JPH0522174B2 - - Google Patents

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JPH0522174B2
JPH0522174B2 JP58038623A JP3862383A JPH0522174B2 JP H0522174 B2 JPH0522174 B2 JP H0522174B2 JP 58038623 A JP58038623 A JP 58038623A JP 3862383 A JP3862383 A JP 3862383A JP H0522174 B2 JPH0522174 B2 JP H0522174B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
ring
image
coordinates
diffraction
uxy
Prior art date
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Expired - Lifetime
Application number
JP58038623A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS59163549A (ja
Inventor
Moryasu Tokiwai
Sakuyoshi Moriguchi
Takaaki Shinkawa
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Denryoku Chuo Kenkyusho
NTT Inc
Original Assignee
Denryoku Chuo Kenkyusho
Nippon Telegraph and Telephone Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Denryoku Chuo Kenkyusho, Nippon Telegraph and Telephone Corp filed Critical Denryoku Chuo Kenkyusho
Priority to JP58038623A priority Critical patent/JPS59163549A/ja
Publication of JPS59163549A publication Critical patent/JPS59163549A/ja
Publication of JPH0522174B2 publication Critical patent/JPH0522174B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N23/00Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
    • G01N23/20Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by using diffraction of the radiation by the materials, e.g. for investigating crystal structure; by using scattering of the radiation by the materials, e.g. for investigating non-crystalline materials; by using reflection of the radiation by the materials
    • G01N23/20058Measuring diffraction of electrons, e.g. low energy electron diffraction [LEED] method or reflection high energy electron diffraction [RHEED] method

