JPH05225603A - 短波長用相変化光ディスク媒体 - Google Patents
短波長用相変化光ディスク媒体Info
- Publication number
- JPH05225603A JPH05225603A JP4022228A JP2222892A JPH05225603A JP H05225603 A JPH05225603 A JP H05225603A JP 4022228 A JP4022228 A JP 4022228A JP 2222892 A JP2222892 A JP 2222892A JP H05225603 A JPH05225603 A JP H05225603A
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- Japan
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Abstract
(57)【要約】
【目的】記録，再生共に８３０ｎｍ付近の波長の半導体
レーザを利用した従来の光ディスクに於いては、波長限
界のため記録密度を現段階以上に増大させることは不可
能であったものを、４５０〜６７０ｎｍの短波長を利用
してより高密度な記録再生を可能とする。 【構成】透明基板１上に、下方からアンダーコート層
２，記録層３，オーバーコート層４，金属反射層５をこ
の順に積層形成し、記録層３にはＧｅＳｂＴｅ合金膜を
かつアンダーコート層２及びオーバーコート層４には屈
折率が１．９〜２．２の透明誘電体膜を用いた光ディス
ク媒体に於いて、記録層３の厚さが１５〜３０ｎｍか３
０〜４５ｎｍか７０〜１１０ｎｍの３種類のいずれかと
アンダーコート層２の厚さが１６０〜２２０ｎｍとオー
バーコート層４の厚さが８０〜１６０ｎｍか２００〜２
８０ｎｍの２種類のいずれかとの範囲組合せにより層成
したことを特徴とする。
レーザを利用した従来の光ディスクに於いては、波長限
界のため記録密度を現段階以上に増大させることは不可
能であったものを、４５０〜６７０ｎｍの短波長を利用
してより高密度な記録再生を可能とする。 【構成】透明基板１上に、下方からアンダーコート層
２，記録層３，オーバーコート層４，金属反射層５をこ
の順に積層形成し、記録層３にはＧｅＳｂＴｅ合金膜を
かつアンダーコート層２及びオーバーコート層４には屈
折率が１．９〜２．２の透明誘電体膜を用いた光ディス
ク媒体に於いて、記録層３の厚さが１５〜３０ｎｍか３
０〜４５ｎｍか７０〜１１０ｎｍの３種類のいずれかと
アンダーコート層２の厚さが１６０〜２２０ｎｍとオー
バーコート層４の厚さが８０〜１６０ｎｍか２００〜２
８０ｎｍの２種類のいずれかとの範囲組合せにより層成
したことを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、短波長のレーザ光を用
いて高密度の記録再生を行うための短波長用相変化光デ
ィスク媒体に関する。
いて高密度の記録再生を行うための短波長用相変化光デ
ィスク媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】大容量の記録媒体として、昨今は光ディ
スク，光カード等の光記録媒体が開発されているが、当
該光記録媒体はレーザ光をその波長限界近くにまで集光
して記録再生を行うため、記録密度の限界は前記レーザ
光の波長によって決定されている。
スク，光カード等の光記録媒体が開発されているが、当
該光記録媒体はレーザ光をその波長限界近くにまで集光
して記録再生を行うため、記録密度の限界は前記レーザ
光の波長によって決定されている。
【０００３】さらに詳述すると、従来の光ディスクで
は、８３０ｎｍ付近の半導体レーザ光を透明基板を通し
て記録膜に照射することにより、当該記録膜に穴を開け
る（穴開け型）か、屈折率変化を起こさせる（相変化
型）か、若しくは磁気的変化を励起する（光磁気型）こ
とによりマークを記録する。前記何れの型に於いても、
レンズによって絞り込まれた光は記録膜に照射され、熱
に変換されて当該記録膜に変化をもたらすため、記録レ
