JPH05314404A - 高周波変調磁界発生装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】コア内部での磁束飽和を防止すること。また、
必要磁場範囲を確実に確保すること。 【構成】主磁極２１の高さｈ1は、同主磁極２１の幅ｒ1
以下であることを特徴とする。また、主磁極２１の高さ
ｈ1は、コイル部１０の高さｈ3と同等、もしくは主磁極
２１の高さｈ1がコイル部１０の高さｈ3よりも高いこと
を特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】光磁気記録媒体に対して変調磁界
を印加するための高周波変調磁界発生装置に関し、特に
高周波領域における実時間での記録信号の重ね書き（オ
ーバーライト）を可能にする高周波変調磁界発生装置に
関する。

【０００２】

【従来の技術】光磁気相互作用よって情報ビット（磁
区）の読出を行う光磁気記録媒体に対して、その情報の
例えばレーザー光照射による熱磁気記録を行う記録方法
は、垂直磁化膜による磁性薄膜を有する光磁気記録媒体
に対して、その磁化の方向を膜面に垂直な一方向に予め
揃えるいわゆる初期化を施しておく。そして、この磁化
方向と反対方向の垂直磁化を有する磁区を、レーザー光
照射等の局部加熱により形成することによって、２値化
された情報ビットとして情報記録を行っている。

【０００３】この記録方法においては、情報の記録の書
換えに先立って、記録されている情報の消去（磁場方向
は初期化と同一）の過程、すなわち消去のための時間を
用し、高転送レートでの記録を実現できない。これに対
して、この様な独立の消去過程の時間が不要とされる、
いわゆる磁界変調オーバーライト方法による記録方法が
提案されている。

【０００４】磁界変調オーバーライト方法について、図
１３を参照しながら簡単に説明する。レンズ４１を介し
てレーザー光で、光磁気記録媒体中４２の磁性薄膜４３
を加熱するためのレーザー装置４４により、光磁気記録
媒体４２の記録すべき部分の磁性薄膜４３が加熱され
る。そして、入力信号に応じて変調された磁界を発生さ
せる高周波変調磁界発生装置４５によって磁界を印加す
ることで、独立の消去過程の時間が不要となり記録が行
われる。

【０００５】従来例、例えば特開昭６３−５３７０１号
公報記載のものを図１４に示す。図１４に示す高周波変
調磁界発生装置では、主磁極４７の一端が先細り形状の
テーパー部４８とされ、ヨーク部４９が結合されてお
り、発生する磁場の拡がりを抑えている。符号５０は、
主磁極４７のフランジ部、符号５１は主磁極４７に施さ
れた巻線である。

【０００６】図１４に示す特開昭６３−５３７０１号公
報のものでは、コイルが巻かれる主磁極の部分が太いた
め、コイルインダクタンスが大きくなってしまい、５Ｍ
Ｈｚ程度と言う高周波で磁場を変調する必要がある高周
波変調磁界発生装置では、コイルインダクタンスが大き
い時は、コイルに電流が流れにくくなり、磁場の立ち上
がりが得られなくなる。このため使用に絶えない。主磁
極を細くすればコイルインダクタンスは確かに低下し
て、５ＭＨｚ程度と言う高周波で磁場を変調する必要が
ある高周波変調磁界発生装置として、使用可能と考えら
れる。

【０００７】しかし、主磁極に高さがあると、主磁極内
で磁束が飽和してしまうので必要磁場を得るのに消費電
力がかなりかかってしまうという現象が発生するので、
使用に耐えない。

