構成され、即ち、充電段階(コンデンサを充電する)
のための2クロックサイクルと、ダンプ段階(積分器へ
又は積分器から電荷のダンプを行う)のための2クロッ
クサイクルと、両方の段階を分離するための2クロック
サイクルとから構成される。コンパレータ7は、必ずダ
ンプ段階の終了時に起動され、次のダンプを積分器に対
して行うか、あるいは積分器から行うかの判定を論理回
路6に行わせ、引き続きこうしたダンプを行う。
中に一方向のダンプをカウントすることによって生成さ
れる。このカウントはカウンタ8によって行われる。積
分器へ又は積分器から電荷をダンプするための完全なダ
ンプサイクルは、信号Mclkの6クロックサイクルか
ら構成され、即ち、充電段階(コンデンサを充電する)
のための2クロックサイクルと、ダンプ段階(積分器へ
又は積分器から電荷のダンプを行う)のための2クロッ
クサイクルと、両方の段階を分離するための2クロック
サイクルとから構成される。コンパレータ7は、必ずダ
ンプ段階の終了時に起動され、次のダンプを積分器に対
して行うか、あるいは積分器から行うかの判定を論理回
路6に行わせ、引き続きこうしたダンプを行う。
【0030】図5は、一方向専用のダンプ機構を備えた
本発明の実施例を示すものである。以下で「ユニポー
ラ」と称するこの実施例は、そのダンプ機構(又は電流
源)が、4つのスイッチを必要とする上述のバイポーラ
の実施例に対し、2つのスイッチだけしか必要としない
という利点を有する。フォトダイオード1の電気的構成
は、光電流Iphが積分器3,4の加算ノードから送出
されるようになっている。これは、供給電圧Vddと積
分器3,4の反転ノードとの間にフォトダイオード1を
接続することにより達成される。この場合にはフォトダ
イオード1の両端の逆バイアス電圧Vbiasは、Vb
ias=Vdd−Vrefとなる。電流源は、コンデン
サCdとスイッチS1及びスイッチS2から構成され
る。ユニポーラの実施例における残りの回路は、図2に
示すバイポーラの実施例における回路に対応する。積分
器から電荷をダンプするためのスイッチングシーケンス
は、まずスイッチS1を起動させてコンデンサCdを電
圧Vsumまで充電し、次にスイッチS2を起動させて
コンデンサを零位にするというステップからなる。1回
のダンプによって積分器から除去される電荷量Qdは、
Qd=Vref・Cdとなる。ここで、演算増幅器3は
理想的に機能し、Vsum=Vrefであると仮定す
る。
本発明の実施例を示すものである。以下で「ユニポー
ラ」と称するこの実施例は、そのダンプ機構(又は電流
源)が、4つのスイッチを必要とする上述のバイポーラ
の実施例に対し、2つのスイッチだけしか必要としない
という利点を有する。フォトダイオード1の電気的構成
は、光電流Iphが積分器3,4の加算ノードから送出
されるようになっている。これは、供給電圧Vddと積
分器3,4の反転ノードとの間にフォトダイオード1を
接続することにより達成される。この場合にはフォトダ
イオード1の両端の逆バイアス電圧Vbiasは、Vb
ias=Vdd−Vrefとなる。電流源は、コンデン
サCdとスイッチS1及びスイッチS2から構成され
る。ユニポーラの実施例における残りの回路は、図2に
示すバイポーラの実施例における回路に対応する。積分
器から電荷をダンプするためのスイッチングシーケンス
は、まずスイッチS1を起動させてコンデンサCdを電
圧Vsumまで充電し、次にスイッチS2を起動させて
コンデンサを零位にするというステップからなる。1回
のダンプによって積分器から除去される電荷量Qdは、
Qd=Vref・Cdとなる。ここで、演算増幅器3は
理想的に機能し、Vsum=Vrefであると仮定す
る。
【0031】バイポーラの実施例の場合と同様に、光電
流に対応するデジタルデータは、一方向におけるダンプ
数、即ちこの場合には積分器からのダンプ数をカウント
することによって生成される。ユニポーラの実施例のも
う1つの利点は、バイポーラの実施例に比べてスイッチ
ング動作回数が減少することによるS/N比の向上であ
る。
流に対応するデジタルデータは、一方向におけるダンプ
数、即ちこの場合には積分器からのダンプ数をカウント
することによって生成される。ユニポーラの実施例のも
う1つの利点は、バイポーラの実施例に比べてスイッチ
ング動作回数が減少することによるS/N比の向上であ
る。
【0032】図6及び図7は、図5に示すユニポーラ回
路の別の実施例を示すものである。これらの実施例は、
フォトダイオード1からの光電流Iphを増幅するため
の回路が追加されているという点で、図5の回路とは異
なる。こうした電流増幅回路を設けるのは、光電流の大
きさがフォトダイオードに入射する光の強度に応じて変
化するため、光強度の変動によってA/D変換器が必ず
しもその最適動作点で動作できるとは限らなくなるから
である。しかし、電流を増幅すれば、弱い入射光の強度
による光電流が、強い入射光の強度による光電流に比べ
て大きく増幅されるので、A/D変換器を最適条件で動
作させることが可能になる。
路の別の実施例を示すものである。これらの実施例は、
フォトダイオード1からの光電流Iphを増幅するため
の回路が追加されているという点で、図5の回路とは異
なる。こうした電流増幅回路を設けるのは、光電流の大
きさがフォトダイオードに入射する光の強度に応じて変
化するため、光強度の変動によってA/D変換器が必ず
しもその最適動作点で動作できるとは限らなくなるから
である。しかし、電流を増幅すれば、弱い入射光の強度
による光電流が、強い入射光の強度による光電流に比べ
て大きく増幅されるので、A/D変換器を最適条件で動
作させることが可能になる。
【0033】図6は、当業界でウィルソン電流ミラーと
して知られる光電流を増幅する電流増幅器の一実施例を
示すものである。この回路は、同図に示すように、供給
電圧Vdd及びフォトダイオード1に接続された4つの
MOSトランジスタT1〜T4から構成される。この構
成における電流の利得係数は、一対のトランジスタT
1,T2のチャネル長Lとチャネル幅Wとの縦横比によ
って決まる。利得係数、即ち光電流Iphと増幅電流I
inとの比は、 g=Iph/Iin=L1/L2・W2/W1 によって求められる。トランジスタT1,T2の縦横比
を適切に設計することによって、50までの利得係数を
簡単に得ることができる。数々の利点の中でも、とりわ
け、単純な回路設計が、ウィルソン電流ミラーの利点で
ある。
して知られる光電流を増幅する電流増幅器の一実施例を
示すものである。この回路は、同図に示すように、供給
電圧Vdd及びフォトダイオード1に接続された4つの
MOSトランジスタT1〜T4から構成される。この構
成における電流の利得係数は、一対のトランジスタT
1,T2のチャネル長Lとチャネル幅Wとの縦横比によ
って決まる。利得係数、即ち光電流Iphと増幅電流I
inとの比は、 g=Iph/Iin=L1/L2・W2/W1 によって求められる。トランジスタT1,T2の縦横比
を適切に設計することによって、50までの利得係数を
簡単に得ることができる。数々の利点の中でも、とりわ
け、単純な回路設計が、ウィルソン電流ミラーの利点で
ある。
【0034】図7は、図6に示した電流増幅器を改良し
たものを示すものであり、利得係数をプログラム可能と
したものである。これは、いくつかのミラートランジス
タ、例えば、4つのトランジスタT2a,T2b,T2
c,T2dを並列に配置し、及び該トランジスタをオン
/オフするためにその対応するスイッチSa,Sb,S
c,Sdを設けることにより達成される。トランジスタ
T2a,T2b,T2c,T2dの幾何学形状の縦横比
は、スイッチSa,Sb,Sc,Sdにそれぞれ供給さ
れる電流Ia,Ib,Ic,Idについて、下記の関係
が当てはまるよう、2進加重電流比が得られるように設
計される。
たものを示すものであり、利得係数をプログラム可能と
したものである。これは、いくつかのミラートランジス
タ、例えば、4つのトランジスタT2a,T2b,T2
c,T2dを並列に配置し、及び該トランジスタをオン
/オフするためにその対応するスイッチSa,Sb,S
c,Sdを設けることにより達成される。トランジスタ
