JPH05225501A

JPH05225501A - 磁界変調型光磁気記録装置用磁気ヘッド

Info

Publication number: JPH05225501A
Application number: JP2541692A
Authority: JP
Inventors: Taikou Kou; 太好高; Ryoichi Konno; 良一今野; Junichi Ikeda; 純一池田
Original assignee: Ricoh Research Institute of General Electronics Co Ltd; Ricoh Co Ltd
Current assignee: Ricoh Research Institute of General Electronics Co Ltd; Ricoh Co Ltd
Priority date: 1992-02-12
Filing date: 1992-02-12
Publication date: 1993-09-03

Abstract

(57)【要約】【目的】巻線の巻数を増やさず小さなインダクタンスの
ままで大きな磁界を発生させることにより、従来困難と
されてきた光磁気記録媒体の感度設定や、高速、高密度
記録への適応を図ることのできる磁界変調型光磁気記録
装置用磁気ヘッドを提供する。【構成】本発明の磁気ヘッドは、磁気ヨーク１と複数の
巻線Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４を持つ構造を有し、且つ夫
々の巻線を独立に駆動することのできる巻線の数と同数
の駆動回路Ｔ１，Ｔ２，Ｔ３，Ｔ４を備えたことを特徴
とする。【効果】複数の巻線と夫々の巻線を駆動する複数の駆動
回路とを備えたことにより、各巻線のインダクタンスの
増加を抑えながら全体として大きな磁界を発生すること
ができ、高記録密度、高速転送レート特性を得るための
高速磁界変調が可能となる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、磁界変調駆動方式にて
光磁気ディスクや光磁気テープに記録を行なう磁界変調
型光磁気記録装置用磁気ヘッドに関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、磁界変調駆動方式により情報の記
録を行なう磁界変調型光磁気記録装置が書換え可能な大
容量ファイルとして注目を集めている。図１８の(ａ)に
磁界変調型光磁気記録装置の基本構成、(ｂ)に記録の基
本原理を示す。図１８(ａ)に示すように、磁界変調型光
磁気記録装置においては、光磁気記録媒体１０２を挾ん
でレーザーピックアップ光学系１００と磁界変調用の磁
気ヘッド１０１とが対向するように配置されている。そ
して、レーザーピックアップ光学系１００により光磁気
記録媒体１０２にレーザー光を照射しながら磁気ヘッド
１０１により記録情報に応じて変調された磁界を与える
ことにより、光磁気記録媒体１０２の記録層に記録情報
に応じた方向の磁化を形成して情報を記録する構成とな
っている。

【０００３】ここで、磁界変調用の磁気ヘッドの基本構
造を図１８(ｃ)に示す。一般に、磁界変調型光磁気記録
装置の磁気ヘッドはフェライト等の磁性体に巻線を施し
た構造を有し、巻線に駆動回路から電流を流すことによ
り図１８(ｂ)に示す磁界を発生させるようになっている
が、ここで問題となるのが図１８(ｂ)に示すように磁界
の立ち上がりや立ち下がりが急峻でない場合であり、こ
の場合、極性が安定しない領域（non saturated area）
ができてしまい記録密度の向上を疎外する要因となって
いる。この最大の原因は、図１８(ｃ)に示す構造の磁気
ヘッドでは、高速転送レート特性を得るために高速の磁
界変調を行なおうとすると、電流ｉは、ｉ＝Ｅ(１−exp(−(Ｒ／Ｌ)ｔ）)／Ｒで表される過渡現象の式により、巻線のインダクタンス
Ｌが大きい場合、立ち上がりを速くしようとすれば、直
列に挿入されている抵抗Ｒを大きく選ばねばならず、抵
抗Ｒを大きくすることで今度は同じ電流ｉを得るために
は駆動電圧Ｅを大きく取らねばならなくなるところに有
る。これは大きな駆動電力Ｅ×ｉを必要とするため、電
源や駆動回路が複雑で高価なものとなってしまう。従っ
て、巻線のインダクタンスＬを小さくせねばならないこ
とが解る。しかしながら、巻線より発生する磁界は巻数
ｎに比例するが、インダクタンスＬは巻数の自乗に比例
することから、巻線数の選択は常に幅の狭いものとなっ
てしまい、設計の自由度を著しく制限するものとなって
いた。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】以上のように、磁界変
調型光磁気記録装置において高速転送レート特性を得る
ためには、磁気ヘッドのインダクタンスを低下させるこ
とは有効な手段であるが、有効な磁界を広ギャップ状態
で得るには、ある程度の巻線数とそれに鎖交する磁性体
の透磁率が必要なるため、インダクタンスの減少にも限
界がある。また仮に、巻線数等を減らし（インダクタン
スが低下する）且つ必要な磁界を得るために電流を増加
させると、駆動回路の負担や銅損、発熱の増大につなが
ることから、問題の本質的な解決とはならない。また、
磁気ヘッドの軽量化、集積化、及び高周波特性の向上を
図るために、磁性薄膜を磁気ヨークとして用いた薄膜型
の磁気ヘッドが開発されているが、薄膜型の磁気ヘッド
においても、単体のコイルで大きな磁界強度を得るため
にはコイルの巻数を増やさなければならないため、やは
り巻数の増加に伴ってコイルのインダクタンスが大きく
なり、高周波のスイッチングに追従できないという問題
がある。本発明は上記事情に鑑みてなされたものであっ
て、巻線の巻数を増やさず小さなインダクタンスのまま
で大きな磁界を発生させることにより、従来困難とされ
てきた光磁気記録媒体の感度設定（互換性に問題が出
る）や、高速、高密度記録への適応を図ることのできる
磁界変調型光磁気記録装置用磁気ヘッドを提供すること
を目的とする。

【０００５】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１の磁界変調型光磁気記録装置用磁気ヘッド
においては、複数の巻線を持つ構造を有し、且つ夫々の
巻線を独立に駆動することのできる複数の駆動回路とを
備えてなる構成とした。請求項２の磁界変調型光磁気記
録装置用磁気ヘッドにおいては、基板上の磁性膜の上に
円状の給電部を持ち、その内側に複数の駆動回路を配置
し、給電部と各駆動回路とを励磁用の巻線を介して結線
する構成とした。請求項３の磁界変調型光磁気記録装置
用磁気ヘッドにおいては、基板上の磁性膜の上に、一端
の切れた円状の給電部を同心円状に複数持ち、その給電
部の周辺に複数の駆動回路を配置し、給電部と各駆動回
路とを励磁用の巻線を介して結線する構成とした。