【０００８】また、主磁極の先端等をテーパー状等の斜
面加工をしていると加工工数、そしてヨーク部を２体に
分ける等の組立を必要とする構造にしていると、接着が
必要になる。このため、このヨーク部の接着されている
部分の磁気抵抗を小さくする必要があり、ヨーク部の接
着される部分の面精度を上げて密着させなくては行けな
いため、加工・組み立て工数が掛かってしまいコストが
かかってしまうので、一般に採用されていない。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】前述したように、主磁
極を細くすればコイルインダクタンスは確かに低下し
て、５ＭＨｚ程度と言う高周波で磁場を変調する必要が
ある高周波変調磁界発生装置として、使用可能と考えら
れる。しかし、主磁極に高さがあると、主磁極内で磁束
が飽和してしまうので、必要磁場を得るのに消費電力が
かなりかかってしまうという現象が発生するので、使用
に耐えない。

【００１０】そこで本発明の目的は高周波変調磁界発生
装置で、コア内部での磁束飽和を防止することにある。
また、他の目的は、高周波変調磁界発生装置で、必要磁
場範囲を確実に確保することにある。

【００１１】

【課題を解決するための手段】請求項１記載の高周波変
調磁界発生装置は、光磁気記録媒体の直径方向に沿って
設け、光磁気記録媒体に磁界を印加するするための主磁
極と、この主磁極の回りに巻かれ、記録信号に応じた電
流を流すことによって前記主磁極を高周波励磁する第１
のコイルと、前記主磁極をバイアス励磁する第２のコイ
ルが配置され、前記主磁極と磁気的に結合されたバック
コアからなる高周波変調磁界発生装置であって、前記主
磁極の高さは主磁極の幅以下であることを特徴とする。

【００１２】請求項２記載の高周波変調磁界発生装置
は、請求項１記載のものであって、前記主磁極の高さは
前記コイルの高さと同等、もしくは前記主磁極の高さが
コイルの高さよりも高いことを特徴とする。

【００１３】

【作 用】磁束飽和は、主に主磁極の光磁気記録媒体と
は反対側で発生しやすい。高周波変調磁場発生装置の材
料に、例えばフェライトを使用すると、高周波での磁場
特性が著しく低下（図２参照）するのに加え、コイル等
による発熱によっても高周波での磁場特性は著しく低下
する。

【００１４】しかしながら、主磁極の幅と高さの関係よ
り、１（幅）：１（高さ）以下、つまり主磁極の高さは
主磁極の幅以下とすることで、高周波での磁束飽和は解
決できる。このことは以下に述べる磁場シュミレーショ
ンの結果から説明できる。

【００１５】磁場シュミレーションの結果は図１（ａ）
に示す通りで、これは、縦軸に最大内部磁束、横軸に主
磁極の幅と高さの比（主磁極の比）を取り、５ＭＨｚを
想定したコア材のＢ−Ｈ曲線にて、測定ポイントが２０
０Ｏｅ（エルステッド）になるように起磁力を合わせ、
コア内部の最大磁束を求めた。

【００１６】主磁極の比の主磁極の高さを高くしていく
と、最大内部磁束は上昇していくが、ある一箇所を境と
して、その上昇が減少する。これはコア材が磁束飽和し
てしまうために起きる現象である。

【００１７】コア内部が磁束飽和すると、コイルに対し
て印加した起磁力に対する発生磁場の効率が低下してし
まい、同一の発生磁場を得るための起磁力が上昇してし
まう。このとき、コア内部が磁束飽和しないですむ主磁
極の比は（幅：高さ）＝１：１以下となった。

【００１８】磁場シュミレーションで用いたコア部の寸
法は、図１（ｂ）に示す通りで、主磁極幅（ｒ1）０．
５ｍｍに対し、その高さ（ｈ1）の値ｚを可変とした。
また、内部磁束を２００Ｏｅとなるようにしたのは、光
磁気記録媒体の記録に必要な磁場は、２００Ｏｅ程度だ
からである。

【００１９】尚、前記磁場シュミレーションにおいて、
高周波変調磁界発生装置のコア部の主磁極以外の部分、
すなわちバックコア部は、主磁極の磁束の逃げ、放熱、
コイルの支持等の必要性より、その幅は、コイルの外径
と同じか、コイルの外径よりも大きくしている。また、
バックコア部の高さは、主磁極の磁束の逃げ、放熱より
０．３ｍｍ以上必要としている。前記シュミレーション
では、バックコア部の幅を０．５ｍｍとしている。

