JPH05220232A - 半導体レーザ治療装置 - Google Patents
半導体レーザ治療装置Info
- Publication number
- JPH05220232A JPH05220232A JP4026385A JP2638592A JPH05220232A JP H05220232 A JPH05220232 A JP H05220232A JP 4026385 A JP4026385 A JP 4026385A JP 2638592 A JP2638592 A JP 2638592A JP H05220232 A JPH05220232 A JP H05220232A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- energy density
- irradiation
- laser light
- emitted
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Laser Surgery Devices (AREA)
- Radiation-Therapy Devices (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体レーザ素子から放射する被照射面のエ
ネルギー密度のピークを分散化した半導体レーザ治療装
置を提供することを目的とする。 【構成】 半導体レーザ素子６と半導体レーザ素子６か
ら放射する放射レーザ光の被照射面のエネルギー密度を
分散化する反射ミラー７を配備してなる照射プローブ５
を備えた構成を有する。 【効果】 エネルギー密度を分散化した放射レーザ光を
照射し、難治性の皮膚患部の焼損などの危険を防止す
る。
ネルギー密度のピークを分散化した半導体レーザ治療装
置を提供することを目的とする。 【構成】 半導体レーザ素子６と半導体レーザ素子６か
ら放射する放射レーザ光の被照射面のエネルギー密度を
分散化する反射ミラー７を配備してなる照射プローブ５
を備えた構成を有する。 【効果】 エネルギー密度を分散化した放射レーザ光を
照射し、難治性の皮膚患部の焼損などの危険を防止す
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体レーザ治療装置
に関する。
に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般にレーザ光を生体に照射することに
よって難治性の潰瘍、創傷、皮膚炎などの早期治癒に効
果を発揮することはよく知られている。また肩こり、筋
肉の炎症などの治療にも効果を発揮する。
よって難治性の潰瘍、創傷、皮膚炎などの早期治癒に効
果を発揮することはよく知られている。また肩こり、筋
肉の炎症などの治療にも効果を発揮する。
【０００３】図４に示すように半導体レーザ素子の接合
部１１から放射されるレーザ光１２は、劈開面１３の小
さな点から水平、および垂直に長楕円を描きながら放射
されるので図示していないが、種々のレンズ（シリンド
リカルレンズ、アナモルフィックプリズムなど）でビー
ムの集束、分散に色々工夫を行っている。１４は励起電
流の流れる方向である。
部１１から放射されるレーザ光１２は、劈開面１３の小
さな点から水平、および垂直に長楕円を描きながら放射
されるので図示していないが、種々のレンズ（シリンド
リカルレンズ、アナモルフィックプリズムなど）でビー
ムの集束、分散に色々工夫を行っている。１４は励起電
流の流れる方向である。
【０００４】しかし図５に示すように、半導体レーザ素
子１５の光ビームは小さい点から放射されているため
に、一般的に円形の外形を成しているレンズ１６では平
行光に偏光してもエネルギー密度はレーザ光照射面の中
央部１７が一番高い分布をしている。
子１５の光ビームは小さい点から放射されているため
に、一般的に円形の外形を成しているレンズ１６では平
行光に偏光してもエネルギー密度はレーザ光照射面の中
央部１７が一番高い分布をしている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】このように従来の装置
では、難治性の潰瘍、創傷、皮膚炎は、表皮組織形成が
不十分な部位である。この部位に上記のような従来の装
置でレーザ照射治療を行うと、レーザ光照射面中央部１
７がエネルギー密度が高いために焼損するなどの危険を
生じる問題点を有していた。本発明はこのような問題点
を解決するもので、放射エネルギー光のエネルギー密度
のピークを分散化した半導体レーザ治療装置を提供する
ことを目的とする。
では、難治性の潰瘍、創傷、皮膚炎は、表皮組織形成が
不十分な部位である。この部位に上記のような従来の装
置でレーザ照射治療を行うと、レーザ光照射面中央部１
７がエネルギー密度が高いために焼損するなどの危険を
生じる問題点を有していた。本発明はこのような問題点
を解決するもので、放射エネルギー光のエネルギー密度
のピークを分散化した半導体レーザ治療装置を提供する
ことを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
本発明の半導体レーザ治療装置は、半導体レーザと前記
半導体レーザから放射する放射レーザ光の被照射面のエ
ネルギー密度のピークを分散化する反射ミラーを配備す
るものである。
本発明の半導体レーザ治療装置は、半導体レーザと前記
半導体レーザから放射する放射レーザ光の被照射面のエ
ネルギー密度のピークを分散化する反射ミラーを配備す
るものである。
【０００７】
【作用】この構成により、半導体レーザ光のエネルギー
密度を分散化する反射ミラーを配備している照射プロー
ブで該当患部の皮膚の焼損をなくすこととなる。
密度を分散化する反射ミラーを配備している照射プロー
ブで該当患部の皮膚の焼損をなくすこととなる。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の一実施例の半導体レーザ治療
装置について図面に基づいて説明する。図３において、
本体１は照射時間表示２と照射時間設定スイッチ３と電
