JPH05225633A

JPH05225633A - オーバーライト可能な光磁気記録媒体への記録方法及び記録装置

Info

Publication number: JPH05225633A
Application number: JP4022614A
Authority: JP
Inventors: Tetsuo Hosokawa; 哲夫細川
Original assignee: Nikon Corp
Current assignee: Nikon Corp
Priority date: 1992-02-07
Filing date: 1992-02-07
Publication date: 1993-09-03

Abstract

(57)【要約】【目的】読み取りエラーを低下させること。【構成】マーク^*を「レーザービーム強度が高レベルＰ
_Hのときに形成されるマーク」と定義するとき、マーク
長記録方式に則した情報信号に従いレーザービームの強
度を高レベルＰ_Hと低レベルＰ_Lとの間でパルス変調
し、変調されたレーザービームをオーバーライト可能な
光磁気記録媒体に照射し、媒体上にマーク^*を形成し
て、このマーク^*の長さにより情報を表す、オーバーラ
イト可能な光磁気記録方法において、マーク^*間隔が短
いときには相対的にＰ_Lを低くし、間隔が長いときには
相対的にＰ_Lを高くする。【効果】読み取りエラーの低下の他、古い情報の消し残
りがなく記録でき、オーバーライト特性が向上する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、オーバーライト可能な
光磁気記録媒体への記録方法及び記録装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】最近、高密度、大容量、高いアクセス速
度、並びに高い記録及び再生速度を含めた種々の要求を
満足する光学的記録再生方法、それに使用される記録装
置、再生装置及び記録媒体を開発しようとする努力が成
されている。広範囲な光学的記録再生方法の中で、光磁
気記録再生方法は、情報を記録した後、消去することが
でき、再び新たな情報を記録することが繰り返し何度も
可能であるというユニークな利点のために、最も大きな
魅力に満ちている。

【０００３】この光磁気記録再生方法で使用される記録
媒体は、記録を残す層として１層又は多層からなる垂直
磁化膜(perpendicular magnetic layer or layers) を
有する。この磁化膜は、例えばアモルファスのGdFeやGd
Co、GdFeCo、TbFe、TbCo、TbFeCoなどからなる。垂直磁
化膜は、一般に同心円状又はらせん状のトラックを有し
ており、このトラックの上に情報が記録される。トラッ
クは明示的な場合と黙示的な場合の２通りある。〔明示的なトラック〕光磁気記録媒体はディスク形状を
している。明示的なトラックを有するディスクは、ディ
スク平面に対し垂直方向から見た場合、情報を記録する
トラックが渦巻状又は同心円状に形成されている。そし
て、隣接する２つのトラック間にトラッキングのため及
び分離のための溝（グルーブgroove）が存在する。逆に
溝と溝の間をランド（land) と呼ぶ。実際には、ディス
クの裏表でランドと溝が逆になる。そこで、ビームが入
射するのと同じにディスクを見て、手前を溝、奥をラン
ドと呼ぶ。垂直磁化膜は、溝の上にもランドの上にも一
面に形成するので、溝の部分をトラックにしてもよい
し、ランドの部分をトラックにしてもよい。溝の幅とラ
ンドの幅との間に特に大小関係はない。

【０００４】このようなランドと溝を構成するために、
一般に、基板には、表面に渦巻状又は同心円状に形成さ
れたランドと、２つの隣合うランド間に挟まれた溝が存
在する。このような基板上に薄く垂直磁化膜が形成され
る。これにより垂直磁化膜はランドと溝を持つ。〔マーク〕本明細書では、膜面に対し「上向き（upwar
d) 」又は「下向き(downward)」の何れか一方を、「Ａ
向き」、他方を「逆Ａ向き」と定義する。記録すべき
情報は、予め２値化されており、この情報が「Ａ向き」
の磁化を有するマーク（Ｂ₁)と、「逆Ａ向き」の磁化を
有するマーク（Ｂ₀)の２つの信号で記録される。これら
のマークＢ₁，Ｂ₀は、デジタル信号の１，０の何れか
一方と他方にそれぞれ相当する。しかし、一般には記録
されるトラックの磁化は、記録前に強力な外部磁場を印
加することによって「逆Ａ向き」に揃えられる。この磁
化の向きを揃える行為は、古い意味で「初期化^*（init
ialize^*）」と呼ばれる。その上でトラックに「Ａ向
き」の磁化を有するマーク（Ｂ₁)を形成する。情報は、
このマーク（Ｂ₁)の有無及び／又はマーク長によって表
現される。尚、マークは、過去にピット又はビットと呼
ばれたことがあるが、最近はマークと呼ぶ。〔マーク形成の原理〕マークの形成に於いては、レーザ
ーの特徴即ち空間的時間的に素晴らしい凝集性(coheren
ce) が有利に使用され、レーザー光の波長によって決定
される回折限界とほとんど同じ位に小さいスポットにビ
ームが絞り込まれる。絞り込まれた光はトラック表面に
照射され、垂直磁化膜に直径が１μｍ以下のマークを形
成することにより情報が記録される。光学的記録におい
ては、理論的に約10⁸マーク／cm²までの記録密度を達
成することができる。何故ならば、レーザビームはその
波長とほとんど同じ位に小さい直径を有するスポットに
まで凝縮(concentrate)することが出来るからである。

【０００５】図９に示すように、光磁気記録において
は、レーザービーム（Ｌ）を垂直磁化膜（ＭＯ）の上に
絞りこみ、それを加熱する。その間、初期化^*された向
きとは反対の向きの記録磁界（Ｈb)を加熱された部分に
外部から印加する。そうすると局部的に加熱された部分
の保磁力Ｈc(coersivity) は減少し記録磁界（Ｈb)より
小さくなる。その結果、その部分の磁化は、記録磁界
（Ｈb)の向きに並ぶ。こうして逆に磁化されたマークが
形成される。

【０００６】フェロ磁性材料とフェリ磁性材料では、磁
化及びＨc の温度依存性が異なる。フェロ磁性材料はキ
ュリー点付近で減少するＨc を有し、この現象に基づい
て記録が実行される。従って、Ｔc 書込み（キュリー点
書込み）と引用される。他方、フェリ磁性材料はキュリ
ー点より低い補償温度(compensationtemperature ) Ｔ
_comp.を有しており、そこでは磁化（Ｍ）はゼロにな
る。逆にその温度付近でＨc が非常に大きくなり、その
温度から外れるとＨc が急激に低下する。この低下した
Ｈc は、比較的弱い記録磁界（Ｈb)によって打ち負かさ
れる。つまり、記録が可能になる。この記録プロセスは
Ｔ_comp.書込み（補償点書込み）と呼ばれる。

【０００７】もっとも、キュリー点又はその近辺、及び
補償温度の近辺にこだわる必要はない。要するに、室温
より高い所定の温度に於いて、低下したＨc を有する磁
性材料に対し、その低下したＨc を打ち負かせる記録磁
界（Ｈb ）を印加すれば、記録は可能である。但し、室
温より高い所定の温度に達していない領域（この領域の
Ｈc は元の高いＨc を有する）にある垂直磁化膜（Ｍ
Ｏ）の磁化を反転するような高すぎるＨb は、不可であ
る。〔再生の原理〕図１０は、光磁気効果に基づく情報再生
の原理を示す。光は、光路に垂直な平面上で全ての方向
に通常は発散している電磁場ベクトルを有する電磁波で
ある。光が直線偏光（Ｌ_p) に変換され、そして垂直磁
化膜（ＭＯ）に照射されたとき、光はその表面で反射さ
れるか又は垂直磁化膜（ＭＯ）を透過する。このとき、
偏光面は磁化Ｍの向きに従って回転する。この回転する
現象は、磁気カー（Kerr) 効果又は磁気ファラデー(Far
aday) 効果と呼ばれる。

【０００８】例えば、もし反射光の偏光面が「Ａ向き」
磁化に対してθk 度回転するとすると、「逆Ａ向き」磁
化に対しては−θk 度回転する。従って、光アナライザ
ー（偏光子）の軸を−θk 度傾けた面に垂直にセットし
ておくと、「逆Ａ向き」に磁化されたマーク（Ｂ₀)から
反射された光はアナライザーを透過することができな
い。それに対して「Ａ向き」に磁化されたマーク（Ｂ₁)
から反射された光は、(sin2θk)²を乗じた分がアナラ
イザーを透過し、ディテクター（光電変換手段）に捕
獲される。その結果、「Ａ向き」に磁化されたマーク
（Ｂ₁)は「逆Ａ向き」に磁化されたマーク（Ｂ₀)よりも
明るく見え、ディテクターに於いて強い電気信号を発生
させる。従って、このディテクターからの電気信号は、
記録された情報に従って変調されるので、情報が再生さ
れるのである。

【０００９】ところで、記録ずみの媒体を再使用するに
は、 (１) 媒体を再び初期化^*装置で初期化^*するか、
又は (２) 記録装置に記録ヘッドと同様な消去ヘッドを
併設するか、又は (３) 予め、前段処理として記録装置
又は消去装置を用いて記録ずみ情報を消去する必要があ
る。従って、光磁気記録方式では、これまで、記録ずみ
情報の有無にかかわらず新たな情報をその場で記録でき
るオーバーライトは、不可能とされていた。

【００１０】もっとも、もし記録磁界Ｈb の向きを必要
に応じて「Ａ向き」と「逆Ａ向き」との間で自由に変調
することができれば、オーバーライトが可能になる。し
かしながら、記録磁界Ｈb の向きを高速度で変調するこ
とは不可能である。例えば、記録磁界Ｈb が永久磁石で
ある場合、磁石の向きを機械的に反転させる必要があ
る。しかし、磁石の向きを高速で反転させることは、無
理である。記録磁界Ｈbが電磁石である場合にも、大容
量の電流の向きをそのように高速で変調することは不可
能である。

