JPH10116953A - リードフレーム及びこれを用いた半導体装置 - Google Patents

リードフレーム及びこれを用いた半導体装置

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JPH10116953A
JPH10116953A JP8268063A JP26806396A JPH10116953A JP H10116953 A JPH10116953 A JP H10116953A JP 8268063 A JP8268063 A JP 8268063A JP 26806396 A JP26806396 A JP 26806396A JP H10116953 A JPH10116953 A JP H10116953A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体装置の角部におけるワイヤー流れを最
小限に抑え、隣接するボンディングワイヤーとのショー
トを防止する。 【解決手段】 半導体チップ３に一端を近接して設けた
複数のインナーリード２３を設け、このインナーリード
２３のうち半導体チップ３の角部の電極パッドに接続す
るインナーリード２３を隣接するインナーリード２３よ
り半導体チップ３に接近させて形成する。また、半導体
装置２７は、半導体チップ３と、この半導体チップ３の
角部の電極パッドに接続するインナーリード２３を隣接
するインナーリード２３より半導体チップ３に接近させ
て形成したリードフレーム２１と、半導体チップ３をイ
ンナーリード２３にそれぞれ接続する複数のボンディン
グワイヤー９と、半導体チップ３、インナーリード２３
及びボンディングワイヤー９を封止する樹脂パッケージ
本体とにより構成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、樹脂封止型半導体
集積回路用のリードフレーム及びこれを用いた半導体装
置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体チップを塵埃、汚染、機械的な破
壊から保護するための封止には、気密封止と樹脂封止と
があるが、近年では半導体チップのパッシベーション技
術の向上や封止用樹脂の特性向上により、量産向きであ
り且つ安価なパッケージを得ることのできる樹脂封止パ
ッケージが多く用いられる傾向にある。このような樹脂
封止パッケージを用いた樹脂封止型半導体装置を製造す
るに当たっては、図３に示すように、拡散完了ウエハ１
をスクライブ工程において個々の半導体チップ３に分割
し、分割した半導体チップ３をダイボンド工程において
リードフレーム５上に銀ペースト７によって固定する。
次いで、ワイヤーボンド工程においてボンディングワイ
ヤー（金線）９を用いて半導体チップ３の電極パッドと
リードフレーム５とを電気的に接続する。次いで、モー
ルド工程にてモールド樹脂１１を用いて封止を行った
後、リード加工工程においてリードを所定形状に加工す
ることで、樹脂封止型半導体装置１３を得ていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た樹脂封止型半導体装置１３では、半導体チップ３の電
極パッドとリードフレーム５とを接続するボンディング
ワイヤー９の全長が３ｍｍ以上になると、図４、図５に
示すモールド樹脂１１を注入するモールド工程におい
て、モールド樹脂１１の流れ方向（図中矢印方向参照）
に変形する所謂ワイヤー流れ１５が生じ、ボンディング
ワイヤー９の断線、又は隣接するボンディングワイヤー
９が接触してショートする等の事故を起こす虞れがあっ
た。そして、このような問題は、特に図５に示す４方向
に電極パッドを有する半導体チップ３において、全長が
長く且つモールド樹脂１１の流れ方向が交差する方向と
なる角部のボンディングワイヤー９ａ、９ｂで顕著に発
生した。本発明は上記状況に鑑みてなされたもので、特
に半導体装置１３の角部におけるワイヤー流れを最小限
に抑え、隣接するボンディングワイヤーとのショートを
防止することのできるリードフレーム及びこれを用いた
半導体装置を提供し、半導体装置の歩留り及び信頼性の
向上を図ることを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明に係るリードフレームは、半導体チップに一端
を近接して設けた複数のボンディングワイヤー接続用イ
ンナーリードを有し、該インナーリードのうちボンディ
ングワイヤーを介して前記半導体チップの角部の電極パ
ッドに接続するインナーリードを隣接するインナーリー
