JPH0521861A - 磁気抵抗変換素子 - Google Patents
磁気抵抗変換素子Info
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- JPH0521861A JPH0521861A JP3176920A JP17692091A JPH0521861A JP H0521861 A JPH0521861 A JP H0521861A JP 3176920 A JP3176920 A JP 3176920A JP 17692091 A JP17692091 A JP 17692091A JP H0521861 A JPH0521861 A JP H0521861A
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- terminal lead
- sensor
- magnetic resistance
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 磁気抵抗変換素子における端子導出部による
不要な磁気抵抗変換作用に基づくノイズを防止する。 【構成】 共通の磁気抵抗効果薄膜より成るセンサー部
ＭＲ1 〜ＭＲ6 とこれよりの端子導出部５２とが構成さ
れた磁気抵抗変換素子２１の、その端子導出部５２にス
リット５３を設ける。
不要な磁気抵抗変換作用に基づくノイズを防止する。 【構成】 共通の磁気抵抗効果薄膜より成るセンサー部
ＭＲ1 〜ＭＲ6 とこれよりの端子導出部５２とが構成さ
れた磁気抵抗変換素子２１の、その端子導出部５２にス
リット５３を設ける。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は磁気抵抗変換素子、例え
ば磁気スケール装置等の微小位置検出装置におけるその
磁気スケールからの磁界を検出する磁気抵抗効果（Ｍ
Ｒ）薄膜よりなる磁気抵抗変換素子に係わる。
ば磁気スケール装置等の微小位置検出装置におけるその
磁気スケールからの磁界を検出する磁気抵抗効果（Ｍ
Ｒ）薄膜よりなる磁気抵抗変換素子に係わる。
【０００２】
【従来の技術】例えば磁気スケール等の一定の繰返し磁
化パターンに対する相対的変位による外部磁界変化を電
気信号に変換してその微小位置検出、さらにこれによる
長さ測定、移動量、さらに移動速度、回転速度等の検出
を行う微小位置検出装置における検出素子としてＭＲ薄
膜よりなる磁気抵抗変換素子を用いるものがある。
化パターンに対する相対的変位による外部磁界変化を電
気信号に変換してその微小位置検出、さらにこれによる
長さ測定、移動量、さらに移動速度、回転速度等の検出
を行う微小位置検出装置における検出素子としてＭＲ薄
膜よりなる磁気抵抗変換素子を用いるものがある。
【０００３】図３はその微小位置検出位置の配置構成図
を示す。１１は、ＮＳ着磁パターンがピッチλをもって
繰返し配列された微小位置検出用の外部磁界を与える磁
気スケールで、この磁気スケール１１の繰返しＮＳ着磁
パターンの配列方向に磁気抵抗変換素子２１が磁気スケ
ール１１に対向して相対的に移行するようになされる。
を示す。１１は、ＮＳ着磁パターンがピッチλをもって
繰返し配列された微小位置検出用の外部磁界を与える磁
気スケールで、この磁気スケール１１の繰返しＮＳ着磁
パターンの配列方向に磁気抵抗変換素子２１が磁気スケ
ール１１に対向して相対的に移行するようになされる。
【０００４】この磁気抵抗変換素子２１は、図４にその
回路構成を示すように、電源（Ｖｃｃ）端子１と接地端
子２Ｇ1 及び２Ｇ2 間にそれぞれ対のＭＲ薄膜よりなる
センサー部すなわち感磁部ＭＲ1 及びＭＲ2 、ＭＲ3 及
びＭＲ4 、ＭＲ5 及びＭＲ6 が接続され、各対のセンサ
ー部の接続中点から、それぞれ出力端子１２，３４，５
６が導出される。また、これら対の直列接続によるセン
サー部と並列に基準出力取出し用の直列接続された抵抗
ＲS1及びＲS2が接続され、その接続中点から基準電圧取
出し端子Ｓ12が導出された構成が採られる。
回路構成を示すように、電源（Ｖｃｃ）端子１と接地端
子２Ｇ1 及び２Ｇ2 間にそれぞれ対のＭＲ薄膜よりなる
センサー部すなわち感磁部ＭＲ1 及びＭＲ2 、ＭＲ3 及