T2a,T2b,T2c,T2dの幾何学形状の縦横比
は、スイッチSa,Sb,Sc,Sdにそれぞれ供給さ
れる電流Ia,Ib,Ic,Idについて、下記の関係
が当てはまるよう、2進加重電流比が得られるように設
計される。
【0035】Ia=Iph、Ib=2・Iph、Ic=
4・Iph、Id=8・Iph スイッチSa〜Sdは別個に動作させることができるの
で、利得係数g=Iin/Iphを1〜15の範囲で1
ずつ調整することが可能である。
4・Iph、Id=8・Iph スイッチSa〜Sdは別個に動作させることができるの
で、利得係数g=Iin/Iphを1〜15の範囲で1
ずつ調整することが可能である。
【0036】所望の利得設定は、ラインGAIN1,G
AIN2,GAIN3,GAIN4を介して利得レジス
タ30に与えられ、そこから論理回路6に送られ、該回
路6が、スイッチSa,Sb,Sc,Sdを動作させる
ために対応する制御信号ga,gb,gc,gdをそれ
ぞれ送出する。論理回路6は更に、ダンプ回路のスイッ
チS1,S2のスイッチング動作を制御するため、出力
信号g1,g2を生成する。データレジスタ31は、光電
流のA/D変換によって得られるデータを受信するた
め、カウンタ8の出力に接続されている。
AIN2,GAIN3,GAIN4を介して利得レジス
タ30に与えられ、そこから論理回路6に送られ、該回
路6が、スイッチSa,Sb,Sc,Sdを動作させる
ために対応する制御信号ga,gb,gc,gdをそれ
ぞれ送出する。論理回路6は更に、ダンプ回路のスイッ
チS1,S2のスイッチング動作を制御するため、出力
信号g1,g2を生成する。データレジスタ31は、光電
流のA/D変換によって得られるデータを受信するた
め、カウンタ8の出力に接続されている。
【0037】引き続き、上述のバイポーラ及びユニポー
ラの実施例による光電流のA/D変換について、それぞ
れ図8及び図9を参照して説明を行う。図8は、図2に
示すようなバイポーラの実施例に関し、積分器3,4の
出力電圧Voutを時間についてグラフで表したもので
あり、その上半分の波形と下半分の波形(A1,A2)
はそれぞれ異なる光電流に対応している。図9は、図5
に示すようなユニポーラの実施例に関し、積分器3,4
の出力電圧Voutを時間についてグラフで表したもの
であり、その上半分の波形と下半分の波形(B1,B
2)はそれぞれ異なる光電流に対応している。
ラの実施例による光電流のA/D変換について、それぞ
れ図8及び図9を参照して説明を行う。図8は、図2に
示すようなバイポーラの実施例に関し、積分器3,4の
出力電圧Voutを時間についてグラフで表したもので
あり、その上半分の波形と下半分の波形(A1,A2)
はそれぞれ異なる光電流に対応している。図9は、図5
に示すようなユニポーラの実施例に関し、積分器3,4
の出力電圧Voutを時間についてグラフで表したもの
であり、その上半分の波形と下半分の波形(B1,B
2)はそれぞれ異なる光電流に対応している。
【0038】図8及び図9の波形は、積分器への及び/
又は積分器からのダンプを表す上下動を示している。文
字a〜iで示す時間軸上の矢印は、平衡している積分器
の電荷を保つためにダンプを行うべきか否か、及びダン
プ方向をどうすべきかの決定を論理回路6が行う時点を
表している。図8は両方向におけるダンプを示し、一
方、図9は一方向だけのダンプを示している。結果的に
生じる波形が電圧Vthresholdのまわりの電圧
範囲内に留まるということがわかる。波形の傾き(m
1、m2、m3、m4で示す)は、光電流Iphに比例
し、容量Cintに反比例する。図示の例の場合、容量
Cintが一定であるため、波形A1,B1(m1,m
2の傾きをそれぞれ有する)は波形A2,B2(m3,
m4の傾きをそれぞれ有する)より大きい光電流によっ
て生じる。
又は積分器からのダンプを表す上下動を示している。文
字a〜iで示す時間軸上の矢印は、平衡している積分器
の電荷を保つためにダンプを行うべきか否か、及びダン
プ方向をどうすべきかの決定を論理回路6が行う時点を
表している。図8は両方向におけるダンプを示し、一
方、図9は一方向だけのダンプを示している。結果的に
生じる波形が電圧Vthresholdのまわりの電圧
範囲内に留まるということがわかる。波形の傾き(m
1、m2、m3、m4で示す)は、光電流Iphに比例
し、容量Cintに反比例する。図示の例の場合、容量
Cintが一定であるため、波形A1,B1(m1,m
2の傾きをそれぞれ有する)は波形A2,B2(m3,
m4の傾きをそれぞれ有する)より大きい光電流によっ
て生じる。
【0039】光電流Iphのデジタル値は、積分時間T
int中の一方向(即ち、図8では正方向と負方向との
いずれか)のダンプ数をカウントし、それから下記の方
法でIphの値を計算することにより得られる。図8及
び図9は、全積分時間のうちのほんのわずかな部分のみ
を示したものであり、その全積分時間は、A/D変換の
所望の分解能によって決まり、図8及び図9に示す時間
部分より数千倍も長くなる可能性のあるものである。
int中の一方向(即ち、図8では正方向と負方向との
いずれか)のダンプ数をカウントし、それから下記の方
法でIphの値を計算することにより得られる。図8及
び図9は、全積分時間のうちのほんのわずかな部分のみ
を示したものであり、その全積分時間は、A/D変換の
所望の分解能によって決まり、図8及び図9に示す時間
部分より数千倍も長くなる可能性のあるものである。
【0040】指摘しておくべきは、本発明によるA/D
変換技法は、積分A/D変換技法のような作用をするの
で線形性が良好であるという点である。
変換技法は、積分A/D変換技法のような作用をするの
で線形性が良好であるという点である。
【0041】下記において、A/D変換プロセス及び結
果的な分解能を表すいくつかの公式が導き出される。
果的な分解能を表すいくつかの公式が導き出される。
【0042】まず、バイポーラの実施例について考察す
る。ここで下記の略語を使用する。 Qph :積分時間Tint中に光電流によって蓄積
される電荷 Qdall:積分器の平衡を保つためダンプ回路により
与えられる正味電荷量 Nto :積分器へのダンプ数 Nfrom:積分器からのダンプ数 Qto :積分器への1回のダンプについての電荷パ
ケットの大きさ Qfrom:積分器からの1回のダンプについての電荷
パケットの大きさ 下記の関係が適用される。
る。ここで下記の略語を使用する。 Qph :積分時間Tint中に光電流によって蓄積
される電荷 Qdall:積分器の平衡を保つためダンプ回路により
与えられる正味電荷量 Nto :積分器へのダンプ数 Nfrom:積分器からのダンプ数 Qto :積分器への1回のダンプについての電荷パ
ケットの大きさ Qfrom:積分器からの1回のダンプについての電荷
パケットの大きさ 下記の関係が適用される。
【0043】Qph=Qdall Iph・Tint=Nto・Qto−Nfrom・Qf
rom Qto=Qfrom=Qd、及びNfrom=N−Nt
oと仮定する。ここで、Nは所定の積分期間Tintに
おける両方向についての総ダンプ数。Nは、N=Tin
t/Tdで表すことが可能である。ここで、Tdは1回
のダンプの実行時間である。
rom Qto=Qfrom=Qd、及びNfrom=N−Nt
oと仮定する。ここで、Nは所定の積分期間Tintに
おける両方向についての総ダンプ数。Nは、N=Tin
t/Tdで表すことが可能である。ここで、Tdは1回
のダンプの実行時間である。
【0044】Iph・Tint=Qd・(2・Nto−
N) Qd=Vref・Cdの場合(Cdはダンプコンデンサ
の容量)には、 Iph・Tint=Vref・Cd・(2・Nto−
N) となる。この式をNtoについて解くと、
N) Qd=Vref・Cdの場合(Cdはダンプコンデンサ
の容量)には、 Iph・Tint=Vref・Cd・(2・Nto−
N) となる。この式をNtoについて解くと、
【0045】
【数1】
【0046】となる。
【0047】Vref、Cd、Tdは一定で回路設計の
ディメンジョンによって決まるので、上述の式は、次の
ように表すことができる。
ディメンジョンによって決まるので、上述の式は、次の
