JPH05224220A - 液晶表示素子用基板のパタ−ン形成方法 - Google Patents
液晶表示素子用基板のパタ−ン形成方法Info
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- JPH05224220A JPH05224220A JP5598892A JP5598892A JPH05224220A JP H05224220 A JPH05224220 A JP H05224220A JP 5598892 A JP5598892 A JP 5598892A JP 5598892 A JP5598892 A JP 5598892A JP H05224220 A JPH05224220 A JP H05224220A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 サイドエッチの少ない良好なパターンが得ら
れる液晶表示素子用基板のパタ−ン形成方法を提供す
る。 【構成】 液晶表示素子用基板の表面にエッチングによ
りストライプ状の透明電極および金属配線パタ−ンから
なる電極群を形成する方法において、少なくとも電極パ
タ−ンとなる透明導電被膜を成膜した後、エッチング液
として塩酸、塩化第二鉄および酢酸の混合液を用いてパ
ターニングする液晶表示素子用基板のパタ−ン形成方
法。
れる液晶表示素子用基板のパタ−ン形成方法を提供す
る。 【構成】 液晶表示素子用基板の表面にエッチングによ
りストライプ状の透明電極および金属配線パタ−ンから
なる電極群を形成する方法において、少なくとも電極パ
タ−ンとなる透明導電被膜を成膜した後、エッチング液
として塩酸、塩化第二鉄および酢酸の混合液を用いてパ
ターニングする液晶表示素子用基板のパタ−ン形成方
法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、塩酸、塩化第二鉄及び
酢酸を混合した金属用エッチング液を使用して、液晶表
示素子用基板に於ける電極パターンを形成する方法に関
するものである。
酢酸を混合した金属用エッチング液を使用して、液晶表
示素子用基板に於ける電極パターンを形成する方法に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、ＩＴＯ（インジュウム−チン
−オキサイド）及び酸化インジュウム膜は、低抵抗で高
い透過率を示すことから、透明導電被膜として最適であ
り、液晶表示素子用基板の電極として欠かせないものに
なっている。又、近年、液晶素子の高精細及び大画面化
に伴い、ＩＴＯ及び酸化インジュウム膜単体の抵抗値で
は対応できず、通常ＩＴＯ及び酸化インジュウム膜の透
明電極パターンに沿って金属膜の金属配線パターンを形
成することにより低抵抗化を実現している。金属配線材
料としては、モリブデンなどが使用されている。
−オキサイド）及び酸化インジュウム膜は、低抵抗で高
い透過率を示すことから、透明導電被膜として最適であ
り、液晶表示素子用基板の電極として欠かせないものに
なっている。又、近年、液晶素子の高精細及び大画面化
に伴い、ＩＴＯ及び酸化インジュウム膜単体の抵抗値で
は対応できず、通常ＩＴＯ及び酸化インジュウム膜の透
明電極パターンに沿って金属膜の金属配線パターンを形
成することにより低抵抗化を実現している。金属配線材
料としては、モリブデンなどが使用されている。
【０００３】そして、エッチング液としては、ＩＴＯ及
び酸化インジュウム膜に対しては、塩酸と塩化第二鉄の
２液よりなる混合液が、また金属配線材料に対しては、
燐酸、硝酸、酢酸の混合液が、最もよく用いられてき
た。
び酸化インジュウム膜に対しては、塩酸と塩化第二鉄の
２液よりなる混合液が、また金属配線材料に対しては、
燐酸、硝酸、酢酸の混合液が、最もよく用いられてき
た。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来例では、サイドエッチ量が大きく、エッチング時のコ
ントロールが難しく、その為に配線抵抗値が大きく変動
するという欠点があった。また、従来、透明電極パター
ンのエッチング及び金属配線パターンのエッチングは、
異なるエッチング液を使用しているために、製造工程の
煩雑さによる工程間での基板の欠けや、ゴミの付着など
によるパターン不良や、電極の隣接間ショートなどの発
生、更にはセル組み立て工程でのセルギャップの不良に
つながり、製品の製造歩留まりを著しく減少させる原因
とも成っていた。
来例では、サイドエッチ量が大きく、エッチング時のコ
ントロールが難しく、その為に配線抵抗値が大きく変動
