JPH0521718A - Ｒ−２ｒラダー抵抗装置 - Google Patents
Ｒ−２ｒラダー抵抗装置Info
- Publication number
- JPH0521718A JPH0521718A JP17000291A JP17000291A JPH0521718A JP H0521718 A JPH0521718 A JP H0521718A JP 17000291 A JP17000291 A JP 17000291A JP 17000291 A JP17000291 A JP 17000291A JP H0521718 A JPH0521718 A JP H0521718A
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- JP
- Japan
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- resistor
- ladder
- resistance
- oxide film
- same
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 精度の良い抵抗比を容易に得ることができる
Ｒ−２Ｒラダー抵抗装置を提供する。 【構成】 Ｒ−２Ｒラダー抵抗部５の少なくとも一方の
外側に、前記Ｒ−２Ｒ抵抗部の抵抗３ａ，３ｂと同一の
大きさ、同一の形状および同一の方向を有する少なくと
も１本の他の抵抗を設けると共に、この他の抵抗と前記
Ｒ−２Ｒラダー抵抗部５との間にその酸化膜４と同一の
幅を有する他の酸化膜４ａを設けた。
Ｒ−２Ｒラダー抵抗装置を提供する。 【構成】 Ｒ−２Ｒラダー抵抗部５の少なくとも一方の
外側に、前記Ｒ−２Ｒ抵抗部の抵抗３ａ，３ｂと同一の
大きさ、同一の形状および同一の方向を有する少なくと
も１本の他の抵抗を設けると共に、この他の抵抗と前記
Ｒ−２Ｒラダー抵抗部５との間にその酸化膜４と同一の
幅を有する他の酸化膜４ａを設けた。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体集積回路装置
上に精度の良いＲ−２Ｒラダー抵抗部を形成したＲ−２
Ｒラダー抵抗装置に関するものである。
上に精度の良いＲ−２Ｒラダー抵抗部を形成したＲ−２
Ｒラダー抵抗装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図３，図４は従来のＲ−２Ｒラダー抵抗
装置を示すそれぞれ上面図、断面図である。図におい
て、１は第１半導体領域、２はこの第１半導体領域１に
隣接して形成された第２半導体領域、３ａおよび３ｂは
第１半導体領域１上に形成された複数本例えば５本の抵
抗例えば第２半導体拡散抵抗であって、これら抵抗間に
形成された酸化膜４と共に、Ｒ−２Ｒラダー抵抗部５を
構成する。なお、抵抗３ａ，３ｂの大きさ、形状および
方向は全部同一でありかつ酸化膜４の幅は全部同一であ
る。６は第１半導体領域１および第２半導体領域２の下
に形成された半導体集積回路装置の基板、そして７はＲ
−２Ｒラダー抵抗部５の外側にかつ第１半導体領域１お
よび第２半導体領域２の上に形成された酸化膜である。
装置を示すそれぞれ上面図、断面図である。図におい
て、１は第１半導体領域、２はこの第１半導体領域１に
隣接して形成された第２半導体領域、３ａおよび３ｂは
第１半導体領域１上に形成された複数本例えば５本の抵
抗例えば第２半導体拡散抵抗であって、これら抵抗間に
形成された酸化膜４と共に、Ｒ−２Ｒラダー抵抗部５を
構成する。なお、抵抗３ａ，３ｂの大きさ、形状および
方向は全部同一でありかつ酸化膜４の幅は全部同一であ
る。６は第１半導体領域１および第２半導体領域２の下
に形成された半導体集積回路装置の基板、そして７はＲ
−２Ｒラダー抵抗部５の外側にかつ第１半導体領域１お
よび第２半導体領域２の上に形成された酸化膜である。
【０００３】従来のＲ−２Ｒラダー抵抗装置は上記のよ
うに構成され、基板６上に形成された第１半導体領域１
上の抵抗３ａ，３ｂはそれらの形状が酸化膜４，７によ
り決められている。すなわち、抵抗３ａはその幅が酸化
膜４，７によって決められ、抵抗３ｂは酸化膜４により
決められる。
うに構成され、基板６上に形成された第１半導体領域１
上の抵抗３ａ，３ｂはそれらの形状が酸化膜４，７によ
り決められている。すなわち、抵抗３ａはその幅が酸化
膜４，７によって決められ、抵抗３ｂは酸化膜４により
決められる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来のＲ−２Ｒラダー