【００２０】

【実施例】図３ないし図８は本発明の第１実施例に係
り、図３は高周波変調磁界発生装置の寸法に関する説明
図、図４はコイル部とコア部との分解斜視図、図５はコ
イル部とコア部との組立及び断面図、図６はコイル部の
一部を示す断面図、図７は磁場シュミレーションの測定
に関する説明図、図８は磁場シュミレーションの結果を
示すグラフである。

【００２１】第１実施例として、図４及び図５に高周波
変調磁界発生装置の形状を示す。一端で光磁気記録媒体
に対向し、記録もしくは消去用の磁界を発生させるため
の主磁極２１と、主磁極２１の他端で主磁極２１と磁気
的に結合されたバックコア２２からなり、主磁極２１と
バックコア２２を総称してコア部２０と呼ぶ。コア部２
０の材質には、例えばＮｉ−ＺｎフェライトもしくはＭ
ｎ−Ｚｎフェライトを使用する。

【００２２】主磁極２１に巻かれ、主磁極２１を励磁す
るためのコイル部１０は、主磁極２１を高周波に励磁す
る第１のコイルとしての高周波励磁用コイル１１と、主
磁極をバイアス励磁する第２のコイルとしてのバイアス
励磁用コイル１２からなる。高周波励磁用コイル１１に
使用する線は、径が、バイアス励磁用コイル１２のもの
より太径となっている。

【００２３】図４はコア部とコイル部の分解斜視図を示
す。このコア部２０は主磁極２１の中心を回転中心とし
た形状で、主磁極２１とバックコア２２は円筒状となっ
ている。コイル部１０で１つのコイルから２本の端子が
出でいるが、これは主磁極を高周波に励磁する高周波励
磁用コイル１１と、主磁極２１をバイアス励磁するバイ
アス励磁用コイル１２を一体に作成した為である。高図
６にはコイル部１０の断面を示しており、内側から順
に、周波励磁用コイル１１とバイアス励磁用コイル１２
とが交互に巻かれている。尚、コイル部１０の内径は、
製造上ばらつくので、主磁極２１の外径と同じ径に製造
すると組立てられなくなり、ぶどまりが悪くなる。この
ため、コイル部１０の内径は、主磁極２１の外径より大
きく形成する。

【００２４】図５（ａ）は図４の組み立て図を示す。図
６はコア部２０の回転中心を中心とした断面形状を示
す。この時のコイル部１０とコア部２０の各部の寸法
は、主磁極２１幅で０．３〜０．６ｍｍとする。主磁極
２１高さは、主磁極２１幅と同等、もしくはそれ以下で
且つ０．３ｍｍ以上として、コイルの１０高さよりも高
くする。バックコア２２幅は、コイル１０の外形と同
等、もしくはそれ以上としている。バックコア２２の高
さは０．３ｍｍ以上とする条件のもとで、磁場シミュレ
ーションを行ったが、この時の各部の寸法を表１にまと
めてある。

【００２５】

【表１】 尚、符号と寸法の関係は、図３（ａ），（ｂ）に示す通
りで、ｈ1は主磁極の高さ、ｒ1は主磁極の幅、ｈ2はバ
ックコアの高さ、ｒ2はバックコアの幅である。また、
ｈ3は第１及び第２のコイルの高さである。尚、本第１
実施例では、コイルは一体のものとして形成されている
が、図３（ｂ）では、別体のものとして表されている。
表１に示すように、磁場シミュレーションでは、主磁極
の幅ｒ1、主磁極の高さｈ1の比を１：１としている。