するという欠点があった。また、従来、透明電極パター
ンのエッチング及び金属配線パターンのエッチングは、
異なるエッチング液を使用しているために、製造工程の
煩雑さによる工程間での基板の欠けや、ゴミの付着など
によるパターン不良や、電極の隣接間ショートなどの発
生、更にはセル組み立て工程でのセルギャップの不良に
つながり、製品の製造歩留まりを著しく減少させる原因
とも成っていた。
【０００５】本発明は、上記のような従来技術の問題点
を解決するためになされたものであり、塩酸、塩化第二
鉄に酢酸を添加したエッチング液を用いることにより、
サイドエッチ量の少ない液晶表示素子用基板のパタ−ン
形成方法を提供することを目的とするものである。
を解決するためになされたものであり、塩酸、塩化第二
鉄に酢酸を添加したエッチング液を用いることにより、
サイドエッチ量の少ない液晶表示素子用基板のパタ−ン
形成方法を提供することを目的とするものである。
【０００６】また、本発明は、従来、透明電極および金
属配線パタ−ンのエッチングに２種類必要であったエッ
チング液を、塩酸、塩化第二鉄に酢酸を添加した１種類
のエッチング液でエッチングを可能にし、サイドエッチ
量を減少させると共に、製造工程の煩雑さを無くす事に
より、製造歩留まりを上げ、更に、製造コストの低減化
をも可能にする液晶表示素子用基板のパタ−ン形成方法
を提供することを目的とするものである。
属配線パタ−ンのエッチングに２種類必要であったエッ
チング液を、塩酸、塩化第二鉄に酢酸を添加した１種類
のエッチング液でエッチングを可能にし、サイドエッチ
量を減少させると共に、製造工程の煩雑さを無くす事に
より、製造歩留まりを上げ、更に、製造コストの低減化
をも可能にする液晶表示素子用基板のパタ−ン形成方法
を提供することを目的とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、透明電
極及び金属配線のパターニングに於いて、従来の塩酸、
塩化第二鉄の混合エッチング液に酢酸を加えることによ
り、パターニング時でのサイドエッチング量を低減さ
せ、更に透明電極膜及び金属配線膜の両方を同じエッチ
ング液により、パターニングできるようにしたものであ
る。
極及び金属配線のパターニングに於いて、従来の塩酸、
塩化第二鉄の混合エッチング液に酢酸を加えることによ
り、パターニング時でのサイドエッチング量を低減さ
せ、更に透明電極膜及び金属配線膜の両方を同じエッチ
ング液により、パターニングできるようにしたものであ
る。
【０００８】即ち、本発明は、液晶表示素子用基板の表
面にエッチングによりストライプ状の透明電極および金
属配線パタ−ンからなる電極群を形成する方法におい
て、少なくとも電極パタ−ンとなる透明導電被膜を成膜
した後、エッチング液として塩酸、塩化第二鉄および酢
酸の混合液を用いてパターニングすることを特徴とする
液晶表示素子用基板のパタ−ン形成方法である。
面にエッチングによりストライプ状の透明電極および金
属配線パタ−ンからなる電極群を形成する方法におい
て、少なくとも電極パタ−ンとなる透明導電被膜を成膜
した後、エッチング液として塩酸、塩化第二鉄および酢
酸の混合液を用いてパターニングすることを特徴とする
液晶表示素子用基板のパタ−ン形成方法である。
【０００９】本発明において用いられるエッチング液
は、塩酸（３７ｗｔ％）：塩化第二鉄（３５ｗｔ％）：
酢酸（９５ｗｔ％）の割合が、２〜５：２〜５：１（Ｖ
ｏｌ比）、好ましくは３：３：１（Ｖｏｌ比）の割合か
らなる混合液が好ましい。
は、塩酸（３７ｗｔ％）：塩化第二鉄（３５ｗｔ％）：
酢酸（９５ｗｔ％）の割合が、２〜５：２〜５：１（Ｖ
ｏｌ比）、好ましくは３：３：１（Ｖｏｌ比）の割合か
らなる混合液が好ましい。
【００１０】また、前記透明電極パタ−ンはＩＴＯまた
は酸化インジュウムからなり、金属配線パタ−ンはモリ
ブデンからなるものが好ましい。
は酸化インジュウムからなり、金属配線パタ−ンはモリ
ブデンからなるものが好ましい。
【００１１】本発明においては、エッチング液として塩
酸、塩化第二鉄および酢酸の混合液を用いて、透明電極
パタ−ンのみをパターニングしてもよい。また、透明電
極および金属配線パタ−ンの両者を、エッチング液とし
て塩酸、塩化第二鉄および酢酸の混合液を用いてパター
ニングしてもよい。前者の透明電極パタ−ンのみをパタ
ーニングする場合には、金属配線パタ−ンのパターニン
グには、従来使用されていたエッチング液、例えば燐
酸、硝酸、酢酸の混合液を用いることができる。
酸、塩化第二鉄および酢酸の混合液を用いて、透明電極