【０００６】請求項４の磁界変調型光磁気記録装置用磁
気ヘッドにおいては、同一基板上に分散して配置させた
複数の駆動回路とそれらに接続される複数の巻線と、そ
の巻線と鎖交して配置した磁性薄膜ヨークとを備えてな
る構成とした。請求項５の磁界変調型光磁気記録装置用
磁気ヘッドにおいては、請求項４の磁界変調型光磁気記
録装置用磁気ヘッドにおいて、磁性薄膜ヨークは放射状
枝部と中央励磁コア部よりなり、放射状枝部と複数の巻
線とが略直交しながら鎖交し、且つ、その巻線が略直線
形状をなすもので、且つ、それら巻線の端の一方あるい
は両方が駆動回路の端子にそれぞれ接続されてなる構成
とした。請求項６の磁界変調型光磁気記録装置用磁気ヘ
ッドにおいては、請求項４の磁界変調型光磁気記録装置
用磁気ヘッドにおいて、磁性薄膜ヨークは、一個あるい
は複数の部分よりなり、その周囲に１周以下の一個ある
いは複数個の巻線を配置し、それら巻線の一端あるいは
両端が駆動回路の端子にそれぞれ接続されてなる構成と
した。請求項７の磁界変調型光磁気記録装置用磁気ヘッ
ドにおいては、請求項６の磁界変調型光磁気記録装置用
磁気ヘッドにおいて、基板の裏面側に磁性下部ヨーク部
を付加した構成とした。

【０００７】

【作用】本発明の磁界変調型光磁気記録装置用磁気ヘッ
ドにおいては、複数の巻線と、夫々の巻線を駆動する複
数の駆動回路とを備えたことにより、各巻線部による磁
界を合成して全体として大きな磁界を発生することがで
きる。従って、各巻線部のインダクタンスの増加を抑え
ながら全体として大きな磁界を発生することができるた
め、高記録密度、高速転送レート特性を得るための高速
磁界変調が可能となる。また、請求項２〜７の磁界変調
型光磁気記録装置用磁気ヘッドにおいては、磁気ヨーク
を磁性膜で構成しているため、軽量化、集積化が図れ
る。

【０００８】

【実施例】以下、本発明を図示の実施例に基づいて詳細
に説明する。先ず本発明の基本構成について説明する。
図３は本発明による磁気ヘッドの基本構成の一例を示す
図であって、この磁気ヘッドは、磁気ヨークに複数の巻
線（図では巻線１、巻線２）を施すと共に、夫々の巻線
を独立に駆動することのできる巻線の数と同数の駆動回
路（図では駆動回路１、駆動回路２）を設け、且つ各巻
線間に静電遮蔽を施した例である。このような構成から
なる磁気ヘッドにおいては、インダクタンスＬが巻線の
巻線数ｎの自乗に比例し（Ｌ∝ｎ²)、磁界の強度Ｈはｎ
に比例（Ｌ∝ｎ）するのに対し、立ち上がり時間ｔ_r は
Ｌに比例（ｔ_r∝Ｌ)することから、巻線を図３のように
分割することにより、インダクタンスの増加を抑え、高
速の立ち上がりを確保すると同時に、巻数不足による磁
界強度を補うために、巻数の個数を増やすことで対処し
ている。また、各巻線に異なる位相を持つ電流を駆動回
路から供給することで、磁気ヘッドにはそれらの合成さ
れた磁界を生ずることから、更なる過渡特性の改善がで
きる。すなわち、サイン波の合成で方形波が作れる等、
各巻線を独立に駆動して磁界を合成することにより、過
渡特性の改善が可能となる。尚、巻線間の浮遊容量によ
る結合で特性が劣化するのを防止するために、各巻線間
には、静電遮蔽（ファラディーシールド）を施してあ
る。

【０００９】ところで、インダクタンスの増加を抑えな
がらより大きな磁界を発生させる方法としては、図４に
示すように、光磁気記録媒体を挾んで２つの磁気ヘッド
を対向させて配置する方法があり、それぞれの磁気ヘッ
ドには、単数あるいは複数の巻線が施され、巻線と同数
の駆動回路が設けられている。このように２つの磁気ヘ
ッドを対向して配置することにより、インダクタンスの
増加を抑えながら大きな磁界を発生させることができ
る。尚、この場合は、一方側の磁気ヘッドの磁気ヨーク
の一部を空洞にして、信号の書き込み、読み出しに用い
るレーザー光の光路を確保する必要が有る。また、図４
の例では各磁気ヘッドの巻線は単数で図示してあるが、
それぞれ図３のような複数の巻線を有する磁気ヘッドを
用いれば、よりインダクタンスの増加を抑えながら大き
な磁界を発生させることができる。但し、図４のように
２つの磁気ヘッドを用いる場合、２種のヘッドのインダ
クタンスが異なるために位相マッチング（磁界強度のピ
ークを合わせる等）を取る必要性がでてくる。このた
め、両ヘッドの駆動回路を制御する制御回路等が必要と
なりコスト高となる。

【００１０】そこで、この問題を解消するため、図５に
示す磁気ヘッドでは、媒体を挾んで２個の対向するヘッ
ド部を設け、一方のヘッド部が磁気ヨークと励磁巻線か
らなる励磁ヘッド部を構成し、他方が、磁気ヨークと巻
線とそれに接続される抵抗及びコンデンサーより構成さ
れる磁束収束ヘッド部よりなり、励磁ヘッド部より供給
される磁界の周波数と磁束収束ヘッド部における磁気ヨ
ーク及び巻線とコンデンサー、抵抗で構成される回路の
共振周波数を同一とした構成とする。すなわち、図５に
示す例では、媒体を挾んで配置される２つの磁気ヘッド
の内、一方の磁気ヘッドを励磁ヘッド部、他方を磁束収
束ヘッド部とした例であり、励磁ヘッド部は数１０ＭＨ
ｚまで損失の少ないフェライト等の磁気ヨークと単数あ
るいは複数の巻線よりなり、巻線は巻線の個数と同数の
駆動回路にそれぞれ接続され駆動される。また、磁束収
束ヘッド部は、上記と同様の磁気ヨークと巻線と、これ
らで生じるインダクタンスと共に共振回路を構成するコ
ンデンサー及び抵抗より構成されている。尚、信号の書
き込み、読み出しに用いるレーザー光は、例えば、磁束
収束ヘッド部側の磁気ヨークの一部を空洞にして導入す
ることができる。また、図においては、光ピックアップ
光学系は省略している。