びＭＲ4 、ＭＲ5 及びＭＲ6 が接続され、各対のセンサ
ー部の接続中点から、それぞれ出力端子１２，３４，５
６が導出される。また、これら対の直列接続によるセン
サー部と並列に基準出力取出し用の直列接続された抵抗
ＲS1及びＲS2が接続され、その接続中点から基準電圧取
出し端子Ｓ12が導出された構成が採られる。
【０００５】各センサー部ＭＲ1 〜ＭＲ6 は、それぞれ
図３に示すように、磁気スケール１１の着磁パターンの
配列方向Ｘに対して直交するＹ方向に延びる細線状パタ
ーンがジクザグパターンをもってかつそれぞれ対のジグ
ザグパターンが磁気スケール１１の着磁ピッチλに対応
するピッチをもって配列形成されてかつセンサー部ＭＲ
1 とＭＲ2 とが、またＭＲ3 とＭＲ4 とが、ＭＲ5 とＭ
Ｒ6 とが、それぞれ磁気スケール１１の着磁ピッチλの
λ／２の整数倍になるように配置される。
図３に示すように、磁気スケール１１の着磁パターンの
配列方向Ｘに対して直交するＹ方向に延びる細線状パタ
ーンがジクザグパターンをもってかつそれぞれ対のジグ
ザグパターンが磁気スケール１１の着磁ピッチλに対応
するピッチをもって配列形成されてかつセンサー部ＭＲ
1 とＭＲ2 とが、またＭＲ3 とＭＲ4 とが、ＭＲ5 とＭ
Ｒ6 とが、それぞれ磁気スケール１１の着磁ピッチλの
λ／２の整数倍になるように配置される。
【０００６】また、各対のセンサー部ＭＲ1 及びＭＲ2
間の出力端子１２、ＭＲ3 及びＭＲ 4 間の出力端子３
４、ＭＲ5 及びＭＲ6 間の出力端子５６、基準抵抗ＲS1
及びＲ S2間の端子Ｓ12及び電源Ｖｃｃ端子１は、それぞ
れ充分大なる幅をもって上述の着磁パターンの配列方向
Ｘと直交するＹ方向に延長するように形成される。
間の出力端子１２、ＭＲ3 及びＭＲ 4 間の出力端子３
４、ＭＲ5 及びＭＲ6 間の出力端子５６、基準抵抗ＲS1
及びＲ S2間の端子Ｓ12及び電源Ｖｃｃ端子１は、それぞ
れ充分大なる幅をもって上述の着磁パターンの配列方向
Ｘと直交するＹ方向に延長するように形成される。
【０００７】これら、各端子１２，３４，５６，Ｓ12，
１は、それぞれ製造工程数の低減化、全体のパターンの
高密度高精度化のために、ＭＲ薄膜よりなる各センサー
部ＭＲ1 〜ＭＲ6 さらに基準出力取出し用抵抗ＲS1及び
ＲS2と共に同一の磁気抵抗効果薄膜によって形成した端
子導出部５２によって形成する。即ち、例えばＮｉＦｅ
あるいはＮｉＣｏ等のＭＲ薄膜の全面蒸着、スパッタ等
の成膜の後にフォトリソグラフィによる選択的エッチン
グ等によって各センサー部ＭＲ1 〜ＭＲ6 、抵抗ＲS1，
ＲS2等と同時に形成される。
１は、それぞれ製造工程数の低減化、全体のパターンの
高密度高精度化のために、ＭＲ薄膜よりなる各センサー
部ＭＲ1 〜ＭＲ6 さらに基準出力取出し用抵抗ＲS1及び
ＲS2と共に同一の磁気抵抗効果薄膜によって形成した端
子導出部５２によって形成する。即ち、例えばＮｉＦｅ
あるいはＮｉＣｏ等のＭＲ薄膜の全面蒸着、スパッタ等
の成膜の後にフォトリソグラフィによる選択的エッチン
グ等によって各センサー部ＭＲ1 〜ＭＲ6 、抵抗ＲS1，
ＲS2等と同時に形成される。
【０００８】このような構成による磁気抵抗変換素子に
よれば磁気スケール１１から与えられる外部磁界によっ
て各出力端子１２，３４，５６から、それぞれλ／３、
２λ／３の位置に対応する出力が取出され、任意の２つ
の出力端から図５においてＡ，Ｂ，Ｃ‥‥，ａ，ｂ，ｃ
‥‥の交点の出力によって位置情報が取出されることに
なる。
よれば磁気スケール１１から与えられる外部磁界によっ
て各出力端子１２，３４，５６から、それぞれλ／３、
２λ／３の位置に対応する出力が取出され、任意の２つ
の出力端から図５においてＡ，Ｂ，Ｃ‥‥，ａ，ｂ，ｃ
‥‥の交点の出力によって位置情報が取出されることに
なる。
【０００９】ところが、上述した構成による場合、実際
上これら交点Ａ，Ｂ，Ｃ‥‥，ａ，ｂ，ｃ‥‥の繰返し
交点にずれが発生して位置情報が不正確になる場合があ
る。これは、例えば図６に模式的に磁気スケール１１の
ＮＳ着磁からの磁束を矢印をもって示すように、これに
よる外部磁界によって各端子部例えば接地端子部２