パタ−ンのみをパターニングしてもよい。また、透明電
極および金属配線パタ−ンの両者を、エッチング液とし
て塩酸、塩化第二鉄および酢酸の混合液を用いてパター
ニングしてもよい。前者の透明電極パタ−ンのみをパタ
ーニングする場合には、金属配線パタ−ンのパターニン
グには、従来使用されていたエッチング液、例えば燐
酸、硝酸、酢酸の混合液を用いることができる。
【００１２】
【実施例】以下に実施例を挙げて本発明を具体的に説明
する。
する。
【００１３】実施例１ 図１は本願発明の液晶表示素子用基板のパタ−ン形成方
法の一実施例の前半の工程を示す工程図、および図２は
図１の液晶表示素子用基板のパタ−ン形成方法の後半の
工程を示す工程図である。以下に示す様に、図１および
図２に示す工程により液晶表示素子用基板のパタ−ンを
形成した。
法の一実施例の前半の工程を示す工程図、および図２は
図１の液晶表示素子用基板のパタ−ン形成方法の後半の
工程を示す工程図である。以下に示す様に、図１および
図２に示す工程により液晶表示素子用基板のパタ−ンを
形成した。
【００１４】ガラス基板４上に膜厚１５００ÅのＩＴＯ
薄膜１をスパッタリング法で成膜した（図１（ａ）参
照）。その後、該ガラス基板にフォトレジスト３を約１
μｍの厚みに塗布し、画素電極パターンマスクによって
露光後、現像し、画素電極パターンレジスト像を形成し
た（図１（ｂ）参照）。
薄膜１をスパッタリング法で成膜した（図１（ａ）参
照）。その後、該ガラス基板にフォトレジスト３を約１
μｍの厚みに塗布し、画素電極パターンマスクによって
露光後、現像し、画素電極パターンレジスト像を形成し
た（図１（ｂ）参照）。
【００１５】次に、前記ガラス基板を塩酸（３７ｗｔ
％）、塩化第二鉄（３５ｗｔ％）及び酢酸（９５ｗｔ
％）の比率を３：３：１（ｖｏｌ比）の割合で調合した
混合エッチング液５により、４５℃，１８０秒間エッチ
ングを行い（図１（ｃ）参照）、サイドエッチの少な
い、極めて良好な画素電極パターンを得た（図１（ｄ）
参照）。
％）、塩化第二鉄（３５ｗｔ％）及び酢酸（９５ｗｔ
％）の比率を３：３：１（ｖｏｌ比）の割合で調合した
混合エッチング液５により、４５℃，１８０秒間エッチ
ングを行い（図１（ｃ）参照）、サイドエッチの少な
い、極めて良好な画素電極パターンを得た（図１（ｄ）
参照）。
【００１６】同様に、モリブデン膜２を３０００Åの膜
厚にスパッタリング法で成膜した後（図２（ｅ）参
照）、該基板にフォトレジスト３を約１μｍの厚みに塗
布し（図２（ｆ）参照）、金属配線用マスクで露光した
後、現像して金属配線パターンレジスト像を形成し、燐
酸系エッチング液６で、室温にて１２０秒エッチングを
行い（図２（ｇ）参照）、金属配線パターンを形成した
液晶表示素子用基板を得た（図２（ｈ）参照）。
厚にスパッタリング法で成膜した後（図２（ｅ）参
照）、該基板にフォトレジスト３を約１μｍの厚みに塗
布し（図２（ｆ）参照）、金属配線用マスクで露光した
後、現像して金属配線パターンレジスト像を形成し、燐
酸系エッチング液６で、室温にて１２０秒エッチングを
行い（図２（ｇ）参照）、金属配線パターンを形成した
液晶表示素子用基板を得た（図２（ｈ）参照）。
【００１７】実施例２ 図３は本願発明の液晶表示素子用基板のパタ−ン形成方
法の他の実施例の前半の工程を示す工程図、および図４
は図３の液晶表示素子用基板のパタ−ン形成方法の後半
の工程を示す工程図である。以下に示す様に、図３およ
び図４に示す工程により液晶表示素子用基板のパタ−ン
を形成した。
法の他の実施例の前半の工程を示す工程図、および図４
は図３の液晶表示素子用基板のパタ−ン形成方法の後半
の工程を示す工程図である。以下に示す様に、図３およ
び図４に示す工程により液晶表示素子用基板のパタ−ン
を形成した。
【００１８】ガラス基板４上に膜厚１５００ÅのＩＴＯ
薄膜１をスパッタリング法で成膜した後（図３（ａ）参
照）、上記ＩＴＯ膜上にモリブデン膜２を３０００Åの
厚さに同様のスパッタリング法で成膜した（図３（ｂ）
参照）。次に、上記成膜済みの基板にフォトレジスト３
を約１μｍの厚みに塗布し、金属配線パターンマスクを
用いてこれを露光し、現像を行った（図３（ｃ）参
照）。
薄膜１をスパッタリング法で成膜した後（図３（ａ）参
照）、上記ＩＴＯ膜上にモリブデン膜２を３０００Åの
厚さに同様のスパッタリング法で成膜した（図３（ｂ）
参照）。次に、上記成膜済みの基板にフォトレジスト３
を約１μｍの厚みに塗布し、金属配線パターンマスクを
用いてこれを露光し、現像を行った（図３（ｃ）参
照）。
【００１９】次に、前記ガラス基板を塩酸（３７ｗｔ