【００１１】しかしながら、技術の進歩は著しく、記録
磁界Ｈb の強度を変調せずに（ON、OFF を含む) 又は記
録磁界Ｈb の向きを変調せずに、照射する光ビームの強
度を記録すべき２値化情報に従い変調するだけで、オー
バーライトが可能な光磁気記録方法と、それに使用され
るオーバーライト可能な光磁気記録媒体と、同じくそれ
に使用されるオーバーライト可能な記録装置が発明さ
れ、特許出願された（特開昭62−175948号＝DE3,619,61
8A1 ＝米国特許出願中 Ser.No453,255) 。以下、この発
明を「基本発明」と引用する。〔基本発明の説明〕基本発明では、「基本的に垂直磁化
可能な磁性薄膜からなる記録再生層recording layer
（本明細書では、この記録再生層をメモリー層 memory
layer又はＭ層と言う）と、垂直磁化可能な磁性薄膜か
らなる記録補助層 referencelayer （本明細書では、こ
の記録補助層をライティング層writing layer 又はＷ
層と言う）とを含み、両層は交換結合しており、かつ、
室温でＭ層の磁化の向きは変えないでＷ層の磁化のみを
所定の向きに向けておくことができるオーバーライト可
能な多層光磁気記録媒体」を使用する。

【００１２】そして、情報をＭ層（場合によりＷ層に
も）における「Ａ向き」磁化を有するマークと「逆Ａ向
き」磁化を有するマークで表現し、記録するのである。
この媒体は、Ｗ層が外部手段（例えば初期補助磁界Hin
i. ）によって、その磁化の向きを「Ａ向き」に揃える
ことができる。しかも、そのとき、Ｍ層は、磁化の向き
は反転せず、更に、一旦「Ａ向き」に揃えられたＷ層の
磁化の向きは、Ｍ層からの交換結合力を受けても反転せ
ず、逆にＭ層の磁化の向きは、「Ａ向き」に揃えられた
Ｗ層からの交換結合力を受けても反転しない。

【００１３】そして、Ｗ層は、Ｍ層に比べて低い保磁力
Ｈ_Cと高いキュリー点Ｔ_Cを持つ。基本発明の記録方法
によれば、記録媒体は、記録前までに、外部手段により
Ｗ層の磁化の向きだけが「Ａ向き」に揃えられる。この
行為を本明細書では特別に“初期化(initialize)”と呼
ぶ。この“初期化”はオーバーライト可能な媒体に特有
なことである。

【００１４】その上で、２値化情報に従いパルス変調さ
れたレーザービームが媒体に照射される。レーザービー
ムの強度は、高レベルＰ_Hと低レベルＰ_Lがあり、これ
はパルスの高レベルと低レベルに相当する。この低レベ
ルは、再生時に媒体を照射する再生レベルＰ_Rよりも高
い。既に知られているように、記録をしない時にも、例
えば媒体における所定の記録場所をアクセスするために
レーザービームを＜非常な低レベル＞で点灯することが
ある。この＜非常な低レベル＞も、再生レベルＰ_Rと同
一又は近似のレベルである。従って、例えば、基本発明
におけるレーザービームの出力波形は、図１１の通りに
なる。

【００１５】なお、基本発明の明細書には明記されてい
ないが、基本発明では、記録用のビームは、１本ではな
く近接した２本のビームを用いて、先行ビームを原則と
して変調しない低レベルのレーザービーム（消去用）と
し、後行ビームを情報に従い変調する高レベルのレーザ
ービーム（書込用）としてもよい。この場合、後行ビ
ームは、高レベルと基底レベル（低レベルと同一又はそ
れより低いレベルであり、出力がゼロでもよい）との間
でパルス変調される。この場合の出力波形は例えば図１
２に示される。

【００１６】ビームが照射された部分の媒体に、向きも
強度も変調されない記録磁界Ｈb が作用する。Ｈb は、
ビームの照射された部分（スポット領域）と同じ位の寸
法に絞ることはできず、Ｈb が作用する領域は、スポッ
ト領域に比べれば、ずっと大きい。低レベルのビームが
照射されると、前のマークの磁化の向きに無関係に、Ｍ
層に「Ａ向き」のマーク（Ｂ₁)又は「逆Ａ向き」のマー
ク（Ｂ₀)の一方が形成される。

【００１７】そして、高レベルのビームが照射される
と、前のマークの磁化の向きに無関係に、Ｍ層に他方の
マークが形成される。これでオーバーライトが完了す
る。基本発明では、レーザービームは、記録すべき情報
に従いパルス状に変調される。しかし、このこと自身
は、従来の光磁気記録でも行われており、記録すべき２
値化情報に従いビーム強度をパルス状に変調する手段は
既知の手段である。例えば、THE BELL SYSTEM TECHN
ICAL JOURNAL, Vol.62(1983),1923 −1936に詳しく説
明されている。従って、ビーム強度の必要な高レベルと
低レベルが与えられれば、従来の変調手段を一部修正す
るだけで容易に入手できる。当業者にとって、そのよう
な修正は、ビーム強度の高レベルと低レベルが与えられ
れば、容易であろう。

【００１８】基本発明に於いて特徴的なことの１つは、
ビーム強度の高レベルと低レベルである。即ち、ビーム
強度が高レベルの時に、記録磁界Ｈb その他の外部手段
によりＷ層の「Ａ向き」磁化を「逆Ａ向き」に反転（re
verse)させ、このＷ層の「逆Ａ向き」磁化によってＭ層
に「逆Ａ向き」磁化〔又は「Ａ向き」磁化〕を有するマ
ークを形成する。ビーム強度が低レベルの時は、Ｗ層の
磁化の向きは、“初期化”状態と変わらず、そして、Ｗ
層の作用（この作用は交換結合力を通じてＭ層に伝わ
る）によってＭ層に「Ａ向き」磁化〔又は「逆Ａ向き」
磁化〕を有するマークを形成する。

【００１９】なお、本明細書で、○○○〔又は△△△〕
という表現は、先に〔〕の外の○○○を読んだときに
は、以下の○○○〔又は△△△〕のときにも、〔〕の
外の○○○を読むことにする。それに対して先に○○○
を読まずに〔〕内の△△△の方を選択して読んだとき
には、以下の○○○〔又は△△△〕のときにも○○○を
読まずに〔〕内の△△△を読むものとする。

【００２０】基本発明で使用される媒体は、第１実施態
様と第２実施態様とに大別される。いずれの実施態様に
おいても、記録媒体は、Ｍ層とＷ層を含む多層構造を
有する。Ｍ層は、室温で保磁力が高く磁化反転温度が低
い磁性層である。Ｗ層はＭ層に比べ相対的に室温で保磁
力が低く磁化反転温度が高い磁性層である。なお、Ｍ層
とＷ層ともに、それ自体多層膜から構成されていてもよ
い。場合によりＭ層とＷ層との間に第３の層（例えば、
交換結合力σ_Wの調整層）が存在していてもよい。特開
昭64−50257 、特開平１−273248を参照されたい。更に
Ｍ層とＷ層との間に明確な境界がなく、一方から徐々に
他方に変わってもよい。

【００２１】第１実施態様では、Ｍ層の保磁力をＨ_C1、
Ｗ層のそれをＨ_C2、Ｍ層のキュリー点をＴ_C1、Ｗ層のそ
れをＴ_C2、室温をＴ_R、低レベルＰ_Lのレーザービーム
を照射した時の記録媒体の温度をＴ_L、高レベルＰ_Hの
レーザービームを照射した時のそれをＴ_H、Ｍ層が受け
る結合磁界をＨ_D1（Ｈ_D1はσ_WをＭ層飽和磁気モーメン
トＭ_SとＭ層の膜厚ｔとの積で割った商で算出され
る）、Ｗ層が受ける結合磁界をＨ_D2（Ｈ_D2はσ_WをＷ層
飽和磁気モーメントＭ_SとＷ層の膜厚ｔとの積で割った
商で算出される）とした場合、記録媒体は、下記の式１
を満足し、そして室温で式２〜５を満足するものであ
る。

【００２２】Ｔ_R＜Ｔ_C1≒Ｔ_L＜Ｔ_C2≒Ｔ_H……………式１Ｈ_C1＞Ｈ_C2＋｜Ｈ_D1−（±Ｈ_D2）｜………式２Ｈ_C1＞Ｈ_D1 …………………………………式３Ｈ_C2＞Ｈ_D2 …………………………………式４Ｈ_C2＋Ｈ_D2＜｜Hini. ｜＜Ｈ_C1±Ｈ_D1──式５上記式中、符号「≒」は、等しいか又はほぼ等しい（±
20℃位) ことを表す。また上記式中、複合±について
は、上段が後述するＡ（antiparallel) タイプの媒体の
場合であり、下段は後述するＰ(parallel)タイプの媒体
の場合である。なお、フェロ磁性体媒体はＰタイプに属
する。

【００２３】つまり、保磁力と温度との関係をグラフで
表すと、一般には図１３の如くなる。細線はＭ層のそれ
を、太線はＷ層のそれを表す。従って、この記録媒体に
室温で外部手段例えば初期補助磁界(Hini.) を印加する
と、式５によれば、Ｍ層の磁化の向きは、反転せずにＷ
層の磁化のみが反転する。そこで、記録前に媒体に外部
手段から作用（例えば、初期補助磁界Hini.)を及ぼす
と、Ｗ層の磁化のみが「Ａ向き」に揃えることができ
る。つまり“初期化”である。以下の説明では、「Ａ
向き」を便宜的に本明細書紙面において上向きの矢↑で
示し、「逆Ａ向き」を下向きの矢↓で示す。そして、Hi
ni. がなくなっても、式４により、Ｗ層の磁化↑は再反
転せずにそのまま保持される。