【００１１】次に、図５に示す構成の磁気ヘッドの動作
を図６を参照して説明する。図６(ａ)は磁束収束部のな
い、通常型の磁界変調型磁気ヘッドの例であるが、光磁
気記録装置の場合、光磁気記録媒体と磁界変調型磁気ヘ
ッド間には大きなギャップがあるため、磁束の広がり方
も大きく、光磁気記録媒体面での磁界強度を大きくとれ
ない。また、高密度記録も困難である。これに対し、図
６(ｂ)に示すように、励磁ヘッド部に対向して磁束収束
ヘッド部を設け、この磁束収束ヘッド部において、励磁
ヘッド部から発生した磁界の周波数に共振するように磁
気ヨークと巻線によるインダクタンスとコンデンサーの
容量及びエネルギー吸収のための抵抗の値を適当に選ぶ
ことで、励磁ヘッド部からの磁束の一部が、対向する磁
束収束ヘッド部の磁気ヨークに流入し、この共振系を励
振することになる。このため、励磁ヘッド部からの磁束
は、結果的に磁束収束ヘッド部の存在によって収束され
ることになる。尚、磁束収束ヘッド部の抵抗は、蓄えら
れたエネルギーを速やかに熱に変え、系の安定性に寄与
している。

【００１２】以上のように、磁気ヘッドを図５及び図６
(ｂ)に示すように励磁ヘッド部と磁束収束ヘッド部とに
より構成することで、励磁ヘッド部からの磁束が、磁束
収束部によって収束されるため、光磁気記録媒体面での
磁界の強度を充分大きくとれる。従って、励磁ヘッド部
で発生する磁界自体を低下させることが可能となるた
め、駆動回路で発生させる電流の低下や、巻線数の減
少、しいてはインダクタンスの低下につながり、これら
は全て高速転送レートを実現する上で、実際の設計上有
利となる。また、駆動回路で発生させる電流の減少は、
各部で発生する発熱を抑え、よりコンパクトな設計が可
能となり、製品寸法の減少の上で有効である。同様に、
巻線の巻数の減少は製作する上で簡便化につながるた
め、より低コストで作製可能となる。また、励磁ヘッド
側を図３のように構成すれば、インダクタンスの低下を
より図ることができ、高速転送レート、高密度記録を実
現することができる。尚、光磁気記録装置においては、
媒体はリムードブルとなるため、多様な媒体との適合性
が必要となるが、図５及び図６(ｂ)に示す構成の磁気ヘ
ッドでは、発生する磁界強度のマージンが広がるため、
多種多様な媒体に読み出し、書き込み可能となる。

【００１３】次に、図７に示す磁気ヘッドは図５に示し
た磁気ヘッドと同様に励磁ヘッド部と磁束収束ヘッド部
とからなるが、この例では、励磁ヘッド部の構成が異な
り、励磁ヘッド部の巻線が、励振コイルと励磁巻線に分
割されている。また、励磁巻線は共振コンデンサーに接
続され、共振回路を形成している。ここで、励振コイル
を用い、駆動回路によって上記共振回路の共振周波数に
等しい周波数で駆動すると、共振回路内に安定な共振電
流を発生させることが可能となり、しいては、外部に安
定な磁界を発生させることが可能となる。尚、この例に
おいても、磁束収束ヘッド部により磁束の収束が行なわ
れ、光磁気記録媒体面での磁界の強度を充分大きくとる
ことができる。以上のように、図７に示す構成の磁気ヘ
ッドにおいては、励磁ヘッド部を共振駆動方式としたた
め、さらに低エネルギー（低電流）での駆動が可能とな
る。

【００１４】ところで、図３乃至図７に示した各磁気ヘ
ッドにおいては、媒体を挾んで２つのヘッド部を対向さ
せることにより、インダクタンスの増加を抑えながら大
きな磁界を発生させることができるように工夫した例で
あるが、このようにヘッドを媒体を挾んで２つ配置する
場合、重量増となりアクセス速度が遅くなる事や、駆動
回路や共振回路からの引き出し線を長くしない限り、各
回路の配置を２分割しなければならず、集積回路技術を
用いた薄膜型の磁気ヘッドへの応用が難しい。そこで、
以下においては、集積回路技術を用いた薄膜型の磁気ヘ
ッドの実施例について述べる

【００１５】図１は請求項１の一実施例を示す図であっ
て、集積回路技術を用いた薄膜型の磁気ヘッドに本発明
を応用した例であり、(ａ)は磁気ヘッドの斜視図、(ｂ)
は磁気ヘッドの平面図、(ｃ)は(ｂ)のＡ−Ａ’線断面図
である。図１に示す磁気ヘッドは、円柱状で且つ上面中
央部に円形の凸部を有する磁性体１上に、中心を円形状
に抜いた円盤型の絶縁性セラミック基板２を貼り付けた
構造となっており、セラミック基板２上には、あらかじ
め同心円状に複数の金属巻線Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４及
び各電極３，４，Ｂ１，Ｂ２，Ｂ３，Ｂ４が蒸着により
形成され、これに巻線と同数の駆動用トランジスタＴ
１，Ｔ２，Ｔ３，Ｔ４が接続された構造となっている。

【００１６】また、図１及び図２の回路図に示すよう
に、各巻線Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４の一端側は電極３に
接続され、この電極３は電源に接続されている。また、
各巻線Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４の他端側はそれぞれ駆動
用トランジスタＴ１，Ｔ２，Ｔ３，Ｔ４のコレクタ端子
に接続され、各駆動用トランジスタＴ１，Ｔ２，Ｔ３，
Ｔ４のエミッタ端子は共通のエミッタ電極４に接続さ
れ、この電極４は接地されている。また、各駆動用トラ
ンジスタＴ１，Ｔ２，Ｔ３，Ｔ４のベース端子はベース
電極Ｂ１，Ｂ２，Ｂ３，Ｂ４にそれぞれ接続され、これ
らベース電極Ｂ１，Ｂ２，Ｂ３，Ｂ４は駆動制御回路６
に接続されている。また、巻線間の浮遊容量による結合
で特性が劣化するのを防止するために、図１(ｂ)の破線
で示すように、各巻線の間には一端側が接地された静電
遮蔽５が設けられている。