ーザ光のパワーを通常の値よりも小さくすることで、よ
り小さいマークを記録することが可能である。
は、８３０ｎｍ付近の半導体レーザ光を透明基板を通し
て記録膜に照射することにより、当該記録膜に穴を開け
る（穴開け型）か、屈折率変化を起こさせる（相変化
型）か、若しくは磁気的変化を励起する（光磁気型）こ
とによりマークを記録する。前記何れの型に於いても、
レンズによって絞り込まれた光は記録膜に照射され、熱
に変換されて当該記録膜に変化をもたらすため、記録レ
ーザ光のパワーを通常の値よりも小さくすることで、よ
り小さいマークを記録することが可能である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記の
様な小さなマークから得られる信号は、再生時に記録時
と同じ波長のレーザ光を使用する限り、隣接するマーク
間の干渉により信号強度の減少を引き起こす。即ち、従
来の光ディスクでは、記録，再生共に８３０ｎｍ付近の
波長の半導体レーザを用いるため、記録密度は波長限界
で決定され、それ以上に増大させることは不可能であ
る。
様な小さなマークから得られる信号は、再生時に記録時
と同じ波長のレーザ光を使用する限り、隣接するマーク
間の干渉により信号強度の減少を引き起こす。即ち、従
来の光ディスクでは、記録，再生共に８３０ｎｍ付近の
波長の半導体レーザを用いるため、記録密度は波長限界
で決定され、それ以上に増大させることは不可能であ
る。
【０００５】一方、短波長のレーザ光源として、波長６
７０ｎｍの半導体レーザが開発段階にある。亦、更に短
波長の光源としては、ＹＡＧレーザの第２高調波を用い
た波長５３０ｎｍ付近の光源や、波長４８８ｎｍ若しく
は４５８ｎｍのＡｒレーザ光源等がある。
７０ｎｍの半導体レーザが開発段階にある。亦、更に短
波長の光源としては、ＹＡＧレーザの第２高調波を用い
た波長５３０ｎｍ付近の光源や、波長４８８ｎｍ若しく
は４５８ｎｍのＡｒレーザ光源等がある。
【０００６】しかし、従来の光ディスクは、８３０ｎｍ
付近の波長で最も効率良くマークが記録されかつコント
ラストが得られる様に設計されており、前記短波長の光
源を用いて記録再生を行うことは不可能である。こゝに
於いて、本発明は、前記従来の課題に鑑み、波長４５０
ｎｍ〜６７０ｎｍの光源を用いて記録再生を行える短波
長用相変化光ディスク媒体を提供せんとするものであ
る。
付近の波長で最も効率良くマークが記録されかつコント
ラストが得られる様に設計されており、前記短波長の光
源を用いて記録再生を行うことは不可能である。こゝに
於いて、本発明は、前記従来の課題に鑑み、波長４５０
ｎｍ〜６７０ｎｍの光源を用いて記録再生を行える短波
長用相変化光ディスク媒体を提供せんとするものであ
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前記課題の解決は、本発
明が次の新規な特徴的構成手段を採用することにより達
成される。即ち、本発明の特徴は、透明基板上に、下か
ら順次アンダーコート層，記録層，オーバーコート層，
金属反射層をこの順に積層形成し、前記記録層にはＧｅ
ＳｂＴｅ合金膜をかつ前記アンダーコート層及びオーバ
ーコート層には屈折率が１．９〜２．２の透明誘電体膜
を用いた光ディスク媒体に於いて、前記記録層の厚さが
１５〜３０ｎｍか３０〜４５ｎｍか７０〜１１０ｎｍの
いずれかと前記アンダーコート層の厚さが１６０〜２２
０ｎｍと前記オーバーコート層の厚さが８０〜１６０ｎ
ｍか２００〜２８０ｎｍのいずれかとの範囲組合せによ
り層成してなる短波長用相変化光ディスク媒体である。
明が次の新規な特徴的構成手段を採用することにより達
成される。即ち、本発明の特徴は、透明基板上に、下か
ら順次アンダーコート層，記録層，オーバーコート層，
金属反射層をこの順に積層形成し、前記記録層にはＧｅ
ＳｂＴｅ合金膜をかつ前記アンダーコート層及びオーバ
ーコート層には屈折率が１．９〜２．２の透明誘電体膜
を用いた光ディスク媒体に於いて、前記記録層の厚さが
１５〜３０ｎｍか３０〜４５ｎｍか７０〜１１０ｎｍの
いずれかと前記アンダーコート層の厚さが１６０〜２２