抵抗装置は以上のように構成されているので、Ｒ−２Ｒ
ラダー抵抗部の抵抗が何処に位置するかによりその抵抗
を形成している酸化膜の状態例えば幅や断面積が異なる
ため、抵抗の長さは一定であっても、その幅は位置によ
り微妙に異なる可能性があり、精度の良い抵抗比を得る
ことが困難になるなどの問題点があった。
抵抗装置は以上のように構成されているので、Ｒ−２Ｒ
ラダー抵抗部の抵抗が何処に位置するかによりその抵抗
を形成している酸化膜の状態例えば幅や断面積が異なる
ため、抵抗の長さは一定であっても、その幅は位置によ
り微妙に異なる可能性があり、精度の良い抵抗比を得る
ことが困難になるなどの問題点があった。
【０００５】この発明は、このような問題点を解決する
ためになされたもので、精度の良い抵抗比を容易に得る
ことができるＲ−２Ｒラダー抵抗装置を得ることを目的
とする。
ためになされたもので、精度の良い抵抗比を容易に得る
ことができるＲ−２Ｒラダー抵抗装置を得ることを目的
とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明に係るＲ−２Ｒ
ラダー抵抗装置は、Ｒ−２Ｒラダー抵抗部の少なくとも
一方の外側に、前記Ｒ−２Ｒ抵抗部の抵抗と同一の大き
さ、同一の形状および同一の方向を有する少なくとも１
本の他の抵抗を設けると共に、この他の抵抗と前記Ｒ−
２Ｒラダー抵抗部との間にその酸化膜と同一の幅を有す
る他の酸化膜を設けたものである。
ラダー抵抗装置は、Ｒ−２Ｒラダー抵抗部の少なくとも
一方の外側に、前記Ｒ−２Ｒ抵抗部の抵抗と同一の大き
さ、同一の形状および同一の方向を有する少なくとも１
本の他の抵抗を設けると共に、この他の抵抗と前記Ｒ−
２Ｒラダー抵抗部との間にその酸化膜と同一の幅を有す
る他の酸化膜を設けたものである。
【０００７】この発明に係るＲ−２Ｒラダー抵抗装置で
は、Ｒ−２Ｒラダー抵抗部の複数の抵抗のうち他の抵抗
に一番近い抵抗を前記Ｒ−２Ｒラダー抵抗部の最上位ビ
ットに対応させるのである。
は、Ｒ−２Ｒラダー抵抗部の複数の抵抗のうち他の抵抗
に一番近い抵抗を前記Ｒ−２Ｒラダー抵抗部の最上位ビ
ットに対応させるのである。
【０００８】
【作用】この発明では、Ｒ−２Ｒラダー抵抗部の複数の
抵抗の各々は、その両側に在る酸化膜の幅が同一である
ので、同一の幅を有することになり、従って抵抗比が安
定化する。また、Ｒ−２Ｒラダー抵抗部の端に在る抵抗
は誤差を生じ易いが、他の抵抗の付加により上述した端
に在る抵抗は端に在る抵抗でなくなるので、最上位ビッ
トによる誤差は低減される。
抵抗の各々は、その両側に在る酸化膜の幅が同一である
ので、同一の幅を有することになり、従って抵抗比が安
定化する。また、Ｒ−２Ｒラダー抵抗部の端に在る抵抗
は誤差を生じ易いが、他の抵抗の付加により上述した端
に在る抵抗は端に在る抵抗でなくなるので、最上位ビッ
トによる誤差は低減される。
【０００９】
【実施例】実施例１．以下、この発明の一実施例を図に
ついて説明する。図１、図２はこの発明の一実施例のそ
れぞれ上面図、断面図である。図において１，２，３
ａ，３ｂ，４〜６は従来例におけるものと全く同じであ
る。３ｃはＲ−２Ｒラダー抵抗部５の一方の外側に設け
られた他の抵抗例えば第２半導体拡散抵抗であって、抵
抗３ａ，３ｂと同一の大きさ、同一の形状および同一の
方向を有している。４ａはこの他の抵抗３ｃとＲ−２Ｒ
ラダー抵抗５との間に設けられた他の酸化膜であって、
酸化膜４と同一の幅を有している。７ａは他の抵抗３ｃ
の、Ｒ−２Ｒラダー抵抗部５とは反対側に形成され、酸
化膜４および他の酸化膜４ａとは状態例えば幅の異なる
酸化膜である。
ついて説明する。図１、図２はこの発明の一実施例のそ
れぞれ上面図、断面図である。図において１，２，３
ａ，３ｂ，４〜６は従来例におけるものと全く同じであ
る。３ｃはＲ−２Ｒラダー抵抗部５の一方の外側に設け
られた他の抵抗例えば第２半導体拡散抵抗であって、抵
抗３ａ，３ｂと同一の大きさ、同一の形状および同一の
方向を有している。４ａはこの他の抵抗３ｃとＲ−２Ｒ
ラダー抵抗５との間に設けられた他の酸化膜であって、
酸化膜４と同一の幅を有している。７ａは他の抵抗３ｃ
の、Ｒ−２Ｒラダー抵抗部５とは反対側に形成され、酸
化膜４および他の酸化膜４ａとは状態例えば幅の異なる
酸化膜である。
【００１０】このように構成されたこの実施例において
は、Ｒ−２Ｒラダー抵抗部５の両側で、その外側に付加
された他の抵抗３ｃの存在により、他の酸化膜４ａはＲ