ように表すことができる。
【0048】 Nto=m・Iph・Tint+b・Tint =Tint・(m・Iph+b) この式の形は、積分器へのダンプ数Ntoが、光電流の
大きさに比例するが、N/2のオフセットがあることを
示している。このオフセットを回避するため、(−1)
・N/2を表す値になるように変換の開始時にカウンタ
を簡単に初期化することができる。この修正されたアル
ゴリズムによれば、変換期間の終了時におけるカウンタ
の状態は光電流の大きさに比例する。
大きさに比例するが、N/2のオフセットがあることを
示している。このオフセットを回避するため、(−1)
・N/2を表す値になるように変換の開始時にカウンタ
を簡単に初期化することができる。この修正されたアル
ゴリズムによれば、変換期間の終了時におけるカウンタ
の状態は光電流の大きさに比例する。
【0049】A/D変換器の分解能は下記のように定義
される。
される。
【0050】
【数2】
【0051】上述の導き出された公式を用いると、下記
の式が「Iphの範囲」及び「DATAの範囲」に適応
する。ここで、Iphmax及びIphminは、A/
D変換器によって処理できる最大及び最小光電流であ
り、DATAの範囲は、対応するデジタルデータの間隔
である。
の式が「Iphの範囲」及び「DATAの範囲」に適応
する。ここで、Iphmax及びIphminは、A/
D変換器によって処理できる最大及び最小光電流であ
り、DATAの範囲は、対応するデジタルデータの間隔
である。
【0052】 Iphの範囲=Iphmax−Iphmin
【0053】
【数3】
【0054】これにより、分解能について次の式が得ら
れる。
れる。
【0055】
【数4】
【0056】以下でユニポーラの実施例について考察す
る。ここでは下記の略語を用いる。 Qph :積分時間Tint中に光電流Iphにより
蓄積される電荷 Qdall:積分器の平衡を保つためダンプ回路により
与えられる正味電荷量 Nd :積分器からのダンプ数 Qd :積分器からの1回のダンプについての電荷
パケットの大きさ 次の関係が適用される。
る。ここでは下記の略語を用いる。 Qph :積分時間Tint中に光電流Iphにより
蓄積される電荷 Qdall:積分器の平衡を保つためダンプ回路により
与えられる正味電荷量 Nd :積分器からのダンプ数 Qd :積分器からの1回のダンプについての電荷
パケットの大きさ 次の関係が適用される。
【0057】Qph=Qdall Iph・Tint=Nd・Qd Qd=Vref・Cdの場合には、 Iph・Tint=Vref・Cd・Nd となる。Ndについてこの式を解くと、
【0058】
【数5】
【0059】となる。A/D変換器の分解能は、
【0060】
【数6】
【0061】となる。
【0062】指摘しておくべきは、ユニポーラの実施例
における分解能が、バイポーラの実施例の場合と同じ積
分時間Tint及び同じ値のVref及びCdが用いら
れるものと仮定すれば、バイポーラの実施例に比べて2
倍も優れているということである。更に、積分器からの
ダンプ数Ndは光電流Iphに正比例し、バイポーラの
場合のようなオフセットもない。
における分解能が、バイポーラの実施例の場合と同じ積
分時間Tint及び同じ値のVref及びCdが用いら
れるものと仮定すれば、バイポーラの実施例に比べて2
倍も優れているということである。更に、積分器からの
ダンプ数Ndは光電流Iphに正比例し、バイポーラの
場合のようなオフセットもない。
【0063】上述で導き出したように、バイポーラ及び
ユニポーラの実施例についてのA/D変換器の分解能
は、両方とも、Vref、Cd、及びTintにより決
まる。Vref及びCdを選択すれば、分解能は積分時
間Tintのみにより決まる。これは、分解能のプログ
ラム可能なA/D変換器を形成することを表している。
分解能は、図1及び図5の実施例におけるカウンタ8の
初期化と、カウンタの状態の読み出しとの間の時間間隔
に対応する積分時間Tintを制御することによって調
整可能である。
ユニポーラの実施例についてのA/D変換器の分解能
は、両方とも、Vref、Cd、及びTintにより決
まる。Vref及びCdを選択すれば、分解能は積分時
間Tintのみにより決まる。これは、分解能のプログ
ラム可能なA/D変換器を形成することを表している。
分解能は、図1及び図5の実施例におけるカウンタ8の
初期化と、カウンタの状態の読み出しとの間の時間間隔
に対応する積分時間Tintを制御することによって調
整可能である。
【0064】以下において、図10及び図11のブロッ
ク図を参照しながら本発明の実施例による完全なフォト
ダイオードアレイを説明する。この実施例は、A/D変
換を行うために電荷が一方向にしかダンプされない上述
のユニポーラモード用に設計されている。フォトダイオ
ードアレイはnチャネル(チャネル1,…,チャネル
n)から構成され、各チャネルには、フォトダイオード
(1,…,n)と、光電流(Iph1,…,Iphn)
の増幅及びA/D変換用の後続の回路が含まれている。
とりわけ、各チャネルは(以下の節の符号はチャネル1
に適用される)、プログラム可能電流増幅器50、電荷ダ
ンプ装置51、及び、積分回路52,53、コンパレータ54、
論理回路55、及びカウンタ56から構成される。この回路
は、上述のように機能して、フォトダイオード1からの
光電流のA/D変換を行う。更に、各チャネルには、各
チャネル毎に光電流についての増幅係数を記憶する利得
レジスタ57、及びA/D変換によって得られるデジタル
値を受容するデータレジスタ58が設けられている。本発
明の実施例によれば、チャネル数nは128 であるが、本
発明によるフォトダイオードは任意数のチャネル(即
ち、フォトダイオード)で構成することが可能であるこ
とが理解されよう。
ク図を参照しながら本発明の実施例による完全なフォト
ダイオードアレイを説明する。この実施例は、A/D変
換を行うために電荷が一方向にしかダンプされない上述
のユニポーラモード用に設計されている。フォトダイオ
ードアレイはnチャネル(チャネル1,…,チャネル
n)から構成され、各チャネルには、フォトダイオード
(1,…,n)と、光電流(Iph1,…,Iphn)
の増幅及びA/D変換用の後続の回路が含まれている。
とりわけ、各チャネルは(以下の節の符号はチャネル1
に適用される)、プログラム可能電流増幅器50、電荷ダ
ンプ装置51、及び、積分回路52,53、コンパレータ54、
論理回路55、及びカウンタ56から構成される。この回路
は、上述のように機能して、フォトダイオード1からの
光電流のA/D変換を行う。更に、各チャネルには、各
チャネル毎に光電流についての増幅係数を記憶する利得
レジスタ57、及びA/D変換によって得られるデジタル
値を受容するデータレジスタ58が設けられている。本発
明の実施例によれば、チャネル数nは128 であるが、本
発明によるフォトダイオードは任意数のチャネル(即
ち、フォトダイオード)で構成することが可能であるこ
とが理解されよう。
【0065】上述のn個のフォトダイオード及びそれに
対応するA/D変換回路は、単一の半導体チップ上に集
積することができ、これにより、チャネル内の各フォト
ダイオードに関連する回路は、空間を節約するようにフ
ォトダイオードに続いてチップ上に配置することが可能
である。このチップは、DATA及びADDRESSと
示された2本のバスラインと、DATAREADY、R
EAD、WRITEと示された3本の制御線を介してマ
イクロプロセッサ(図示せず)に接続するのが望まし
い。マイクロプロセッサとフォトダイオードアレイとの
間の通信はインターフェイス及び制御論理回路60によっ
て処理される。動作の原理は、ランダムアクセスメモリ
(RAM)がマイクロプロセッサと通信を行う方法と類
似している。制御線WRITE上の論理「0」に対応す
る信号が、DATAバスから利得レジスタ(例えば57)
への利得情報の記憶を制御し、これにより、ADDRE
SSバス上の信号が、どの利得レジスタに利得情報を転
送するかを制御する。
対応するA/D変換回路は、単一の半導体チップ上に集
積することができ、これにより、チャネル内の各フォト
ダイオードに関連する回路は、空間を節約するようにフ