【００２６】また、高周波変調磁界発生装置のコア部２
０の材料は、フェライトの中でも高周波励磁に最適なフ
ェライトとした。起磁力を５ＡＴとしたときの磁場シミ
ュレーションの結果を図８に示す。その測定は、図７に
示すように、主磁極２１の先端かつ円筒の中心を零と
し、その中心軸の上方向に、前記零点からの距離ｙをパ
ラメータとする。そして、前記中心軸から水平方向の距
離をｘとし、この点を測定ポイントとする。すなわち、
パラメータｙ1，ｙ2，ｙ3，…，ｙnから、それぞれ距離
ｘの点が、測定ポイントとなる。

【００２７】図８は横軸に主磁極２１の円筒の中心軸か
らの距離（ｘ）を表し、縦軸は主磁極２１から発生した
磁場を表している。前記パラメータｙは、主磁極２１の
先端から距離で、主磁極２１から光磁気記録媒体の記録
層までの距離を表している。ところで、主磁極２１から
光磁気記録媒体の記録層までの距離は、０．１ｍｍ程度
が望ましいと考えられる。

【００２８】前記起磁力を５ＡＴとしたときの磁場シミ
ュレーションの結果より、主磁極２１から、光磁気記録
媒体の記録層までの距離変化による磁場の変動は小さ
く、高周波変調磁界発生装置の位置制御は粗くても良い
ことがわかる。光磁気記録媒体の記録層での磁場は、最
大で４１０Ｏｅ程度迄あれば良く、このときのコア部２
０内の最大磁束密度は主磁極２１とバックコア２２の結
合部近傍で約２５００Ｇとなり非常に小さくなってい
る。

【００２９】また、コイルインダクタンスはコイル巻き
数が３０ターンのとき約２μＨとなる。５ＭＨｚと言う
高周波で最大磁束密度が２５００Ｇというのは、許容値
内とみることができる。また、高周波でのコイルのコイ
ルインダクタンスが２μＨというのは電気的に問題は無
く、コイルを駆動できる。必要磁場範囲は０．３ｍｍ以
上有ればよいが、光磁気記録媒体の記録層までの距離が
０．１５ｍｍになってもレンジで磁場範囲は０．４ｍｍ
確保できる。コイルインダクタンス・磁場範囲は実験で
確認ができた。

【００３０】尚、本実施例のコア部２０は主磁極２１，
バックコア２２とも円筒状であるが、この形状には限定
されない。

【００３１】ところで、従来の高周波変調磁界発生装置
は以下のような欠点があった。 （１）コイルインダクタンス、（２）必要磁場範囲、
（３）起磁力、（４）磁束飽和、（５）加工・組み立て
工数、（６）小消費電力、（７）発熱。

【００３２】そこで、以下のような対策を行った。ま
ず、加工・組み立て工数の低下を考慮すると、高周波変
調磁界発生装置のコア部は、中心断面形状が直線的で、
且つ単純な形状が望ましい。

【００３３】必要磁場範囲とコイルインダクタンスよ
り、主磁極の幅が推測できる。必要磁場範囲は、高周波
変調磁界発生装置と光ピックアップの磁場範囲と光スポ
ットの位置合わせが容易にすむような寸法が望ましい。
光ピックアップはメカフレームにシーク方向に移動自在
に取り付けられており、高周波変調磁場発生装置はロー
ディング機構部にシーク方向に移動自在に取り付けられ
ている。この光ピックアップの取り付けられているメカ
フレームと、高周波変調磁場発生装置が取り付けられて
いるローディング機構部は、取り付けネジによって固定
されている。このとき、光ピックアップと光ピックアッ
プの取り付けられているメカフレームとの取り付け誤差
と、高周波変調磁場発生装置と高周波変調磁場発生装置
が取り付けられているローディング機構部との取り付け
誤差と、メカフレームとローディング機構部との取り付
け誤差の３か所での誤差は、合計しても０．３ｍｍ以内
として、必要磁場範囲は０．３ｍｍ以上有ればよいが、
コイルインダクタンスより主磁極の幅は０．６ｍｍ以下
でないと、５ＭＨｚ程度のコイルインダクタンスが大き
くなってしまい高周波変調磁界発生装置として使用でき
ない。

