JPH05226247A - エピタキシアル・シリコン膜 - Google Patents
エピタキシアル・シリコン膜Info
- Publication number
- JPH05226247A JPH05226247A JP23081392A JP23081392A JPH05226247A JP H05226247 A JPH05226247 A JP H05226247A JP 23081392 A JP23081392 A JP 23081392A JP 23081392 A JP23081392 A JP 23081392A JP H05226247 A JPH05226247 A JP H05226247A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon
- boron
- germanium
- film
- concentration range
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
- G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
- G01L9/0042—Constructional details associated with semiconductive diaphragm sensors, e.g. etching, or constructional details of non-semiconductive diaphragms
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices
- H10P50/60—Wet etching
- H10P50/64—Wet etching of semiconductor materials
- H10P50/642—Chemical etching
- H10P50/644—Anisotropic liquid etching
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ５００℃以上の低い温度でエピタキシアル付
着し、制御された量のホウ素及びゲルマニウムでドープ
した、シリコンから作成されたシリコン膜材料を提供す
ること。 【構成】 本発明によれば、厚さ及び組成を精密に制御
した極めて薄いエピタキシアル付着した１層または複数
のシリコン層によって、シリコン膜構造が作成される。
その少なくとも１層は、シリコン中のホウ素濃度が２×
１０20原子／ｃｍ3よりも高い濃度範囲のホウ素、また
は、シリコン中のゲルマニウム濃度が５×１０20原子／
ｃｍ3よりも高い濃度範囲のゲルマニウム、あるいは上
記の濃度範囲のホウ素とゲルマニウムの組合せでドープ
する。 【効果】 本発明により、低温法によってドーパントの
範囲拡大が可能になり、そのためにこれらのドーパンド
に関連する膜の引張り応力及び圧縮圧力とねじれのより
大幅な制御が可能になる。
着し、制御された量のホウ素及びゲルマニウムでドープ
した、シリコンから作成されたシリコン膜材料を提供す
ること。 【構成】 本発明によれば、厚さ及び組成を精密に制御
した極めて薄いエピタキシアル付着した１層または複数
のシリコン層によって、シリコン膜構造が作成される。
その少なくとも１層は、シリコン中のホウ素濃度が２×
１０20原子／ｃｍ3よりも高い濃度範囲のホウ素、また
は、シリコン中のゲルマニウム濃度が５×１０20原子／
ｃｍ3よりも高い濃度範囲のゲルマニウム、あるいは上
記の濃度範囲のホウ素とゲルマニウムの組合せでドープ
する。 【効果】 本発明により、低温法によってドーパントの
範囲拡大が可能になり、そのためにこれらのドーパンド
に関連する膜の引張り応力及び圧縮圧力とねじれのより
大幅な制御が可能になる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はシリコン膜に関し、より
具体的にはＸ線リソグラフィ及び超小型機械装置、たと
えばセンサ、トランスデューサ、アクチュエータに使用
するのに適したシリコン膜に関する。このシリコン膜
は、高濃度のホウ素またはゲルマニウムでドープしたシ
リコンの５００℃またはそれ以上でのエピタキシアル化
学蒸着によって形成される。
具体的にはＸ線リソグラフィ及び超小型機械装置、たと
えばセンサ、トランスデューサ、アクチュエータに使用
するのに適したシリコン膜に関する。このシリコン膜
は、高濃度のホウ素またはゲルマニウムでドープしたシ
リコンの５００℃またはそれ以上でのエピタキシアル化
学蒸着によって形成される。
【０００２】
【従来の技術】Ｘ線リソグラフィは、半導体デバイスの
製造においてフォトリソグラフィと競合している技術で
ある。Ｘ線リソグラフィは、フォトリソグラフィで使用
される紫外線よりも波長の短い光線を利用することによ
り、サブミクロン級の微小パターンを形成できる。この
波長の短い光線、Ｘ線は回折を受ける度合いが少なく、
したがって半導体デバイス上にずっと微細な構造要素を
作成するのに使用できる。Ｘ線を使用するとずっと微細
な構造要素を作成できるので、従来フォトリソグラフィ
で可能であったよりも高密度の回路が作成できる。基本
的なＸ線リソグラフィ技法の説明は米国特許第３７４３
８４２号明細書に出ており、この内容を引用により本明
細書に合体する。
製造においてフォトリソグラフィと競合している技術で