ォトダイオードに続いてチップ上に配置することが可能
である。このチップは、DATA及びADDRESSと
示された2本のバスラインと、DATAREADY、R
EAD、WRITEと示された3本の制御線を介してマ
イクロプロセッサ(図示せず)に接続するのが望まし
い。マイクロプロセッサとフォトダイオードアレイとの
間の通信はインターフェイス及び制御論理回路60によっ
て処理される。動作の原理は、ランダムアクセスメモリ
(RAM)がマイクロプロセッサと通信を行う方法と類
似している。制御線WRITE上の論理「0」に対応す
る信号が、DATAバスから利得レジスタ(例えば57)
への利得情報の記憶を制御し、これにより、ADDRE
SSバス上の信号が、どの利得レジスタに利得情報を転
送するかを制御する。
【0066】A/D変換器の変換速度及び分解能に関連
した情報を受容する構成レジスタ61も設けられている。
この情報は、コード化表現で、ラインCONF1,CO
NF2を介して、n個の論理回路の全て(例えば、論理
回路55)と、インターフェイス及び制御論理回路60とに
与えられる。データレジスタ(例えばデータレジスタ5
8)の読み出しは信号READによって制御される。信
号READが論理「0」に対応する場合、その関連する
信号ラインOEi(iは1〜nの数字)が能動状態にな
り、これによりADDRESSバスに加えられたアドレ
スに従ってデータレジスタのトライステートバッファが
開き、対応するデータレジスタの内容がDATAバス上
で利用可能となり、マイクロプロセッサによる利用が可
能になる。信号DATAREADYは、積分時間の終了
時にA/D変換器によって生成された新しいデジタルデ
ータの利用可能性をマイクロプロセッサに示すために用
いられる。この信号は、割り込み信号として働いて、後
続の処理に備えてマイクロプロセッサにn個のチャネル
の全てからデジタルデータを順次読み出させる。
した情報を受容する構成レジスタ61も設けられている。
この情報は、コード化表現で、ラインCONF1,CO
NF2を介して、n個の論理回路の全て(例えば、論理
回路55)と、インターフェイス及び制御論理回路60とに
与えられる。データレジスタ(例えばデータレジスタ5
8)の読み出しは信号READによって制御される。信
号READが論理「0」に対応する場合、その関連する
信号ラインOEi(iは1〜nの数字)が能動状態にな
り、これによりADDRESSバスに加えられたアドレ
スに従ってデータレジスタのトライステートバッファが
開き、対応するデータレジスタの内容がDATAバス上
で利用可能となり、マイクロプロセッサによる利用が可
能になる。信号DATAREADYは、積分時間の終了
時にA/D変換器によって生成された新しいデジタルデ
ータの利用可能性をマイクロプロセッサに示すために用
いられる。この信号は、割り込み信号として働いて、後
続の処理に備えてマイクロプロセッサにn個のチャネル
の全てからデジタルデータを順次読み出させる。
【0067】インターフェイス及び制御論理回路60は、
クロックサイクルのカウントと構成レジスタ61に記憶さ
れているA/D変換器の分解能に関するパラメータ設定
から導き出された値を比較することにより、積分時間の
制御を行う。クロックサイクルは、インターフェイス及
び制御論理回路60の一部をなすクロックカウンタによっ
て記録される。選択された積分時間内におけるクロック
サイクル数Nclockは、Nclock=6・2n で
表される。ここで、nはビット数でA/D変換器の分解
能を表し、係数6は、1回のダンプにつき6クロックサ
イクルが必要であることを表している。例えば、A/D
変換器の分解能が16ビットである場合、積分時間は3
93216クロックサイクルに対応する。例えば、主ク
ロック周波数(信号Mclk)が39,216MHzの
場合、積分時間Tint=10msとなり、また変換速
度が100Hzとなる。
クロックサイクルのカウントと構成レジスタ61に記憶さ
れているA/D変換器の分解能に関するパラメータ設定
から導き出された値を比較することにより、積分時間の
制御を行う。クロックサイクルは、インターフェイス及
び制御論理回路60の一部をなすクロックカウンタによっ
て記録される。選択された積分時間内におけるクロック
サイクル数Nclockは、Nclock=6・2n で
表される。ここで、nはビット数でA/D変換器の分解
能を表し、係数6は、1回のダンプにつき6クロックサ
イクルが必要であることを表している。例えば、A/D
変換器の分解能が16ビットである場合、積分時間は3
93216クロックサイクルに対応する。例えば、主ク
ロック周波数(信号Mclk)が39,216MHzの
場合、積分時間Tint=10msとなり、また変換速
度が100Hzとなる。
【0068】積分時間の終了時に、インターフェイス及
び制御論理回路60は、ラインSTROBEを介して各チ
ャネル論理回路(例えばチャネル論理回路55)にトリガ
信号を送出する。次いで各論理回路が、対応するダンプ
カウンタ(例えばカウンタ56)の内容を関連するデータ
レジスタ(例えば、レジスタ58)に記憶させる信号をラ
インSTRDi(iは1〜nの数)に送出する。信号S
TRDiはまた、関連するダンプカウンタを次の積分期
間のために初期化する信号Clrを対応する論理回路に
生成させる。それと同時に信号DATAREADYが能
動状態となる。この信号は、構成レジスタ61にフラグ
(1ビット)をセットすることにより、マイクロプロセ
ッサからの応答信号によって非能動状態となる。
び制御論理回路60は、ラインSTROBEを介して各チ
ャネル論理回路(例えばチャネル論理回路55)にトリガ
信号を送出する。次いで各論理回路が、対応するダンプ
カウンタ(例えばカウンタ56)の内容を関連するデータ
レジスタ(例えば、レジスタ58)に記憶させる信号をラ
インSTRDi(iは1〜nの数)に送出する。信号S
TRDiはまた、関連するダンプカウンタを次の積分期
間のために初期化する信号Clrを対応する論理回路に
生成させる。それと同時に信号DATAREADYが能
動状態となる。この信号は、構成レジスタ61にフラグ
(1ビット)をセットすることにより、マイクロプロセ
ッサからの応答信号によって非能動状態となる。
【0069】各チャネルの論理回路(例えば回路55)
は、図7に示すタイプのプログラム可能電流増幅器を制
御する4つの制御信号gai,gbi,gci,gdi
(iは1〜nの数)を生成する。更に、各論理回路は、
電荷ダンプ装置(例えば電荷ダンプ装置51)のスイッチ
を制御する2つの制御信号g1i、g2iを生成する。
この場合、電荷ダンプ装置は図5に示すタイプのもので
ある。既述のように、各論理回路はまた、関連するカウ
ンタをクロックし及びリセットする信号(信号Clr及
びClk)、及び、関連するデータレジスタにA/D変
換の結果を記憶させる信号を送出する。信号g1i及び
g2iの波形は、電流増幅器によって供給される電流I
inによって決まる。
は、図7に示すタイプのプログラム可能電流増幅器を制
御する4つの制御信号gai,gbi,gci,gdi
(iは1〜nの数)を生成する。更に、各論理回路は、
電荷ダンプ装置(例えば電荷ダンプ装置51)のスイッチ
を制御する2つの制御信号g1i、g2iを生成する。
この場合、電荷ダンプ装置は図5に示すタイプのもので
ある。既述のように、各論理回路はまた、関連するカウ
ンタをクロックし及びリセットする信号(信号Clr及
びClk)、及び、関連するデータレジスタにA/D変
換の結果を記憶させる信号を送出する。信号g1i及び
g2iの波形は、電流増幅器によって供給される電流I
inによって決まる。
【0070】
【発明の効果】本発明は上述のように、各チャネル毎に
個別のA/D変換器を設けるため、各信号チャネルにつ
いて同時の及び独立した動作が可能となり、これにより
光信号の処理における時間遅延に起因するスペクトル歪
を回避すると共に、相関ノイズ源を完全に補償してS/
N比を向上させ、クロマトグラフ分析における定量結果
を改善させることができる。
個別のA/D変換器を設けるため、各信号チャネルにつ
いて同時の及び独立した動作が可能となり、これにより