Ｇ 1 ，２Ｇ2 ，電源端子１等にその電界が与えられてこ
れに抵抗変化が生じることによる。すなわち、図４をみ
て明らかなように１つの例を挙げると、センサー部ＭＲ
1 及びＭＲ2 に対して電源端子１及び接地端子２Ｇ1 、
間にこれら端子１及び２Ｇ 1 の端子導出部５２における
この磁界による抵抗変化がそれぞれ直列に挿入されるこ
とになる。
上これら交点Ａ，Ｂ，Ｃ‥‥，ａ，ｂ，ｃ‥‥の繰返し
交点にずれが発生して位置情報が不正確になる場合があ
る。これは、例えば図６に模式的に磁気スケール１１の
ＮＳ着磁からの磁束を矢印をもって示すように、これに
よる外部磁界によって各端子部例えば接地端子部２
Ｇ 1 ，２Ｇ2 ，電源端子１等にその電界が与えられてこ
れに抵抗変化が生じることによる。すなわち、図４をみ
て明らかなように１つの例を挙げると、センサー部ＭＲ
1 及びＭＲ2 に対して電源端子１及び接地端子２Ｇ1 、
間にこれら端子１及び２Ｇ 1 の端子導出部５２における
この磁界による抵抗変化がそれぞれ直列に挿入されるこ
とになる。
【００１０】そして、これら端子導出部５２における磁
気抵抗変換の、各ＭＲ即ちセンサー部に対する影響を回
避すべく同相に配置することは実際上全体のパターンの
配置構成からの制約からほとんど不可能である。したが
ってこの各端子導出部５２による磁気抵抗変換によって
図５で説明した出力波形に歪みが発生し、これが各位置
情報として読出す交点Ａ，Ｂ，Ｃ，‥‥，ａ，ｂ，ｃ‥
‥に位置ずれを発生して正確な微小位置検出を阻害す
る。
気抵抗変換の、各ＭＲ即ちセンサー部に対する影響を回
避すべく同相に配置することは実際上全体のパターンの
配置構成からの制約からほとんど不可能である。したが
ってこの各端子導出部５２による磁気抵抗変換によって
図５で説明した出力波形に歪みが発生し、これが各位置
情報として読出す交点Ａ，Ｂ，Ｃ，‥‥，ａ，ｂ，ｃ‥
‥に位置ずれを発生して正確な微小位置検出を阻害す
る。
【００１１】しかも、これら各端子導出部５２のパター
ンは、各センサー部に比してその抵抗値を小さくする必
要から実際上幅広に形成されるために、各端子導出部５
２のパターンの幅は、磁気スケール１１のＮＳ着磁ピッ
チλに近いものとなってきて、図６からもわかるよう
に、磁気スケールのＮＳ着磁からの磁束が効果的にこの
各端子導出部５２に導入されてしまって上述した位置検
出のずれの影響が大となる。
ンは、各センサー部に比してその抵抗値を小さくする必
要から実際上幅広に形成されるために、各端子導出部５
２のパターンの幅は、磁気スケール１１のＮＳ着磁ピッ
チλに近いものとなってきて、図６からもわかるよう
に、磁気スケールのＮＳ着磁からの磁束が効果的にこの
各端子導出部５２に導入されてしまって上述した位置検
出のずれの影響が大となる。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上述したよ
うに共通のＭＲ薄膜によってセンサー部とこれよりの端
子導出部とが形成される磁気抵抗変換素子において、こ
の端子導出部による外部磁界に対する磁気抵抗変換効果
の影響を低減化して例えば微小位置検出を正確に行うこ
とができるようにする。
うに共通のＭＲ薄膜によってセンサー部とこれよりの端
子導出部とが形成される磁気抵抗変換素子において、こ
の端子導出部による外部磁界に対する磁気抵抗変換効果
の影響を低減化して例えば微小位置検出を正確に行うこ
とができるようにする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明においては、図１
にその一例の微小位置検出装置に適用する場合の一例の
配置構成図を示すように、共通の磁気抵抗効果薄膜すな
わちＭＲ薄膜５１によりセンサー部ＭＲとこれよりの端
子導出部５２とが構成されてなる磁気抵抗変換素子２１
において、その端子導出部５２にスリット５３を設け
る。
にその一例の微小位置検出装置に適用する場合の一例の
配置構成図を示すように、共通の磁気抵抗効果薄膜すな
わちＭＲ薄膜５１によりセンサー部ＭＲとこれよりの端
子導出部５２とが構成されてなる磁気抵抗変換素子２１
において、その端子導出部５２にスリット５３を設け
る。
【００１４】このスリット５３は、実際にはこれに対す