【００１７】さて、図１、図２に示す構成の磁気ヘッド
においては、駆動制御回路６により、各駆動用トランジ
スタＴ１，Ｔ２，Ｔ３，Ｔ４のスイッチング動作を制御
することで、任意の磁場の立ち上がりを作ることができ
る。すなわち、図３に示した磁気ヘッドと同様に、イン
ダクタンスの増加を抑えながら、必要な強度の磁界を発
生することができ、高密度記録及び高速転送レートを得
るための高速磁界変調が可能となる。また、それぞれ独
立した複数の巻線と複数の駆動回路（駆動用トランジス
タ）を備えたことにより、それぞれの位相を制御するこ
とで任意の時間対磁界特性（磁界の立ち上がりを高速化
できる）を得ることができる。

【００１８】ところで、図１に示す構成の磁気ヘッドに
おいては、巻線及び駆動回路（駆動用トランジスタ）は
セラミック基板上に集積化されているが、磁気ヨークに
バルクの磁性体を用いているため、軽量化を図りにく
い。そこで以下においては、磁気ヨークとして磁性薄膜
を用いた磁気ヘッドについて説明する。先ず、基本構成
として、現在一般に使用されている磁界変調型薄膜磁気
ヘッドの構成と動作を図８に基づいて説明する。図８
(ａ)は基板１０上に形成された薄膜磁気ヘッドの平面図
であり、(ｂ)は(ａ)図におけるＢ−Ｂ’線断面図であ
る。図８において、１１は磁性膜、１２は励磁用の巻線
であり、巻線１２は磁性膜１１の上に渦巻状に形成され
ている。巻線１２の両端はそれぞれ巻線の外側において
電極１３に接続される。

【００１９】上記構成において、電極１３に電源を接続
することにより、巻線に電流が流れる。このとき巻線１
２はコイルとして働くため、中心の磁性膜を貫く磁界が
発生し、より強力な磁界が得られる。また、電極１３に
高周波スイッチング回路を接続することにより、高周波
磁界変調が実現される。尚、巻線によって励起された磁
束の経路を図８(ｂ)中の矢印によって示す。図１０(ａ)
は上記構成の回路図であり、コイル１２の両端はそれぞ
れトランジスタ駆動用の電源Ｖccとトランジスタ１５の
コレクタ端子に接続され、トランジスタのベース端子は
抵抗を介して高周波スイッチング回路１４に接続され、
トランジスタのエミッタ端子は接地される。従って、高
周波スイッチング回路１４によってトランジスタ１５の
ベース電圧を制御し、コイル電流の入力、切断を制御す
れば、磁界の発生を制御することができ、磁界変調を行
なうことができる。

【００２０】ところで、このような磁性膜を磁気ヨーク
として用いた薄膜型の磁気ヘッドにおいても、単体のコ
イルで大きな磁界強度を得るためにはコイルの巻数を増
やさなければならない。このため、巻数の増加に伴って
コイルのインダクタンスが大きくなり、高周波のスイッ
チングに追従できない。また、巻数が増えるとコイルの
抵抗値が大きくなるため、熱雑音の影響も大きくなる。
このため、大きな磁界強度を得ようとした上で高速変調
に追従させることは困難である。そこで、上記問題を解
消するため、請求項２の磁界変調型光磁気記録装置用磁
気ヘッドにおいては、基板上の磁性膜の上に円状の給電
部を持ち、その内側に複数の駆動回路を配置し、給電部
と各駆動回路とを励磁用の巻線を介して結線する構成と
した。

【００２１】図９は請求項２記載の磁界変調型光磁気記
録装置用磁気ヘッドの一実施例を示す図であって、(ａ)
は磁気ヘッドの平面図、(ｂ)は(ａ)に示す磁気ヘッドの
Ｃ−Ｃ’線断面図である。図９において、２１は基板２
０上に形成されたＣｏＺｒＮｂアモルファス磁性体等か
らなる磁性膜であり、この磁性膜２１上には銅（Ｃｕ）
等の導体を用いた円状の電極膜（給電部）２２が形成さ
れている。また、電極膜２２の内側には複数の駆動用ト
ランジスタ（駆動回路）２３が配置されている。尚、図
示の例では、簡単のためトランジスタを４個のみ配置し
た場合について示している。２４は銅等の導体を用いた
励磁用の巻線膜であり、各巻線膜２４は電極膜２２の円
の内周に沿った巻線として形成され、電極膜２２とトラ
ンジスタ２３とを結線して給電線となる。尚、図９では
簡単のため、巻線２４は電極膜２２に沿って半周するだ
けの短いものを示している。また、２５は電源端子であ
り、電極膜２２と結線され、電極膜２２に対する給電部
となる。

【００２２】次に、上記構成からなる磁気ヘッドの動作
を説明する。図９において、トランジスタ２３の制御に
より励磁用巻線膜２４に電流が流れると、各励磁用巻線
膜２４に流れる電流の方向ベクトルを合成することによ
って等価的に円状のループ電流が流れていると見なせ
る。従って、トランジスタ２３並びに巻線膜２４を増設
することによって、さらに大きな電流が流れている状態
が得られる。このループ電流によって励起された磁界
は、磁性膜２１上で電極膜２２の円の中心に当たる点に
最も強く作用し、強力な磁界が得られる。また、円状の
電極膜２２には、磁界の変化に伴って誘導電流が流れ、
逆方向の磁界が発生するが、巻線膜２４によって励磁さ
れる磁界が電極膜２２の円の中心では強力で、円の外側
では弱いため、中心の磁界への影響が小さく、外側の磁
界のみを打ち消すような磁気的シールドとして働く。
尚、巻線によって励起された磁束の経路を図９(ｂ)中の
矢印によって示す。

【００２３】ここで、図１０(ｂ)は上記磁気ヘッドの等
価回路図である。但し、回路構成を判り易くするため
に、トランジスタ２３及び巻線２４は円状の電極２２の
外側に示してある。電源端子２５を介して電源Ｖccに接
続された電極２２は図９に示したように円状であるた
め、各トランジスタ２３への給電点（巻線２４との接続
点）を任意の点からとることができ、電源ラインの抵抗
の増大や電源電圧降下が少ない。各トランジスタ２３の
コレクタ端子には電極２２から巻線２４を介して給電さ
れ、ベース端子に高周波スイッチング回路１４を接続し
てベース電圧を制御することによって磁界の発生が制御
される。尚、エミッタ端子は接地されている。

