JPH05218508A - 光半導体装置の製造方法 - Google Patents

光半導体装置の製造方法

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JPH05218508A JP4019010A JP1901092A JPH05218508A JP H05218508 A JPH05218508 A JP H05218508A JP 4019010 A JP4019010 A JP 4019010A JP 1901092 A JP1901092 A JP 1901092A JP H05218508 A JPH05218508 A JP H05218508A
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 立体配線パターンを損傷せずに、成形時の樹
脂漏れ防ぐ。 【構成】 絶縁基板1に樹脂漏れ防止壁21を形成す
る。樹脂成形時に、成形金型10,11の押さえ部10
a,11aを、ばね14にて樹脂漏れ防止壁21に押圧
し密着させる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、リードレスタイプの樹
脂封止型光半導体装置の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来のリードレスタイプの光半導体装置
における面実装デバイス(以下、SMDと称す)は、図
7の如く、電極を形成するためのスルーホールS(貫通
穴)を有する樹脂製絶縁基板1に、光半導体素子2(光
電変換素子)を搭載するためのヘツダー部3と、光半導
体素子2の電極と電気的にワイヤボンデイング接続する
結線部4とを有する立体配線パターンPが立体配線パタ
ーン形成されている。この絶縁基板1の材質としては、
ガラスエポキシ樹脂等が用いられている。
【0003】図7に示す光半導体素子2は絶縁基板1上
に積層されたヘツダー部3に導電性ペーストにてダイボ
ンドされ、さらに、この光半導体素子2は、結線部4と
金線等のボンデイングワイヤ5により結線される。
【0004】そして、光半導体素子2は、図8の如く、
透光性樹脂を用いてトランスフアー成型法にて樹脂封止
され、レンズ6が有せしめられる。トランスフアーモー
ルドの方法としては、図8の如く、ランナー部7をパツ
ケージ8となる部分以外に設け、ランナー部7からゲー
ト9を介して、樹脂を注入して封止し、その後、ランナ
ー部7およびゲート9を除去すべく、ダイシングライン
Dでダイシングし、単独のSMD光半導体装置を製造す
る(図2〜3参照)。
【0005】なお、図9〜11は、成形金型10,11
を用いて樹脂封止した状態を示す図である。図11中、
10a,11aは成形金型10,11の押さえ部、12
は樹脂注入口、13はプランジー(ピストン)を示して
いる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】従来の光半導体装置の
製造方法において、トランスフアー成型を行なう際、図
9,10の如く、成形金型10,11で絶縁基板1をク
ランプして成形する。
【0007】ここで、絶縁基板1上の立体配線パターン
Pは、片側約20μmの厚さを有するため、この立体配
線パターンPの配されていない部分について絶縁基板1
と成形金型10,11との間に隙間d(図9)が生じ
る。この隙間dから樹脂が漏れないようにするには、モ
ールド金型10,11で立体配線パターンPをつぶして
でも隙間dを塞がなければならない。このため、成形金
型10,11の当たる領域と樹脂封止される領域の境界
部分で、立体配線パターンPが切れてしまうといつた現
象が発生する。
【0008】なお、他の方法として、金属製リードフレ
ームを成形金型でクランプする方法もある。この場合、
金属製リードフレームの厚み公差は一般的に小さい。こ
れに対し、図9,10のような絶縁基板1を用いる場
合、光半導体装置全体を小型化できるといつた利点があ
るが、絶縁基板1の成形時の厚み公差は金属製リードフ
レームに比べて大となつてしまう。
【0009】このため、絶縁基板1の厚み公差の最も薄
い状態を考慮して、成型金型10,11の押さえ部10
a,11aの厚み寸法を決めると、前述のように、絶縁