ある。Ｘ線リソグラフィは、フォトリソグラフィで使用
される紫外線よりも波長の短い光線を利用することによ
り、サブミクロン級の微小パターンを形成できる。この
波長の短い光線、Ｘ線は回折を受ける度合いが少なく、
したがって半導体デバイス上にずっと微細な構造要素を
作成するのに使用できる。Ｘ線を使用するとずっと微細
な構造要素を作成できるので、従来フォトリソグラフィ
で可能であったよりも高密度の回路が作成できる。基本
的なＸ線リソグラフィ技法の説明は米国特許第３７４３
８４２号明細書に出ており、この内容を引用により本明
細書に合体する。
【０００３】Ｘ線リソグラフィ技術を進歩させるには、
Ｘ線マスク作成用の適当な膜が必要である。この膜はＸ
線リソグラフィを適用する上で不可欠の要素である。
Ｘ線マスク作成用の適当な膜が必要である。この膜はＸ
線リソグラフィを適用する上で不可欠の要素である。
【０００４】米国特許第４８６６７４６号は、最適の硬
さと靭性をもたらす組成範囲の窒化ホウ素と窒化シリコ
ンからなるＸ線マスク膜材料を開示している。
さと靭性をもたらす組成範囲の窒化ホウ素と窒化シリコ
ンからなるＸ線マスク膜材料を開示している。
【０００５】米国特許第４１５２６０１号は、窒化シリ
コンと酸化シリコンの複数の層からなる膜材料を開示し
ている。
コンと酸化シリコンの複数の層からなる膜材料を開示し
ている。
【０００６】米国特許第４８０４６００号は、有機プラ
スチック被膜上に作成され、次いで支持体に移転されて
接着される、Ｘ線リソグラフィ・マスクを開示してい
る。支持体に接着剤を流れやすくする溝が設けられてい
る。この特許は、移転工程及び溝による利益を対象とし
ている。
スチック被膜上に作成され、次いで支持体に移転されて
接着される、Ｘ線リソグラフィ・マスクを開示してい
る。支持体に接着剤を流れやすくする溝が設けられてい
る。この特許は、移転工程及び溝による利益を対象とし
ている。
【０００７】米国特許第４９４０８４１号は、ホウ素と
シリコンと窒素を好ましい組成範囲で含み、特定の調製
条件で作成された、Ｘ線マスク用の膜を開示している。
シリコンと窒素を好ましい組成範囲で含み、特定の調製
条件で作成された、Ｘ線マスク用の膜を開示している。
【０００８】米国特許第４６４７５１７号は、ホウ素と
ゲルマニウムでドープしたシリコンのエピタキシアル成
長させた膜を使用する、Ｘ線リソグラフィ用マスクを開
示している。このエピタキシアル膜の被膜は、従来の方
法で、すなわち高い温度（１０００℃以上）でウェハの
片面だけに成長させる。この工程はホウ素とゲルマニウ
ムの濃度範囲が限られており、ホウ素濃度が最高２×１
０20原子／ｃｍ3（大体シリコン原子２５０個につきホ
ウ素原子１個）、ゲルマニウム濃度が最高５×１０20原
子／ｃｍ3（大体シリコン原子１００個につきゲルマニ
ウム原子１個）しか可能でない。
ゲルマニウムでドープしたシリコンのエピタキシアル成
長させた膜を使用する、Ｘ線リソグラフィ用マスクを開
示している。このエピタキシアル膜の被膜は、従来の方
法で、すなわち高い温度（１０００℃以上）でウェハの
片面だけに成長させる。この工程はホウ素とゲルマニウ
ムの濃度範囲が限られており、ホウ素濃度が最高２×１
０20原子／ｃｍ3（大体シリコン原子２５０個につきホ
ウ素原子１個）、ゲルマニウム濃度が最高５×１０20原
子／ｃｍ3（大体シリコン原子１００個につきゲルマニ
ウム原子１個）しか可能でない。
【０００９】上記のいずれの参考文献も、高濃度のホウ
素またはゲルマニウムあるいはその両方でドープされた
シリコンを含み、低温度で調製された、Ｘ線リソグラフ
ィに適した膜材料を開示していない。このような高いド
ーパント濃度及び低温での調製により、膜の引張り応力
及び圧縮応力のより大幅な制御が可能であり、優れた膜
が得られる。
素またはゲルマニウムあるいはその両方でドープされた
シリコンを含み、低温度で調製された、Ｘ線リソグラフ
ィに適した膜材料を開示していない。このような高いド
ーパント濃度及び低温での調製により、膜の引張り応力
及び圧縮応力のより大幅な制御が可能であり、優れた膜
が得られる。
【００１０】したがって、当技術分野では、ホウ素また
はゲルマニウムあるいはその両方で高濃度にドープでき
る膜材料が本当に必要である。
はゲルマニウムあるいはその両方で高濃度にドープでき
る膜材料が本当に必要である。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】本発明の一目的は、ホ
ウ素またはゲルマニウムあるいはその両方で高濃度にド
ープされたシリコンを含む膜材料を提供することにあ
る。
ウ素またはゲルマニウムあるいはその両方で高濃度にド
ープされたシリコンを含む膜材料を提供することにあ
る。
【００１２】本発明の他の目的は、この膜材料を含むエ
ピタキシアル・シリコン膜を提供することにある。
ピタキシアル・シリコン膜を提供することにある。
【００１３】本発明の他の目的は、上記のエピタキシア
ル・シリコン膜を作成する方法、及び上記の膜材料を、
バルク・シリコン基板またはドープされていないシリコ
ンの選択的エッチング用のマスク層として使用する方法
を提供することである。
ル・シリコン膜を作成する方法、及び上記の膜材料を、
バルク・シリコン基板またはドープされていないシリコ
ンの選択的エッチング用のマスク層として使用する方法
を提供することである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】簡単に述べると、本発明