−２Ｒラダー抵抗部５中の酸化膜４と状態が近似するよ
うになる。このように、酸化膜４と他の酸化膜４ａの状
態が同じ状態に近づくことから、Ｒ−２Ｒラダー抵抗部
５の抵抗３ａ，３ｂの形状は同一条件になるためにほぼ
同一になる。これにより、Ｒ−２Ｒラダー抵抗部５が異
なる状態の酸化膜７ａと接することがなくなるため、Ｒ
−２Ｒラダー抵抗装置の抵抗比の精度は良くなる。
は、Ｒ−２Ｒラダー抵抗部５の両側で、その外側に付加
された他の抵抗３ｃの存在により、他の酸化膜４ａはＲ
−２Ｒラダー抵抗部５中の酸化膜４と状態が近似するよ
うになる。このように、酸化膜４と他の酸化膜４ａの状
態が同じ状態に近づくことから、Ｒ−２Ｒラダー抵抗部
５の抵抗３ａ，３ｂの形状は同一条件になるためにほぼ
同一になる。これにより、Ｒ−２Ｒラダー抵抗部５が異
なる状態の酸化膜７ａと接することがなくなるため、Ｒ
−２Ｒラダー抵抗装置の抵抗比の精度は良くなる。
【００１１】実施例２．また、上記実施例では、Ｒ−２
Ｒラダー抵抗装置のＲ−２Ｒラダー抵抗部全体の抵抗比
の精度を向上させるために、Ｒ−２Ｒラダー抵抗部の両
側に他の抵抗を付加したものを示したが、Ｒ−２Ｒラダ
ー抵抗装置の使用内容により、いずれか一方の側にのみ
他の抵抗を付加してもよい。例えば、Ｒ−２Ｒラダー抵
抗装置を用いたＤ−Ａ変換器では、デイジタルデータを
アナログデータに変換するとき下位ビットデータより上
位ビットデータの方が誤差が大きくなることが知られて
いる。通常、Ｒ−２Ｒラダー抵抗部は最上位ビットから
最下位ビットへと順番に並んでいることが多く、したが
ってＲ−２Ｒラダー抵抗部の端に最上位ビットに対応す
る抵抗があることが多い。上述したように、Ｒ−２Ｒ抵
抗部の端の抵抗は誤差を生じ易いことから、上位ビット
データのアナログデータへの変換はさらに誤差を増加さ
せることになる。このような場合に、最上位ビットに対
応する抵抗の外側に上述した他の抵抗を新たに付加する
と、最上位ビットの抵抗の状態、例えば幅がＲ−２Ｒラ
ダー抵抗部中の他のビットに対応する抵抗の状態に近く
なるため、誤差が低減される。なお、上記実施例では、
この発明を、Ｒ−２Ｒラダー抵抗装置に適用した場合に
ついて説明したが、高い抵抗比精度を必要とする他の装
置に適用できることはいうまでもない。
Ｒラダー抵抗装置のＲ−２Ｒラダー抵抗部全体の抵抗比
の精度を向上させるために、Ｒ−２Ｒラダー抵抗部の両
側に他の抵抗を付加したものを示したが、Ｒ−２Ｒラダ
ー抵抗装置の使用内容により、いずれか一方の側にのみ
他の抵抗を付加してもよい。例えば、Ｒ−２Ｒラダー抵
抗装置を用いたＤ−Ａ変換器では、デイジタルデータを
アナログデータに変換するとき下位ビットデータより上
位ビットデータの方が誤差が大きくなることが知られて
いる。通常、Ｒ−２Ｒラダー抵抗部は最上位ビットから
最下位ビットへと順番に並んでいることが多く、したが
ってＲ−２Ｒラダー抵抗部の端に最上位ビットに対応す
る抵抗があることが多い。上述したように、Ｒ−２Ｒ抵
抗部の端の抵抗は誤差を生じ易いことから、上位ビット
データのアナログデータへの変換はさらに誤差を増加さ
せることになる。このような場合に、最上位ビットに対
応する抵抗の外側に上述した他の抵抗を新たに付加する
と、最上位ビットの抵抗の状態、例えば幅がＲ−２Ｒラ
ダー抵抗部中の他のビットに対応する抵抗の状態に近く
なるため、誤差が低減される。なお、上記実施例では、
この発明を、Ｒ−２Ｒラダー抵抗装置に適用した場合に
ついて説明したが、高い抵抗比精度を必要とする他の装
置に適用できることはいうまでもない。
【００１２】
【発明の効果】以上、詳しく説明したように、この発明
は、Ｒ−２Ｒラダー抵抗部の少なくとも一方の外側に、
前記Ｒ−２Ｒ抵抗部の抵抗と同一の大きさ、同一の形状
および同一の方向を有する少なくとも１本の他の抵抗を
設けると共に、この他の抵抗と前記Ｒ−２Ｒラダー抵抗
部との間にその酸化膜と同一の幅を有する他の酸化膜を
設けたので、精度のよい抵抗比が容易に得られるという
効果を奏する。また、この発明は、Ｒ−２Ｒラダー抵抗
部の複数の抵抗のうち他の抵抗に一番近い抵抗を前記Ｒ
−２Ｒラダー抵抗部の最上位ビットに対応させたので、
最上位ビットによる誤差を低減できるという効果を奏す
る。
は、Ｒ−２Ｒラダー抵抗部の少なくとも一方の外側に、
前記Ｒ−２Ｒ抵抗部の抵抗と同一の大きさ、同一の形状
および同一の方向を有する少なくとも１本の他の抵抗を
設けると共に、この他の抵抗と前記Ｒ−２Ｒラダー抵抗