光信号の処理における時間遅延に起因するスペクトル歪
を回避すると共に、相関ノイズ源を完全に補償してS/
N比を向上させ、クロマトグラフ分析における定量結果
を改善させることができる。
【図1】本発明によるフォトダイオードアレイにおける
信号処理チャネルの内の1つの概要を示す回路図であ
る。
信号処理チャネルの内の1つの概要を示す回路図であ
る。
【図2】図1における電流源をより詳細に示した回路図
である。
である。
【図3】図2に示した電流源のスイッチング動作(電荷
が積分器へダンプされる状況)を示すタイミングチャー
トである。
が積分器へダンプされる状況)を示すタイミングチャー
トである。
【図4】図2に示した電流源のスイッチング動作(電荷
が積分器からダンプされる状況)を示すタイミングチャ
ートである。
が積分器からダンプされる状況)を示すタイミングチャ
ートである。
【図5】図1における電流源の代替実施例をより詳細に
示した回路図である。
示した回路図である。
【図6】電流増幅器を追加して構成された図5の回路の
拡張例を示す回路図である。
拡張例を示す回路図である。
【図7】電流増幅器をプログラム可能なものとした図6
の回路の拡張例を示す回路図である。
の回路の拡張例を示す回路図である。
【図8】本発明による(図2のバイポーラ実施例に対応
する)光電流のA/D変換を示すタイミングチャートで
ある。
する)光電流のA/D変換を示すタイミングチャートで
ある。
【図9】本発明による(図5のユニポーラ実施例に対応
する)光電流のA/D変換を示すタイミングチャートで
ある。
する)光電流のA/D変換を示すタイミングチャートで
ある。
【図10】本発明の実施例による完全なフォトダイオー
ド(一部)を示すブロック図である。
ド(一部)を示すブロック図である。
【図11】本発明の実施例による完全なフォトダイオー
ド(図10の残り部分)を示すブロック図である。
ド(図10の残り部分)を示すブロック図である。
1,(n) フォトダイオード 3,4,(52,53) 積分器 6,55 論理回路 7,54 コンパレータ 8,56 カウンタ 50 プログラム可能電流増幅器 51 電荷ダンプ装置
フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 // H04N 1/028 A 9070−5C
Claims (1)
- 【請求項1】複数のチャネルを有するフォトダイオード
アレイであって、その各チャネルが、入射光に応じて電
気的出力信号を出力するフォトダイオードと、このフォ
トダイオードの電気的出力信号を処理する回路とからな
り、前記フォトダイオードへの入射光の強度を表すデジ
タル出力信号を生成するアナログ・デジタル変換回路を
各チャネルが包含することを特徴とする、フォトダイオ
ードアレイ。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE91110156.6 | 1991-06-20 | ||
| EP91110156A EP0519105B1 (en) | 1991-06-20 | 1991-06-20 | Photodiode array |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05215607A true JPH05215607A (ja) | 1993-08-24 |
Family
ID=8206853
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4162656A Withdrawn JPH05215607A (ja) | 1991-06-20 | 1992-06-22 | フォトダイオードアレイ |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5303027A (ja) |
| EP (1) | EP0519105B1 (ja) |
| JP (1) | JPH05215607A (ja) |
| DE (1) | DE69111800T2 (ja) |
| ES (1) | ES2076414T3 (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001141562A (ja) * | 1999-11-15 | 2001-05-25 | Hamamatsu Photonics Kk | 光検出装置 |
| WO2003006937A1 (en) * | 2001-07-13 | 2003-01-23 | Hamamatsu Photonics K.K. | Photodetector |
| JP2003510909A (ja) * | 1999-09-21 | 2003-03-18 | ピクセル・ディヴァイシズ・インターナショナル・インコーポレーテッド | 画像センサの低ノイズ・アクティブ・リセット読み出し |
| JP2009519463A (ja) * | 2005-12-15 | 2009-05-14 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 電流測定回路及び方法 |
| WO2010090135A1 (ja) * | 2009-02-03 | 2010-08-12 | 浜松ホトニクス株式会社 | 信号処理装置および光検出装置 |
| WO2011007562A1 (ja) * | 2009-07-16 | 2011-01-20 | コニカミノルタビジネステクノロジーズ株式会社 | 画像読取装置 |
| JP2012104656A (ja) * | 2010-11-10 | 2012-05-31 | Sharp Corp | 照度センサ、およびこの照度センサを備えた表示装置 |
| JP2014025942A (ja) * | 2008-06-25 | 2014-02-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 測光装置、電子機器 |
| JP2020516086A (ja) * | 2017-03-31 | 2020-05-28 | テレディン ダルサ ビーブイTeledyne Dalsa B.V. | 電荷パケットを用いたアナログ−デジタル変換器 |
| JP2022134704A (ja) * | 2021-03-04 | 2022-09-15 | ローム株式会社 | 積分回路及び照度センサ |
Families Citing this family (43)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3215175B2 (ja) * | 1992-08-10 | 2001-10-02 | シスメックス株式会社 | 粒子分析装置 |
| JPH06205767A (ja) * | 1992-11-25 | 1994-07-26 | Xerox Corp | 放射線画像形成システム |
| FR2707394B1 (fr) * | 1993-07-05 | 1995-09-08 | Aerospatiale | Elément et détecteur photosensibles pour la détection d'éclats lumineux. |
| US5717608A (en) * | 1994-09-26 | 1998-02-10 | Luxtron Corporation | Electro-optical board assembly for measuring the temperature of an object surface from infra-red emissions thereof, including an automatic gain control therefore |
| US5799204A (en) * | 1995-05-01 | 1998-08-25 | Intergraph Corporation | System utilizing BIOS-compatible high performance video controller being default controller at boot-up and capable of switching to another graphics controller after boot-up |