はＸ線リソグラフィに適した膜材料に関するものであ
る。この材料は、ホウ素またはゲルマニウムあるいはそ
の両方でドーピングしたシリコンを含む。ホウ素の濃度
は、シリコン１ｃｍ3当たりホウ素２×１０20原子より
高い範囲である。ゲルマニウムの濃度は、シリコン１ｃ
ｍ3当たりゲルマニウム５×１０20原子より高い範囲で
ある。
はＸ線リソグラフィに適した膜材料に関するものであ
る。この材料は、ホウ素またはゲルマニウムあるいはそ
の両方でドーピングしたシリコンを含む。ホウ素の濃度
は、シリコン１ｃｍ3当たりホウ素２×１０20原子より
高い範囲である。ゲルマニウムの濃度は、シリコン１ｃ
ｍ3当たりゲルマニウム５×１０20原子より高い範囲で
ある。
【００１５】膜は、シリコン基板上にエピタキシアル付
着したこの膜材料の１層または複数の層から作成でき
る。複数の層は、エピタキシアル付着したシリコン層の
積層を形成する。積層中の各エピ・シリコン（エピタキ
シアル付着シリコン）層は、ドープされていることもさ
れていないこともある。ドープされた各シリコン層は、
上記濃度範囲のホウ素または上記濃度範囲のゲルマニウ
ムまたは上記濃度範囲のホウ素とゲルマニウムでドープ
されている。
着したこの膜材料の１層または複数の層から作成でき
る。複数の層は、エピタキシアル付着したシリコン層の
積層を形成する。積層中の各エピ・シリコン（エピタキ
シアル付着シリコン）層は、ドープされていることもさ
れていないこともある。ドープされた各シリコン層は、
上記濃度範囲のホウ素または上記濃度範囲のゲルマニウ
ムまたは上記濃度範囲のホウ素とゲルマニウムでドープ
されている。
【００１６】本発明はまた、上記のエピタキシアル・シ
リコン膜を作成する方法をも提供する。この方法は、化
学蒸着法によって約５００〜８５０℃でシリコン基板上
に１つまたは複数のシリコン被膜をエピタキシアル成長
させるステップを含んでいる。基板はシリコンであるこ
とが好ましいが、シリコンと類似の結晶学的特性をもつ
他の物質も使用できる。シリコン被膜の少なくとも１つ
を、成長させる時、選択されたドーパントでドープし、
シリコン被膜の層を次々に積み重ねて生成して、エピタ
キシアル付着したシリコン被膜の積層を形成する。
リコン膜を作成する方法をも提供する。この方法は、化
学蒸着法によって約５００〜８５０℃でシリコン基板上
に１つまたは複数のシリコン被膜をエピタキシアル成長
させるステップを含んでいる。基板はシリコンであるこ
とが好ましいが、シリコンと類似の結晶学的特性をもつ
他の物質も使用できる。シリコン被膜の少なくとも１つ
を、成長させる時、選択されたドーパントでドープし、
シリコン被膜の層を次々に積み重ねて生成して、エピタ
キシアル付着したシリコン被膜の積層を形成する。
【００１７】エピタキシアル・シリコン膜を作成するこ
の方法は、２つの表面を有する基板を使用する。基板の
両面に同時にシリコンの被膜をエピタキシアル付着す
る。
の方法は、２つの表面を有する基板を使用する。基板の
両面に同時にシリコンの被膜をエピタキシアル付着す
る。
【００１８】高濃度のホウ素またはゲルマニウムあるい
はその両方でドープしたエピタキシアル・シリコン膜の
層は、強アルカリ性の異方性化学エッチング液、たとえ
ばＫＯＨ、ＮａＯＨ、ＥＰＷ中で選択的にエッチングす
ることができる。たとえば、便利で広く使用されている
エッチャントは６０〜９０℃で２０〜３０％の濃度範囲
の、典型的には８０℃で２５％の水酸化カリウム（ＫＯ
Ｈ）である。シリコン膜のドープされた（上記のように
所与の濃度範囲のホウ素またはゲルマニウムあるいはそ
の両方でドープされた）部分は、水酸化カリウムによる
エッチングに対して耐性をもつが、本明細書で開示する
ようにシリコン膜のドープされていない部分は、水酸化
カリウムによってエッチングで除去される。
はその両方でドープしたエピタキシアル・シリコン膜の
層は、強アルカリ性の異方性化学エッチング液、たとえ
ばＫＯＨ、ＮａＯＨ、ＥＰＷ中で選択的にエッチングす
ることができる。たとえば、便利で広く使用されている
エッチャントは６０〜９０℃で２０〜３０％の濃度範囲
の、典型的には８０℃で２５％の水酸化カリウム（ＫＯ
Ｈ）である。シリコン膜のドープされた（上記のように
所与の濃度範囲のホウ素またはゲルマニウムあるいはそ
の両方でドープされた）部分は、水酸化カリウムによる
エッチングに対して耐性をもつが、本明細書で開示する
ようにシリコン膜のドープされていない部分は、水酸化
カリウムによってエッチングで除去される。
【００１９】より具体的にいうと、本発明はＸ線マスク
に適したシリコン膜材料、特にその組成、構造及び製造
方法に関するものである。このシリコン材料は、ＵＨＶ
／ＣＶＤ（超高真空化学蒸着）またはＡＰＣＶＤ（大気
圧化学蒸着）を用いて低温（約５００〜８５０℃）でエ
ピタキシアル成長させ、ホウ素で２×１０20原子／ｃｍ
3よりも高い（たとえば従来の高温エピ・シリコンの１
０〜１００倍の）濃度範囲でドープさせる。また、５×
１０20原子／ｃｍ3よりも高い濃度範囲のゲルマニウ
ム、あるいは所期の応力補償を誘発する点でホウ素また
はゲルマニウムと類似の効果のある他の応力補償ドーパ
ントでドープしてもよい。たとえば、アンチモン、ガリ
ウム、アルミニウムはゲルマニウムと同様にシリコン原
子よりも大きく、膜上で圧縮応力を発生する。炭素など
