JPH05218264A - 樹脂流れ性の良いリードフレーム - Google Patents
樹脂流れ性の良いリードフレームInfo
- Publication number
- JPH05218264A JPH05218264A JP4017226A JP1722692A JPH05218264A JP H05218264 A JPH05218264 A JP H05218264A JP 4017226 A JP4017226 A JP 4017226A JP 1722692 A JP1722692 A JP 1722692A JP H05218264 A JPH05218264 A JP H05218264A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead frame
- resin
- island portion
- lead
- resin flow
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】量産性及び信頼性に優れたリードフレームを提
供する。 【構成】半導体装置と接続されるリード部１１、半導体
装置を載置するアイランド部１２等を有するリードフレ
ームであって、前記アイランド部１２に、山状の突起１
３をプレス加工により一体成形する。
供する。 【構成】半導体装置と接続されるリード部１１、半導体
装置を載置するアイランド部１２等を有するリードフレ
ームであって、前記アイランド部１２に、山状の突起１
３をプレス加工により一体成形する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は全体をフルモールドされ
るリードフレームに関するものである。
るリードフレームに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図２に示すように、一般にリードフレー
ムはリード部１と、このリード部１とボンディングされ
る半導体装置（図示せず）を載置するアイランド部２と
から構成され、アイランド部２はほぼ平板状に形成され
ている。そして、アイランド部２の上下面に沿って樹脂
を流し込むことで、アイランド部２を含むリードフレー
ム全体をフルモールドする。
ムはリード部１と、このリード部１とボンディングされ
る半導体装置（図示せず）を載置するアイランド部２と
から構成され、アイランド部２はほぼ平板状に形成され
ている。そして、アイランド部２の上下面に沿って樹脂
を流し込むことで、アイランド部２を含むリードフレー
ム全体をフルモールドする。
【０００３】しかしこの場合、アイランド部２の上側と
下側では最終的に被覆成形される樹脂の厚さが相違し、
これに関連して樹脂が流れる空間の広狭により樹脂の流
れ具合が異なり、上側の流れａが良く、下側の流れｂが
悪くなる。このため、図３に示すように流れの良い上側
の樹脂が流れの悪い下側にまで流れ込んでしまう現象が
起きる。この結果、流れの悪い下側で樹脂内に気泡ｃが
生じたり、樹脂表面に波状の模様ｄができてしまってい
た。
下側では最終的に被覆成形される樹脂の厚さが相違し、
これに関連して樹脂が流れる空間の広狭により樹脂の流
れ具合が異なり、上側の流れａが良く、下側の流れｂが
悪くなる。このため、図３に示すように流れの良い上側
の樹脂が流れの悪い下側にまで流れ込んでしまう現象が
起きる。この結果、流れの悪い下側で樹脂内に気泡ｃが
生じたり、樹脂表面に波状の模様ｄができてしまってい
た。
【０００４】これを解消するために、樹脂の流れの良い
上側に別体の障害板３を貼付し、アイランド部２の上下
面での樹脂の流れ具合を均一にし、樹脂内での気泡の発
生や樹脂表面の波模様ｄの発生を防止している。
上側に別体の障害板３を貼付し、アイランド部２の上下
面での樹脂の流れ具合を均一にし、樹脂内での気泡の発
生や樹脂表面の波模様ｄの発生を防止している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、前述した従来
技術では、各リードフレーム毎に障害板３を１個ずつ貼
付していたため量産性が悪く、貼付状態によっては障害
板３が脱落する等、信頼性に欠けるという問題点があっ
た。
技術では、各リードフレーム毎に障害板３を１個ずつ貼
付していたため量産性が悪く、貼付状態によっては障害
板３が脱落する等、信頼性に欠けるという問題点があっ
た。
【０００６】本発明は前記問題点に鑑みなされたもの
で、量産性及び信頼性に優れた樹脂流れ性の良いリード
フレームを提供することを目的とする。
で、量産性及び信頼性に優れた樹脂流れ性の良いリード
フレームを提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に本発明は、半導体装置と接続されるインナーリード、
半導体装置を載置するアイランド部等を有するリードフ
レームにおいて、前記アイランド部に、山状の突起を一
体成形したことを特徴とする。
に本発明は、半導体装置と接続されるインナーリード、
半導体装置を載置するアイランド部等を有するリードフ
レームにおいて、前記アイランド部に、山状の突起を一
体成形したことを特徴とする。
【０００８】
【作用】前記アイランド部に設ける山状の突起をプレス
加工により一体成形する。これにより、量産性及び信頼
性が向上する。
加工により一体成形する。これにより、量産性及び信頼
性が向上する。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の実施例を添付図面を参照しな
がら説明する。図１は本実施例の樹脂流れ性の良いリー
ドフレームを示す斜視図である。
がら説明する。図１は本実施例の樹脂流れ性の良いリー
ドフレームを示す斜視図である。
【００１０】図中の１１はリード部、１２はリード部１
１とボンディングされる半導体装置（図示せず）を載置
するアイランド部で、このアイランド部１２は全体をほ
ぼ平板状に形成され、その上側に障害板１３が設けられ
ている。この障害板１３は断面形状を山状の突起とし
て、アイランド部１２の横方向全幅に亘って形成されて
いる。さらに、アイランド部１２の下側には障害板１３
に対応する位置に凹溝１４が形成されている。この凹溝
１４は障害板１３と同様に、アイランド部１２の横方向
全幅に亘って形成されている。
１とボンディングされる半導体装置（図示せず）を載置
するアイランド部で、このアイランド部１２は全体をほ
ぼ平板状に形成され、その上側に障害板１３が設けられ
ている。この障害板１３は断面形状を山状の突起とし