| US5847594A (en) * | 1996-04-26 | 1998-12-08 | Hamamatsu Photonics K.K. | Solid-state image sensing device |
| US5834765A (en) * | 1997-07-08 | 1998-11-10 | Ledalite Architectural Products, Inc. | Integral ambient light and occupancy sensor having a linear array of sensor element and a segmented slit aperture device |
| GB2332270A (en) * | 1997-12-10 | 1999-06-16 | Mars Inc | Charge storage photoelectric measurement |
| BE1011866A3 (nl) * | 1998-04-07 | 2000-02-01 | Teejet Technologies Besloten V | Inspectietoestel. |
| DE69824398T2 (de) | 1998-06-26 | 2005-08-04 | Agilent Technologies Inc., A Delaware Corp., Palo Alto | Photodiodenanordnung |
| EP0967793B1 (en) | 1998-06-26 | 2003-03-26 | Agilent Technologies, Inc. (a Delaware corporation) | Photodiode array |
| EP0986250B1 (en) * | 1998-09-10 | 2004-03-17 | Agilent Technologies, Inc. (a Delaware corporation) | Photodiode array |
| US6653706B1 (en) * | 2000-05-08 | 2003-11-25 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Low temperature grown optical detector |
| US6904784B2 (en) * | 2001-02-27 | 2005-06-14 | Teledyne Isco, Inc. | Liquid chromatographic method and system |
| DE10119498C1 (de) * | 2001-04-20 | 2002-01-24 | Mikrotron Gmbh | Bildaufnahme-Auslöseeinrichtung, sowie Verfahren zum Auslösen einer Bildaufnahme |
| US20030234365A1 (en) * | 2002-01-10 | 2003-12-25 | Jan Wipenmyr | Optical detector |
| CA2479334C (en) * | 2002-03-20 | 2012-05-22 | Ag Leader Technology, Inc. | High speed analyzer using near infrared radiation transmitted through thick samples of optically dense material |
| US6930300B1 (en) * | 2002-07-30 | 2005-08-16 | Finisar Corporation | Method and apparatus for monitoring a photo-detector in an optical transceiver |
| US6977601B1 (en) * | 2004-01-29 | 2005-12-20 | Raytheon Company | Low power current input delta-sigma ADC using injection FET reference |
| US7277127B2 (en) * | 2004-09-09 | 2007-10-02 | Transchip, Inc. | Imager flicker compensation systems and methods |
| US7800672B1 (en) * | 2005-05-09 | 2010-09-21 | Raytheon Company | Unit cell compression circuit and method |
| US7671460B2 (en) * | 2006-01-25 | 2010-03-02 | Teledyne Licensing, Llc | Buried via technology for three dimensional integrated circuits |
| US7436342B2 (en) * | 2007-01-30 | 2008-10-14 | Teledyne Licensing, Llc | Numerical full well capacity extension for photo sensors with an integration capacitor in the readout circuit using two and four phase charge subtraction |
| US7923763B2 (en) * | 2007-03-08 | 2011-04-12 | Teledyne Licensing, Llc | Two-dimensional time delay integration visible CMOS image sensor |
| US7498650B2 (en) * | 2007-03-08 | 2009-03-03 | Teledyne Licensing, Llc | Backside illuminated CMOS image sensor with pinned photodiode |
| FR2921154B1 (fr) * | 2007-09-14 | 2009-11-06 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif de detection d'un rayonnement electromagnetique a limitation de courant |
| US7795650B2 (en) * | 2008-12-09 | 2010-09-14 | Teledyne Scientific & Imaging Llc | Method and apparatus for backside illuminated image sensors using capacitively coupled readout integrated circuits |
| FR2950480B1 (fr) * | 2009-09-22 | 2011-11-25 | Soc Fr Detecteurs Infrarouges Sofradir | Circuit de detection avec circuit d'anti-eblouissement ameliore |
| JP5701528B2 (ja) * | 2010-07-16 | 2015-04-15 | オリンパス株式会社 | 生体状態量測定装置 |
| DE102013022379B3 (de) | 2013-09-05 | 2025-03-13 | Elmos Semiconductor Se | Vorrichtung zum Betreiben passiver Infrarotsensoren |