【００２４】さて、図９に示した構成の磁気ヘッドで
は、円状の電極膜２２を設け、これとその内側の多数の
トランジスタ２３とを給電用の巻線２４でつなぎ、各々
の巻線を流れる電流の方向ベクトルを合成することによ
ってループ電流を等価的に発生させて磁界を励起してい
る。このため、上述の構成において、１本の巻線は低イ
ンダクタンスであるため、巻線とトランジスタを増設し
てもインダクタンスの増加が起こらない。従って、高周
波に対する特性を損なわずに強力な磁界が励起できる。
また、円状の電極を励磁回路の外周に設けたことによっ
て、トランジスタに対する給電点が多数設けられる上、
電源電圧降下が少なくなる。さらに、円状電極によっ
て、ヘッドの外側に対する磁気的シールド効果も得るこ
とができる。

【００２５】次に、図１１は請求項３記載の磁界変調型
光磁気記録装置用磁気ヘッドの一実施例を示す図であっ
て、(ａ)は磁気ヘッドの平面図、(ｂ)は(ａ)に示す磁気
ヘッドのＤ−Ｄ’線断面図である。図１１に示す磁気ヘ
ッドは、図９に示した実施例と同様に、基板２０上に形
成された磁性膜２１の上に電極膜２２、トランジスタ２
３、巻線２４、電源端子２５を形成したものであるが、
本実施例においては、電極膜２２の形状を一端の切れた
円状とし、且つ同心円状に電極膜を複数個設けたもので
あり、各電極膜２２と電源端子２５とを接続して給電し
ている。また、トランジスタ２３は、各電極膜２２の周
囲に複数個配置され、図９の実施例と同様に巻線２４を
介して電極膜２２から給電される。

【００２６】上記構成の磁気ヘッドにおける動作は図９
の実施例と同様であるが、電極膜２２を同心円状に多数
設け、トランジスタ２３と巻線２４とを増設することに
よって幾らでも強い磁界を励起することが可能である。
この場合、電極膜２２は一端が切れているため、励磁に
伴う誘導電流が流れないため、外部に対する磁気的シー
ルド効果は無いが、逆に、電極膜２２の中心における磁
界を妨げる磁界が発生することもないため、励磁効率が
さらに良好なものとなる。従って、図１１に示す構成の
磁気ヘッドにおいては、高周波に対する特性を損なわず
により強力な磁界が励起でき、高速変調による高密度記
録、高速転送レートが実現できる。

【００２７】次に、集積回路技術と磁性薄膜ヨークを用
いた磁界変調型光磁気記録装置用磁気ヘッドの別の構成
例について説明する。図１２は請求項４記載の磁界変調
型光磁気記録装置用磁気ヘッドの一実施例を示す図であ
って、(ａ)は磁気ヘッドの平面図、(ｂ)は(ａ)に示す磁
気ヘッドのＥ−Ｅ’線断面図である。図１２において、
基板３１はＳｉＯ₂ やＳｉ等の半導体あるいは絶縁物よ
りなり、その上層に半導体デバイス層を構成した半導体
デバイス形成基板である。この半導体デバイス層には、
周知の半導体デバイス製造技術（不純物拡散法、エピタ
キシャル成長法、イオン注入法等）により、ＭＯＳ型ト
ランジスタ等からなる駆動回路３４，３５，３６，３７
が形成されている。尚、本構成例では、駆動回路として
ｐ及びｎチャンネルのＭＯＳ−ＦＥＴを形成した例を示
すが、その他のトランジスタによる構成も可能である。

【００２８】各ＭＯＳ−ＦＥＴ３４，３５，３６，３７
のドレイン(Ｄ)には、巻線となる導線３３が結合され、
各巻線３３の他端は正(＋)・負(−)の電源に結合され
る。また、各ＭＯＳ−ＦＥＴ３４，３５，３６，３７の
ソース(Ｓ)側はアースに接続され、ゲート(Ｇ)に励磁信
号ラインを介して励磁信号が与えられることにより、各
ＭＯＳ−ＦＥＴ３４，３５，３６，３７の駆動が制御さ
れる。また、磁性薄膜ヨーク３２は上記巻線３３に鎖交
して配置されているが、この磁性薄膜ヨーク３２と上下
の巻線膜との間には絶縁膜が設けられており、回路の短
絡が防止されている。尚、電源及び励磁信号発生用の制
御回路は図示を省略する。

【００２９】次に、図１２に示す構成の磁気ヘッドの動
作について述べる。図１２において、励磁信号ラインを
介して各ＭＯＳ−ＦＥＴ３４，３５，３６，３７に正側
の励磁信号を与えた場合、ｎチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ
３５，３７のゲート(Ｇ)が開き、正(＋)の電源より、巻
線３３を介してｎチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ３５，３７
のドレイン(Ｄ)に電流が流れ、磁界を発生する。このた
め、磁性薄膜ヨーク３２は磁化され、その端部より外部
に磁束を発生させる。逆に負側の励磁信号を与えた場合
には、ｐチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ３４，３６のゲート
(Ｇ)が開き、負(−)の電源へ、巻線３３を介してｐチャ
ンネルＭＯＳ−ＦＥＴ３４，３６のドレイン(Ｄ)より電
流が流れ、逆向きの磁界が発生する。このため、磁性薄
膜ヨーク３２は逆向きに磁化され、外部に逆向きの磁束
を発生させる。このように、励磁信号の正・負により、
磁束の向きを逆転することができ、磁界変調を有効に行
なうことができる。尚、図１２(ｂ)に磁束の流れを矢印
で示す。

【００３０】さて、図１２に示す構成の磁気ヘッドにお
いては、複数のトランジスタと複数の巻線とにより分散
させてドライブするため、インダクタンスを増加するこ
とがなく、高周波励磁が可能となる。また、個々のトラ
ンジスタの電流限界に応じてトランジスタ及び巻線の個
数を加減することが可能であるため、強磁界を発生する
ことができる。また、磁性薄膜は、材料限界がバルク材
に比べてはるかに高周波側にあるため、磁気ヨークを磁
性薄膜で形成したことにより、高周波励磁がより可能と
なる。