ドより前記半導体チップに接近させて形成したことを特
徴とするものである。また、本発明に係る半導体装置
は、半導体チップと、該半導体チップの角部の電極パッ
ドに接続するインナーリードを隣接するインナーリード
より該半導体チップに接近させて形成したリードフレー
ムと、前記半導体チップの電極パッドを前記インナーリ
ードにそれぞれ電気的に接続する複数のボンディングワ
イヤーと、前記半導体チップ、前記インナーリード及び
該ボンディングワイヤーを封止する樹脂パッケージ本体
とを具備したことを特徴とするものである。
【０００５】このように構成したリードフレームでは、
インナーリードのうち半導体チップの角部の電極パッド
に接続するインナーリードが、隣接するインナーリード
より半導体チップに接近して形成され、半導体チップの
角部における電極パッドとインナーリードとを接続する
ボンディングワイヤーの全長が短くなる。また、半導体
装置では、角部のインナーリードが半導体チップに接近
したリードフレームを用いることで、角部におけるボン
ディングワイヤーが短くなり、ボンディングワイヤ自身
の剛体が高まるとともに、モールド樹脂注入時における
注入樹脂から受ける抵抗も小さくなり、角部におけるボ
ンディングワイヤーに変形が生じにくくなる。
【０００６】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係るリードフレー
ム及びこれを用いた半導体装置の好適な実施の形態を図
面を参照して詳細に説明する。図１は本発明に係るリー
ドフレームを用いた半導体装置の要部を示す平面図、図
２は図１のＡ部拡大図である。なお、図３〜図５に示し
た部材と同一の部材に同一の符号を付し、重複する説明
は省略するものとする。図１に示すように、リードフレ
ーム２１には半導体チップ３に一端を近接して設けた複
数のインナーリード２３を形成してある。
【０００７】半導体チップ３の四方の各縁部には、各辺
方向に複数の電極パッドを並設してある。インナーリー
ド２３は、半導体チップ３の各縁部で一端を半導体チッ
プ３の電極パッドに対応させて配設してある。従って、
インナーリード２３の一端は、半導体チップ３を包囲す
る四角環状の空隙を隔てて半導体チップ３の各縁部に対
向している。
【０００８】図２に示すように、リードフレーム２１
は、複数のインナーリード２３のうち半導体チップ３の
角部の電極パッド２５ａ、２５ｂに電気的に接続するイ
ンナーリード２３ａ、２３ｂを、隣接するインナーリー
ド２３ｃ、２３ｄより半導体チップ３に接近させて形成
してある。
【０００９】このリードフレーム２１を用いた樹脂封止
型半導体装置２７は、従来と同様の工程によって製造す
ることができる。即ち、拡散完了ウエハをスクライブ工
程において個々の半導体チップ３に分割し、分割した半
導体チップ３をダイボンド工程においてリードフレーム
２１に銀ペーストによって固定する。次いで、ワイヤー
ボンド工程においてボンディングワイヤー（金線）９を
用いて半導体チップ３の電極パッドとリードフレーム２
１とを電気的に接続する。次いで、モールド工程にてモ
ールド樹脂を用いて半導体チップ３、インナーリード２
３及びボンディングワイヤー９の封止を行い、樹脂パッ
ケージ本体を形成した後、リード加工工程においてリー
ドを所定形状に加工することで、樹脂封止型半導体装置
２７を得ることができる。
【００１０】なお、リードフレーム２１としては、Ｆｅ
−Ｎｉ合金、Ｃｕ等を用い、ボンディングワイヤー９と
しては、Ａｌ、Ａｕ、Ｃｕ等を用い、モールド樹脂とし
ては、エポキシ、シリコーン、フェノール等を用いるこ
とができる。
【００１１】また、樹脂封止の方法として例えばトラン
スファモールド法を採用した場合では、エポキシ系樹脂
をベースに、アミン系やフェノール系の硬化剤を添加
し、温度１６０〜１８０°Ｃ、圧力４９〜９８ＭＰａ、
時間６０〜１２０秒で成形した後、温度１５０〜１８０
°Ｃで数時間のポストキュアを施すことにより、硬化を
促進させる。
【００１２】上述の構成によるインナーリード２３を用
いた半導体装置２７では、複数のインナーリード２３の
うち半導体チップ３の角部の電極パッド２５ａ、２５ｂ
に電気的に接続するインナーリード２３ａ、２３ｂを、
隣接するインナーリード２３ｃ、２３ｄより半導体チッ
プ３に接近させて形成してあることから、インナーリー
ド２３ａ、２３ｂに接続するボンディングワイヤー９
が、隣接するインナーリード２３ｃ、２３ｄに接続する
ものより短いものとなる。
【００１３】半導体チップ３の四方の各縁部に電極パッ
ドを並設した場合では、インナーリード２３の一端が半
