JPH0634438B2 - 配線電極の形成方法 - Google Patents

配線電極の形成方法

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JPH0634438B2
JPH0634438B2 JP61210200A JP21020086A JPH0634438B2 JP H0634438 B2 JPH0634438 B2 JP H0634438B2 JP 61210200 A JP61210200 A JP 61210200A JP 21020086 A JP21020086 A JP 21020086A JP H0634438 B2 JPH0634438 B2 JP H0634438B2
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forming
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resist
resist pattern
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祥治 市川
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Nippon Electric Co Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は配線電極の形成方法に関し、特にアクティブマ
トリクスアレイ等に使用する断線が起こりにくい配線電
極の形成方法に関する。
〔従来の技術〕
近年オフィスオートメーションの進展に伴い、マンマシ
ンインターフェイスとしての平板表示デバイスの開発が
活発に進められている。液晶ディスプレイ装置において
もCRTと同等の高い表示情報量を得るためアクティブ
マトリクス基板の開発が盛んである。アクティブマトリ
クス基板では1画素に1つのアクティブ素子を使用する
ため、大面積にわたり細い配線電極を形成する必要があ
る。
第2図(a)〜(c)は従来の配線電極の形成方法の一
例を工程順に示した模式的断面図である。第2図(a)
に示すように絶縁基板1上に第1の導電膜2と第2の導
電膜4を順々に形成する工程と、第2図(b)に示すよ
うに第2の導電膜4上にホトレジスト法により配線電極
用のレジストパターン3を形成する工程と、第2図
(c)に示すように第2および第1の導電膜4および2
を順々にエッチングした後レジストを除去する工程とか
らなっていた。この形成方法の場合、第1の導電膜2は
絶縁基板1との接着性の良いものを、第2の導電膜4は
電気的特性の良好なものを用いることが多いが、両者を
満たす導電膜があるときは当然1層のみの導電膜が用い
られる。
〔発明が解決しようとする問題点〕
このような配線電極の形成方法を用いてアクティブマト
リクス基板を製造すると、レジストパターン3や第1,
第2の導電膜2,4に欠陥があると断線となるため歩留
まりが非常に悪いという欠点があった。
本発明の目的は、このような従来の欠点を除去し、断線
が起こりにくい配線電極の形成方法を提供することにあ
る。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明の配線電極の形成方法は、絶縁基板上に第1の導
電層を形成する工程と、この第1の導電層上にホトレジ
スト法により第1の配線電極用レジストパターンを形成
する工程と、前記第1の導電層をエッチングによりパタ
ーニングした後レジストを除去する工程と、第2の導電
層を形成する工程と、この第2の導電層上にホトレジス
ト法により前記第1の配線電極と形状は同じでわずかに
幅の違う第2の配線電極用レジストパターンを形成する
工程と、前記第1の導電層はほとんどエッチングしない
エッチャントを用いて前記第2の導電層をエッチングに
よりパターニングした後レジストを除去する工程を備え
ている。
〔作用〕
本発明の配線電極の形成方法を用いれば、第1の導電層
と第2の導電層を2回に分けてパターニングし、しかも
第2の導電層のパターンエッチングのとき第1の導電層
はエッチングされない。このため第1回目のレジストパ
ターンや第1の導電層に欠陥があっても第2回目のレジ
ストパターンや第2の導電層の欠陥が前者と同一の場所
にない限り断線とはならない。前者と後者で同一の場所
に欠陥が発生する確立は極めて低く、したがって配線電
極の断線はほとんど起こらない。なお欠陥としては導電
層が部分的に残る場合もあるが、液晶ディスプレイに用
いるアクティブマトリクスアレイでは配線電極幅に比べ
て1画素のピッチは10倍程度あるため、導電層の残り
がディスプレイとしての欠陥となることはほとんどな
い。
〔実施例〕 次に、本発明について実施例をもって詳細に説明する。
素子数400×640,表示面積180mm×240mmの
液晶表示装置用薄膜トランジスタアレイのゲート電極配
線に本発明の配線電極の形成方法を実施した場合と従来
の配線電極の形成方法を実施した場合とを比較して説明
する。
第1図(a)〜(f)は本発明の配線電極の形成方法の
一実施例を工程順に示した模式的断面図である。
本実施例は、第1図(a)に示すように絶縁基板1とし
てソーダガラスを用い、この上に第1の導電層2として
クロムを400Åの厚さに直流アルゴンスパッタ法によ
り形成し、第1図(b)に示すようにポジ型ホトレジス
ト法により15μm幅の配線電極のレジストパターン3
を形成した。次に第1図(c)に示すようにクロムを硝
酸セリウムアンモニウム塩を主成分とするエッチング液
でパターンエッチングしたあとレジストを除去した。そ
して第1図(d)に示すように第2の導電層4としてア
ルミニウムを600Åの厚さに蒸着法により形成し、第
1図(e)に示すようにポジ型ホトレジスト法により2
5μm幅の配線電極のレジストパターン3を形成した。
最後に第1図(f)に示すようにアルミニウムをリン酸
を主成分とするエッチング液でパターンエッチングした
後レジストを除去してゲート配線電極を形成した。この
ときゲート配線電極の断線は全く見られなかった。導電
層の残りは5〜25μmφのものが23個、25μmφ
以上のものが2個あったが、ゲート配線電極のピッチは
375μmであるためほとんど問題とならなかった。
一方、第2図(a)〜(c)に示した従来の配線電極の
形成方法を用いると、ゲート配線電極の断線が2本存在
し、この基板を使用して薄膜トランジスタアレイを形成
し液晶ディスプレイとした場合には断線欠陥となってし
まった。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明の配線電極の形成方法は、第
1,第2の導電層の形成工程および第1,第2の配線電
極用レジストパターンの形成工程のどの工程で欠陥であ
っても同一の場所で起こる確率が極めて低いため断線と
はならず、極めて断線が起こりにくい配線電極を形成す
ることができるという効果を有する。
【図面の簡単な説明】
第1図(a)〜(f)は本発明の配線電極の形成方法の
一実施例を工程順に示した模式的断面図、第2図(a)
〜(c)は従来の配線電極の形成方法の一例を工程順に
示した模式的断面図である。 1……絶縁基板、2……第1の導電層、3……レジスト
パターン、4……第2の導電層。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】絶縁基板上に第1の導電層を形成する工程
    と、この第1の導電層上にホトレジスト法により第1の
    配線電極用レジストパターンを形成する工程と、前記第
    1の導電層をエッチングによりパターニングした後レジ
    ストを除去する工程と、第2の導電層を形成する工程
    と、この第2の導電層上にホトレジスト法により前記第
    1の配線電極と形状は同じでわずかに幅の違う第2の配
    線電極用レジストパターンを形成する工程と、前記第1
    の導電層はほとんどエッチングしないエッチャントを用
    いて前記第2の導電層をエッチングによりパターニング
    した後レジストを除去する工程を含むことを特徴とする
    配線電極の形成方法。
JP61210200A 1986-09-05 1986-09-05 配線電極の形成方法 Expired - Lifetime JPH0634438B2 (ja)

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JP2015076470A (ja) * 2013-10-08 2015-04-20 トヨタ自動車株式会社 半導体装置

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JPS6143449A (ja) * 1984-08-08 1986-03-03 Hitachi Ltd 配線パタ−ンの形成方法
JPS6230396A (ja) * 1985-07-31 1987-02-09 ソニー株式会社 回路パタ−ン形成方法
JPS62111494A (ja) * 1985-11-11 1987-05-22 株式会社日立製作所 プリント配線板の製造方法

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