【００３１】次に、図１３は請求項５記載の磁界変調型
光磁気記録装置用磁気ヘッドの一実施例を示す図であっ
て、(ａ)は磁気ヘッドの平面図、(ｂ)は(ａ)に示す磁気
ヘッドのＦ−Ｆ’線断面図である。図１３に示す磁気ヘ
ッドは、図１２に示したものと同様に、半導体あるいは
絶縁体よりなる基板４１上に半導体デバイス層を形成
し、この半導体デバイス層に複数の駆動回路（図ではｐ
及びｎチャンネルのＭＯＳ−ＦＥＴ）４４を形成した
後、巻線４３及び磁性薄膜ヨーク４２を形成したもので
あるが、本実施例では、磁性薄膜ヨーク４２は放射状枝
部４２ｂと中央励磁コア部４２ａとに分かれている。そ
して、各放射状枝部４２ｂに沿って複数の駆動回路４４
及び巻線４３が設けられており、各巻線４３の一方ある
いは両方の端部が駆動回路の端子にそれぞれ接続されて
いる。尚、図示の例では、巻線の一端側はｐあるいはｎ
チャンネルのＭＯＳ−ＦＥＴ４４のドレインに接続さ
れ、他端側は正あるいは負の電源端子に接続されてい
る。また、図１３では、巻線４３は一部の放射状枝部に
のみ図示し、大部分を省略している。

【００３２】さて、図１３に示す構成の磁気ヘッドにお
いては、各放射状枝部４２ｂが図１２に示す磁気ヘッド
と同様に構成されていることになり、励磁信号により駆
動回路４４を制御して巻線４３に電流を流すことによ
り、各放射状枝部４２ｂが磁化される。そして磁化され
た放射状枝部内の磁束は中央励磁コア部４２ａに収束さ
れ、外部に磁束を発生させる（図中に矢印で磁束の流れ
を示す）。上記構成の磁気ヘッドの場合、各巻線部は概
ね直線形状で、磁性薄膜ヨーク４２の放射状枝部とは１
／２ターン以下の鎖交であるため、十分小さなインダク
タンスとなり、高周波、大電流駆動が可能となる。ま
た、各放射状枝部で発生させた磁束を中央励磁コア部に
集中して外部に磁界を発生させるため、効果的に強磁界
が発生でき、強磁界での高速変調が可能となる。

【００３３】次に、図１４は請求項６記載の磁界変調型
光磁気記録装置用磁気ヘッドの一実施例を示す図であっ
て、(ａ)は磁気ヘッドの平面図、(ｂ)は(ａ)に示す磁気
ヘッドのＧ−Ｇ’線断面図である。図１４に示す磁気ヘ
ッドにおいては、駆動回路としてｐ及びｎチャンネルの
ＭＯＳ−ＦＥＴ５４，５５が形成された基板５１上に複
数の磁性薄膜ヨーク５２を形成し、その複数の磁性薄膜
ヨーク５２の周囲に１周以下の巻数の巻線５３を２つ配
置し、一方の巻線の一端をｐチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ
５４のドレイン(Ｄ)に接続し、他端を負の電源に接続
し、他方の巻線の一端をｎチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ５
５のドレイン(Ｄ)に接続し、他端を正の電源に接続した
ものである。また、ｐ及びｎチャンネルのＭＯＳ−ＦＥ
Ｔ５４，５５のソース(Ｓ)はアースに接続され、ゲート
(Ｇ)には励磁信号ラインが接続されている。従って、図
１４に示す磁気ヘッドは、図１２，１３に示した磁気ヘ
ッドと同様に動作し、励磁信号によってｐ及びｎチャン
ネルのＭＯＳ−ＦＥＴ５４，５５を駆動することで巻線
５３に電流が流れ、複数の磁性薄膜ヨーク５２の磁化が
行なわれ、最終的には外部に磁束が放射される（図中に
磁束の流れを示す）。図１４に示す磁気ヘッドにおいて
は、磁性薄膜ヨークと巻線とは１ターン以下の鎖交であ
るため、十分小さなインダクタンスとなり、高周波、大
電流駆動が可能となる。従って、強磁界での高速変調が
可能となる。

【００３４】次に、図１５は請求項６記載の磁界変調型
光磁気記録装置用磁気ヘッドの別の実施例を示す図であ
って、(ａ)は磁気ヘッドの平面図、(ｂ)は(ａ)に示す磁
気ヘッドのＨ−Ｈ’線断面図である。図１５に示す磁気
ヘッドにおいては、駆動回路として複数のｐ及びｎチャ
ンネルのＭＯＳ−ＦＥＴ５４，５５が形成された基板５
１上に複数の磁性薄膜ヨーク５２を形成し、その磁性薄
膜ヨーク５２を複数の組に分けて、各組毎に個別に巻線
５３とｐ及びｎチャンネルのＭＯＳ−ＦＥＴ５４，５５
を配置した例である。この磁気ヘッドの動作は図１４の
ものと同様であるが、本実施例では、磁界強度をより大
きくすることができ、強磁界での高速変調が可能とな
る。

【００３５】次に、図１６は請求項６記載の磁界変調型
光磁気記録装置用磁気ヘッドのさらに別の実施例を示す
図であって、(ａ)は磁気ヘッドの平面図、(ｂ)は(ａ)に
示す磁気ヘッドのＩ−Ｉ’線断面図である。図１６に示
す磁気ヘッドにおいては、駆動回路として複数のｐ及び
ｎチャンネルのＭＯＳ−ＦＥＴ５４，５５が形成された
基板５１上に複数の磁性薄膜ヨーク５２を形成し、その
磁性薄膜ヨーク５２を複数の組に分け、各組の磁性薄膜
ヨークの周囲に直線状の巻線５３とｐ及びｎチャンネル
のＭＯＳ−ＦＥＴ５４，５５を配置した例である。この
磁気ヘッドの動作は図１４，１５のものと同様である
が、本実施例では、各巻線が直線状のためインダクタン
スを最小にでき、より強磁界での高速変調が可能とな
る。