導体チップ３を包囲する四角環状の空隙を隔てて半導体
チップ３の各縁部に対向するので、インナーリード２３
と半導体装置２７との距離は、半導体チップ３の角部で
最大となる。従って、樹脂注入時には、モールド樹脂の
流路がこの角部で最大断面積を有することとなる。これ
に加えて従来の半導体装置では、角部のインナーリード
と半導体チップ３との間隔が最大であったため、ボンデ
ィングワイヤー９もこの角部で最大長となる。その結
果、角部のボンディングワイヤー９は、注入されるモー
ルド樹脂から大きな抵抗を受けるとともに、ボンディン
グワイヤー９自身の耐力も低いものとなり、他の部分の
ボンディングワイヤー９に比べてワイヤー流れが大きい
ものとなっていた。
【００１４】これに対し、上述の構成によるインナーリ
ード２３を用いた半導体装置２７では、電極パッド２５
ａ、２５ｂとインナーリード２３ａ、２３ｂとを接続す
る角部のボンディングワイヤー９ａ、９ｂが、隣接する
ボンディングワイヤー９より短くなることから、注入モ
ールド樹脂からの抵抗も小さくなるとともに、ボンディ
ングワイヤー自身の剛性も高まり、ワイヤー流れが生じ
にくくなる。
【００１５】このように、上述のリードフレーム２１に
よれば、角部のインナーリード２３ａ、２３ｂを隣接す
るインナーリード２３ｃ、２３ｄより半導体チップ３に
接近させて形成したので、角部におけるボンディングワ
イヤー９の全長を短くすることができる。
【００１６】また、リードフレーム２１を用いた半導体
装置２７によれば、半導体チップ３の角部におけるボン
ディングワイヤー９を短くできるので、角部におけるボ
ンディングワイヤー９の剛性を高めることができるとと
もに、モールド樹脂注入時における注入樹脂からの抵抗
を少なくすることができ、ボンディングワイヤー９の変
形を小さくすることができ、断線、又はワイヤー流れに
よって発生するショートを防止することができる。
【００１７】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明に係
るリードフレームによれば、角部のインナーリードを隣
接するインナーリードより半導体チップに接近させて形
成したので、半導体チップの角部におけるボンディング
ワイヤーの全長を短くすることができる。また、本発明
に係る半導体装置によれば、角部のインナーリードが半
導体チップに接近したリードフレームを用いたので、角
部におけるボンディングワイヤーが短くなり、モールド
樹脂注入時におけるボンディングワイヤーの変形を小さ
くすることができ、断線、又はワイヤー流れによって発
生するショートを防止することができる。この結果、半
導体装置の歩留り及び信頼性を向上させることができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るリードフレームを用いた半導体装
置の要部平面図である。
【図２】図１のＡ部拡大図である。
【図３】樹脂封止型半導体装置の製造工程を示す説明図
である。
【図４】モールド樹脂流れによるボンディングワイヤー
の変形を説明する従来の樹脂封止型半導体装置の側面図
である。
【図５】図４の平面図である。
【符号の説明】 ３ 半導体チップ ９ ボンディングワイヤー ２１ リードフレーム ２３ インナーリード ２３ａ、２３ｂ 角部に電気的に接続するインナーリー
ド ２３ｃ、２３ｄ 隣接するインナーリード ２７ 半導体装置

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体チップに一端を近接して設けた複
    数のボンディングワイヤー接続用インナーリードを有
    し、該インナーリードのうちボンディングワイヤーを介
    して前記半導体チップの角部の電極パッドに接続するイ
    ンナーリードを隣接するインナーリードより前記半導体
    チップに接近させて形成したことを特徴とするリードフ
    レーム。
  2. 【請求項２】 半導体チップと、 該半導体チップの角部の電極パッドに接続するインナー
    リードを隣接するインナーリードより該半導体チップに
    接近させて形成したリードフレームと、 前記半導体チップの電極パッドを前記インナーリードに
    それぞれ電気的に接続する複数のボンディングワイヤー
    と、 前記半導体チップ、前記インナーリード及び該ボンディ
    ングワイヤーを封止する樹脂パッケージ本体とを具備し
    たことを特徴とする半導体装置。
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