【００３４】必要磁場範囲を得るためには１つの欠点と
して、バックコアが主磁極の高さまであると、主磁極面
近傍での磁場は高いが、主磁極との距離の変化による磁
場の変動が大きくなる。また、主磁極の高さがコイルよ
りも高くないと必要磁場範囲が確実に確保できない。そ
のため必要磁場範囲を確実に確保するには、主磁極の高
さをコイルの高さよりも高くする必要がある。

【００３５】本実施例では、主磁極２１の高さｈ1をコ
イル部１０の高さｈ3よりも高くして、必要磁場範囲を
確実に確保することができる。

【００３６】また、本実施例では、主磁極２１の高さｈ
1は、その幅ｒ1以下とすることで、高周波での磁束飽和
を防止できる。

【００３７】本実施例では、材料として安価であるフェ
ライトを使用し、コイルインダクタンスを小さくし、コ
ア内部での磁束飽和を防止して、高周波変調磁界発生装
置と光ピックアップの磁場範囲と光スポットの位置合わ
せが容易にすむような必要磁場範囲を確保し、高周波変
調磁界発生装置の起磁力を確保しながら、加工・組み立
て工数の減少・消費電力を少なくすませることができ
る。図９ないし図１２は本発明の第２実施例に係り、図
９はコイル部とコア部との分解斜視図、図１０はコイル
部とコア部との組立図及び断面図、図１１は磁場シュミ
レーションの結果を示すグラフである。

【００３８】第２の実施例として図９及び図１０に、高
周波変調磁界発生装置の形状を示す。一端で光磁気記録
媒体に対向し、記録もしくは消去用の磁界を発生させる
ための主磁極２１と、主磁極２１の他端で主磁極２１と
磁気的に結合されたバックコア２２からなり、主磁極２
１とバックコア２２を総称してコア部２０と呼ぶ。

【００３９】主磁極２１に巻かれ、主磁極２１を励磁す
るためのコイル部１０Ａは、主磁極２１を高周波に励磁
する第１のコイルとしての高周波励磁用コイル１１Ａ
と、主磁極をバイアス励磁する第２コイルとしてのバイ
アス励磁用コイル１２Ａからなる。

【００４０】図９はコア部とコイル部の分解斜視図を示
す。このコア部２０は主磁極２１の中心を回転中心とし
た形状で、主磁極２１とバックコア２２は円筒状となっ
ている。コイル部１０Ａは、主磁極２１を高周波に励磁
する高周波励磁用コイル１１Ａと、主磁極バイアス励磁
するバイアス励磁用コイル１２Ａがあり、高周波励磁用
コイル１１Ａの外周側にバイアス励磁用コイル１２Ａを
配置している。

【００４１】図１０（ａ）は図９の組み立て図を示す。
図１０（ｂ）はコア部２０の中心軸を中心にコイル部１
０Ａが配置された断面形状を示す。この時のコイル部１
０Ａとコア部２０の各部の寸法は、主磁極２１幅で０．
３〜０．６ｍｍとする。主磁極２１高さは、主磁極２１
幅と同等もしくはそれ以下で、且つ０．３ｍｍ以上とし
てコイル１０Ａ高さよりも高くする。

【００４２】バックコア２２の幅は、コイル１０Ａ外形
と同等もしくはそれ以上としている。バックコア２２の
高さは、０．３ｍｍ以上とする条件のもとで、磁場シミ
ュレーションを行った。この時の各部の寸法を表２にま
とめてある。尚、表の符号は、図３と同様であり、測定
ポイントに関しても第１実施例と同様で、図７に示す通
りである。