０ｎｍと前記オーバーコート層の厚さが８０〜１６０ｎ
ｍか２００〜２８０ｎｍのいずれかとの範囲組合せによ
り層成してなる短波長用相変化光ディスク媒体である。
【０００８】
【作用】本発明は、前記のような手段を講じたので、透
明基板上に、下方から屈折率が１．９〜２．２の透明誘
電体膜からなるアンダーコート層，ＧｅＳｂＴｅ合金膜
からなる記録層，前記アンダーコート層同様屈折率が
１．９〜２．２の透明誘電体膜からなるオーバーコート
層及び金属反射層をこの順に積層形成する。
明基板上に、下方から屈折率が１．９〜２．２の透明誘
電体膜からなるアンダーコート層，ＧｅＳｂＴｅ合金膜
からなる記録層，前記アンダーコート層同様屈折率が
１．９〜２．２の透明誘電体膜からなるオーバーコート
層及び金属反射層をこの順に積層形成する。
【０００９】前記各層の厚さは、前記アンダーコート層
の厚さが１６０〜２２０ｎｍ、前記記録層の厚さが１５
〜３０ｎｍ、３０〜４５ｎｍ若しくは７０〜１１０ｎ
ｍ、前記オーバーコート層の厚さを８０〜１６０ｎｍ若
しくは２００〜２８０ｎｍとして適宜選択組合い層成さ
れたものに限定される。前記構造に係る短波長用相変化
光ディスク媒体は、４５０〜６７０ｎｍの波長で記録再
生可能であり、高密度記録再生を実現した。
の厚さが１６０〜２２０ｎｍ、前記記録層の厚さが１５
〜３０ｎｍ、３０〜４５ｎｍ若しくは７０〜１１０ｎ
ｍ、前記オーバーコート層の厚さを８０〜１６０ｎｍ若
しくは２００〜２８０ｎｍとして適宜選択組合い層成さ
れたものに限定される。前記構造に係る短波長用相変化
光ディスク媒体は、４５０〜６７０ｎｍの波長で記録再
生可能であり、高密度記録再生を実現した。
【００１０】
【実施例】本発明の実施例を図面につき詳説する。図１
は本実施例の短波長用相変化光ディスク媒体の断層図、
図２は本実施例の短波長用相変化光ディスク媒体に適用
する光学計算の原理図である。図中、Ａ１，Ａ２，Ａ３
は短波長用相変化光ディスク媒体、１は透明基板，２は
アンダーコート層，３は記録層，４はオーバーコート
層，５は金属反射層，６は封止層，７は光学的干渉層、
Ｌはレーザ光である。
は本実施例の短波長用相変化光ディスク媒体の断層図、
図２は本実施例の短波長用相変化光ディスク媒体に適用
する光学計算の原理図である。図中、Ａ１，Ａ２，Ａ３
は短波長用相変化光ディスク媒体、１は透明基板，２は
アンダーコート層，３は記録層，４はオーバーコート
層，５は金属反射層，６は封止層，７は光学的干渉層、
Ｌはレーザ光である。
【００１１】本実施例の短波長用相変化光ディスク媒体
Ａ１，Ａ２，Ａ３の構成は、図１に示す様、ガラスある
いはポリカーボネート等の透明基板１上にアンダーコー
ト層２，記録層３，オーバーコート層４，金属反射層
５，封止層６をこの順に積層形成している。前記アンダ
ーコート層２，記録層３及びオーバーコート層４は、光
学的干渉層７を形成しており、これらの膜厚の組合せ選
択により、反射率等の光学特性が大きく変化する。
Ａ１，Ａ２，Ａ３の構成は、図１に示す様、ガラスある
いはポリカーボネート等の透明基板１上にアンダーコー
ト層２，記録層３，オーバーコート層４，金属反射層
５，封止層６をこの順に積層形成している。前記アンダ
ーコート層２，記録層３及びオーバーコート層４は、光
学的干渉層７を形成しており、これらの膜厚の組合せ選
択により、反射率等の光学特性が大きく変化する。
【００１２】本実施例の短波長用相変化光ディスク媒体
Ａ１，Ａ２，Ａ３に於いては、４５０〜６７０ｎｍの波
長で記録再生を行うため、この波長域でのレーザ光Ｌの
吸収率が大きく、かつ結晶状態と非晶状態の反射率差，
即ちコントラストが大きいという条件が必要である。
Ａ１，Ａ２，Ａ３に於いては、４５０〜６７０ｎｍの波
長で記録再生を行うため、この波長域でのレーザ光Ｌの
吸収率が大きく、かつ結晶状態と非晶状態の反射率差，
即ちコントラストが大きいという条件が必要である。
【００１３】よって前記条件を満足する各層の膜厚の組
合せを光学計算により求めた。尚、この光学計算は、光
学多膜層の理論（参考文献として例えば、GEORGE HAS