の原子はホウ素と同様にシリコン原子よりも小さく、膜
上で引張り応力を発生する。その結果、応力を補償す
る、欠陥のない透明な膜が得られる。
に適したシリコン膜材料、特にその組成、構造及び製造
方法に関するものである。このシリコン材料は、ＵＨＶ
／ＣＶＤ（超高真空化学蒸着）またはＡＰＣＶＤ（大気
圧化学蒸着）を用いて低温（約５００〜８５０℃）でエ
ピタキシアル成長させ、ホウ素で２×１０20原子／ｃｍ
3よりも高い（たとえば従来の高温エピ・シリコンの１
０〜１００倍の）濃度範囲でドープさせる。また、５×
１０20原子／ｃｍ3よりも高い濃度範囲のゲルマニウ
ム、あるいは所期の応力補償を誘発する点でホウ素また
はゲルマニウムと類似の効果のある他の応力補償ドーパ
ントでドープしてもよい。たとえば、アンチモン、ガリ
ウム、アルミニウムはゲルマニウムと同様にシリコン原
子よりも大きく、膜上で圧縮応力を発生する。炭素など
の原子はホウ素と同様にシリコン原子よりも小さく、膜
上で引張り応力を発生する。その結果、応力を補償す
る、欠陥のない透明な膜が得られる。
【００２０】このように低温法によってドーパントの範
囲増大が可能になったため、これらのドーパントに関連
する膜の引張り応力及び圧縮応力と歪みのより大幅な制
御が可能となる。この膜は単層でも多層でもよく、基板
上でのその応力のバランスをとるため、基板の両面に同
時に成長させる。このバランスはＸ線マスクの応用例で
重要である。この簡略なマスク製造方法は、基板表面に
１つまたは複数の様々なドーピング濃度のシリコン層を
付着させて、各層上に精密に形成された極めて薄い単結
晶シリコン被膜のスタックからなる積層膜構造を形成す
るものである。片面上のエピ層を中心付近で選択的にエ
ッチングし、次いでＫＯＨまたは他の適切なシリコン・
エッチャントによって開口を通して反対側まで基板をエ
ッチングする。熱濃水酸化カリウムで基板をエッチング
する間、ドープされたエピ膜材料が膜の外部層を形成
し、ＫＯＨに対して耐性をもつので、膜を保護するため
のマスク用被膜は不要である。周囲の基板は膜用の応力
に中立な支持リングとして働き、膜はＸ線用の透明なウ
ィンドウとして機能する。この低温処理によって、膜の
内部特性及び表面特性を独立かつ正確に制御することが
可能となり、層間の不純物拡散及び欠陥の生成が最小限
に抑えられる。Ｘ線リソグラフィ用のマスクとしての応
用例の他に、この膜は、実装及び集積回路の応用例なら
びにダイアフラムの使用を伴う（トランスデューサ、ア
クチュエータ、センサなどの）超小型機械装置（たとえ
ば圧力トランスデューサ、カンチレバー、マイクロブリ
ッジ）でエッチ・ストップとして使用できる。
囲増大が可能になったため、これらのドーパントに関連
する膜の引張り応力及び圧縮応力と歪みのより大幅な制
御が可能となる。この膜は単層でも多層でもよく、基板
上でのその応力のバランスをとるため、基板の両面に同
時に成長させる。このバランスはＸ線マスクの応用例で
重要である。この簡略なマスク製造方法は、基板表面に
１つまたは複数の様々なドーピング濃度のシリコン層を
付着させて、各層上に精密に形成された極めて薄い単結
晶シリコン被膜のスタックからなる積層膜構造を形成す
るものである。片面上のエピ層を中心付近で選択的にエ
ッチングし、次いでＫＯＨまたは他の適切なシリコン・
エッチャントによって開口を通して反対側まで基板をエ
ッチングする。熱濃水酸化カリウムで基板をエッチング
する間、ドープされたエピ膜材料が膜の外部層を形成
し、ＫＯＨに対して耐性をもつので、膜を保護するため
のマスク用被膜は不要である。周囲の基板は膜用の応力
に中立な支持リングとして働き、膜はＸ線用の透明なウ
ィンドウとして機能する。この低温処理によって、膜の
内部特性及び表面特性を独立かつ正確に制御することが
可能となり、層間の不純物拡散及び欠陥の生成が最小限
に抑えられる。Ｘ線リソグラフィ用のマスクとしての応
用例の他に、この膜は、実装及び集積回路の応用例なら
びにダイアフラムの使用を伴う（トランスデューサ、ア
クチュエータ、センサなどの）超小型機械装置（たとえ
ば圧力トランスデューサ、カンチレバー、マイクロブリ
ッジ）でエッチ・ストップとして使用できる。
【００２１】
【実施例】本明細書では、ドーピングとは、半導体材料
に不純物を添加することを指す。ドーピングにより、様
々な導電度のｎ型及びｐ型半導体の製造が可能となる。
一般にドーピングの度合いが大きいほど、導電性も高く
なる。
に不純物を添加することを指す。ドーピングにより、様
々な導電度のｎ型及びｐ型半導体の製造が可能となる。
一般にドーピングの度合いが大きいほど、導電性も高く
なる。
【００２２】ｎ型材料とは、電子供与体型不純物でドー
プされ、その結果、電子を介して電流を運ぶ半導体材料
をいう。ｐ型材料とは、電子受容体型不純物でドープさ
れ、その結果、正孔の移動を介して電流を運ぶ半導体材
料をいう。
プされ、その結果、電子を介して電流を運ぶ半導体材料
をいう。ｐ型材料とは、電子受容体型不純物でドープさ
れ、その結果、正孔の移動を介して電流を運ぶ半導体材
料をいう。
【００２３】単結晶材料とは、そのサンプルが寸法の如
何にかかわらず、単一の結晶からなる、すなわち晶粒境
界のない半導体などの物質をいう（境界を接するいくつ
かの別々の結晶と対比される）。
何にかかわらず、単一の結晶からなる、すなわち晶粒境
界のない半導体などの物質をいう（境界を接するいくつ
かの別々の結晶と対比される）。