| US10799111B2 (en) | 2014-06-10 | 2020-10-13 | Carl Zeiss Meditec, Inc. | Frequency-domain interferometric based imaging systems and methods |
| WO2016096077A1 (en) * | 2014-12-18 | 2016-06-23 | Merck Patent Gmbh | Spectrophotometer and method for carrying out a spectrophotometric measurement |
| US10128866B2 (en) * | 2015-10-16 | 2018-11-13 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Fast current mode sigma-delta analog-to-digital converter |
| US10652489B2 (en) | 2016-03-14 | 2020-05-12 | Insightness Ag | Vision sensor, a method of vision sensing, and a depth sensor assembly |
| FR3058263B1 (fr) * | 2016-11-03 | 2019-08-23 | Lynred | Dispositif de detection multispectrale ameliore. |
| CN110651468B (zh) | 2017-05-26 | 2022-03-22 | 株式会社半导体能源研究所 | 摄像装置及电子设备 |
| EP3428588B1 (en) | 2017-07-10 | 2019-11-06 | ams AG | Optical sensor arrangement and method for light sensing |
| EP3543664B1 (en) * | 2018-03-19 | 2022-05-04 | ams International AG | Method for light-to-frequency conversion and light-to-frequency converter arrangement |
| DE102020202400A1 (de) | 2020-02-25 | 2021-08-26 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Optoelektronische sensorvorrichtung, detektor und elektronisches gerät sowie verfahren zum betreiben einer derartigen sensorvorrichtung bzw. eines derartigen detektors |
| CN115428437A (zh) | 2020-04-17 | 2022-12-02 | 株式会社半导体能源研究所 | 摄像装置及电子设备 |
| WO2022018561A1 (ja) | 2020-07-24 | 2022-01-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 撮像装置および電子機器 |
| EP4258573A1 (en) * | 2022-04-08 | 2023-10-11 | Microsoft Technology Licensing, LLC | Photoreceiver circuit, photodetector, photodetector array and optical receiver unit |
| IL312306B2 (en) * | 2024-04-18 | 2025-11-01 | Semiconductor Devices Ltd | Pixel coupling |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4134683A (en) * | 1976-03-05 | 1979-01-16 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Multispectral imaging and analysis system |
| DE2655272A1 (de) * | 1976-12-07 | 1978-06-08 | Leybold Heraeus Gmbh & Co Kg | Spektralfotometeranordnung |
| US4558301A (en) * | 1982-07-01 | 1985-12-10 | Trofimenkoff Engineering, Ltd. | Voltage-to-frequency and analog-to-digital converter circuit |
| US4563089A (en) * | 1983-03-14 | 1986-01-07 | Miles Laboratories, Inc. | Method and apparatus for converting spectral and light intensity values directly to digital data |
| US4678917A (en) * | 1985-02-19 | 1987-07-07 | The Perkin-Elmer Corporation | Instantaneous reading multichannel polychromatic spectrophotometer method and apparatus |
| US4740080A (en) * | 1985-03-21 | 1988-04-26 | Abbott Laboratories | Analog to digital converter for fluid analyzing apparatus |
| EP0266682B1 (en) * | 1986-11-07 | 1993-07-14 | The Perkin-Elmer Corporation | Spectrophotometer with line frequency slaved voltage-to-frequency converter system |
-
1991
- 1991-06-20 DE DE69111800T patent/DE69111800T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1991-06-20 EP EP91110156A patent/EP0519105B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-06-20 ES ES91110156T patent/ES2076414T3/es not_active Expired - Lifetime
-
1992
- 1992-06-18 US US07/900,953 patent/US5303027A/en not_active Expired - Lifetime
- 1992-06-22 JP JP4162656A patent/JPH05215607A/ja not_active Withdrawn
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003510909A (ja) * | 1999-09-21 | 2003-03-18 | ピクセル・ディヴァイシズ・インターナショナル・インコーポレーテッド | 画像センサの低ノイズ・アクティブ・リセット読み出し |
| JP2001141562A (ja) * | 1999-11-15 | 2001-05-25 | Hamamatsu Photonics Kk | 光検出装置 |
| WO2003006937A1 (en) * | 2001-07-13 | 2003-01-23 | Hamamatsu Photonics K.K. | Photodetector |