基板1がこの設計寸法より厚い場合に、立体配線パター
ンPを完全に切断してしまい、不良品発生の要因となつ
ていた。
【0010】逆に、この現象を防止するため、絶縁基板
1の厚み公差の最も厚い状態を考慮して、押さえ部10
a,11aの厚み寸法を決め、成形金型10,11の押
さえ圧力を小さくすることもできる。しかし、そうすれ
ば、基板1と金型との隙間dが大となり、この隙間dか
ら樹脂が漏れてしまい、樹脂コストを節約できないばか
りか、成形金型10,11から樹脂がはみ出して形状が
不定形となることから、取り扱いに手間取るといつた欠
点があつた。
【0011】本発明は、上記課題に鑑み、成型時の樹脂
漏れを発生させず、かつ絶縁基板上の立体配線パターン
の損傷を小さくし、品質を向上し得る光半導体装置の製
造方法の提供を目的とする。
【0012】
【課題を解決するための手段】本発明請求項1による課
題解決手段は、図1の如く、絶縁基板1に立体配線パタ
ーンPを設け、該立体配線パターンP上に複数の光半導
体素子2を搭載し、絶縁基板1を成形金型10,11の
押さえ部10a,11aで押さえながら複数の光半導体
素子2を透光性樹脂にてモールドして複数のパツケージ
8を形成する光半導体装置の製造方法において、前記絶
縁基板1の外郭部に、樹脂漏れ防止壁21を立体配線パ
ターンPと同厚に形成し、前記成形金型10,11の少
なくとも一方の押さえ部10aを遊動自在とし、該押さ
え部10aをばね14にて立体配線パターンPおよび樹
脂漏れ防止壁21に押圧し、押さえ部10aと樹脂漏れ
防止壁21との密着力により、樹脂注入時の樹脂漏れを
防止するものである。
【0013】本発明請求項2による課題解決手段は、請
求項1記載の樹脂漏れ防止壁21は、立体配線パターン
Pと同一材料を用いて同時にパターン形成するものであ
る。
【0014】
【作用】上記請求項1による課題解決手段において、樹
脂成形時に、成形金型10,11の押さえ部10a,1
1aで絶縁基板1を押さえる際、押さえ部10aは成形
金型10,11に対して遊動自在であるから、ばね14
により絶縁基板1および立体配線パターンPに加わる圧
力を適正に調整できる。
【0015】この場合、絶縁基板1上の立体配線パター
ンPが配されていない部分について、樹脂注入時に押さ
え部10aと絶縁基板1との間の隙間dから樹脂が漏れ
ても、外郭部で樹脂漏れ防止壁21と押さえ部10aと
が密着するため、樹脂の流れを止めることができる。
【0016】請求項2では、絶縁基板1上の樹脂漏れ防
止壁21を立体配線パターンPと同一材料を用いて同時
にパターン形成し、部材追加による工程数の増加を防
ぐ。
【0017】
【実施例】図1は本発明の一実施例に使用する成形金型
の構造概念図、図2は光半導体素子の完成状態を示す平
面図、図3は図2のA−A断面図、図4は図2のB−B
断面図、図5は絶縁基板上の立体配線パターンおよび樹
脂漏れ防止壁を示す平面図、図6は絶縁基板の断面図で
ある。なお、従来と同一機能を有する部材は、同一符号
を付している。
【0018】本実施例の光半導体装置は、リードレスタ
イプの面実装デバイス(以下、SMDと称す)であり、
図2〜4の如く、ガラスエポキシ樹脂等からなる絶縁基
板1の上面に、立体配線パターンPがメツキ法または金
属蒸着法にて形成され、そのヘツダー部3に光半導体素
子2(光電変換素子)が搭載され、光半導体素子2の電
極と立体配線パターンPの結線部4との間にボンデイン
グワイヤ5が結線され、さらに透光性樹脂を用いてトラ
ンスフアー成型法にて樹脂封止され、レンズ6を有する
パツケージ8が形成されてなる。
【0019】また、本実施例で用いられる金型は、図1
の如く、上金型10と下金型11とからなり、プランジ
ー13にて押さえ付け可能な押さえ部10a,11aを
有している。そして、上金型10の押さえ部10aは、
上金型本体10bの収納室10c内に上下方向に遊動自
在とされ、ばね14にて下方に付勢されている。
【0020】上記SMD光半導体装置は、次のように製
造される。
【0021】まず、絶縁基板1を、図5または図6に示
すように、複数のデバイス分が一体的に連なつた状態で
成形し、その上面に立体配線パターンPを形成する。こ
の際、図5の如く、絶縁基板1の外郭部に、樹脂漏れ防
止壁21を立体配線パターンPと同厚に形成しておく。