【００２４】エピタキシアル成長とは、温度、雰囲気、
流量、幾何形状を注意深く制御したチャンバ内で、シリ
コンを含むソース（たとえばシランＳiＨ4）からウェハ
上にシリコンを付着させることによって、シリコン・ウ
ェハ上に単結晶シリコンを生成させることをいう。
流量、幾何形状を注意深く制御したチャンバ内で、シリ
コンを含むソース（たとえばシランＳiＨ4）からウェハ
上にシリコンを付着させることによって、シリコン・ウ
ェハ上に単結晶シリコンを生成させることをいう。
【００２５】エピタキシとは、同じ材料の表面に成長さ
せた単結晶材料の薄い被膜中の原子がその特徴的な配列
を継続している状態をいう。エピタキシアル・シリコン
原子は完全な列として配列しており、したがって配列及
び配向において固有の対称性を示す。
せた単結晶材料の薄い被膜中の原子がその特徴的な配列
を継続している状態をいう。エピタキシアル・シリコン
原子は完全な列として配列しており、したがって配列及
び配向において固有の対称性を示す。
【００２６】前述のように、本発明の広義の概念は、Ｘ
線リソグラフィで使用するのに適したシリコン膜材料を
対象とする。この材料は、ホウ素及びゲルマニウムで異
常に大きな濃度範囲にわたってドープすることのできる
単結晶シリコンである。ホウ素及びゲルマニウムは、単
結晶シリコンの結晶格子構造に対する作用が最小で、か
つドープされたシリコンの電気的属性に対する作用が最
大であるため、たとえばリンとヒ素に劣らない適切なド
ーパントである。単結晶シリコンにドーパントを添加す
るとき、ドーパントは以前にシリコン原子が占めていた
空間を占める。このため、摂動が生じてシリコンの電気
的特性を変化させる。ただし、ドーピングによって結晶
構造中に欠陥が発生して摂動を生じることもあり得る。
このような欠陥の１つに、結晶の亀裂があり、このよう
な欠陥はドーピングの結果生じる応力によって引き起こ
される。したがって、ドープされたシリコンを形成する
際、結晶性シリコン内の応力を緩和しながら、同時に結
晶構造中に欠陥を発生させないことが重要である。膜の
エピタキシアル形成のために結晶構造を維持しなければ
ならない。このシリコン膜材料を、シリコン１ｃｍ3当
たりホウ素２×１０2 0原子よりも高い濃度範囲のホウ
素、またはシリコン１ｃｍ3当たりゲルマニウム５×１
０20原子よりも高い濃度範囲のゲルマニウムでドープす
る。またこのシリコン膜材料を、これらの濃度範囲のホ
ウ素とゲルマニウムの組合せでドープしてもよい。こう
した高いドーパント濃度でも、シリコン材料はＸ線リソ
グラフィ用の適当な膜を形成するのに必要な対称性と純
度を維持する。
線リソグラフィで使用するのに適したシリコン膜材料を
対象とする。この材料は、ホウ素及びゲルマニウムで異
常に大きな濃度範囲にわたってドープすることのできる
単結晶シリコンである。ホウ素及びゲルマニウムは、単
結晶シリコンの結晶格子構造に対する作用が最小で、か
つドープされたシリコンの電気的属性に対する作用が最
大であるため、たとえばリンとヒ素に劣らない適切なド
ーパントである。単結晶シリコンにドーパントを添加す
るとき、ドーパントは以前にシリコン原子が占めていた
空間を占める。このため、摂動が生じてシリコンの電気
的特性を変化させる。ただし、ドーピングによって結晶
構造中に欠陥が発生して摂動を生じることもあり得る。
このような欠陥の１つに、結晶の亀裂があり、このよう
な欠陥はドーピングの結果生じる応力によって引き起こ
される。したがって、ドープされたシリコンを形成する
際、結晶性シリコン内の応力を緩和しながら、同時に結
晶構造中に欠陥を発生させないことが重要である。膜の
エピタキシアル形成のために結晶構造を維持しなければ
ならない。このシリコン膜材料を、シリコン１ｃｍ3当
たりホウ素２×１０2 0原子よりも高い濃度範囲のホウ
素、またはシリコン１ｃｍ3当たりゲルマニウム５×１
０20原子よりも高い濃度範囲のゲルマニウムでドープす
る。またこのシリコン膜材料を、これらの濃度範囲のホ
ウ素とゲルマニウムの組合せでドープしてもよい。こう
した高いドーパント濃度でも、シリコン材料はＸ線リソ
グラフィ用の適当な膜を形成するのに必要な対称性と純
度を維持する。
【００２７】シリコン膜材料は、低温でエピタキシアル
成長させ、上記の濃度範囲のホウ素またはゲルマニウ
ム、あるいはその両方でドープすることが好ましい。こ
れらの濃度範囲は、従来の高温エピタキシアル形成で達
成できる範囲よりもずっと広い。この半導体表面上への
エピタキシアル付着によって、下記のようにエピタキシ
アル・シリコン膜を形成するのに使用できる膜材料の層
が得られる。拡散、エピタキシ、またはイオン注入法を
使用した従来の高温（１，０００℃以上）膜形成法は、
ホウ素濃度が２〜３×１０20原子／ｃｍ3までに制限さ
れている。ドーパント濃度範囲が広くなったため、膜の
引張り応力及び圧縮応力のより大幅な制御が可能にな
り、欠陥が除去されまたは最小限に抑えられる。
成長させ、上記の濃度範囲のホウ素またはゲルマニウ
ム、あるいはその両方でドープすることが好ましい。こ
れらの濃度範囲は、従来の高温エピタキシアル形成で達
成できる範囲よりもずっと広い。この半導体表面上への
エピタキシアル付着によって、下記のようにエピタキシ
アル・シリコン膜を形成するのに使用できる膜材料の層
が得られる。拡散、エピタキシ、またはイオン注入法を
使用した従来の高温（１，０００℃以上）膜形成法は、
ホウ素濃度が２〜３×１０20原子／ｃｍ3までに制限さ