る通電方向に沿って延びかつ図２に示すように磁気スケ
ール１１からの磁束方向を横切る方向にそのスリットが
延長するように形成する。
る通電方向に沿って延びかつ図２に示すように磁気スケ
ール１１からの磁束方向を横切る方向にそのスリットが
延長するように形成する。
【００１５】
【作用】上述の本発明構成によれば、端子導出部５２に
スリット５３を設けたことによって外部磁界の導入が効
果的に回避されると共に、その通電に関してはこのスリ
ット５３の延長方向を、その通電方向に沿って設けれ
ば、このスリット５３を設けることによる端子導出部５
２の抵抗増大化を効果的に回避することができる。
スリット５３を設けたことによって外部磁界の導入が効
果的に回避されると共に、その通電に関してはこのスリ
ット５３の延長方向を、その通電方向に沿って設けれ
ば、このスリット５３を設けることによる端子導出部５
２の抵抗増大化を効果的に回避することができる。
【００１６】このように本発明構成によるときは、端子
導出部５２における外部磁界の影響を効果的に回避でき
ることによって上述した微小位置検出装置等に適用した
場合においてその位置情報出力を正確に得ることができ
る。
導出部５２における外部磁界の影響を効果的に回避でき
ることによって上述した微小位置検出装置等に適用した
場合においてその位置情報出力を正確に得ることができ
る。
【００１７】
【実施例】本発明による磁気抵抗変換素子は、図１に示
すように図３及び図４で説明したと同様に例えばセンサ
ー部ＭＲ1 〜ＭＲ6 による構成を採り得るものであり、
そのパターン及び構成は、図３で説明したと同様となし
得るものであって図１において図３と対応する部分には
同一符号を付す。
すように図３及び図４で説明したと同様に例えばセンサ
ー部ＭＲ1 〜ＭＲ6 による構成を採り得るものであり、
そのパターン及び構成は、図３で説明したと同様となし
得るものであって図１において図３と対応する部分には
同一符号を付す。
【００１８】すなわち本発明においても、図４にその回
路構成を示すように、電源（Ｖｃｃ）端子１と接地端子
２Ｇ1 及び２Ｇ2 間にそれぞれ対のＭＲ薄膜よりなるセ
ンサー部すなわち感磁部ＭＲ1 及びＭＲ2 、ＭＲ3 及び
ＭＲ4 、ＭＲ5 及びＭＲ6 が接続され、各対のセンサー
部の接続中点から、それぞれ出力端子１２，３４，５６
が導出される。また、これら対の直列接続によるセンサ
ー部と並列に基準出力取出し用の直列接続された抵抗Ｒ
S1及びＲS2が接続されてその接続中点から基準電圧取出
し端子Ｓ12が導出された構成が採られる。
路構成を示すように、電源（Ｖｃｃ）端子１と接地端子
２Ｇ1 及び２Ｇ2 間にそれぞれ対のＭＲ薄膜よりなるセ
ンサー部すなわち感磁部ＭＲ1 及びＭＲ2 、ＭＲ3 及び
ＭＲ4 、ＭＲ5 及びＭＲ6 が接続され、各対のセンサー
部の接続中点から、それぞれ出力端子１２，３４，５６
が導出される。また、これら対の直列接続によるセンサ
ー部と並列に基準出力取出し用の直列接続された抵抗Ｒ
S1及びＲS2が接続されてその接続中点から基準電圧取出
し端子Ｓ12が導出された構成が採られる。
【００１９】各センサー部ＭＲ1 〜ＭＲ6 は、例えば磁
気スケール１１の着磁パターンの配列方向Ｘに対して直
交するＹ方向に延びる細線状パターンがジクザクパター
ンをもってかつそれぞれ対のジグザグパターンが磁気ス
ケール１１の着磁ピッチλに対応するピッチをもって配
列形成されてかつセンサー部ＭＲ1 とＭＲ2 とが、また
ＭＲ3 とＭＲ4 とが、ＭＲ5 とＭＲ6 とが、それぞれ磁
気スケール１１の着磁ピッチλのλ／２の整数倍になる
ように配置される。
気スケール１１の着磁パターンの配列方向Ｘに対して直
交するＹ方向に延びる細線状パターンがジクザクパター
ンをもってかつそれぞれ対のジグザグパターンが磁気ス
ケール１１の着磁ピッチλに対応するピッチをもって配
列形成されてかつセンサー部ＭＲ1 とＭＲ2 とが、また
ＭＲ3 とＭＲ4 とが、ＭＲ5 とＭＲ6 とが、それぞれ磁
気スケール１１の着磁ピッチλのλ／２の整数倍になる
ように配置される。
【００２０】また、各対のセンサー部ＭＲ1 及びＭＲ2
間の出力端子１２、ＭＲ3 及びＭＲ 4 間の出力端子３