て、アイランド部１２の横方向全幅に亘って形成されて
いる。さらに、アイランド部１２の下側には障害板１３
に対応する位置に凹溝１４が形成されている。この凹溝
１４は障害板１３と同様に、アイランド部１２の横方向
全幅に亘って形成されている。
【００１１】そして、障害板１３及び凹溝１４を含むリ
ードフレームは押し出し加工（半せん断加工）による形
成される。
ードフレームは押し出し加工（半せん断加工）による形
成される。
【００１２】具体的には図５に示すように、プレス金型
内において障害板１３を成形する側のダイ１６に山形の
形状に合わせた穴部１７を開けておき、凹溝１４を形成
する突起１９を有するパンチ１８でプレス加工を行う。
即ち、パンチ１８によるプレスでアイランド部１２の下
側（図５においては上側）に凹溝１４が形成され、アイ
ランド部１２を構成する材料のうち、凹溝１４を形成す
る分がダイ１６の穴部１７に押込まれ、障害板１３が成
形される。
内において障害板１３を成形する側のダイ１６に山形の
形状に合わせた穴部１７を開けておき、凹溝１４を形成
する突起１９を有するパンチ１８でプレス加工を行う。
即ち、パンチ１８によるプレスでアイランド部１２の下
側（図５においては上側）に凹溝１４が形成され、アイ
ランド部１２を構成する材料のうち、凹溝１４を形成す
る分がダイ１６の穴部１７に押込まれ、障害板１３が成
形される。
【００１３】また、凹溝１４の幅は障害板１３の幅より
広く設定される。これにより、図６に示すように、障害
板１３が凹溝１４に完全に入り込み、製品の重なり性が
良好になり、突起の無いリードフレームと同様に積み重
ねたときの嵩ばりを確実に解消することができる。この
結果、運搬費を低減することができる。
広く設定される。これにより、図６に示すように、障害
板１３が凹溝１４に完全に入り込み、製品の重なり性が
良好になり、突起の無いリードフレームと同様に積み重
ねたときの嵩ばりを確実に解消することができる。この
結果、運搬費を低減することができる。
【００１４】なお、障害板１３は、図７に示すようにリ
ードフレーム材料の圧延工程において同時に成形するよ
うにしてもよい。これにより、リードフレームの量産性
が向上する。
ードフレーム材料の圧延工程において同時に成形するよ
うにしてもよい。これにより、リードフレームの量産性
が向上する。
【００１５】
【発明の効果】以上、詳述したように本発明の樹脂流れ
性の良いリードフレームによれば、以下の効果を奏す
る。
性の良いリードフレームによれば、以下の効果を奏す
る。
【００１６】（１） 突起のないリードフレームを量産
する時と同じ量産性を確保することができる。
する時と同じ量産性を確保することができる。
【００１７】（２） 新たな工程を追加せずに突起を形
成できるので、突起を有するリードフレームの製造コス
トを低減することができる。
成できるので、突起を有するリードフレームの製造コス
トを低減することができる。
【図１】本発明の樹脂流れ性の良いリードフレームを示
す斜視図である。
す斜視図である。
【図２】従来のリードフレームを樹脂モールドするとき
の樹脂の不均一な流れを示す説明図である。
の樹脂の不均一な流れを示す説明図である。
【図３】図２における不均一な樹脂の流れのため気泡や
波状の模様が生じる状態を示す説明図である。
波状の模様が生じる状態を示す説明図である。
【図４】アイランド部に別体の障害板を取付けたときの
樹脂の流れを示す説明図である。
樹脂の流れを示す説明図である。
【図５】本発明に係るプレス加工時の作業状態を示す概
略側面図である。
略側面図である。
【図６】プレス加工により成形したリードフレームを重
ね合わせた状態を示す側面図である。
ね合わせた状態を示す側面図である。
【図７】圧延工程により突起を付加したリードフレーム
を示す斜視図である。
を示す斜視図である。
１１ リード部 １２ アイランド部 １３ 障害板 １４ 凹溝 １６ ダイ １８ パンチ
Claims (1)
- 【請求項１】半導体装置と接続されるインナーリード、
半導体装置を載置するアイランド部等を有するリードフ
レームにおいて、前記アイランド部に、山状の突起を一
体成形したことを特徴とするリードフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4017226A JPH05218264A (ja) | 1992-02-03 | 1992-02-03 | 樹脂流れ性の良いリードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4017226A JPH05218264A (ja) | 1992-02-03 | 1992-02-03 | 樹脂流れ性の良いリードフレーム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05218264A true JPH05218264A (ja) | 1993-08-27 |
Family
ID=11938037
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4017226A Pending JPH05218264A (ja) | 1992-02-03 | 1992-02-03 | 樹脂流れ性の良いリードフレーム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05218264A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2024046299A (ja) * | 2022-09-22 | 2024-04-03 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
-
1992
- 1992-02-03 JP JP4017226A patent/JPH05218264A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2024046299A (ja) * | 2022-09-22 | 2024-04-03 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
| US12588240B2 (en) | 2022-09-22 | 2026-03-24 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device |
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