れている。ドーパント濃度範囲が広くなったため、膜の
引張り応力及び圧縮応力のより大幅な制御が可能にな
り、欠陥が除去されまたは最小限に抑えられる。
【００２８】このエピタキシアル膜は単層にも多層にも
できる。多層膜では、薄い拡散的エピタキシアル被膜を
順に付着するが、付着が低温で行われるために、個々の
被膜の厚さと組成が精密に判断でき、層間の不純物及び
拡散が最小限に抑えられる。積層構造の個々の層（図４
の２０、２２、２４、２６、２８、３０）の厚さとドー
パント濃度を調節することにより、膜の内部及び表面の
特性を独立にかつ正確に制御し、かつ膜の電気的特性を
調整することが可能である。各層は僅か原子３〜４個分
の高さに付着することができ、後の層を異なるドーパン
ト濃度で付着できる。この積層成形の結果、連続する各
層内及び各層間の原子の相互作用のために、非常に興味
深い諸特性を有する超格子が得られる。シリコン原子と
ドーパント原子の寸法及び近接の結果、相互作用が生じ
る。このような多層エピタキシアル構造は、従来の方法
では製造できない。付着が低温で行われるため、高温処
理によって誘発される欠陥（たとえば、酸化物の沈着）
と歪みが最小限に抑えられる。
できる。多層膜では、薄い拡散的エピタキシアル被膜を
順に付着するが、付着が低温で行われるために、個々の
被膜の厚さと組成が精密に判断でき、層間の不純物及び
拡散が最小限に抑えられる。積層構造の個々の層（図４
の２０、２２、２４、２６、２８、３０）の厚さとドー
パント濃度を調節することにより、膜の内部及び表面の
特性を独立にかつ正確に制御し、かつ膜の電気的特性を
調整することが可能である。各層は僅か原子３〜４個分
の高さに付着することができ、後の層を異なるドーパン
ト濃度で付着できる。この積層成形の結果、連続する各
層内及び各層間の原子の相互作用のために、非常に興味
深い諸特性を有する超格子が得られる。シリコン原子と
ドーパント原子の寸法及び近接の結果、相互作用が生じ
る。このような多層エピタキシアル構造は、従来の方法
では製造できない。付着が低温で行われるため、高温処
理によって誘発される欠陥（たとえば、酸化物の沈着）
と歪みが最小限に抑えられる。
【００２９】様々なエピタキシアル付着条件の下で、厚
さ０．１〜２．５ミクロンのホウ素とゲルマニウムで高
濃度にドーピングした大面積の膜を製造して、引張り力
または圧縮力をかけながら膜を形成した。Ｘ線マスク用
として、図１ないし図４に示した簡略な製造工程によっ
て、直径５ｍｍ、厚さ２ミクロンの欠陥のない引張り応
力のかかった膜が容易に作成できた。
さ０．１〜２．５ミクロンのホウ素とゲルマニウムで高
濃度にドーピングした大面積の膜を製造して、引張り力
または圧縮力をかけながら膜を形成した。Ｘ線マスク用
として、図１ないし図４に示した簡略な製造工程によっ
て、直径５ｍｍ、厚さ２ミクロンの欠陥のない引張り応
力のかかった膜が容易に作成できた。
【００３０】この方法は、独特の能力を有し、超真空
（ＵＨＶ）を必要とするエピタキシアル化学蒸着（ＣＶ
Ｄ）であり、極めて低い温度で実施される。このＵＨＶ
／ＣＶＤ法は、Ｘ線マスク用として非常に有利なよう
に、膜材料の特性と微細構造を調整するために探究され
たのである。本発明はまた、マスク層を必要としない簡
略なエッチングによってどのように膜が作成できるかを
も教示している。
（ＵＨＶ）を必要とするエピタキシアル化学蒸着（ＣＶ
Ｄ）であり、極めて低い温度で実施される。このＵＨＶ
／ＣＶＤ法は、Ｘ線マスク用として非常に有利なよう
に、膜材料の特性と微細構造を調整するために探究され
たのである。本発明はまた、マスク層を必要としない簡
略なエッチングによってどのように膜が作成できるかを
も教示している。
【００３１】具体的には、図１ないし図４に、本発明の
エピタキシアル・シリコン膜（１４の中心部分）を製造
する方法を示す。この方法は、約５００〜８５０℃の範
囲の低い温度で化学蒸着を用いて基板表面にシリコンの
被膜（または層）をエピタキシアル成長させるものであ
る。図２に示すように、エピタキシアル付着によってシ
リコン・ウェハ１０上にシリコン層１２と１４を付着す
る。シリコン層１２と１４はそれぞれ単層でも複層でも
よい。図４に、シリコン層２０、２２、２４、２６、２
８、３０を含む複層構造を示す。図１ないし図４に示し
たこの特定の構造では、層１２はドープされたシリコン
でも未ドープのシリコンでもよい。リソグラフィを用い
て、シリコンのエピタキシアル付着層１２をエッチング
する（１６）。この時点で層１４はまだエッチングされ
ていない。層１２をエッチングした後、得られた構造を
ＫＯＨを使ってエッチングする。ＫＯＨは、シリコン本
体１０を貫通して、エピタキシアル・シリコン層２０と
シリコン本体１０の界面までエッチングする（１８）。
層２０は、ＫＯＨによって層１４を通してエッチングさ
れないように、高濃度にドープしなければならない。構
造全体をＫＯＨに浸漬するので、層３０も、ＫＯＨによ
って反対側から層１４を介してエッチングされないよう
に、高濃度にドープしなければならない。層１４が単層
の場合は、層全体を高濃度にエッチングしなければなら
ない。図４の構造では、層２２、２４、２６、２８はど
んなドーパント濃度でドープしても、またドープしなく
てもよい。高濃度にドープされた層２０と３０がこれら
の内部層をＫＯＨエッチングから保護しているからであ
る。ＫＯＨによるエッチングの完了後、得られた構造