【００３６】さて、図１４〜１６に示した磁気ヘッドに
おいては、上述したように、複数個のトランジスタと巻
線で分散してドライブするため、高周波励磁が容易に可
能となる。また、通常の半導体プロセスに準ずる巻線形
状（直線で構成されている）であるため、集積回路技術
をそのまま応用でき、通常の薄膜磁気ヘッドの製造プロ
セスに比べ生産性に富む。さらに、個別に配置した磁性
薄膜ヨークと巻線とを密に磁気結合可能であり、且つ寸
法を微小にすることが可能であることから、強磁界発生
が可能となる。従って、強磁界での高周波励磁が可能と
なる。

【００３７】次に、図１７(ａ)，(ｂ)，(ｃ)はそれぞれ
請求項７記載の磁界変調型光磁気記録装置用磁気ヘッド
の実施例を示す断面図であり、(ａ)は図１４〜図１６に
示した磁気ヘッドの基板５１に磁性下部ヨーク部５６を
付加した例であり、(ｂ)は磁性薄膜ヨーク５２を磁性下
部ヨーク部５６に近接させた例、(ｃ)は磁性薄膜ヨーク
５２を磁性下部ヨーク部５６と接触させた例である。こ
のように、図１４〜図１６に示した磁気ヘッドの基板５
１に磁性下部ヨーク部５６を付加することにより、磁性
薄膜ヨーク５２の磁気抵抗が下がり、磁束が有効に外部
に放射される。また、磁性薄膜ヨーク５２を磁性下部ヨ
ーク部５６に近接あるいは接触させることで、さらに磁
気抵抗が下がり、より効率的に磁界発生を行なうことが
できる（図中に磁束の流れを示す）。

【００３８】

【発明の効果】以上説明したように、請求項１の磁界変
調型光磁気記録装置用磁気ヘッドにおいては、複数の巻
線と、夫々の巻線を駆動する複数の駆動回路とを備えた
ことにより、各巻線部による磁界を合成して全体として
大きな磁界を発生することができる。従って、各巻線部
のインダクタンスの増加を抑えながら全体として大きな
磁界を発生することができるため、高記録密度、高速転
送レート特性を得るための高速磁界変調が可能となる。
また、独立の巻線と駆動回路を複数持つことから、それ
ぞれの位相を制御することで任意の時間対磁界特性（磁
界の立ち上がり、立ち下がり特性）を得ることができ
る。

【００３９】請求項２の磁界変調型光磁気記録装置用磁
気ヘッドにおいては、円状の電極膜（給電部）を設け、
これとその内側の多数の駆動回路（トランジスタ等）と
を給電用の巻線でつなぎ、各々の巻線を流れる電流の方
向ベクトルを合成することによってループ電流を等価的
に発生させて磁界を励起しているため、上述の構成にお
いて、１本の巻線は低インダクタンスであるため、巻線
と駆動回路を増設してもインダクタンスの増加が起こら
ない。従って高周波に対する特性を損なわずに強力な磁
界が励起できる。また、円状の電極を励磁回路の外周に
設けたことにより、駆動回路に対する給電点が多数設け
られる上、電源電圧降下が少なくなる。さらに、円状電
極によって、ヘッドの外側に対する磁気的シールド効果
も得ることができる。また、請求項３の磁界変調型光磁
気記録装置用磁気ヘッドにおいては、請求項２と同様の
理由により高周波強磁界変調が可能となる。また、磁気
ヘッドの外側に対する磁気シールド効果が無い代わり
に、同心円状に多重に給電部が設けられているため、さ
らに強力な磁界を変調することができる。

【００４０】請求項４の磁界変調型光磁気記録装置用磁
気ヘッドにおいては、複数の駆動回路（トランジスタ
等）と複数の巻線とにより分散させてドライブするた
め、インダクタンスを増加することがなく、高周波励磁
が可能となる。また、個々のトランジスタの電流限界に
応じてトランジスタ及び巻線の個数を加減することが可
能であるため、強磁界（大きな磁束）を発生することが
できる。また、磁性薄膜は、材料限界がバルク材に比べ
てはるかに高周波側にあるため、磁気ヨークを磁性薄膜
で形成したことにより、高周波励磁がより可能となる。
請求項５の磁界変調型光磁気記録装置用磁気ヘッドにお
いては、上記請求項４と同様の作用効果に加え、各放射
状枝部で発生させた磁束を中央励磁コア部に集中して外
部に磁界を発生させるため、効果的に強磁界が発生で
き、強磁界での高速変調が可能となる。

【００４１】請求項６の磁界変調型光磁気記録装置用磁
気ヘッドにおいては、複数個の駆動回路（トランジスタ
等）と巻線で分散してドライブするため、高周波励磁が
容易に可能となる。また、通常の半導体プロセスに準ず
る巻線形状（直線で構成されている）であるため、一般
的な薄膜磁気ヘッドの製造プロセスに比べ生産性に富
む。さらに、個別に配置した磁性薄膜ヨークと巻線とを
密に磁気結合可能であり、且つ寸法を微小にすることが
可能であることから、強磁界発生が可能となる。従っ
て、強磁界での高速磁界変調が可能となる。請求項７の
磁界変調型光磁気記録装置用磁気ヘッドにおいては、請
求項６の構成に加え、磁気ヘッドの基板に磁性下部ヨー
ク部を付加したことにより、磁性薄膜ヨークの磁気抵抗
が下がり、磁束が有効に外部に放射される。また、磁性
薄膜ヨークを磁性下部ヨーク部に近接あるいは接触させ
ることで、さらに磁気抵抗が下がり、より効率的に磁界
発生を行なうことができる。従って、強磁界での高速磁
界変調を効率良く行なうことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】請求項１記載の磁界変調型光磁気記録装置用磁
気ヘッドの一実施例を示す図であって、(ａ)は磁気ヘッ
ドの斜視図、(ｂ)は磁気ヘッドの平面図、(ｃ)は(ｂ)に
示す磁気ヘッドのＡ−Ａ’線断面図である。