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は電子顕微鏡等によつて得られるリング
状電子線回折像の回折リングの径(半径又は直
径)の測定方法に関する。
[従来の技術] 電子顕微鏡を用いて、透過像モード又は走査透
過像モードで、試料の回折像を撮影し、この回折
像を分析して試料の同定や指数付け或いは試料中
の結晶の方位の測定を行なつているが、この従来
の方法において、リング状回折像の各回折リング
の径の測定は手作業で行なつていた。即ち、回折
像を撮影後、この像を現像し、次にネガ上で回折
像の寸法を手作業で測定していた。
しかしながら、このような従来の回折リング径
測定方法は手作業であるために、測定に経験を要
すると共に、長時間を要するという欠点がある。
[発明が解決しようとする課題] 本発明は、このような従来の欠点を解決してオ
ンラインで自動的に且つ正確に回折リング径を測
定できるリング状電子線回折像の回折リング径測
定方法を提供することを目的としている。
[課題を解決するための手段] 上記目的を達成する本発明は、リング状電子線
回折像を電気信号に変換し、座標x,yに対応す
る画素の強度をUxyとするとき、各xについて 〓y
Uxyを算出して 〓y Uxyが最大となる座標xを求め
てそれを中心スポツトのx座標uoとすると共に、
各yについて 〓x Uxyを算出して 〓x ΣUxyが最大と
なる座標yを求めてそれを中心スポツトのy座標
voとし、この中心スポツトの座標(uo,vo)を
通り回折リングと交差する複数の直線を設定し、
各直線上に存在する画素のうち、中心スポツトの
座標(uo,vo)から同じ距離にある画素同志の
強度値を加算して、中心スポツトの座標(uo,
vo)からの距離に対する前記加算値の分布を求
め、該分布が極大となる点と中心スポツトの座標
(uo,vo)との距離を求め、これを前記リング状
電子線回折像の各回折リングの半径とすることを
特徴とするものである。
[作用] 回折像を二次元的に分布する画素に変換した場
合、座標x,yに対応する画素の強度をUxy、中
心スポツト(回折像中には、全く回折を受けずに
直進した電子線の像がその中心位置に存在する。
この直進電子線の像を中心スポツトと呼び、この
中心スポツトの中心に位置する画素の座標を、中
心スポツトの座標と呼ぶ)の座標を(uo,vo)
とすると、中心スポツトは複数の回折リングの中
心であるため、 〓y ΣUxy及び 〓x Uxyは各々座標
uo,voにおいて最大となるはずである。そこで、
各々 〓x Uxy, 〓x Uxyが最大となる座標を求めてこ
れを中心スポツトの座標(uo,vo)とし、この
中心スポツトの座標(uo,vo)が求められた段
階で、この中心スポツトの座標(uo,vo)を通
り回折リングと交差する複数の直線を設定し、各
直線上に存在する画素のうち、中心スポツトの座
標(uo,vo)から同じ距離にある画素同志の強
度値を加算して、中心スポツトの座標(uo,vo)
からの距離に対する前記加算値の分布を調べる
と、回折リングに対応する点においては、強度が
極大となつているはずである。そこで、中心スポ
ツトの座標(uo,vo)から各極大点までの距離
を求め、これを各回折リングの半径とする。
[実施例] 以下、本発明方法をそれを実施する装置と共に
具体的に説明する。尚、本発明でいうリング状電
子線回折像とは、周知のように、第1図に示すよ
うな、粉末状の結晶から回折された電子線に基づ
くリング状の回折像から成るものである。
第2図は本発明を実施するための装置の概略構
成を示すためのもので、図中1は電子顕微鏡であ
り、4は電子計算機である。電子計算機4より電
子顕微鏡1には電子顕微鏡1を透過像観察モード
にしたり、走査透過像観察モードにしたりするた
めの制御信号が供給される。この電子顕微鏡1に
は透過像を電気信号に変換するための撮像装置2
が取り付けられており、電子顕微鏡1が透過像観
察モードになつた際に、この撮像装置2によつて
得られた画像に対応するアナログの時系列信号は
AD変換器3によりデジタル信号に変換されて電
子計算機4に供給される。又、電子顕微鏡1が走
査透過像観察モードになつた際には、透過電子検
出器5が光軸上に挿入され、試料を電子線で走査
した際の透過電子の検出信号がAD変換器6によ
りデジタル信号に変換されて電子計算機4に供給
される。電子計算機4には、撮像装置2又は透過
電子検出器5より供給される画像信号等を記憶す
る外部記憶装置7が接続されている。更に、電子
計算機4には、回折像モニター用のCRT8や、
キーボード9、コンソール用のCRT10が接続
されている。
このような構成の装置を用いて、まず、操作者
はキーボード9により電子計算機4に指令を与え
て、例えは、試料の透過像モードにおける回折像
が撮像装置2に投影されるようにする。そこで、
キーボード9により電子計算機4に測定の開始を
指令すると、電子計算機4は以下に述べる作業を
進めて行く。
即ち、電子計算機4は、まず撮像装置2によつ
てこの撮像装置2上に投影された回折像をAD変
換器3によつてデジタル信号に変換して取り込
み、電子計算機4内の記憶部に例えば512×512個
の画素データとして一旦記憶する。次に、電子計
算機4は、この記憶した画像データを読み出し
て、回折リングの半径Rrを求める。このステツ
プを詳細に示したものが第3図である。ここで、
前述のように、画像の縦横にX座標及びY座標を
とり、X座標がx、Y座標がyである画素の強度
をUxyで現わすものとし、第4図に示すような画
像を処理する場合を例にとると、まず、電子計算
機4は、各画素の座標xに対して 〓y Uxyを算出し
(この操作を画像のX軸への射影操作とよぶもの