４、ＭＲ5 及びＭＲ6 間の出力端子５６、基準抵抗ＲS1
及びＲ S2間の端子Ｓ12及びＶｃｃ端子１は、それぞれ充
分大なる幅をもって上述の着磁パターンの配列方向Ｘと
直交するＹ方向に延長するように形成される。
間の出力端子１２、ＭＲ3 及びＭＲ 4 間の出力端子３
４、ＭＲ5 及びＭＲ6 間の出力端子５６、基準抵抗ＲS1
及びＲ S2間の端子Ｓ12及びＶｃｃ端子１は、それぞれ充
分大なる幅をもって上述の着磁パターンの配列方向Ｘと
直交するＹ方向に延長するように形成される。
【００２１】そして、これら、各端子１２，３４，５
６，Ｓ12，１は、それぞれ製造工程数の低減化、全体の
パターンの高密度、高精度化のために、ＭＲ薄膜よりな
る各センサー部ＭＲ1 〜ＭＲ6 さらに基準出力取出し用
抵抗ＲS1及びＲS2と共に同一の磁気抵抗効果薄膜によっ
て形成した端子導出部５２によって形成する。即ち、例
えばＮｉＦｅあるいはＮｉＣｏ等のＭＲ薄膜の全面蒸
着、スパッタ等の成膜の後にフォトリソグラフィによる
選択的エッチング等によって各センサー部ＭＲ1 〜ＭＲ
6 、抵抗ＲS1，ＲS2等と、同時に形成される。
６，Ｓ12，１は、それぞれ製造工程数の低減化、全体の
パターンの高密度、高精度化のために、ＭＲ薄膜よりな
る各センサー部ＭＲ1 〜ＭＲ6 さらに基準出力取出し用
抵抗ＲS1及びＲS2と共に同一の磁気抵抗効果薄膜によっ
て形成した端子導出部５２によって形成する。即ち、例
えばＮｉＦｅあるいはＮｉＣｏ等のＭＲ薄膜の全面蒸
着、スパッタ等の成膜の後にフォトリソグラフィによる
選択的エッチング等によって各センサー部ＭＲ1 〜ＭＲ
6 、抵抗ＲS1，ＲS2等と、同時に形成される。
【００２２】そして、特に本発明においては、上述した
ＭＲ薄膜のフォトリソグラフィによってパターン化して
各センサー部ＭＲ1 〜ＭＲ6 、さらに各端子導出部５２
さらに抵抗ＲS1，ＲS2の形成に際してそのＭＲ導出部５
２にスリット５３を形成する。
ＭＲ薄膜のフォトリソグラフィによってパターン化して
各センサー部ＭＲ1 〜ＭＲ6 、さらに各端子導出部５２
さらに抵抗ＲS1，ＲS2の形成に際してそのＭＲ導出部５
２にスリット５３を形成する。
【００２３】このスリット５３は端子導出部５２におけ
る主たる電流通路に沿って延長し、その延長方向に各ス
リット５３が断続的にあるいは連続的に形成し、かつ外
部磁界に対してその磁束の導入方向に対してスリット５
３が横切るように配置形成する。
る主たる電流通路に沿って延長し、その延長方向に各ス
リット５３が断続的にあるいは連続的に形成し、かつ外
部磁界に対してその磁束の導入方向に対してスリット５
３が横切るように配置形成する。
【００２４】このようにスリット５３が設けられたこと
によって端子導出部５２の磁気スケール１１等からの外
部磁束に対する磁気抵抗が大となることから図２に模式
的に示すように端子導出部５２への磁束導入の低減化が
はかられ、この端子導出部５２における抵抗変化も小と
なる。
によって端子導出部５２の磁気スケール１１等からの外
部磁束に対する磁気抵抗が大となることから図２に模式
的に示すように端子導出部５２への磁束導入の低減化が
はかられ、この端子導出部５２における抵抗変化も小と
なる。
【００２５】尚、上述した例においては、各端子導出部
５２を磁気スケール１１の繰返しＮＳ着磁パターンの配
列方向Ｘと直交するＹ方向に各センサー部ＭＲの細線状
パターンに沿って形成するようにした場合であるが、こ
の導出部がＹ方向により傾いた方向に屈曲したパターン
を採る場合等種々の形状パターンを採る場合においても
本発明を適用することができる。
５２を磁気スケール１１の繰返しＮＳ着磁パターンの配
列方向Ｘと直交するＹ方向に各センサー部ＭＲの細線状
パターンに沿って形成するようにした場合であるが、こ
の導出部がＹ方向により傾いた方向に屈曲したパターン
を採る場合等種々の形状パターンを採る場合においても
本発明を適用することができる。
【００２６】また、上述した例においては、磁気スケー
ルにより外部磁界を与える磁気抵抗変換素子２１に本発
明を適用した場合であるが、その他各種の外部磁界印加
手段による磁気抵抗変換素子に本発明を適用することが
できる。
ルにより外部磁界を与える磁気抵抗変換素子２１に本発