S:"Physics of thin films",Vol.1, ACADEMIC PRESS(19
63),p69- ）を用いて行った。前記光学計算の原理図で
ある図２中に示した各層の屈折率ｎj ，膜厚ｄj を次式
に代入することにより、反射率及び吸収率（１−反射率
−透過率）が得られる。
合せを光学計算により求めた。尚、この光学計算は、光
学多膜層の理論（参考文献として例えば、GEORGE HAS
S:"Physics of thin films",Vol.1, ACADEMIC PRESS(19
63),p69- ）を用いて行った。前記光学計算の原理図で
ある図２中に示した各層の屈折率ｎj ，膜厚ｄj を次式
に代入することにより、反射率及び吸収率（１−反射率
−透過率）が得られる。
【００１４】
【数１】 尚、式中λは光の波長である。
【００１５】一例として、記録層３に於けるＧｅＳｂＴ
ｅの非晶質の屈折率ｎa ＝４．８−ｊ１．１，結晶質の
屈折率ｎc ＝６．０−ｊ３．１，アンダーコート層２及
びオーバーコート層４の屈折率ｎ＝２．０，透明基板１
の屈折率ｎ＝１．５７，金属反射層５（Ａｕ）の屈折率
０．１７−ｊ５．３とし、金属反射層５の膜厚を４０ｎ
ｍ，前記記録層３の膜厚を２６，４０，８０ｎｍの３種
類とし、アンダーコート層２及びオーバーコート層４の
膜厚を変化させることにより、波長４５０〜６７０ｎｍ
に於けるコントラストが１０％以上で、かつ吸収率が６
０％以上となる範囲を求めた。
ｅの非晶質の屈折率ｎa ＝４．８−ｊ１．１，結晶質の
屈折率ｎc ＝６．０−ｊ３．１，アンダーコート層２及
びオーバーコート層４の屈折率ｎ＝２．０，透明基板１
の屈折率ｎ＝１．５７，金属反射層５（Ａｕ）の屈折率
０．１７−ｊ５．３とし、金属反射層５の膜厚を４０ｎ
ｍ，前記記録層３の膜厚を２６，４０，８０ｎｍの３種
類とし、アンダーコート層２及びオーバーコート層４の
膜厚を変化させることにより、波長４５０〜６７０ｎｍ
に於けるコントラストが１０％以上で、かつ吸収率が６
０％以上となる範囲を求めた。
【００１６】その結果、次表に示す組合せで前記条件を
満足させ得ることが分かった。
満足させ得ることが分かった。
【表１】
【００１７】本実施例の仕様は、このような具体的実施
態様であって、次に、この計算結果に基づいてそれぞれ
製作した短波長相用変化光ディスク媒体Ａ１，Ａ２，Ａ
３に付き個別に詳説する。 （製作例１）先ず、短波長相用変化光ディスク媒体Ａ１
を説明する。図１の構成で、透明基板１としてポリカー
ボネート基板を用い、記録層３としてＧｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ
5 合金膜、アンダーコート層２及びオーバーコート層４
としてＺｎＳとＳｉＯ2 の混合膜、金属反射層５として
Ａｕ膜を用いた。
態様であって、次に、この計算結果に基づいてそれぞれ
製作した短波長相用変化光ディスク媒体Ａ１，Ａ２，Ａ
３に付き個別に詳説する。 （製作例１）先ず、短波長相用変化光ディスク媒体Ａ１
を説明する。図１の構成で、透明基板１としてポリカー
ボネート基板を用い、記録層３としてＧｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ
5 合金膜、アンダーコート層２及びオーバーコート層４
としてＺｎＳとＳｉＯ2 の混合膜、金属反射層５として
Ａｕ膜を用いた。
【００１８】各層の厚さは前記アンダーコート層２が１
９０ｎｍ、記録層３が２６ｎｍ、オーバーコート層４が
１２０ｎｍとし、何れもＲＦスパッタ法により形成し
た。亦、封止層６にはＵＶ硬化樹脂をスピンコート法及
び紫外線照射により形成した。
９０ｎｍ、記録層３が２６ｎｍ、オーバーコート層４が
１２０ｎｍとし、何れもＲＦスパッタ法により形成し
た。亦、封止層６にはＵＶ硬化樹脂をスピンコート法及
び紫外線照射により形成した。
【００１９】かくして製作した短波長用相変化光ディス
ク媒体Ａ１をアルゴンレーザを光源とする記録再生装置
に装着し、記録再生消去特性の測定を行った。その結
果、４５７．９ｎｍに於ける記録パワー及び消去パワー
がそれぞれ１２ｍＷ及び６ｍＷで、Ｃ／Ｎ５５ｄＢ、消