％）、塩化第二鉄（３５ｗｔ％）及び酢酸（９５ｗｔ
％）の比率を３：３：１（ｖｏｌ比）の割合で調合した
混合エッチング液５により、２５℃，１８０秒間エッチ
ングを行い（図３（ｄ）参照）、サイドエッチの少な
い、極めて良好な金属配線パターンを得た（図４（ｅ）
参照）。このとき、露光しているＩＴＯ膜には大きな影
響がなかった。
％）、塩化第二鉄（３５ｗｔ％）及び酢酸（９５ｗｔ
％）の比率を３：３：１（ｖｏｌ比）の割合で調合した
混合エッチング液５により、２５℃，１８０秒間エッチ
ングを行い（図３（ｄ）参照）、サイドエッチの少な
い、極めて良好な金属配線パターンを得た（図４（ｅ）
参照）。このとき、露光しているＩＴＯ膜には大きな影
響がなかった。
【００２０】次に、金属配線パターンを形成した基板に
再度フォトレジスト３を約１μｍの厚みに塗布し、画素
電極パターンマスクによって露光後、現像し、画素電極
パターンレジスト像を形成した。次に、該基板を塩酸
（３７ｗｔ％）、塩化第二鉄（３５ｗｔ％）及び酢酸
（９５ｗｔ％）の比率を３：３：１（ｖｏｌ比）の割合
で調合した混合エッチング液５により、４５℃，１８０
秒間エッチングを行った（図４（ｆ）参照）。実施例１
と同様に、サイドエッチの少ない、極めて良好な画素電
極パターンを形成した液晶表示素子用基板を得た（図４
（ｇ）参照）。
再度フォトレジスト３を約１μｍの厚みに塗布し、画素
電極パターンマスクによって露光後、現像し、画素電極
パターンレジスト像を形成した。次に、該基板を塩酸
（３７ｗｔ％）、塩化第二鉄（３５ｗｔ％）及び酢酸
（９５ｗｔ％）の比率を３：３：１（ｖｏｌ比）の割合
で調合した混合エッチング液５により、４５℃，１８０
秒間エッチングを行った（図４（ｆ）参照）。実施例１
と同様に、サイドエッチの少ない、極めて良好な画素電
極パターンを形成した液晶表示素子用基板を得た（図４
（ｇ）参照）。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
エッチング液として、塩酸、塩化第二鉄および酢酸の混
合液を使用することにより、サイドエッチの少ない良好
なパターンが得られる。
エッチング液として、塩酸、塩化第二鉄および酢酸の混
合液を使用することにより、サイドエッチの少ない良好
なパターンが得られる。
【００２２】又、今まで透明電極と金属配線のパターニ
ングの為に２種類必要であったエッチング液が１種類で
可能となったことにより、製造工程の煩雑さを無くすこ
とができ、製造歩留まりが上がり、製造コストの低減化
にも効果がある。更に、該エッチング液の温度を変える
ことにより、透明導電被膜及び金属被膜の２層を積層し
た後、上部の膜からパターニングすることもできる。
ングの為に２種類必要であったエッチング液が１種類で
可能となったことにより、製造工程の煩雑さを無くすこ
とができ、製造歩留まりが上がり、製造コストの低減化
にも効果がある。更に、該エッチング液の温度を変える
ことにより、透明導電被膜及び金属被膜の２層を積層し
た後、上部の膜からパターニングすることもできる。
【図１】本願発明の液晶表示素子用基板のパタ−ン形成
方法の一実施例の前半の工程を示す工程図である。
方法の一実施例の前半の工程を示す工程図である。
【図２】図１の液晶表示素子用基板のパタ−ン形成方法
の後半の工程を示す工程図である。
の後半の工程を示す工程図である。
【図３】本願発明の液晶表示素子用基板のパタ−ン形成
方法の他の実施例の前半の工程を示す工程図である。
方法の他の実施例の前半の工程を示す工程図である。
【図４】図３の液晶表示素子用基板のパタ−ン形成方法
の後半の工程を示す工程図である。
の後半の工程を示す工程図である。
１ ＩＴＯ ２ モリブデン ３ フォトレジスト ４ ガラス基板 ５ 混合エッチング液 ６ 燐酸系エッチング液
Claims (4)
- 【請求項１】 液晶表示素子用基板の表面にエッチング
によりストライプ状の透明電極および金属配線パタ−ン
からなる電極群を形成する方法において、少なくとも電
極パタ−ンとなる透明導電被膜を成膜した後、エッチン
グ液として塩酸、塩化第二鉄および酢酸の混合液を用い
てパターニングすることを特徴とする液晶表示素子用基
板のパタ−ン形成方法。 - 【請求項２】 エッチング液が、塩酸（３７ｗｔ％）：
塩化第二鉄（３５ｗｔ％）：酢酸（９５ｗｔ％）＝２〜
５：２〜５：１（Ｖｏｌ比）の割合からなる混合液であ
る請求項１記載の液晶表示素子用基板のパタ−ン形成方
法。 - 【請求項３】 前記透明電極パタ−ンがＩＴＯ（インジ
ュウム−チン−オキサイド）または酸化インジュウムか