【００４３】

【表２】 高周波変調磁界発生装置のコア部２０の材料は、フェラ
イトの中でも高周波励磁に最適なフェライトとした。高
周波励磁用コイル１１Ａが主磁極２１に励磁したと仮定
して起磁力を５ＡＴとしたときの磁場シミュレーション
の結果を図１１に示す。図１１は横軸に主磁極２１の回
転中心からの距離（ｘ）を表し、縦軸は主磁極２１から
発生した磁場を表している。パラメータｙは主磁極２１
の先端からの距離で、主磁極２１から光磁気記録媒体の
記録層までの距離を表している。主磁極２１から光磁気
記録媒体の記録層までの距離は０．１ｍｍ程度が望まし
いと考えられる。

【００４４】この高周波励磁用コイル１１Ａが主磁極２
１に励磁したと仮定して、起磁力を５ＡＴとしたときの
磁場シミュレーションの結果より、主磁極２１から光磁
気記録媒体の記録層までの距離の変化による磁場の変動
は小さく、高周波変調磁界発生装置の位置制御は粗くて
も良いことがわかる。光磁気記録媒体の記録層での磁場
は、最大で４１０Ｏｅ程度迄あれば良く、このときのコ
ア部２０内の最大磁束密度は、主磁極２１とバックコア
２２の結合部近傍で、約２７００Ｇとなり非常に小さく
なっている。

【００４５】また、コイルインダクタンスは、コイル巻
き数が３０ターンのとき約２μＨとなる。５ＭＨｚと言
う高周波で最大磁束密度が２７００Ｇというのは、許容
値内とみることができる。また、高周波でのコイルのコ
イルインダクタンスが２μＨというのは、電気的に問題
は無く、コイルを駆動できる。必要磁場範囲は０．３ｍ
ｍ以上有ればよいが、光磁気記録媒体の記録層までの距
離が０．１５ｍｍになっても、レンジで磁場範囲は０．
５ｍｍ確保できる。

【００４６】ところで、消費電力は高周波変調磁界発生
装置の形状によって消費電力が可能であるが、コイルの
配置によっても小消費電力が可能である。その手段とし
て主磁極を励磁するコイルは、主磁極を高周波励磁する
第１のコイルが主磁極に巻かれていて、第１のコイルの
外側にバイアス磁場を発生させる第２のコイルを配置す
ることで、消費電力が可能となる。すなわち、本実施例
の構成で、小消費電力が可能である。その他の構成及び
作用効果は、第１実施例と同様で、説明を省略する。

【００４７】図１２は主磁極を高周波に励磁する高周波
励磁用コイルと主磁極をバイアス励磁するバイアス励磁
用コイルを一体に作成したコイル１０を有する第１の実
施例と、主磁極２１を高周波に励磁する高周波励磁用コ
イル１１Ａと、主磁極をバイアス励磁するバイアス励磁
用コイル１２Ａがあり、高周波励磁用コイル１１Ａの外
周側にバイアス励磁用コイル１２Ａを配置した第２の実
施例において、高周波励磁用コイルに起磁力を５ＡＴ加
えたときの比較を示す。

【００４８】図１２は横軸に主磁極２１の中心軸からの
距離（ｘ）を表し、縦軸は主磁極２１から発生した磁場
を表し、パラメータは主磁極２１の先端からの距離で、
主磁極２１から光磁気記録媒体の記録層までの距離を表
している。

【００４９】主磁極を高周波に励磁する高周波励磁用コ
イルと、主磁極をバイアス励磁するバイアス励磁用コイ
ルとを一体に形成したコイル１０Ａを有する第１の実施
例は、ＣＯＬと言う記号が付けられ、主磁極２１を高周
波に励磁する高周波励磁用コイル１１Ａと、主磁極をバ
イアス励磁するバイアス励磁用コイル１２Ａとがあり、
高周波励磁用コイル１１Ａの外周側にバイアス励磁用コ
イル１２Ａを配置した第２の実施例はＣＯＳと言う記号
が付けられている。