部との間にその酸化膜と同一の幅を有する他の酸化膜を
設けたので、精度のよい抵抗比が容易に得られるという
効果を奏する。また、この発明は、Ｒ−２Ｒラダー抵抗
部の複数の抵抗のうち他の抵抗に一番近い抵抗を前記Ｒ
−２Ｒラダー抵抗部の最上位ビットに対応させたので、
最上位ビットによる誤差を低減できるという効果を奏す
る。
【図１】この発明の一実施例を示す上面図である。
【図２】図１の実施例の断面図である。
【図３】従来のＲ−２Ｒラダー抵抗装置を示す上面図で
ある。
ある。
【図４】図３の従来装置の断面図である。
１ 第１半導体領域
３ａ，３ｂ 抵抗
３ｃ 他の抵抗
４ 酸化膜
４ａ 他の酸化膜
５ Ｒ−２Ｒラダー抵抗部
Claims (2)
- 【請求項１】 第１半導体領域と、この第１半導体領域
上に形成された複数本の抵抗およびこれら抵抗間の酸化
膜を含むＲ−２Ｒラダー抵抗部とを備え、前記抵抗の大
きさ、形状および方向が同一でありかつ前記酸化膜の幅
が同一であるＲ−２Ｒラダー抵抗装置において、前記Ｒ
−２Ｒラダー抵抗部の少なくとも一方の外側に前記抵抗
と同一の大きさ、同一の形状および同一の方向を有する
少なくとも１本の他の抵抗を設けると共に、この他の抵
抗と前記Ｒ−２Ｒラダー抵抗部との間に前記酸化膜と同
一の幅を有する他の酸化膜を設けたことを特徴とするＲ
−２Ｒラダー抵抗装置。 - 【請求項２】 Ｒ−２Ｒラダー抵抗部の複数の抵抗のう
ち前記他の抵抗に一番近い抵抗が前記Ｒ−２Ｒラダー抵
抗部の最上位ビットに相当する請求項１のＲ−２Ｒラダ
ー抵抗装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17000291A JPH0521718A (ja) | 1991-07-10 | 1991-07-10 | Ｒ−２ｒラダー抵抗装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17000291A JPH0521718A (ja) | 1991-07-10 | 1991-07-10 | Ｒ−２ｒラダー抵抗装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0521718A true JPH0521718A (ja) | 1993-01-29 |
Family
ID=15896773
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17000291A Pending JPH0521718A (ja) | 1991-07-10 | 1991-07-10 | Ｒ−２ｒラダー抵抗装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0521718A (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5821365A (ja) * | 1982-03-29 | 1983-02-08 | Nec Corp | 半導体集積回路装置 |
| JPS6079766A (ja) * | 1983-10-05 | 1985-05-07 | Nec Corp | Ｒ−２ｒはしご形抵抗回路 |
| JPS61207049A (ja) * | 1985-03-12 | 1986-09-13 | Sony Corp | 半導体装置 |
| JPS61229302A (ja) * | 1985-04-03 | 1986-10-13 | 日本電気株式会社 | 並置型抵抗体装置 |
-
1991
- 1991-07-10 JP JP17000291A patent/JPH0521718A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5821365A (ja) * | 1982-03-29 | 1983-02-08 | Nec Corp | 半導体集積回路装置 |
| JPS6079766A (ja) * | 1983-10-05 | 1985-05-07 | Nec Corp | Ｒ−２ｒはしご形抵抗回路 |
| JPS61207049A (ja) * | 1985-03-12 | 1986-09-13 | Sony Corp | 半導体装置 |
| JPS61229302A (ja) * | 1985-04-03 | 1986-10-13 | 日本電気株式会社 | 並置型抵抗体装置 |
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