【００２４】外部手段によりＷ層の磁化のみが、記録前
までに「Ａ向き」↑に揃えられた状態−−−−“初期
化”された状態−−−−を概念的に表すと、図７にな
る。図７でＭ層における磁化の向きは、それまでに記録
されていた情報を表わす。以下の説明においては、Ｍ層
の磁化の向きに関係がないので、これをＸで示し簡略化
すると、図１４は、図１５の状態１で示せる。

【００２５】ここにおいて、高レベルのレーザービーム
を照射して媒体温度をＴ_Hに上昇させる。すると、Ｔ_H
はキュリー点Ｔ_C1より高温度なのでＭ層の磁化は消失し
てしまう。更にＴ_Hはキュリー点Ｔ_C2付近なのでＷ層
の磁化も全く又はほぼ消失する。ここで、媒体の種類に
応じて「Ａ向き」又は「逆Ａ向き」の記録磁界Ｈb を印
加する。Ｈb は、媒体自身からの浮遊磁界でもよい。説
明を簡単にするために「逆Ａ向き」↓の記録磁界Ｈb を
印加したとする。媒体は移動しているので、照射された
部分は、レーザービームから直ぐに遠ざかり、冷却され
る。Ｈb の存在下で、媒体の温度が低下すると、Ｗ層の
磁化は、Ｈb に従い、反転されて「逆Ａ向き」↓の磁化
となる（図１５状態２）。

【００２６】そして、さらに放冷が進み、媒体温度がＴ
_C1より少し下がると、再びＭ層の磁化が現れる。その場
合、磁気的結合（交換結合）力のために、Ｍ層の磁化の
向きは、Ｗ層の影響を受け所定の向きとなる。その結
果、媒体の種類に応じて「逆Ａ向き」↓のマーク（Ｐタ
イプの媒体の場合）又は「Ａ向き」↑のマーク（Ａタイ
プの媒体の場合）がＭ層に形成される。この状態が図１
５状態３（Ｐタイプ）又は状態４（Ａタイプ）である。

【００２７】この高レベルのレーザービームによる状態
の変化をここでは高温サイクルと呼ぶことにする。次
に、低レベルＰ_Lのレーザービームを照射して媒体温
度をＴ_Lに上昇させる。Ｔ_Lはキュリー点Ｔ_C1付近なの
でＭ層の磁化は全く又はほぼ消失してしまうが、キュリ
ー点Ｔ_C2よりは低温であるのでＷ層の磁化は消失しな
い。この状態は図１５状態５で示される。ここでは、記
録磁界Ｈb は、不要であるが、高速度（短時間）でＨb
をＯＮ，ＯＦＦすることは不可能である。従って、止む
を得ず高温サイクルのときのままになっている。

【００２８】しかし、Ｈ_C2はまだ大きいままなので、Ｈ
b によってＷ層の磁化↑が反転することはない。媒体は
移動しているので、照射された部分は、レーザービーム
から直ぐに遠ざかり、冷却される。冷却が進むと、再び
Ｍ層に磁化が現れる。現れる磁化の向きは、磁気的結合
力のためにＷ層の影響を受け所定の向きとなる。その結
果、媒体の種類に応じて「Ａ向き」↑のマーク（Ｐタイ
プの媒体の場合）又は「逆Ａ向き」↓のマーク（Ａタイ
プの媒体の場合）がＭ層に形成される。この磁化は室温
でも変わらない。この状態が図１５状態６（Ｐタイプ）
又は状態７（Ａタイプ）である。

【００２９】この低レベルのレーザービームによる状態
の変化をここでは低温サイクルと呼ぶことにする。以
上、説明したように、記録前のＭ層の磁化の向きがどう
であれ、高温サイクルと低温サイクルを選択することに
よって、「逆Ａ向き」↓のマークと、「Ａ向き」↑のマ
ークをＭ層に自由に形成できる。つまり、レーザービー
ムを情報に従い高レベル（高温サイクル）と低レベル
（低温サイクル）との間でパルス状に変調することによ
りオーバーライトが可能となる。図１６、１７を参照さ
れたい。図１６、１７では、それぞれＰタイプ及びＡタ
イプの媒体について、いずれも室温又は室温に戻ったと
き形成されている磁化の向きを描いてある。

【００３０】これまでの説明は、Ｍ層、Ｗ層ともに室温
とキュリー点との間に補償温度Ｔ_comp.がない磁性体組
成について説明した。しかし、補償温度Ｔ_comp.が存在
する場合には、それを越えると磁化の向きが反転する
こと−−−−実際にはＲＥ、ＴＭの各副格子磁化の向き
は変わらないが、その大小関係が逆転するので、全体
（合金）としての磁化の向きが反転する−−−−−と、
Ａ、Ｐタイプが逆になるので、説明はそれだけ複雑に
なる。この場合、記録磁界Ｈb の向きも、室温で考えた
場合、前頁の説明の向き↓と逆になる。つまり、“初期
化”されたＷ層の磁化の向き↑と同じ向きのＨb を印加
する。

【００３１】記録媒体は一般にディスク状であり、記録
時、媒体は回転される。そのため、記録された部分（マ
ーク）は、記録後に再び外部手段例えばHini. の作用
を受け、その結果、Ｗ層の磁化は元の「Ａ向き」↑に揃
えられる。つまり、Ｗ層は“初期化”される。しかし、
室温では、Ｗ層の磁化の影響がＭ層に及ぶことはなく、
そのため記録された情報は保持される。

【００３２】そこで、Ｍ層に直線偏光を照射すれば、そ
の反射光には情報が含まれているので、従来の光磁気記
録媒体と同様に情報が再生される。このようなＭ層及び
Ｗ層を構成する垂直磁化膜は、補償温度を有せずキュ
リー点を有するフェロ磁性体の非晶質或いは結晶質、
補償温度を有せずキュリー点を有するフェリ磁性体の非
晶質或いは結晶質、並びに補償温度、キュリー点の双
方を有するフェリ磁性体の非晶質或いは結晶質からなる
群から選択される。

【００３３】以上の説明は、磁化反転温度としてキュリ
ー点を利用した第１実施態様の説明である。それに対し
て第２実施態様はキュリー点より低い温度に於いて低下
したＨc を利用するものである。第２実施態様は、第１
実施態様に於けるＴ_C1の代わりにＭ層がＷ層に磁気結合
される温度Ｔ_S1を使用し、Ｔ_C2の代わりにＷ層がＨbで
反転する温度Ｔ_S2を使用すれば、第１実施態様と同様に
説明される。

【００３４】第２実施態様では、Ｍ層の保磁力をＨ_C1、
Ｗ層のそれをＨ_C2、Ｍ層がＷ層に磁気的に結合される温
度をＴ_s1とし、Ｗ層の磁化がＨb で反転する温度を
Ｔ_S2、室温をＴ_R、低レベルＰ_Lのレーザービームを照
射した時の媒体の温度をＴ_L、高レベルＰ_Hのレーザー
ビームを照射した時のそれをＴ_H、Ｍ層が受ける結合磁
界をＨ_D1（Ｈ_D1はσ_WをＭ層の飽和磁気モーメントＭ_S
とＭ層の膜厚ｔとの積で割った商で算出される）、Ｗ層
が受ける結合磁界をＨ_D2（Ｈ_D2はσ_WをＷ層飽和磁気モ
ーメントＭ_SとＷ層の膜厚ｔとの積で割った商で算出さ
れる）とした場合、記録媒体は、下記式６を満足し、か
つ室温で式７〜10を満足するものである。

【００３５】Ｔ_R＜Ｔ_s1≒Ｔ_L＜Ｔ_s2≒Ｔ_H……………式６Ｈ_C1＞Ｈ_C2＋｜Ｈ_D1−（±Ｈ_D2）｜………式７Ｈ_C1＞Ｈ_D1 …………………………………式８Ｈ_C2＞Ｈ_D2─…………………………………式９Ｈ_C2＋Ｈ_D2＜｜Hini. ｜＜Ｈ_C1±Ｈ_D1──式10 上記式中、複合±については、上段がＡ（antiparalle
l) タイプの媒体の場合であり、下段はＰ(parallel)タ
イプの媒体の場合である。

【００３６】第２実施態様では、高温Ｔ_Hのとき、Ｗ層
の磁化は消失していないが、十分に弱く、Ｍ層の磁化は
消失しているか、又は十分に弱い。Ｍ層、Ｗ層ともに十
分に弱い磁化を残留していても、記録磁界Ｈb ↓が十分
に大きいので、Ｈb ↓がＷ層及び場合によりＭ層の磁化
の向きをＨb ↓に従わせることができる。この状態が図
１８状態２である。この後、直ちに又はレーザービ
ームの照射が無くなって放冷が進み、媒体温度がＴ_Hよ
り下がった時又はＨb から遠ざかった時、Ｗ層がσ_W
を介してＭ層に影響を及ぼしてＭ層の磁化の向きを安定
な向きに従わせる。その結果、図１８状態３（Ｐタイ
プ）又は状態４（Ａタイプ）となる。