源スイッチ４が備えられ、照射プローブ５には照射警報
ランプ８、照射操作スイッチ９が備えられている。図２
において、照射プローブ５には、半導体レーザ素子６の
レーザ放射方向を偏光する反射ミラー７が配備されてい
る。
装置について図面に基づいて説明する。図３において、
本体１は照射時間表示２と照射時間設定スイッチ３と電
源スイッチ４が備えられ、照射プローブ５には照射警報
ランプ８、照射操作スイッチ９が備えられている。図２
において、照射プローブ５には、半導体レーザ素子６の
レーザ放射方向を偏光する反射ミラー７が配備されてい
る。
【０００９】動作は、本体１の照射時間設定スイッチ３
を操作の後に、照射プローブ５の照射操作スイッチ９を
押すとＯＮ信号が伝達され照射警報ランプ８が点灯し、
レーザ光の照射が開始される。所定の照射時間が終了す
るとレーザ光の照射は自動的に停止する。
を操作の後に、照射プローブ５の照射操作スイッチ９を
押すとＯＮ信号が伝達され照射警報ランプ８が点灯し、
レーザ光の照射が開始される。所定の照射時間が終了す
るとレーザ光の照射は自動的に停止する。
【００１０】レーザ光路は、図１に示すように半導体レ
ーザ素子６の放射レーザ光のエネルギー密度の高い部分
が反射ミラー７に反射して分散してゆく。
ーザ素子６の放射レーザ光のエネルギー密度の高い部分
が反射ミラー７に反射して分散してゆく。
【００１１】このような構造により、放射レーザ光のエ
ネルギー密度は大きく変化して図１に示すように、中央
１０がやや低いリング状となる。このレーザ光を患部に
当てて徐々に移動を行うと、照射面に特定されたエネル
ギー密度の高い箇所がなく面照射することが可能とな
る。
ネルギー密度は大きく変化して図１に示すように、中央
１０がやや低いリング状となる。このレーザ光を患部に
当てて徐々に移動を行うと、照射面に特定されたエネル
ギー密度の高い箇所がなく面照射することが可能とな
る。
【００１２】また従来技術にあるレンズ（シリンドリカ
ルレンズ、アナモルフィックプリズムなど）方式では焦
点もしくは分散角度が固定されているが、本実施例で
は、半導体レーザ素子６と反射ミラー７との距離を変え
ることにより、分散角度の可変ができる。
ルレンズ、アナモルフィックプリズムなど）方式では焦
点もしくは分散角度が固定されているが、本実施例で
は、半導体レーザ素子６と反射ミラー７との距離を変え
ることにより、分散角度の可変ができる。
【００１３】
【発明の効果】以上の実施例の説明により明らかなよう
に本発明の半導体レーザ治療装置によれば、半導体レー
ザと前記半導体レーザの放射する放射レーザ光の被照射
面のエネルギー密度のピークを分散化する反射ミラーを
配備し、該当患部の皮膚に分散化した放射レーザ光を照
射することを可能とし、難治性の皮膚患部の焼損などの
危険を防止することができる。
に本発明の半導体レーザ治療装置によれば、半導体レー
ザと前記半導体レーザの放射する放射レーザ光の被照射
面のエネルギー密度のピークを分散化する反射ミラーを
配備し、該当患部の皮膚に分散化した放射レーザ光を照
射することを可能とし、難治性の皮膚患部の焼損などの
危険を防止することができる。
【図１】（ａ）本発明の一実施例の半導体レーザ治療装
置のレーザ光路を示す略図 （ｂ）同、エネルギー密度分布を示すグラフ
置のレーザ光路を示す略図 （ｂ）同、エネルギー密度分布を示すグラフ
【図２】同、照射プローブの内部の構成を示す半截断面
斜視図
斜視図
【図３】同全体構成を示す斜視略図
【図４】半導体レーザのレーザ光放射構造の概念を説明
する斜視図
する斜視図
【図５】従来の半導体レーザ治療装置の光学構造および
エネルギー密度分布を示す斜視図
エネルギー密度分布を示す斜視図
６ 半導体レーザ素子 ７ 反射ミラー
Claims (1)
- 【請求項１】半導体レーザ素子と前記半導体レーザ素子
から放射する放射レーザ光の被照射面のエネルギー密度
のピークを分散化する反射ミラーを配備してなる照射プ
ローブを具備した半導体レーザ治療装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4026385A JPH05220232A (ja) | 1992-02-13 | 1992-02-13 | 半導体レーザ治療装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4026385A JPH05220232A (ja) | 1992-02-13 | 1992-02-13 | 半導体レーザ治療装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05220232A true JPH05220232A (ja) | 1993-08-31 |
Family
ID=12192068
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4026385A Pending JPH05220232A (ja) | 1992-02-13 | 1992-02-13 | 半導体レーザ治療装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05220232A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101705217B1 (ko) * | 2015-11-23 | 2017-02-09 | 금오공과대학교 산학협력단 | 레이저 다이오드를 이용한 족부궤양 치료장치 |
-
1992
- 1992-02-13 JP JP4026385A patent/JPH05220232A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101705217B1 (ko) * | 2015-11-23 | 2017-02-09 | 금오공과대학교 산학협력단 | 레이저 다이오드를 이용한 족부궤양 치료장치 |
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