【図２】図１に示す磁気ヘッドの等価回路を示す回路図
である。

【図３】請求項１記載の磁気ヘッドの基本構成を示す概
略構成図である。

【図４】請求項１記載の磁気ヘッドの別の構成例を示す
概略構成図である。

【図５】請求項１記載の磁気ヘッドのさらに別の構成例
を示す概略構成図である。

【図６】従来の磁気ヘッドと図５に示す構成の磁気ヘッ
ドの動作説明図である。

【図７】請求項１記載の磁気ヘッドのさらに別の構成例
を示す概略構成図である。

【図８】従来の磁界変調型薄膜磁気ヘッドの説明図であ
って、(ａ)は磁気ヘッドの平面図、(ｂ)は(ａ)に示す磁
気ヘッドのＢ−Ｂ’線断面図である。

【図９】請求項２記載の磁界変調型光磁気記録装置用磁
気ヘッドの一実施例を示す図であって、(ａ)は磁気ヘッ
ドの平面図、(ｂ)は(ａ）に示す磁気ヘッドのＣ−Ｃ’
線断面図である。

【図１０】(ａ)は図８に示す磁気ヘッドの等価回路図、
(ｂ)は図９に示す磁気ヘッドの等価回路図である。

【図１１】請求項３記載の磁界変調型光磁気記録装置用
磁気ヘッドの一実施例を示す図であって、(ａ)は磁気ヘ
ッドの平面図、(ｂ)は(ａ)に示す磁気ヘッドのＤ−Ｄ’
線断面図である。

【図１２】請求項４記載の磁界変調型光磁気記録装置用
磁気ヘッドの一実施例を示す図であって、(ａ)は磁気ヘ
ッドの平面図、(ｂ)は(ａ)に示す磁気ヘッドのＥ−Ｅ’
線断面図である。

【図１３】請求項５記載の磁界変調型光磁気記録装置用
磁気ヘッドの一実施例を示す図であって、(ａ)は磁気ヘ
ッドの平面図、(ｂ)は(ａ)に示す磁気ヘッドのＦ−Ｆ’
線断面図である。

【図１４】請求項６記載の磁界変調型光磁気記録装置用
磁気ヘッドの一実施例を示す図であって、(ａ)は磁気ヘ
ッドの平面図、(ｂ)は(ａ)に示す磁気ヘッドのＧ−Ｇ’
線断面図である。

【図１５】請求項６記載の磁界変調型光磁気記録装置用
磁気ヘッドの別の実施例を示す図であって、(ａ)は磁気
ヘッドの平面図、(ｂ)は(ａ)に示す磁気ヘッドのＨ−
Ｈ’線断面図である。

【図１６】請求項６記載の磁界変調型光磁気記録装置用
磁気ヘッドのさらに別の実施例を示す図であって、(ａ)
は磁気ヘッドの平面図、(ｂ)は(ａ)に示す磁気ヘッドの
Ｉ−Ｉ’線断面図である。

【図１７】(ａ)，(ｂ)，(ｃ)はそれぞれ請求項７記載の
磁界変調型光磁気記録装置用磁気ヘッドの実施例を示す
断面図である。

【図１８】従来技術の説明図であって、(ａ)は磁界変調
型光磁気記録装置の基本構成を示す構成説明図、(ｂ)は
磁界変調型光磁気記録装置の記録原理の説明図、(ｃ)は
磁界変調用磁気ヘッドの基本構造を示す図である。

【符号の説明】

１・・・磁性体（磁気ヨーク）２・・・セラミック基板３・・・電極（給電部）２０・・・基板２１・・・磁性膜（薄膜磁気ヨーク）２２・・・円状電極膜（給電部）２３，Ｔ１，Ｔ２，Ｔ３，Ｔ４・・・駆動回路（駆動用
トランジスタ）２４，３３，４３，５３，Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４・・
・巻線３１，４１，５１・・・半導体デバイス形成基板３２，４２，５２・・・磁性薄膜ヨーク３４，３５，３６，３７，４４，５４，５５・・・駆動
回路（ｐ又はｎチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ）５６・・・磁性下部ヨーク

フロントページの続き (72)発明者今野良一宮城県名取市高舘熊野堂字余方上５番地の 10・リコー応用電子研究所株式会社内 (72)発明者池田純一宮城県名取市高舘熊野堂字余方上５番地の 10・リコー応用電子研究所株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】磁界変調型光磁気記録装置用の磁気ヘッド
において、複数の巻線を持つ構造を有し、且つ夫々の巻
線を独立に駆動することのできる複数の駆動回路とを備
えたことを特徴とする磁界変調型光磁気記録装置用磁気
ヘッド。
【請求項２】磁界変調型光磁気記録装置用の磁気ヘッド
において、基板上の磁性膜の上に円状の給電部を持ち、
その内側に複数の駆動回路を配置し、給電部と各駆動回
路とを励磁用の巻線を介して結線したことを特徴とする
磁界変調型光磁気記録装置用磁気ヘッド。
【請求項３】磁界変調型光磁気記録装置用の磁気ヘッド
において、基板上の磁性膜の上に、一端の切れた円状の
給電部を同心円状に複数持ち、その給電部の周辺に複数
の駆動回路を配置し、給電部と各駆動回路とを励磁用の
巻線を介して結線したことを特徴とする磁界変調型光磁
気記録装置用磁気ヘッド。
【請求項４】磁界変調型光磁気記録装置用の磁気ヘッド
において、同一基板上に分散して配置させた複数の駆動
回路とそれらに接続される複数の巻線と、その巻線と鎖
交して配置した磁性薄膜ヨークとを備えてなることを特
徴とする磁界変調型光磁気記録装置用磁気ヘッド。
【請求項５】請求項４記載の磁界変調型光磁気記録装置
用磁気ヘッドにおいて、磁性薄膜ヨークは放射状枝部と
中央励磁コア部よりなり、放射状枝部と複数の巻線とが
略直交しながら鎖交し、且つ、その巻線が略直線形状を
なすもので、且つ、それら巻線の端の一方あるいは両方
が駆動回路の端子にそれぞれ接続されてなることを特徴
とする磁界変調型光磁気記録装置用磁気ヘッド。
【請求項６】請求項４記載の磁界変調型光磁気記録装置
用磁気ヘッドにおいて、磁性薄膜ヨークは、一個あるい
は複数の部分よりなり、その周囲に１周以下の一個ある
いは複数個の巻線を配置し、それら巻線の一端あるいは
両端が駆動回路の端子にそれぞれ接続されてなることを
特徴とする磁界変調型光磁気記録装置用磁気ヘッド。
【請求項７】請求項６記載の磁界変調型光磁気記録装置
用磁気ヘッドにおいて、基板の裏面側に磁性下部ヨーク
部を付加したことを特徴とする磁界変調型光磁気記録装
置用磁気ヘッド。