【００３７】他方、低温Ｔ_Lのとき、Ｗ層はもちろんＭ
層も磁化を消失していない。しかし、Ｍ層のそれは比較
的小さい。この場合、マークの状態には、Ｐタイプの場
合図１８状態５と状態６の２種類あり、Ａタイプの場
合、図１８状態７と状態８の２種類ある。状態６及び状
態８では、Ｍ層とＷ層との間に界面磁壁（太線━で示
す）が生じており、やや不安定（準安定）な状態であ
る。状態１は状態５〜８のいずれかを示す。この状態の
媒体部分が、レーザービームの照射位置に来る直前に、
Ｈb ↓の印加を受ける。それでも、この状態６又は状態
８は保持される。何故ならば、Ｗ層は、室温で、十分な
磁化を有するので、磁化がＨb ↓によって反転すること
はない。また、Ｈb ↓と向きが反対の状態８のメモリー
層は、Ｈb ↓の影響より大きなＷ層からの交換結合力σ
_Wの影響を受け、Ｐタイプ故にＷ層と同じ向きに、磁化
の向きが保持される。

【００３８】その後、まもなく状態６又は状態８は低レ
ベルのレーザービームの照射を受ける。そのため、媒体
温度は上昇する。それに伴い両層の保磁力は低下する。
しかし、Ｗ層は高いキュリー点を有するので、保磁力Ｈ
_C2の低下は小さく、Ｈb ↓に負けることがなく、“初期
化”されたときの磁化の向き「Ａ向き」↑が維持され
る。他方、Ｍ層は低いキュリー点を有するものの、媒体
温度は未だＭ層のキュリー点Ｔ_c1より低いので、保磁力
Ｈ_C1は残存する。しかし、Ｈ_C1は小さいので、Ｗ層は
Ｈb ↓の影響とＷ層からの交換結合力σ_wを介した影
響（Ｐタイプの場合、同じ向きに向かせようとする力）
を受ける。この場合、後者の方が強く、式10の2 ：Ｈ_c1＋Ｈb ＜（σ_w／２Ｍ_S1ｔ₁）式10の3 ：Ｈ_c2＋Ｈb ＞（σ_w／２Ｍ_S2ｔ₂）の２つの式が同時に満足される。これらの式が同時に満
足される最も低い温度をＴ_LSと呼ぶ。換言すれば、状態
６又は状態８の磁壁が消滅する最低温度がＴ_LSである。

【００３９】その結果、状態６は状態９に移行し、状態
８は状態10に移行する。他方、磁壁が元々ない状態５は
状態９と同じであり、同じく磁壁が元々ない状態７は状
態10と同じであるから、結局、前の状態（Ｐタイプの場
合、状態５か６か、Ａタイプの場合、状態７か８か）に
関係なく、低レベルのビームの照射により状態９（Ｐタ
イプ）又は状態10（Ａタイプ）のマークが形成される。

【００４０】この状態は、その後マークがレーザービー
ムの照射が止んだり又は照射位置から外れたりすること
により、媒体温度が低下し、室温に戻った時にも、変わ
らない。この図１８状態９（Ｐタイプ）又は状態10（Ａ
タイプ）は、図１５状態６（Ｐタイプ）又は状態７（Ａ
タイプ）と同一である。これにより、Ｍ層のキュリー点
Ｔ_C1まで媒体温度を高めることなく、低温サイクルが実
現されることが理解されよう。

【００４１】実は低温サイクルをＴ_C1以上で実施する第
１実施態様の場合にも、媒体温度が室温からＴ_C1に上昇
する途中でＴ_LSを通るので、そのとき、Ｐタイプの場
合、状態６から状態９への移行が、Ａタイプの場合、状
態８から状態10への移行がそれぞれ起こるのである。そ
の後、Ｔ_C1に至り、図１５状態５となるのである。以上
の説明は、Ｍ層、Ｗ層ともに室温とキュリー点との間に
補償温度Ｔ_comp.がない磁性体組成について説明した。
しかし、補償温度Ｔ_comp.が存在する場合には、それを
越えると磁化の向きが反転することとＡ、Ｐタイプ
が逆になるので、説明はそれだけ複雑になる。また、記
録磁界Ｈb の向きも、室温で考えた場合の向きと逆にな
る。

【００４２】第１、第２実施態様ともに、Ｍ層及びＷ層
が遷移金属（例えばFe, Co) −重希土類金属( 例えばG
d,Tb,Dyその他) 合金組成から選択された非晶質フェリ
磁性体である記録媒体が好ましい。Ｍ層、Ｗ層の双方と
も、遷移金属(transition metal)−重希土類金属(heavy
rare earth metal）合金組成から選択された場合に
は、各合金としての外部に現れる磁化の向き及び大きさ
は、合金内部の遷移金属原子（ＴＭ）の副格子磁化の向
き及び大きさと重希土類金属原子（ＲＥ）の副格子磁化
の向き及び大きさとの関係で決まる。例えばＴＭの副格
子磁化の向き及び大きさを点線の矢印で示すベクトルで
表わし、ＲＥの副格子磁化のそれを実線の矢で示すベク
トルで表し、合金全体の磁化の向き及び大きさを白抜き
の矢で示すベクトルで表す。このとき白抜きの矢（ベク
トル）は点線の矢（ベクトル）と実線の矢（ベクトル）
との和として表わされる。ただし、合金の中ではＴＭの
副格子磁化とＲＥ副格子磁化との相互作用のために点線
の矢（ベクトル）と実線の矢（ベクトル）とは、向きが
必ず逆になっている。従って、点線の矢（ベクトル）と
実線の矢（ベクトル）との和は、両者の強度が等しいと
き、合金のベクトルはゼロ（つまり、外部に現れる磁化
の大きさはゼロ）になる。このゼロになるときの合金組
成は補償組成(compensation composition ) と呼ばれ
る。それ以外の組成のときには、合金は両方の副格子磁
化の強度差に等しい強度を有し、いずれか大きい方のベ
クトルの向きに等しい向きを有する白抜きの矢（ベクト
ル）を持つ。

【００４３】そこで、合金の磁化ベクトルを点線のベク
トルと実線のベクトルを隣接して書き、例えば図１９に
示すように書き表す。ＲＥ、ＴＭの副格子磁化の状態は
大別すると４通りあり、これらを図１９の(1A)〜(4A)に
示す。そして、各状態における合金の磁化ベクトル（白
抜きの矢）を図２０の(1B)〜(4B)に対応して示す。例え
ば、ＲＥベクトルがＴＭベクトルに比べて大きい場合、
副格子磁化の状態は、(1A)に示され、合金の磁化ベクト
ルは、(1B)に示される。

【００４４】ある合金組成のＴＭベクトルとＲＥベクト
ルの強度が、どちらか一方が大きいとき、その合金組成
は、強度の大きい方の名をとって○○リッチ例えばＲＥ
リッチであると呼ばれる。Ｍ層とＷ層の両方について、
ＴＭリッチな組成とＲＥリッチな組成とに分けられる。
従って、縦軸座標にＭ層の組成を横軸座標にＷ層の組成
をとると、基本発明の媒体全体としては、種類を図２１
に示す４象限に分類することができる。図２１におい
て、座標の交点は両層の補償組成を表す。先に述べたＰ
タイプは図２１に示す１象限と３象限に属するものであ
り、Ａタイプは２象限と４象限に属するものである。

【００４５】一方、温度変化に対する保磁力の変化を見
ると、キュリー点（保磁力ゼロの温度）に達する前に保
磁力が一旦無限大に増加してまた降下すると言う特性を
持つ合金組成がある。この無限大のときに相当する温度
は補償温度（Ｔ_comp.）と呼ばれる。補償温度より低い
温度ではＲＥベクトル（実線の矢）の方がＴＭベクトル
（点線の矢) より大きく、そのためＴＭリッチと言うこ
とができ、補償温度より高い温度ではその逆になる。従
って、補償組成の合金の補償温度は、室温にあると言う
ことができる。

【００４６】逆に補償温度はＴＭリッチの合金組成にお
いては、室温からキュリー点の間には存在しない。室温
より下にある補償温度は、光磁気記録においては無意味
であるので、この明細書で補償温度とは室温からキュリ
ー点の間に存在するものを言うことにする。Ｍ層とＷ層
の補償温度の有無について分類すると、媒体はタイプ１
〜４の４つのタイプに分類される。タイプ１は、Ｍ層と
Ｗ層の両方が補償温度を持つ。タイプ２は、Ｍ層が補償
温度を持たず、Ｗ層が補償温度を持つ。タイプ３は、Ｍ
層が補償温度を持ち、Ｗ層が補償温度を持たない。タイ
プ４は、Ｍ層とＷ層の両方が補償温度を持たない。１象
限の媒体は、４つ全部のタイプを含む。そこで、Ｍ層と
Ｗ層の両方についてＲＥリッチかＴＭリッチかで分け、
かつ補償温度を持つか持たないかで分けると、記録媒体
は表１に示す９クラスに分類される。

【００４７】

【表１】

【００４８】〔クラス１−１の説明〕ここで表１に示し
たクラス１の記録媒体（Ｐタイプ・１象限・タイプ１）
に属する媒体No.1−1 を例にとり、オーバーライト原理
について詳細に説明する。この媒体No.1−1 は、次式1
1：Ｔ_R＜Ｔ_comp.1＜Ｔ_L＜Ｔ_H≦Ｔ_C1≦Ｔ_c2 及び式11の２：Ｔ_comp.2 ＜Ｔ_C1 の関係を有する。本明細書では「≦」の「＝」は等しい
か又はほぼ等しい（±20℃位) ことを意味する。説明を
簡単にする目的から、以下の説明は、Ｔ_H＜Ｔ_C1＜Ｔ_c2
の関係を有するものについて説明する。Ｔ_comp.2は、Ｔ
_Lよりも高くとも等しくとも、低くともよいが、説明を
簡単にする目的から、以下の説明では、Ｔ_L＜Ｔ_comp.2
とする。以上の関係をグラフで示すと、図２２の如くな
る。なお、細線はＭ層のグラフを示し、太線はＷ層のグ
ラフを示す。