らなり、金属配線パタ−ンがモリブデンからなる請求項
１記載の液晶表示素子用基板のパタ−ン形成方法。 - 【請求項４】 前記透明電極および金属配線パタ−ンの
両者を、エッチング液として塩酸、塩化第二鉄および酢
酸の混合液を用いてパターニングする請求項１記載の液
晶表示素子用基板のパタ−ン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5598892A JPH05224220A (ja) | 1992-02-07 | 1992-02-07 | 液晶表示素子用基板のパタ−ン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5598892A JPH05224220A (ja) | 1992-02-07 | 1992-02-07 | 液晶表示素子用基板のパタ−ン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05224220A true JPH05224220A (ja) | 1993-09-03 |
Family
ID=13014471
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5598892A Pending JPH05224220A (ja) | 1992-02-07 | 1992-02-07 | 液晶表示素子用基板のパタ−ン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05224220A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0660381A1 (en) * | 1993-12-21 | 1995-06-28 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method of manufacturing a transparent conductor pattern and a liquid crystal display device |
| KR100442026B1 (ko) * | 2000-12-22 | 2004-07-30 | 동우 화인켐 주식회사 | 인듐 틴 산화막의 식각용액 및 이를 이용한 식각방법 |
| KR100532080B1 (ko) * | 2001-05-07 | 2005-11-30 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 비정질 인듐 틴 옥사이드 식각용액 및 이를 이용한 액정표시소자의 제조방법 |
| KR100590916B1 (ko) * | 1999-06-23 | 2006-06-19 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 박막 트랜지스터 어레이 기판의 제조방법 |
-
1992
- 1992-02-07 JP JP5598892A patent/JPH05224220A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0660381A1 (en) * | 1993-12-21 | 1995-06-28 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method of manufacturing a transparent conductor pattern and a liquid crystal display device |
| KR100590916B1 (ko) * | 1999-06-23 | 2006-06-19 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 박막 트랜지스터 어레이 기판의 제조방법 |
| KR100442026B1 (ko) * | 2000-12-22 | 2004-07-30 | 동우 화인켐 주식회사 | 인듐 틴 산화막의 식각용액 및 이를 이용한 식각방법 |
| KR100532080B1 (ko) * | 2001-05-07 | 2005-11-30 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 비정질 인듐 틴 옥사이드 식각용액 및 이를 이용한 액정표시소자의 제조방법 |
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