とする)、同様に各画素の座標yに対しても 〓x
Uxyを算出(この操作を画像のY軸への射影操作
とよぶものとする)する(ステツプa)。この 〓y
Uxy及び 〓x Uxyの値は各々x,yの値に対して例
えば第4図の曲線A,Bで示すようなものとな
り、中心スポツトの中心位置において最大とな
る。そこで、射影強度を示す曲線A,Bにおい
て、その値が最大となるx座標とy座標を求めれ
ば、これが中心スポツトの座標(uo,vo)であ
る。このようにして中心スポツトの座標(uo,
vo)を求めた後(ステツプb)、中心スポツトの
座標を通りX軸に平行な線分I,mとY軸に平行
な線分n,s(第4図参照)上の画素の値Uxyを
読み出す。これら各線分上の画素の値Uxyを、中
心スポツトの中心位置に向う向きに座標軸の向き
を揃えて図示すると、各々第5図のa,b,c,
dで示すように互いに略相似形をしており、いず
れも回折リングの位置に極大値を有している。そ
こで、電子計算機4は、第5図a,b,c,dに
示した強度値を足し合わせて(ステツプc)、第
5図eに示すような結果(加算値の分布)を得る
演算を行ない、先に求めた中心スポツトの座標
(uo,vo)とこの第5図eに示す分布が極大とな
る点との距離を求め、これを各回折リングの半径
Rrとする(ステツプd)。第5図a〜dに示した
分布を直接用いずに、これらを加算した第5図e
の分布を用いて、各回折リングの半径Rrを求め
たのは、加算により測定誤差が小さくなり、各回
折リングの半径Rrを高精度に求められるからで
ある。
[発明の効果] 上述したように、本発明によれば、自動的に且
つ正確に各回折リング径を求めることが可能にな
る。
【図面の簡単な説明】
第1図はリング状の回折像を示す図、第2図は
本発明方法を実施するための装置の一例を示す概
略構成図、第3図は回折リングの半径を求めるた
めの流れ図、第4図は画素の射影操作によつて得
られる強度を説明するための図、第5図は中心ス
ポツトの座標(uo,vo)からリングまでの距離
を求める処理を説明するための図である。 1……電子顕微鏡、2……撮像装置、3……
AD変換器、4……電子計算機、5……透過電子
検出器、6……AD変換器、7……外部記憶装
置、8……モニター用CRT、9……キーボード、
10……コンソール用CRT。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 リング状電子線回折像を電気信号に変換し、
    座標x,yに対応する画素の強度をUxyとすると
    き、各xについて 〓y Uxyを算出して 〓y Uxyが最大
    となる座標xを求めてそれを中心スポツトのx座
    標uoとすると共に、各yについて 〓x xyを算出し
    て 〓x Uxyが最大となる座標yを求めてそれを中心
    スポツトのy座標voとし、この中心スポツトの
    座標(uo,vo)を通り回折リングと交差する複
    数の直線を設定し、各直線上に存在する画素のう
    ち、中心スポツトの座標(uo,vo)から同じ距
    離にある画素同志の強度値を加算して、中心スポ
    ツトの座標(uo,vo)からの距離に対する前記
    加算値の分布を求め、該分布が極大となる点と中
    心スポツトの座標(uo,vo)との距離を求め、
    これを前記リング状電子線回折像の各回折リング
    の半径とすることを特徴とするリング状電子線回
    折像の回折リング径測定方法。
JP58038623A 1983-03-09 1983-03-09 電子線回折像の自動分析方法 Granted JPS59163549A (ja)

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JP58038623A JPS59163549A (ja) 1983-03-09 1983-03-09 電子線回折像の自動分析方法

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JP58038623A JPS59163549A (ja) 1983-03-09 1983-03-09 電子線回折像の自動分析方法

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JPS59163549A JPS59163549A (ja) 1984-09-14
JPH0522174B2 true JPH0522174B2 (ja) 1993-03-26

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004264260A (ja) * 2003-03-04 2004-09-24 Kyocera Corp 電子回折パターンの解析方法及び解析装置

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5838622A (ja) * 1981-04-20 1983-03-07 Keiichiro Yamazaki 手摺等における中空縦枠と横枠の連結方法
JPS5838624A (ja) * 1981-09-01 1983-03-07 Yamada Dobby Co Ltd トランスフア−フイ−ド装置におけるクラツチ装置

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JP2004264260A (ja) * 2003-03-04 2004-09-24 Kyocera Corp 電子回折パターンの解析方法及び解析装置

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