【００４９】室温Ｔ_RでＭ層の磁界が初期補助磁界Hin
i. により反転せずにＷ層のみが反転する条件は、

【００５０】

【数１】

【００５１】として示す式12である。この媒体No.1−1
は式12を満足する。但し、Ｈ_C1：Ｍ層の保磁力Ｈ_C2：Ｗ層の保磁力Ｍ_S1：Ｍ層の飽和磁気モーメント（saturation magnet
ization) Ｍ_S2：Ｗ層の飽和磁気モーメントｔ₁：Ｍ層の膜厚ｔ₂：Ｗ層の膜厚 σ_w：界面磁壁エネルギー＝交換結合力 (interface w
all energy) このとき、Hini. の条件式は、数４に示す式15で示され
る。Hini. が無くなると、Ｍ層、Ｗ層の磁化は交換結合
力により互いに影響を受ける。それでもＭ層、Ｗ層の磁
化が反転せずに保持される条件は、式13〜14で示され
る。この媒体No.1−1 は式13〜14を満足する。

【００５２】

【数２】

【００５３】

【数３】

【００５４】室温で式12〜14の条件を満足する記録媒体
のＷ層の磁化は、記録の直前までに

【００５５】

【数４】

【００５６】に示す式15を満足するHini. により例えば
「Ａ向き」↑に揃えられる。このときＭ層は前の記録状
態のままで残る。この状態は図２３の状態１又は状態２
のいずれかで示される。これより図２３を引用して説明
する。この状態１、状態２は記録直前まで保持される。
そして、記録磁界Ｈb は「Ａ向き」↑に印加することに
する。

【００５７】記録磁界Ｈb は、一般の磁界がそうである
ように、レーザービームの照射領域（スポット領域）と
同一の範囲に絞ることは難しい。媒体がディスク状の場
合、一旦記録された情報（マーク）は、１回転した場
合、途中でHini. の影響を受け、再び状態１又は状態２
となる。その後、そのマークは、レーザービームの照射
領域（スポット領域）に近いところを通過する。このと
き、状態１、状態２のマークは、記録磁界Ｈb 印加手段
に近づくので、その影響を受ける。この場合Ｈbと反対
向きの磁化を有する状態２のマークのＭ層の磁化の向き
がＨb によって反転させられたとすると、１回転前に記
録されたばかりの情報が消失することになる。そうなっ
てはならない条件は、

【００５８】

【数５】

【００５９】に示す式15の２で表される。ディスク状媒
体No.1−1 は、室温でこの条件式15の２を満足させる必
要がある。逆に言えば、Ｈb を決定する１つの条件は、
式15の２で示される。さて、状態１、２のマークは、い
よいよレーザービームのスポット領域に到達する。レー
ザービームの強度は、基本発明と同様に、低レベルと高
レベルの２種がある。

【００６０】−−−−−低温サイクル−−−− 低レベルのレーザービームが照射されて、媒体温度が
Ｔ_comp.1以上に上昇する。そうすると、ＰタイプからＡ
タイプに移行する。そして、Ｍ層のＲＥ、ＴＭ各スピン
の方向は変わらないが、強度の大小関係が図２０の(3A)
から(4A)へと逆転する。そのため、Ｍ層の磁化は図２０
の(3B)から(4B)へと反転する。その結果、図２３の状態
１のマークは状態３に移行し、状態２のマークは状態４
に移行する。

【００６１】レーザービームの照射が続いて、媒体温度
は、やがてＴ_LSになる。すると、式10の2 並びに式10の
3 が同時に満足される。その結果、Ｈb ↑が存在して
も、図２３状態４のマークは、状態５に遷移する。他
方、図２３状態３のマークは、Ｈb ↑が存在しても10の
2 並びに式10の3 が同時に満足されているため、そのま
まの状態を保つ。つまり、状態３から、同じ状態である
図２３状態５になるだけである。

【００６２】この状態でレーザービームのスポット領域
から外れると媒体温度は低下を始める。媒体温度がＴ
_comp.1以下に冷えると、Ａタイプから元のＰタイプに戻
る。そして、Ｍ層のＲＥスピンとＴＭスピンとの大小関
係が、図２０の(2A)から(1A)へと逆転する。そのため、
Ｍ層の磁化は図２０の(2B)から(1B)へと反転する。その
結果、図２３状態５のマークは、状態６（Ｍ層の磁化は
「Ａ向き」↑）に移行する。この状態６は媒体温度が室
温まで下がっても保持される。こうして、Ｍ層に「Ａ向
き」↑のマークが形成される。

【００６３】−−−−−高温サイクル−−−−− 高レベルのレーザービームが照射されると、媒体温度
は、Ｔ_comp.1を経て低温Ｔ_Lに上昇する。その結果、図
２３状態５と同じ状態７になる。高レベルのレーザービ
ームの照射により、媒体温度は更に上昇する。媒体温度
がＷ層のＴ_comp.2を越えると、ＡタイプがＰタイプに移
行する。そして、Ｗ層のＲＥ、ＴＭ各スピンの方向は変
わらないが、強度の大小関係が、図２０の(1A)から(2A)
へと逆転する。そのため、Ｗ層の磁化は図２０の(1B)か
ら(2B)へと反転する。その結果、Ｗ層の磁化は、「逆Ａ
向き」↓となる。これが図２３状態８である。

【００６４】しかし、この温度ではＨ_C2がまだ大きいの
で、↑Ｈb によってＷ層の磁化が反転されることはな
い。さらに温度が上昇し、Ｔ_Hになると、Ｍ層、Ｗ層
は、その温度がキュリー点に近いので保磁力が小さくな
る。その結果、媒体は、

【００６５】

【数６】

【００６６】に示す（１）又は

【００６７】

【数７】

【００６８】に示す（２）又は

【００６９】

【数８】

【００７０】に示す（３）のいずれかに示した２つの式
を同時に満足する。そのため、両層の磁化は、ほぼ同時
に反転し、Ｈb ↑の向きに従う。この状態が状態９であ
る。この状態でレーザービームのスポット領域から外れ
ると、媒体温度は低下を始める。媒体温度がＴ_comp.2以
下になると、ＰタイプからＡタイプに移行する。そし
て、ＲＥ、ＴＭの各スピンの方向は変わらないが、強度
の大小関係が、図２０の(4A)から(3A)へと逆転する。そ
のため、Ｗ層の磁化は図２０の(4B)から(3B)へと反転す
る。その結果、Ｗ層の磁化は、「逆Ａ向き」↓となる。
これが図２３が状態10である。状態10では、媒体は、

【００７１】

【数９】

【００７２】に示す式15の４を満足する。そのため、Ｗ
層にＨb ↑が作用しても反転することはない。媒体の温
度がこの状態10のときの温度から更に低下して、Ｔ
_comp.1以下になると、Ａタイプから元のＰタイプに戻
る。そして、Ｍ層のＲＥスピンとＴＭスピンの強度の大
小関係が、図２０の(4A)から(3A)へと逆転する。そのた
め、Ｍ層の磁化は図２０の(4B)から(3B)へと反転する。
その結果、Ｍ層の磁化は、「逆Ａ向き」↓となる。この
状態が図２３状態11である。

【００７３】やがて媒体の温度は、状態11のときの温度
から室温まで低下する。室温でのＨ_C1は十分に大きい
（式15の５参照）ので、Ｍ層の磁化↓は、↑Ｈb によっ
て反転されることなく、状態11が保持される。

【００７４】

【数10】

【００７５】こうして、Ｍ層に「逆Ａ向き」↓のマーク
が形成される。〔選択発明の説明〕以上の説明は、Ｍ層とＷ層の２層膜
で説明した。このような２層膜を持っておれば、３層膜
以上の多層膜でもオーバーライトは可能である。特に、
基本発明の説明では、初期補助磁界（Hini. ）という外
部手段を用いた。しかし、基本発明では、外部手段はHi
ni. に限られることはない。要するに、記録の前まで
に、Ｗ層の磁化が所定の向きを向いている、つまり、
“初期化”されていればよいのである。そのため、外部
手段としてHini. に代えて初期化層(intializing laye
r)を使用する発明がなされた。和文雑誌 "OPTRONICS"
1990年No.4 第 227〜231頁を参照されたい。これより
詳しいものは、1990年３月８日に発行された国際公開特
許公報WO/90/2400(PCT/JP89/863)である。以下、この発
明を選択発明（selection invention ）と引用する。

【００７６】図２４の状態１に、選択発明で使用される
媒体の構成を示すこの媒体は基板とその上に成膜された
原則的に４層構造の磁性膜からなる。この磁性膜は、順
に、垂直磁化可能な磁性薄膜からなるＭ層と、垂直磁化
可能な磁性薄膜からなるＷ層と、垂直磁化可能な磁性薄
膜からなるスイッチング層Switching layer （以下、Ｓ
層と略す）と、垂直磁化可能な磁性薄膜からなる“初期
化”層 Initializing layer（以下、Ｉ層と略す）との
原則的に４層構造（場合によりＳ層はなくともよい）か
らなる。