去率−２６ｄＢを得た。
ク媒体Ａ１をアルゴンレーザを光源とする記録再生装置
に装着し、記録再生消去特性の測定を行った。その結
果、４５７．９ｎｍに於ける記録パワー及び消去パワー
がそれぞれ１２ｍＷ及び６ｍＷで、Ｃ／Ｎ５５ｄＢ、消
去率−２６ｄＢを得た。
【００２０】次に、マークピッチを変えて信号コントラ
ストを測定した。その結果、記録密度の限界（飽和値の
半分になる値）は０．７μｍであることが分かった。ち
なみに、従来の光ディスク媒体の波長８３０ｎｍに於け
る同様の測定による記録密度の限界は１．３μｍであっ
た。
ストを測定した。その結果、記録密度の限界（飽和値の
半分になる値）は０．７μｍであることが分かった。ち
なみに、従来の光ディスク媒体の波長８３０ｎｍに於け
る同様の測定による記録密度の限界は１．３μｍであっ
た。
【００２１】更に、本製作例の短波長相用変化光ディス
ク媒体Ａ１に於いて、光源の波長を４８８ｎｍとして記
録再生消去特性の測定を行った結果、Ｃ／Ｎ５６ｄＢ、
消去率−２８ｄＢを得た。亦、波長５３０ｎｍのＹＡＧ
第２高調波光源及び波長６７０ｎｍの半導体レーザ光源
を用いた記録再生装置に装着し、記録再生消去特性を行
った結果、何れの波長に於いても、Ｃ／Ｎ５５ｄＢ以
上、消去率−２５ｄＢ以下を得た。
ク媒体Ａ１に於いて、光源の波長を４８８ｎｍとして記
録再生消去特性の測定を行った結果、Ｃ／Ｎ５６ｄＢ、
消去率−２８ｄＢを得た。亦、波長５３０ｎｍのＹＡＧ
第２高調波光源及び波長６７０ｎｍの半導体レーザ光源
を用いた記録再生装置に装着し、記録再生消去特性を行
った結果、何れの波長に於いても、Ｃ／Ｎ５５ｄＢ以
上、消去率−２５ｄＢ以下を得た。
【００２２】（製作例２）次に、短波長相用変化光ディ
スク媒体Ａ２を説明する。当該短波長相用変化光ディス
ク媒体Ａ２は、前記短波長相用変化光ディスク媒体Ａ１
の記録層３の厚さを４０ｎｍとしたもので、その他は同
一の物である。かくして製作した短波長相用変化光ディ
スク媒体Ａ２を前記短波長相用変化光ディスク媒体Ａ１
と同様の記録再生装置に装着し、記録再生消去特性を測
定した結果、波長４５７．９ｎｍ、４８８ｎｍ、５３０
ｎｍ、６７０ｎｍの何れに於いてもＣ／Ｎ５５ｄＢ以
上、消去率−２５ｄＢ以下を得た。
スク媒体Ａ２を説明する。当該短波長相用変化光ディス
ク媒体Ａ２は、前記短波長相用変化光ディスク媒体Ａ１
の記録層３の厚さを４０ｎｍとしたもので、その他は同
一の物である。かくして製作した短波長相用変化光ディ
スク媒体Ａ２を前記短波長相用変化光ディスク媒体Ａ１
と同様の記録再生装置に装着し、記録再生消去特性を測
定した結果、波長４５７．９ｎｍ、４８８ｎｍ、５３０
ｎｍ、６７０ｎｍの何れに於いてもＣ／Ｎ５５ｄＢ以
上、消去率−２５ｄＢ以下を得た。
【００２３】（製作例３）次に、短波長相用変化光ディ
スク媒体Ａ３を説明する。当該短波長相用変化光ディス
ク媒体Ａ３は、前記短波長相用変化光ディスク媒体Ａ１
のアンダーコート層２の厚さを２００ｎｍ、記録層３の
厚さを８０ｎｍ、オーバーコート層４の厚さを２４０ｎ
ｍとしたもので、その他は同一の物である。
スク媒体Ａ３を説明する。当該短波長相用変化光ディス
ク媒体Ａ３は、前記短波長相用変化光ディスク媒体Ａ１
のアンダーコート層２の厚さを２００ｎｍ、記録層３の
厚さを８０ｎｍ、オーバーコート層４の厚さを２４０ｎ
ｍとしたもので、その他は同一の物である。
【００２４】かくして製作した短波長相用変化光ディス
ク媒体Ａ３を前記短波長相用変化光ディスク媒体Ａ１と
同様の記録再生装置に装着し、記録再生消去特性を測定
した結果、波長４５７．９ｎｍ、４８８ｎｍ、５３０ｎ
ｍ、６７０ｎｍの何れに於いてもＣ／Ｎ５５ｄＢ以上、
消去率−２５ｄＢ以下を得た。
ク媒体Ａ３を前記短波長相用変化光ディスク媒体Ａ１と
同様の記録再生装置に装着し、記録再生消去特性を測定
した結果、波長４５７．９ｎｍ、４８８ｎｍ、５３０ｎ
ｍ、６７０ｎｍの何れに於いてもＣ／Ｎ５５ｄＢ以上、
消去率−２５ｄＢ以下を得た。
【００２５】
【発明の効果】かくして、本発明によれば、記録，再生
共に８３０ｎｍ付近の波長の半導体レーザを用いた従来