は、シリコン本体１０で支持された、エピタキシアル成
長したシリコン膜（１４の中心）となる。このシリコン
膜は十分に薄く（たとえば約１００ｎｍ）Ｘ線に対して
透過性であり、したがってＸ線マスクの製造に使用でき
る。
エピタキシアル・シリコン膜（１４の中心部分）を製造
する方法を示す。この方法は、約５００〜８５０℃の範
囲の低い温度で化学蒸着を用いて基板表面にシリコンの
被膜（または層）をエピタキシアル成長させるものであ
る。図２に示すように、エピタキシアル付着によってシ
リコン・ウェハ１０上にシリコン層１２と１４を付着す
る。シリコン層１２と１４はそれぞれ単層でも複層でも
よい。図４に、シリコン層２０、２２、２４、２６、２
８、３０を含む複層構造を示す。図１ないし図４に示し
たこの特定の構造では、層１２はドープされたシリコン
でも未ドープのシリコンでもよい。リソグラフィを用い
て、シリコンのエピタキシアル付着層１２をエッチング
する（１６）。この時点で層１４はまだエッチングされ
ていない。層１２をエッチングした後、得られた構造を
ＫＯＨを使ってエッチングする。ＫＯＨは、シリコン本
体１０を貫通して、エピタキシアル・シリコン層２０と
シリコン本体１０の界面までエッチングする（１８）。
層２０は、ＫＯＨによって層１４を通してエッチングさ
れないように、高濃度にドープしなければならない。構
造全体をＫＯＨに浸漬するので、層３０も、ＫＯＨによ
って反対側から層１４を介してエッチングされないよう
に、高濃度にドープしなければならない。層１４が単層
の場合は、層全体を高濃度にエッチングしなければなら
ない。図４の構造では、層２２、２４、２６、２８はど
んなドーパント濃度でドープしても、またドープしなく
てもよい。高濃度にドープされた層２０と３０がこれら
の内部層をＫＯＨエッチングから保護しているからであ
る。ＫＯＨによるエッチングの完了後、得られた構造
は、シリコン本体１０で支持された、エピタキシアル成
長したシリコン膜（１４の中心）となる。このシリコン
膜は十分に薄く（たとえば約１００ｎｍ）Ｘ線に対して
透過性であり、したがってＸ線マスクの製造に使用でき
る。
【００３２】図１に示すように、シリコン被膜が付着さ
れる基板１０が２つの表面を有し、両方の表面で同時に
エピタキシアル付着が起こることが好ましい。このこと
は、基板上の応力をよりうまく調節し、マスクの製造を
簡単にするために、高濃度にドープされた外側層を得る
ために重要である。こうすると、ウェハ上の引張り応力
が対称形になるという重要な利益が得られる。このよう
な積層膜構造は超格子と類似しており、高温度では、積
層全体でドーパントの外方分散または汚染が起こるので
作成できない。成層及びドーパント濃度の範囲によって
得られる自由裁量の範囲により、膜内の応力の調節がは
るかにうまく行えるようになった。
れる基板１０が２つの表面を有し、両方の表面で同時に
エピタキシアル付着が起こることが好ましい。このこと
は、基板上の応力をよりうまく調節し、マスクの製造を
簡単にするために、高濃度にドープされた外側層を得る
ために重要である。こうすると、ウェハ上の引張り応力
が対称形になるという重要な利益が得られる。このよう
な積層膜構造は超格子と類似しており、高温度では、積
層全体でドーパントの外方分散または汚染が起こるので
作成できない。成層及びドーパント濃度の範囲によって
得られる自由裁量の範囲により、膜内の応力の調節がは
るかにうまく行えるようになった。
【００３３】またこのドープされたシリコン膜材料を用
いて、積層した多層エピタキシアル膜中の個々の層の組
成が制御できる。というのは、ＫＯＨを使ってこの膜を
エッチングするとき、ドーパント濃度がエッチ・ストッ
プとして働くからである。したがって、（図１ないし図
４に示すように、）膜表面を高濃度にドープすることに
よって、このエッチ・ストップが生成されるために、基
板のエッチング中にマスキングは不要である。積層した
多層エピタキシアル膜の個々の層の組成が制御できるこ
とは、低温エピタキシアル付着法の独特の属性である。
いて、積層した多層エピタキシアル膜中の個々の層の組
成が制御できる。というのは、ＫＯＨを使ってこの膜を
エッチングするとき、ドーパント濃度がエッチ・ストッ
プとして働くからである。したがって、（図１ないし図
４に示すように、）膜表面を高濃度にドープすることに
よって、このエッチ・ストップが生成されるために、基
板のエッチング中にマスキングは不要である。積層した
多層エピタキシアル膜の個々の層の組成が制御できるこ
とは、低温エピタキシアル付着法の独特の属性である。
【００３４】具体的には、ドープしたエピ層は、ホウ素
ドーパント濃度が５×１０20/cm3よりも高い場合、熱濃
ＫＯＨ溶液中で実際上エッチングされない。熱濃ＫＯＨ
溶液中でエッチ・ストップとして機能するには、厚さ約
１０ｍｍの層で十分である。多層エピタキシアル膜の外
部層（または単層膜の単一層）のように高濃度にドープ
されたエピ層を使用することにより、エピタキシアル・
シリコン膜を保護するためのマスキング被膜または被膜
が不要になり、したがって製造工程がかなり簡単になる
（図１ないし図４参照）。通常なら、エッチング中にホ
ウ素でドープしたシリコン膜を保護するには、二酸化シ
リコンまたは窒化シリコンの被膜が必要である。
ドーパント濃度が５×１０20/cm3よりも高い場合、熱濃
ＫＯＨ溶液中で実際上エッチングされない。熱濃ＫＯＨ