【００７７】尚、前記国際公開特許公報では、Ｍ層は第
１磁性層、Ｗ層は第２磁性層、Ｓ層は第３磁性層（特許
請求の範囲の第３項参照）、Ｉ層は第４磁性層（特許請
求の範囲の第３項参照）と呼ばれている。この第３項以
外の個所では第３磁性層と第４磁性層の呼び方が逆にな
っており、誤記と思われる。また、前記雑誌"OPTRONIC
S" では、Ｓ層は制御層と呼ばれている。

【００７８】この４層構造媒体では、Ｍ層とＷ層とは交
換結合しており、室温でＭ層の磁化の向きは変えないで
Ｗ層の磁化のみを所定の向きに向けておくことができ、
しかもＷ層とＩ層とはＳ層のキュリー点以下の温度でＳ
層を介して交換結合している。Ｉ層は最も高いキュリー
点を有し、高レベルのレーザービームの照射を受けても
磁化を失わない。Ｉ層は常に所定の向きの磁化を保持し
ており、これが記録の都度、次の記録に備えてＷ層の
“初期化”を繰り返し行なう手段となる。そのため、Ｉ
層は“初期化”層と呼ばれる。

【００７９】しかしながら、高温サイクルの過程（例え
ば、Ｔ_H付近）では、Ｗ層の磁化反転が必ず起こらねば
ならず、その場合には、Ｉ層からの影響が無視できるよ
うに小さくなければならない。温度が高くなると、Ｗ層
とＩ層との間の交換結合力σ_w24は小さくなるので、好
都合である。しかし、Ｔ_Hにおいても、十分なσ_w24が
残っている場合には、Ｗ層とＩ層との間にＳ層が必要に
なる。Ｓ層が非磁性体であれば、σ_w24はゼロ又は非常
に小さくなる。しかし、Ｔ_Hより低く室温までのどこか
の温度では、Ｗ層の“初期化”のためにσ_w24は大き
くなければならない。そのとき、Ｓ層はＷ層とＩ層との
間に見掛け上十分に大きな交換結合力を与えなければな
らない。それにはＳ層は磁性体である必要がある。従っ
て、Ｓ層は、相対的に低い温度では、磁性体となってＷ
層とＩ層との間に見掛け上十分に大きな交換結合力σ
_w24を与え、相対的に高い温度では、非磁性体となって
Ｗ層とＩ層との間に見掛け上ゼロ又は非常に小さな交換
結合力σ_w24を与えるものである。それ故、Ｓ層はスイ
ッチング層（switching layer ）と呼ばれる。

【００８０】次に図２４を用いて、４層膜オーバーライ
トの原理を説明する。この説明は典型的な例であり、こ
れ以外にも例はある。例えば、各層の何れかの層が室温
とキュリー点との間にＴ_comp.を持つと説明はより複雑
になる。図２４で、白抜きの矢印は、各層の磁化の向き
を示す。記録前の状態は、状態１又は状態２のいずれか
である。Ｍ層に着目すると、状態１は「Ａ向き」のマー
ク（Ｂ₁)であり、状態２は「逆Ａ向き」のマーク（Ｂ₀)
であり、Ｍ層とＷ層との間に界面磁壁（太線━で示す）
があり、やや不安定な状態（準安定）にある。

【００８１】 −−−−−−−低温サイクル−−−−−−−− 状態１及び状態２のマークにレーザービームを照射して
温度を上昇させると、最初にＳ層の磁化が消失する。そ
のため、状態１は状態３に移行し、状態２は状態４に移
行する。更に温度が上昇してＴ_LSに達すると、Ｍ層の磁
化は弱くなり、Ｗ層からの交換結合力を介した作用が強
くなる。その結果、状態４のＭ層の磁化は反転すると同
時に層間の磁壁は消失する。これが状態５である。状態
３のマークはもともと層間の磁壁はないので、そのまま
状態５に移行する。

【００８２】ここで、レーザービームの照射が止むか又
は照射位置から遠ざかると、状態５のマークは温度が低
下を始め、やがて状態３を経て状態１になる。これが低
温サイクルである。なお、状態５から更に温度が上昇し
Ｍ層のキュリー点を越えると、磁化が消失し状態６にな
る。ここで、レーザービームの照射が止むか又は照射位
置から遠ざかると、状態６のマークは温度が低下を始
め、やがてＭ層のキュリー点を少し低い温度に至る。そ
うすると、Ｍ層に磁化が現れる。この磁化の向きは、Ｗ
層からの交換結合力を介した作用を受け、Ｗ層の磁化の
向きに対して安定な向き（層間に磁壁が生じない向き）
となる。ここではＰタイプであるので、状態５が再現す
る。温度は更に低下し、それに従い、状態３が生じ、次
いで状態１のマークが生じる。このプロセスは低温サイ
クルの別の例である。

【００８３】 −−−−−−−高温サイクル−−−−−−−− 図２４状態１及び状態２のマークにレーザービームを照
射して温度を上昇させると、既述のように状態５を経て
状態６に至る。更に温度が上昇すると、Ｗ層の保磁力は
非常に低下する。そのため、記録磁界Ｈb ↓によって磁
化が反転する。これが状態８である。

【００８４】ここで、レーザービームの照射が止むか又
は照射位置から遠ざかると、媒体温度は低下を始める。
やがて媒体温度はＭ層のキュリー点より少し下になる。
そうすると、Ｍ層に磁化が現れる。この磁化の向きは、
Ｗ層からの交換結合力を介した作用を受け、Ｗ層の磁化
の向きに対して安定な向き（層間に磁壁が生じない向
き）となる。ここではＰタイプであるので、状態９が出
現する。

【００８５】温度が更に低下すると、Ｓ層に磁化が現
れ、その結果、Ｗ層とＩ層とは磁気的に（交換結合力
で）結合される。その結果、Ｗ層の磁化の向きは、Ｉ層
の磁化の向きに対して安定な向き（層間に磁壁が生じな
い向き）となる。ここではＰタイプであるので、Ｗ層の
磁化は「Ａ向き」に反転し、その結果、Ｍ層とＷ層との
間には界面磁壁が生じる。この状態が室温でも維持さ
れ、状態２のマークが生成する。

【００８６】これが高温サイクルである。なお、記録磁
界Ｈb ↓によって状態８が出現した後、更に温度が上昇
すると、やがて温度はＷ層のキュリー点を越える。そう
すると、状態７が出現する。ここで、レーザービームの
照射が止むか又は照射位置から遠ざかると、媒体温度は
低下を始める。やがて媒体温度はＷ層のキュリー点より
少し下になる。そうすると、Ｗ層に磁化が現れる。この
磁化の向きは、記録磁界Ｈb ↓の向きに従う。その結
果、状態８が出現する。

【００８７】更に温度が低下すると、状態９を経て状態
２のマークが形成される。このプロセスは高温サイクル
の別の例である。 −−−−−−オーバーライト−−−−−−− 以上の通り、前の記録状態に無関係に、低温サイクルで
Ｍ層に状態１のマーク（Ｂ₁)が形成され、高温サイクル
でＭ層に状態２のマーク（Ｂ₀)が形成される。従っ
て、オーバーライトが可能となる。ところで、記録した
い二値化情報（０と１から構成される原情報）をそのま
ま記録すると再生時にエラーが発生するために、一般に
は原情報を適当な暗号に変換する。このとき、原情報を
記録に適した暗号にすることを変調、再生された信号を
原情報に戻すことを復調と呼んでいる。

【００８８】原情報を暗号化する有名な方法として(2,
7) 変調がある。これでは、表２に示すテーブルを使
い、原情報を暗号化する。例えば、原情報（Ｘ）が（先
頭方向←）０１００１１１０であった場合、表２の左欄
に従って、まず０１０と０１１と１０とに区分する。そ
して、区分したものを右欄に変換する。０１０は、１０
０１００に変換され、０１１は、００１０００に変換さ
れる。１０は、０１００に変換される。その結果、暗号
は、１００１００００１００００１００・・・・とな
る。この場合、暗号は、０の最小ラン（ランとは、０の
情報の連なり）が２、最大ランが７となる。

【００８９】

【表２】

【００９０】このように原情報を暗号化することで、無
限に０（または１）が続くことがなくなり、再生信号の
クロック信号による同期がし易くなる。また、何らかの
原因で再生信号が切れ、再び回復した場合、または、再
生開始時にすぐにクロック信号による同期がとれるなど
の効果がある。光磁気記録の記録方式は、大別して、マ
ーク長記録方式とマーク間記録方式（ピットポジション
記録方式とも呼ばれる）とがある。

【００９１】マーク長記録方式では、一般に(2,7) 変調
した暗号をＮＲＺＩ方式によりレーザービームの駆動波
形（Ｚ）に変換する。このＮＲＺＩとは、０と１とから
成る暗号の１をレーザービーム強度の立ち上げ又は立ち
下げのきっかけとするものである。つまり、最初に１が
きたとき強度を高レベルに立ち上げて、次に１がきたと
き低レベルに立ち下げ・・・を行うのである。強度が高
レベルのときにマークが形成される。再生時には、媒体
上の記録マークの両端のみを検出して信号１を再生し、
それ以外は信号０とする。

【００９２】マーク間記録方式では、０と１とから構成
される原情報を１の前後に必ず０がくるように暗号化
し、これをＮＲＺによりレーザービームの駆動波形
（Ｚ）に変換する。このＮＲＺとは、０と１とから成る
暗号の１のときだけ、レーザービームの強度を高レベル
に立ち上げて所定短時間後に低レベルに立ち下げるので
ある。従って、信号１の１個に対応してマークが１個形
成される。再生時にはマークの位置を検出して、信号１
を再生し、それ以外は、信号０とする。