の光ディスクに於いては、波長限界のため記録密度を現
段階以上に増大させることは不可能であったものを、４
５０〜６７０ｎｍの短波長を利用してより高密度な記録
再生を可能とすると共に、前記短波長に於いても良好な
記録再生消去特性が得られる利点を有する。
共に８３０ｎｍ付近の波長の半導体レーザを用いた従来
の光ディスクに於いては、波長限界のため記録密度を現
段階以上に増大させることは不可能であったものを、４
５０〜６７０ｎｍの短波長を利用してより高密度な記録
再生を可能とすると共に、前記短波長に於いても良好な
記録再生消去特性が得られる利点を有する。
【図１】本発明の実施例の短波長用相変化光ディスク媒
体の構成断面図である。
体の構成断面図である。
【図２】同上に適用する光学計算の原理図である。
Ａ１，Ａ２，Ａ３…短波長用相変化光ディスク媒体 １…透明基板 ２…アンダーコート層 ３…記録層 ４…オーバーコート層 ５…金属反射層 ６…封止層 ７…光学的干渉層 Ｌ…レーザ光
Claims (1)
- 【請求項１】透明基板上に、下から順次アンダーコート
層，記録層，オーバーコート層，金属反射層を積層形成
し、前記記録層にはＧｅＳｂＴｅ合金膜をかつ前記アン
ダーコート層及びオーバーコート層には屈折率が１．９
〜２．２の透明誘電体膜をそれぞれ用いた光ディスク媒
体に於いて、前記記録層の厚さが１５〜３０ｎｍか３０
〜４５ｎｍか７０〜１１０ｎｍのいずれかと前記アンダ
ーコート層の厚さが１６０〜２２０ｎｍと前記オーバー
コート層の厚さが８０〜１６０ｎｍか２００〜２８０ｎ
ｍのいずれかとの範囲組合せにより層成したことを特徴
とする短波長用相変化光ディスク媒体
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4022228A JPH05225603A (ja) | 1992-02-07 | 1992-02-07 | 短波長用相変化光ディスク媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4022228A JPH05225603A (ja) | 1992-02-07 | 1992-02-07 | 短波長用相変化光ディスク媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05225603A true JPH05225603A (ja) | 1993-09-03 |
Family
ID=12076943
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4022228A Pending JPH05225603A (ja) | 1992-02-07 | 1992-02-07 | 短波長用相変化光ディスク媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05225603A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010029133A (ko) * | 1999-09-29 | 2001-04-06 | 윤종용 | 상변화 광디스크 |
| US6333913B1 (en) | 1998-10-06 | 2001-12-25 | Tdk Corporation | Optical recording medium and optical recording method |
| EP0642123B1 (en) * | 1993-09-07 | 2002-01-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Information recording medium |
-
1992
- 1992-02-07 JP JP4022228A patent/JPH05225603A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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