【００５０】この図１２に従って、主磁極２１を高周波
に励磁する高周波励磁用コイル１１Ａと、主磁極をバイ
アス励磁するバイアス励磁用コイルとがあり、高周波励
磁用コイル１１Ａの外周側にバイアス励磁用コイル１２
Ａを配置した方が、主磁極を高周波に励磁する高周波励
磁用コイルと、主磁極をバイアス励磁するバイアス励磁
用コイルを一体に形成したコイル１０よりも、効率が良
いことがわかる。効率が良いため、消費電力を軽減する
ことが可能となる。

【００５１】前記比較によりわかるように、第１実施例
のものより、第２実施例のもののほうが、同一条件で発
生する磁場が大きくなる。これは、コイルが、中心とな
る主磁極２１に近いものの方が、遠いものより効率が良
いからである。

【００５２】尚、前記実施例のコア部２０は主磁極２
１、バックコア２２とも円筒状であるが、この形状には
限定されない。

【００５３】

【発明の効果】請求項１によれば、光磁気記録媒体の直
径方向に沿った設け、光磁気記録媒体に磁界を印加する
ための主磁極と、主磁極を高周波励磁する第１のコイル
が主磁極に巻かれていて、第１のコイルの外側にバイア
ス磁場を発生させる第２のコイルが配置され、主磁極と
磁気的に結合されたバックコアからなり、主磁極の高さ
は主磁極の幅以下で主磁極の高さはコイルの高さと同
等、もしくは主磁極の高さがコイルの高さよりも高いと
いうことを特徴として、コア内部での磁束飽和を防止し
て、消費電力を少なくできるという効果がある。

【００５４】また、請求項２によれば、主磁極の高さは
前記コイルの高さと同等、もしくは前記主磁極の高さが
コイルの高さよりも高くすることで、必要磁場範囲を確
実に確保できるという効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１は磁場シュミレーションの結果を説明する
ためのグラフ。

【図２】図２はＢ−Ｈ曲線の概念図。

【図３】図３は第１実施例に係る高周波変調磁界発生装
置の寸法に関する説明図。

【図４】図４はコイル部とコア部との分解斜視図。

【図５】図５はコイル部とコア部との組立及び断面図。

【図６】図６はコイル部の一部を示す断面図。

【図７】図７は磁場シュミレーションの測定に関する説
明図。

【図８】図８は磁場シュミレーションの結果を示すグラ
フ。

【図９】図９は第２実施例に係るコイル部とコア部との
分解斜視図。

【図１０】図１０はコイル部とコア部との組立図及び断
面図。

【図１１】図１１は磁場シュミレーションの結果を示す
グラフ。

【図１２】図１２は第１実施例と第２実施例を比較し説
明するためのグラフ。

【図１３】図１３は磁界変調オーバーライト方法に関す
る説明図。

【図１４】図１４は従来の高周波変調磁界発生装置の斜
視図。

【符号の説明】 １０…コイル部 １１…高周波励磁用コイル １２…バイアス励磁用コイル ２０…コア部 ２１…主磁極 ２２…バックコア ｈ1，ｒ1…主磁極の高さ，幅 ｈ2，ｒ2…バックコアの高さ，幅 ｈ3…コイルの高さ

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 光磁気記録媒体の直径方向に沿って設
   け、光磁気記録媒体に磁界を印加するするための主磁極
   と、この主磁極の回りに巻かれ、記録信号に応じた電流
   を流すことによって前記主磁極を高周波励磁する第１の
   コイルと、前記主磁極をバイアス励磁する第２のコイル
   が配置され、前記主磁極と磁気的に結合されたバックコ
   アからなる高周波変調磁界発生装置において、 前記主磁極の高さは主磁極の幅以下であることを特徴と
   する高周波変調磁界発生装置。
2. 【請求項２】 前記主磁極の高さは前記コイルの高さと
   同等、もしくは前記主磁極の高さがコイルの高さよりも
   高いことを特徴とする請求項１記載の高周波変調磁界発
   生装置。