【００９３】

【発明が解決しようとする課題】マーク長記録方式は、
マーク間記録方式に比べて記録密度を上げることができ
る。そこで本発明者は、オーバーライト媒体に対し、マ
ーク長記録方式で記録する際に、記録密度をより上げて
記録を行った。しかし、その結果、読み取りエラーが増
大するという問題点の生じることが見い出された。

【００９４】本発明の目的は、記録密度を上げた場合の
上記問題点を解決することにある。

【００９５】

【問題点を解決するための手段】本発明者は、試験的に
いくつかの情報をオーバーライト可能な媒体にマーク長
記録方式で記録し、再生した。記録に使ったレーザービ
ームの出力波形（Ｚ）と再生信号波形とを図５〜８に示
す。これらの結果から、マーク間隔が短い（図５、図６
参照）場合は、長いケース（図７、図８参照）に比べ、
再生信号の振幅が小さいことが判る。

【００９６】このことは、再生信号（サイン波）を基準
電圧で切って、再びパルス波（０，１信号）に変換する
とき問題を起こす。その問題というのは、パルス幅が時
間と共に変動してしまうことである。この問題は、基準
電圧が変動することに起因するが、基準電圧の変動を止
めるのは困難である。基準電圧が変動した場合、振幅の
小さい再生信号をパルス波に変換すると、パルス幅の変
動が大きくなる。そして、パルス幅の変動が大きくなる
と、読み取りエラーが発生することは明らかであろう。

【００９７】また、上記結果からマーク間隔が短い（図
５、図６参照）と、長いケース（図７、図８参照）に比
べ、再生信号の山の部分（マークに対応する）の幅のば
らつきが大きくなることが判る。このことは、パルス波
に変換したときパルス幅の変動を大きくする。パルス幅
の変動が大きくなると、読み取りエラーが発生すること
は明らかであろう。

【００９８】そこで、何故、マーク間隔を短くすると
再生信号（サイン波）の振幅が小さくなり、山の部分
の幅のばらつきが大きくなるのか、その理由を調べてみ
た。その結果、判明した理由は、マークの終端、始端の
輪郭がぼやけ、また不揃いになっていることである。マ
ークは高温Ｔ_H（Ｐ_H）により形成される（熱モー
ド）。恐らくマーク間隔が短いために隣接のマークの熱
の影響が出て、輪郭がぼやけ、また不揃いになるものと
推定される。

【００９９】本発明は、鋭意研究の結果、マーク間隔が
相対的に短いときにＰ_Lのレベルを相対的に下げれば隣
接のマークの熱の影響が低下されることを着想し、試み
た。その結果、記録密度を上げても読み取りエラーが増
大しないか、または増大傾向が小さいこと（効果）を見
い出し、本発明を成すに至った。更に研究を進めた結
果、マーク^*間隔が短いときには、Ｐ_Lを式：Ｈ_C1＜σ_W／２Ｍ_S1ｔ₁ が満足される最低の温度Ｔ_Lminを媒体にもたらす強度Ｐ
_Lminよりも低くし、マーク^*間隔が長いときにはＰ_Lを
温度Ｔ_Lminを媒体に与える強度Ｐ_Lminよりも高くすると
効果があることを見い出し、本発明を成すに至った。

【０１００】よって、本発明は、第一に「マーク^*を
「レーザービーム強度が高レベルＰ_Hのときに形成され
るマーク」と定義するとき、マーク^*長記録方式に則し
た情報信号に従いレーザービームの強度を高レベルＰ_H
と低レベルＰ_Lとの間でパルス変調し、変調されたレー
ザービームを「回転している、少なくともメモリー層と
ランティング層の２層からなるオーバーライト可能な光
磁気記録媒体」に対し照射し、これにより媒体上にマー
ク^*を形成し、このマーク^*の長さにより情報を表す、
オーバーライト可能な光磁気記録方法において、前記マ
ーク^*間隔が短いときには相対的にＰ_Lを低くし、間隔
が長いときには相対的にＰ_Lを高くすることを特徴とす
る方法（請求項１）」を提供する。

【０１０１】第二に、「請求項１に記載の方法におい
て、マーク^*間隔が短いときには、前記Ｐ_Lを式：Ｈ_c1＜σ_W／２Ｍ_S1ｔ₁ が満足される最低の温度Ｔ_Lminを媒体にもたらす強度Ｐ
_Lminよりも低くし、マーク^*間隔が長いときには、前記
Ｐ_Lを前記温度Ｔ_Lminを媒体に与える強度Ｐ_Lminよりも
高くすることを特徴とする方法。

【０１０２】但し、Ｈ_c1はメモリー層の保磁力、Ｍ_S1は
メモリー層の飽和磁化、ｔ₁はメモリー層の膜厚である
（請求項２）」を提供する。第三に、「マーク^*を「レ
ーザービーム強度が高レベルＰ_Hのときに形成されるマ
ーク」と定義するとき、レーザービーム光源、光源に駆
動電流を供給する電源、レーザービームの強度（高レベ
ルＰ_Hと低レベルＰ_L）を所定値に設定する設定信号の
発生部、マーク^*長記録方式に則した情報信号及び前記
設定信号に従い前記駆動電流をパルス変調するパルス変
調手段、並びに、記録磁界Ｈb 印加手段からなるオーバ
ーライト可能な光磁気記録装置において、前記情報信
号から「マーク^*の終端を表す信号」と「次のマーク^*
の始端を表す信号」との間隔（マーク^*間隔に相当）を
測定する間隔測定手段、及び、前記間隔が短いときに
は相対的にＰ_Lを低くし前記間隔が長いときには、相対
的にＰ_Lを高くする補正手段を設けたことを特徴とする
装置（請求項３）」を提供する。

【０１０３】第四に、「請求項３に記載の装置におい
て、前記補正手段が、「マーク^*間隔が短いときには、
前記Ｐ_Lを式：Ｈ_c1＜σ_W／２Ｍ_S1ｔ₁ が満足される最低の温度Ｔ_Lminを媒体にもたらす強度Ｐ
_Lminよりも低くし、マーク^*間隔が長いときには、前記
Ｐ_Lを前記温度Ｔ_Lminを媒体に与える強度Ｐ_Lminよりも
高くする手段」であることを特徴とする装置。

【０１０４】但し、Ｈ_c1はメモリー層の保磁力、Ｍ_S1は
メモリー層の飽和磁化、ｔ₁はメモリー層の膜厚である
（請求項４）」を提供する。

【０１０５】

【作用】本発明の対象となる情報記録媒体は前述の基本
発明や選択発明で説明した、オーバーライト可能な光磁
気記録媒体であり、メモリー層（Ｍ層）とライティング
層（Ｗ層）の少なくとも二層から成る。本発明によれ
ば、マーク^*間隔が短いときはＰ_Lを相対的に低くし、
長いときはＰ_Lを相対的に高くするが、高くしてもＰ_L
がＰ_Hの最低値Ｐ_Hminより高くしてはいけない。もし、
高くすると、マーク^*が形成されてしまう。

【０１０６】本発明によれば、記録密度を上げてもマー
ク^*の終端と始端の輪郭がはっきりし、また揃う。その
結果、再生信号の振幅が大きくなり、且つ山の部分の幅
のばらつきが小さくなり、このことが読み取りエラーを
低下させるものと推定される。以下、実施例により本発
明をより具体的に説明するが、本発明はこれに限られる
ものではない。

【０１０７】

【実施例１】図１は、本実施例にかかるオーバーライト
可能な光磁気記録装置の主要部分を示す回路図である。
図に示した部分以外に、媒体の回転手段、記録磁界Ｈb
印加手段及び場合により初期化補助磁界Hini. 印加手段
が、装置を構成する。原情報は、先ず暗号化手段(11)に
入力され、そこで(2,7) 変調によりマーク^*長記録方式
に則した情報信号（つまり暗号）に変換される。変換さ
れた情報信号（暗号）は入力部(12)に入る。入力部(12)
は特に設けなくともよい。入力した情報信号は、次に間
隔測定手段(13)とパルス変調手段(17)の両方に入る。間
隔測定手段(13)は「マーク^*の終端を表す信号」と「次
のマーク^*の始端を表す信号」との間隔（マーク^*間隔
に相当）を測定する。

【０１０８】測定手段(13)は、情報信号のマーク^*間隔
が３Ｔ（最短）から８Ｔ（最長）までのどれに当たるか
測定し、この結果を補正手段(14)に送る。補正手段(14)
は、図２に示す変換規則に従い、Ｐ_Lの補正値を算出す
る。この補正値は制御部(16)に送られる。一方、装置に
は、レーザービームの強度（高レベルＰ_Hと低レベルＰ
_L）を所定値に設定する設定信号の発生部(15)がある。
所定値は媒体によって異なる。媒体に記された所定値
（Ｐ_H＝10.0mW、Ｐ_L＝5.0 mW、Ｐ_Lmin＝4.0 mW）に従
って、装置の操作者が所定値を設定する。これにより、
発生部(15)が設定信号を出力する。設定信号は制御部(1
6)に送られる。制御部(16)は設定信号に基づき電源(10)
からの電力を実際のＰ_H値とＰ_L値に制御する。但し、
Ｐ_L値は、補正手段(14)からの補正値が来るので、これ
に基づきＰ_L値が決定される。例えば、５Ｔのときには
Ｐ_Lは3.0mW である。これらのＰ_H、Ｐ_Lは、パルス変
調手段(17)に入力される。変調手段(17)は、制御部(16)
からのＰ_H、Ｐ_Lと入力部(12)からの情報信号に基づ
き、レーザービームの駆動波形（Ｚ）を作る。この波形
が半導体レーザーからなる光源(18)に入力され、そうす
ると、光源が駆動波形（Ｚ）に基づいて変調されたレー
ザービームを出力する。