【0022】次に、金型10,11を用いて、図8の如
く、複数のデバイス分について、ランナー部7からゲー
ト9を介して、樹脂を一度に注入して封止し、レンズ6
を有するパツケージ8を形成する。
【0023】この際、図1の如く、ばね14にて、金型
10,11の押さえ部10a,11aを、立体配線パタ
ーンPおよび樹脂漏れ防止壁21に対して遊動自在に押
圧する。
【0024】そうすると、基板1の厚み寸法のいかんに
よらず、押さえ部10a,11aと樹脂漏れ防止壁21
とを確実に密着させることができ、樹脂注入時の外部へ
の樹脂漏れを防止できる。
【0025】また、樹脂漏れ防止壁21を設けたことに
より、図9に示す隙間dからパツケージ8内の空気およ
び樹脂を逃がしても、樹脂漏れを防止できるため、成型
金型に通常設ける空気抜き用凹部(エアーベント)の加
工を施す必要がなく、成型金型の加工も容易となり、安
い設備投資ですむ。
【0026】その後、ランナー部7およびゲート9を除
去すべく、ダイシングラインDでダイシングして、図2
〜3の如く、単独のSMD光半導体装置は完成する。
【0027】なお、本発明は、上記実施例に限定される
ものではなく、本発明の範囲内で上記実施例に多くの修
正および変更を加え得ることは勿論である。
【0028】例えば、上記実施例では、上側の金型10
の押さえ部10aにばね14を設けていたが、下側の金
型11の押さえ部11aにばね14を設け、下側から押
圧してもよい。
【0029】
【発明の効果】以上の説明から明らかな通り、本発明請
求項1によると、絶縁基板の外郭部に樹脂漏れ防止壁を
形成し、成形金型の押さえ部をばねにて樹脂漏れ防止壁
に押圧するので、押さえ部と樹脂漏れ防止壁との密着力
により、樹脂注入時の樹脂漏れを防止できる。
【0030】したがつて、基板の厚み寸法のいかんによ
らず、押さえ部と樹脂漏れ防止壁とを確実に密着させる
ことができ、立体配線パターンを損傷して信頼性を損な
うことなく、樹脂注入時の外部への樹脂漏れを防止で
き、経費を節減できると同時に、形状を定形化でき、取
り扱いを容易にできる。
【0031】本発明請求項2によると、樹脂漏れ防止壁
を立体配線パターンと同一材料を用いて同時にパターン
形成するので、新たな部材を設けることによる作業工程
の増加を防止できるといつた優れた効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例に使用する成形金型の構造概
念図
【図2】光半導体素子の完成状態を示す平面図
【図3】図2のA−A断面図
【図4】図2のB−B断面図
【図5】絶縁基板上の立体配線パターンおよび樹脂漏れ
防止壁を示す平面図
【図6】絶縁基板の断面図
【図7】絶縁基板上の立体配線パターンを示す一部平面
【図8】光半導体素子の樹脂封止状態を示す一部平面図
【図9】図8のC−C断面図
【図10】図8のD−D断面図
【図11】従来に使用する成形金型の構造概念図
【符号の説明】
1 絶縁基板 2 光半導体素子 8 パツケージ 10,11 成形金型 10a,11a 押さえ部 14 ばね 21 樹脂漏れ防止壁 P 立体配線パターン

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 絶縁基板に立体配線パターンを設け、該
    立体配線パターン上に複数の光半導体素子を搭載し、絶
    縁基板を成形金型の押さえ部で押さえながら複数の光半
    導体素子を透光性樹脂にてモールドして複数のパツケー
    ジを形成する光半導体装置の製造方法において、前記絶
    縁基板の外郭部に、樹脂漏れ防止壁を立体配線パターン
    と同厚に形成し、前記成形金型の少なくとも一方の押さ
    え部を遊動自在とし、該押さえ部をばねにて立体配線パ
    ターンおよび樹脂漏れ防止壁に押圧し、押さえ部と樹脂
    漏れ防止壁との密着力により、樹脂注入時の樹脂漏れを
    防止することを特徴とする光半導体装置の製造方法。
  2. 【請求項2】 請求項1記載の樹脂漏れ防止壁は、立体
    配線パターンと同一材料を用いて同時にパターン形成す
    ることを特徴とする光半導体装置の製造方法。
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