| US7034275B2 (en) | 2001-07-13 | 2006-04-25 | Hamamatsu Photonics K.K. | Photodetector for detecting a quantity of light using a counting circuit and an integrating circuit |
| JP2009519463A (ja) * | 2005-12-15 | 2009-05-14 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 電流測定回路及び方法 |
| JP2014025942A (ja) * | 2008-06-25 | 2014-02-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 測光装置、電子機器 |
| WO2010090135A1 (ja) * | 2009-02-03 | 2010-08-12 | 浜松ホトニクス株式会社 | 信号処理装置および光検出装置 |
| JP2010182738A (ja) * | 2009-02-03 | 2010-08-19 | Hamamatsu Photonics Kk | 信号処理装置および光検出装置 |
| US8803064B2 (en) | 2009-02-03 | 2014-08-12 | Hamamatsu Photonics K.K. | Signal processing device, including charge injection circuit, and photodetection device |
| US8654416B2 (en) | 2009-07-16 | 2014-02-18 | Konica Minolta Business Technologies, Inc. | Image reader |
| JPWO2011007562A1 (ja) * | 2009-07-16 | 2012-12-20 | コニカミノルタビジネステクノロジーズ株式会社 | 画像読取装置 |
| WO2011007562A1 (ja) * | 2009-07-16 | 2011-01-20 | コニカミノルタビジネステクノロジーズ株式会社 | 画像読取装置 |
| US8648807B2 (en) | 2010-11-10 | 2014-02-11 | Sharp Kabushiki Kaisha | Illuminance sensor and display device including same |
| JP2012104656A (ja) * | 2010-11-10 | 2012-05-31 | Sharp Corp | 照度センサ、およびこの照度センサを備えた表示装置 |
| JP2020516086A (ja) * | 2017-03-31 | 2020-05-28 | テレディン ダルサ ビーブイTeledyne Dalsa B.V. | 電荷パケットを用いたアナログ−デジタル変換器 |
| JP2022134704A (ja) * | 2021-03-04 | 2022-09-15 | ローム株式会社 | 積分回路及び照度センサ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE69111800D1 (de) | 1995-09-07 |
| US5303027A (en) | 1994-04-12 |
| EP0519105A1 (en) | 1992-12-23 |
| DE69111800T2 (de) | 1995-12-14 |
| EP0519105B1 (en) | 1995-08-02 |
| ES2076414T3 (es) | 1995-11-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH05215607A (ja) | フォトダイオードアレイ | |
| US5116123A (en) | Method for operating a photodiode array spectrometer and photodiode array spectrometer | |
| US6069377A (en) | Image sensor incorporating saturation time measurement to increase dynamic range | |
| US6667769B2 (en) | Time integrating pixel sensor | |
| US4958928A (en) | Photodiode array spectrometer | |
| US6757627B2 (en) | Photo-detecting apparatus | |
| EP0967794B1 (en) | Photodiode array | |
| US12219276B2 (en) | Single exposure high dynamic range (HDR) analog front-end for CMOS image sensors | |
| US5198816A (en) | General purpose system for digitizing an analog signal | |
| EP2104341B1 (en) | Solid-state imaging device | |
| US6326603B1 (en) | Charge balance type photodiode array comprising a compensation circuit | |
| US7084973B1 (en) | Variable binning CCD for spectroscopy | |
| JPH11509385A (ja) | マイクロボロメーター配列用ディジタル・オフセット補正器 | |
| USRE44253E1 (en) | Self-scanned photodiode array with selectively-skipped pixels | |
| US8537258B2 (en) | Solid-state imaging device with transimpedance and integrating circuits | |
| US6194703B1 (en) | Photodiode array having a controllable dumping circuitry | |
| Goldsten et al. | Performance of the wedge-and-strip microchannel plate detectors and electronics for the Global Ultraviolet Imager | |
| JP2025509412A (ja) | 読み出し回路 | |
| US6229604B1 (en) | Detector device to be used in atomic absorption spectroscopy | |
| Sweedler et al. | Single-element charge-injection device as a spectroscopic detector | |
| US20250327940A1 (en) | Method for processing a detector signal, detection module and sorting machine | |
| JPH04268422A (ja) | 分光装置 | |
| JP4644086B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| AU2003203962B2 (en) | Detector device to be used in the atomic absorption spectroscopy | |
| Ludwig et al. | Compensated digital readout family |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20040927 |