【０１０９】図３に示すように、マーク間隔が相対的に
短いものから長いものになるにしたがって、Ｐ_Lパワー
を高くして記録マークを形成する。このように設定し、
オーバーライト可能な光磁気記録媒体にマーク長変調に
より記録マークを形成し、再生信号を得た。図３の再生
信号波形を見ると、形成したマークのマーク間隔の長さ
に関係なく、記録信号の反転位置と記録マークからの再
生信号波形の反転位置が一致し、ジッタが少なくなる。
また、再生信号の振幅の差が小さくなり信号振幅の劣化
が起こらず、記録信号が誤りなく記録され、再生され
る。

【０１１０】

【実施例２】実施例１の装置を用いて、Ｍ層とＷ層から
なるオーバーライト可能な光磁気記録媒体に記録した。
そして、通常の光磁気記録再生装置で再生した。この結
果の一部を図３に示す。再生によって、図３に示すよう
にマーク^*間隔が相対的に短いときＰ_Lは相対的に低
い。再生信号波形を見ると、マーク^*間隔の長短に関係
なく、駆動波形（Ｚ）の反転位置と再生信号波形の反転
位置が一致し、ジッタはほとんど発生しない。また、マ
ークの長さが長い場合と短い場合の再生信号の振幅の差
が小さくなる。

【０１１１】〔比較例〕補正手段(14)をオフ(off) にし
て実施例２の記録を実行した。つまり、Ｐ_Lをマーク^*
間隔の長短に関係なく、従来通りに一定(P_L＝ 5.0mW)
にした。この結果を図４に示す。この場合、図５〜８に
示したようにマーク^*間隔が相対的に長く（６Ｔ〜８
Ｔ)なると振幅は大きくなり、ジッタは発生しなくな
る。しかし、マーク^*間隔が相対的に短く( ３Ｔ〜５Ｔ
)なると再生信号の振幅が小さくなるとともに、ジッタ
が発生する。

【０１１２】

【発明の効果】以上の通り、本発明によれば、記録密度
を上げてもマークの終端と始端の輪郭が鮮明になり、ま
た形状も揃うので、再生信号の振幅が大きくなり、また
山の部分の幅のばらつきも小さくなる。更に、再生信号
のジッタが低下する。そのため、読み取りエラーが低下
する。また、消し残りも少なく、良好なオーバーライト
特性が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図 1】は、本発明の実施例にかかる光磁気装置の簡単
な回路である。

【図２】は、補正手段の変換規則を示す図である。

【図３】は、実施例における情報信号（Ｙ）とレーザー
ビームの駆動波形（Ｚ）と再生信号波形を示す波形図で
ある。

【図４】は、比較例における情報信号（Ｙ）とレーザー
ビームの駆動波形（Ｚ）と再生信号波形を示す波形図で
ある。

【図５】は、最小マーク^*を最短マーク^*間隔で記録し
たときの、情報信号（Ｙ）とレーザービームの駆動波形
を示す波形図である。

【図６】は、最大マーク^*を最短マーク^*間隔で記録し
たときの、情報信号（Ｙ）とレーザービームの駆動波形
を示す波形図である。

【図７】は、最小マーク^*を最長マーク^*間隔で記録し
たときの、情報信号（Ｙ）とレーザービームの駆動波形
を示す波形図である。

【図８】は、最大マーク^*を最長マーク^*間隔で記録し
たときの、情報信号（Ｙ）とレーザービームの駆動波形
を示す波形図である。

【図９】は、光磁気記録方式の記録原理を説明する概念
図である。

【図１０】は、光磁気記録方式の再生原理を説明する概
念図である。

【図１１】は、基本発明に従いオーバーライトする場合
のレーザービームの波形図である。

【図１２】は、基本発明に従い２本のビームでオーバー
ライトする場合のレーザービームの波形図である。

【図１３】は、オーバーライト可能な光磁気記録媒体の
Ｍ層、Ｗ層について保磁力と温度との関係を示すグラフ
である。

【図１４】は、Ｍ層とＷ層の磁化の向きを示す概念図で
ある。

【図１５】は、Ｍ層とＷ層の磁化の向きの変化を示す説
明図である。

【図１６】は、Ｐタイプ媒体について、低温サイクル、
高温サイクルの結果、Ｍ層とＷ層の磁化の向きがどう変
化するかを示す説明図である。いずれも室温での状態を
示す。

【図１７】は、Ａタイプ媒体について、低温サイクル、
高温サイクルの結果、Ｍ層とＷ層の磁化の向きがどう変
化するかを示す説明図である。いずれも室温での状態を
示す。

【図１８】は、Ｍ層とＷ層の磁化の向きの変化を示す説
明図である。

【図１９】は、希土類（ＲＥ）原子の副格子磁化を示す
ベクトル（実線の矢）と遷移金属（ＴＭ）原子の副格子
磁化を示すベクトル（点線の矢）とを比較するための説
明図である。

【図２０】は、副格子磁化のベクトルと合金の磁化の向
きを示すベクトル（白抜き矢）との関係を示す説明図で
ある。

【図２１】は、Ｍ層とＷ層について、それぞれＲＥリッ
チ、ＴＭリッチに分けた場合、オーバーライト可能な媒
体が４つの分類（１象限〜４象限）に分られることを説
明する説明図である。

【図２２】は、オーバーライト可能な光磁気記録媒体N
o. １−１のＭ層、Ｗ層について保磁力と温度との関係
を示すグラフである。

【図２３】は、媒体No. １−１の媒体について、低温サ
イクルと高温サイクルの結果、Ｍ層とＷ層の磁化の向き
が、どう変化するかを示す概念図である。

【図２４】は、選択発明にかかる４層膜構造のオーバー
ライト可能な光磁気記録媒体について、そのオーバーラ
イト原理を説明する説明図である。

【図２５】は、原情報（Ｘ）を暗号化（Ｙ）した一例の
図である。

【主要部分の符号の説明】

Ｌ・・・レーザービームＬp ・・直線偏光Ｂ₁・・「Ａ向き」の磁化を有するマークＢ₀・・「逆Ａ向き」の磁化を有するマークＳ・・・基板ＭＯ・・垂直磁化膜（光磁気記録層）Ｍ・・・メモリー層Ｗ・・・ライティング層１１・・暗号化手段１２・・入力部１３・・マーク^*の間隔測定手段１４・・Ｐ_Lの補正手段１５・・基準Ｐ_H、Ｐ_Lを設定する設定信号の発生部１６・・レーザーの制御部１７・・パルス変調手段１８・・光源

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】マーク^*を「レーザービーム強度が高レベ
ルＰ_Hのときに形成されるマーク」と定義するとき、マ
ーク^*長記録方式に則した情報信号に従いレーザービー
ムの強度を高レベルＰ_Hと低レベルＰ_Lとの間でパルス
変調し、変調されたレーザービームを「回転している、
少なくともメモリー層とランティング層の２層からなる
オーバーライト可能な光磁気記録媒体」に対し照射し、
これにより媒体上にマーク^*を形成し、このマーク^*の
長さにより情報を表す、オーバーライト可能な光磁気記
録方法において、前記マーク^*間隔が短いときには相対的にＰ_Lを低く
し、間隔が長いときには相対的にＰ_Lを高くすることを
特徴とする方法。
【請求項２】請求項１に記載の方法において、マーク^*
間隔が短いときには、前記Ｐ_Lを式：Ｈ_c1＜σ_W／２Ｍ_S1ｔ₁ が満足される最低の温度Ｔ_Lminを媒体にもたらす強度Ｐ
_Lminよりも低くし、マーク^*間隔が長いときには、前記
Ｐ_Lを前記温度Ｔ_Lminを媒体に与える強度Ｐ_Lminよりも
高くすることを特徴とする方法。但し、Ｈ_c1はメモリー
層の保磁力、Ｍ_S1はメモリー層の飽和磁化、ｔ₁はメモ
リー層の膜厚である。
【請求項３】マーク^*を「レーザービーム強度が高レベ
ルＰ_Hのときに形成されるマーク」と定義するとき、レ
ーザービーム光源、光源に駆動電流を供給する電源、レ
ーザービームの強度（高レベルＰ_Hと低レベルＰ_L）を
所定値に設定する設定信号の発生部、マーク^*長記録方
式に則した情報信号及び前記設定信号に従い前記駆動電
流をパルス変調するパルス変調手段、並びに、記録磁界
Ｈb 印加手段からなるオーバーライト可能な光磁気記録
装置において、前記情報信号から「マーク^*の終端を表す信号」と
「次のマーク^*の始端を表す信号」との間隔（マーク^*
間隔に相当）を測定する間隔測定手段、及び、前記間
隔が短いときには相対的にＰ_Lを低くし前記間隔が長い
ときには、相対的にＰ_Lを高くする補正手段を設けたこ
とを特徴とする装置。
【請求項４】請求項３に記載の装置において、前記補正
手段が、「マーク^*間隔が短いときには、前記Ｐ_Lを式：Ｈ_c1＜σ_W／２Ｍ_S1ｔ₁ が満足される最低の温度Ｔ_Lminを媒体にもたらす強度Ｐ
_Lminよりも低くし、マーク^*間隔が長いときには、前記
Ｐ_Lを前記温度Ｔ_Lminを媒体に与える強度Ｐ_Lminよりも
高くする手段」であることを特徴とする装置。但し、Ｈ
_c1はメモリー層の保磁力、Ｍ_S1はメモリー層の飽和磁
化、ｔ₁はメモリー層の膜厚である。