明を適用した場合であるが、その他各種の外部磁界印加
手段による磁気抵抗変換素子に本発明を適用することが
できる。
【００２７】
【発明の効果】上述したように本発明構成によれば端子
導出部５２における外部磁界の影響を効果的に回避でき
ることによって上述した微小位置検出装置等に適用した
場合においてその位置検出出力を正確に得ることができ
る。
導出部５２における外部磁界の影響を効果的に回避でき
ることによって上述した微小位置検出装置等に適用した
場合においてその位置検出出力を正確に得ることができ
る。
【図１】本発明による磁気抵抗変換素子の一例を適用し
た微小位置検出装置の一例の略線的配置図である。
た微小位置検出装置の一例の略線的配置図である。
【図２】本発明による端子導出部とスリットと外部磁界
との関係を示す図である。
との関係を示す図である。
【図３】従来の磁気抵抗変換素子を用いた微小位置検出
装置の略線的構成図である。
装置の略線的構成図である。
【図４】磁気抵抗変換素子の一例の回路図である。
【図５】その出力の波形図である。
【図６】その端子導出部と外部磁界との関係を示す図で
ある。
ある。
ＭＲ1 センサー部 ＭＲ2 センサー部 ＭＲ3 センサー部 ＭＲ4 センサー部 ＭＲ5 センサー部 ＭＲ6 センサー部 ５１ ＭＲ薄膜 ５２ 端子導出部 ５３ スリット部 １１ 磁気スケール
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山田 時晴 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 共通の磁気抵抗効果薄膜によりセンサー
部とこれよりの端子導出部とが構成されてなる磁気抵抗
変換素子において、 上記端子導出部にスリットを設けてなることを特徴とす
る磁気抵抗変換素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3176920A JPH0521861A (ja) | 1991-07-17 | 1991-07-17 | 磁気抵抗変換素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3176920A JPH0521861A (ja) | 1991-07-17 | 1991-07-17 | 磁気抵抗変換素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0521861A true JPH0521861A (ja) | 1993-01-29 |
Family
ID=16022078
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3176920A Pending JPH0521861A (ja) | 1991-07-17 | 1991-07-17 | 磁気抵抗変換素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0521861A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004014567A (ja) * | 2002-06-03 | 2004-01-15 | Murata Mfg Co Ltd | 磁電変換素子 |
| JP2009271081A (ja) * | 2009-08-03 | 2009-11-19 | Murata Mfg Co Ltd | 磁気センサ |
-
1991
- 1991-07-17 JP JP3176920A patent/JPH0521861A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004014567A (ja) * | 2002-06-03 | 2004-01-15 | Murata Mfg Co Ltd | 磁電変換素子 |
| JP2009271081A (ja) * | 2009-08-03 | 2009-11-19 | Murata Mfg Co Ltd | 磁気センサ |
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