溶液中でエッチ・ストップとして機能するには、厚さ約
１０ｍｍの層で十分である。多層エピタキシアル膜の外
部層（または単層膜の単一層）のように高濃度にドープ
されたエピ層を使用することにより、エピタキシアル・
シリコン膜を保護するためのマスキング被膜または被膜
が不要になり、したがって製造工程がかなり簡単になる
（図１ないし図４参照）。通常なら、エッチング中にホ
ウ素でドープしたシリコン膜を保護するには、二酸化シ
リコンまたは窒化シリコンの被膜が必要である。
【００３５】このようにして作成したエピタキシアルＵ
ＨＶ／ＣＶＤシリコン膜が現在得られるシリコン膜に比
べて優れているのは、下記の理由による。 １．膜中の欠陥、特にスリップ・ラインを完全になくす
ことができ、信頼性と光透過性が増大する。 ２．組成及び積層によって膜の機械的応力を調節するこ
とができ、膜の歪み及び強度のより大幅な制御が可能と
なる。 ３．膜の作成に近い温度を使用するため、反り及び歪み
が最小限に抑えられる。 ４．マスキングで被膜が不要になって膜エッチング手段
が簡単になるので、製造コストが低下する。
ＨＶ／ＣＶＤシリコン膜が現在得られるシリコン膜に比
べて優れているのは、下記の理由による。 １．膜中の欠陥、特にスリップ・ラインを完全になくす
ことができ、信頼性と光透過性が増大する。 ２．組成及び積層によって膜の機械的応力を調節するこ
とができ、膜の歪み及び強度のより大幅な制御が可能と
なる。 ３．膜の作成に近い温度を使用するため、反り及び歪み
が最小限に抑えられる。 ４．マスキングで被膜が不要になって膜エッチング手段
が簡単になるので、製造コストが低下する。
【００３６】本発明の１つの好ましい実施例では、下記
のＵＨＶ／ＣＶＤ条件を用いてエピタキシアル層を形成
する。 ガス：ソースとしてのＳiＨ4（シラン）中にＢ2Ｈ6（ジ
ボラン）１％、ＧeＨ4（ゲルマン）０．５％。 圧力：０．００１トル 付着速度：毎分約５〜１０オングストローム 温度：５００℃ チャンバ内のウェハ数：３５枚 シリコンの低温エピタキシアル付着に関する詳しい考察
は、Ｂ．Ｓ．マイヤーソン（Meyerson）等の論文 "Non-
Equiligrium Boron Doping Effects in LowTemperature
Epitaxial Si"、Applied Physics Letter,Vol.50,P.11
9(1985)、及びＢ．Ｓ．マイヤーソン等の論文"Cooperat
ive Growth Phenomena in Si:Ge LowTemperature Epita
xy", Applied Physics Letter,Vol.53,P.2555(1988)に
出ている。上記の両論文を引用により本明細書に合体す
る。
のＵＨＶ／ＣＶＤ条件を用いてエピタキシアル層を形成
する。 ガス：ソースとしてのＳiＨ4（シラン）中にＢ2Ｈ6（ジ
ボラン）１％、ＧeＨ4（ゲルマン）０．５％。 圧力：０．００１トル 付着速度：毎分約５〜１０オングストローム 温度：５００℃ チャンバ内のウェハ数：３５枚 シリコンの低温エピタキシアル付着に関する詳しい考察
は、Ｂ．Ｓ．マイヤーソン（Meyerson）等の論文 "Non-
Equiligrium Boron Doping Effects in LowTemperature
Epitaxial Si"、Applied Physics Letter,Vol.50,P.11
9(1985)、及びＢ．Ｓ．マイヤーソン等の論文"Cooperat
ive Growth Phenomena in Si:Ge LowTemperature Epita
xy", Applied Physics Letter,Vol.53,P.2555(1988)に
出ている。上記の両論文を引用により本明細書に合体す
る。
【００３７】
【発明の効果】本発明により、低温法によってドーパン
トの範囲拡大が可能になり、そのためこれらのドーパン
トに関連する膜の引張り応力及び圧縮圧力と歪みのより
大幅な制御が可能になる。
トの範囲拡大が可能になり、そのためこれらのドーパン
トに関連する膜の引張り応力及び圧縮圧力と歪みのより
大幅な制御が可能になる。
【図１】本発明によるエピタキシアル・シリコン膜の製
造工程の１ステップを示す図である。
造工程の１ステップを示す図である。
【図２】本発明によるエピタキシアル・シリコン膜の製
造工程の１ステップを示す図である。
造工程の１ステップを示す図である。
【図３】本発明によるエピタキシアル・シリコン膜の製
造工程の１ステップを示す図である。
造工程の１ステップを示す図である。
【図４】本発明によるエピタキシアル・シリコン膜の製
造工程の１ステップを示す図である。
造工程の１ステップを示す図である。
１０ シリコン・ウェハ（基板） １２ シリコン層 １４ シリコン層 ２０ 高ドープ・エピタキシアル・シリコン層 ２２ 内部シリコン層 ２４ 内部シリコン層 ２６ 内部シリコン層 ２８ 内部シリコン層 ３０ 高ドープ・シリコン層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 バーナード・エス・マイヤーソン アメリカ合衆国10598、ニューヨーク州ヨ ークタウン・ハイツ、カリフォルニア・ロ ード 235番地 (72)発明者 ケヴィン・ジェイ・ユーラム アメリカ合衆国94550、カリフォルニア州 リヴァーモア、ウォールナット・ストリー ト 2066番地
Claims (4)
- 【請求項１】シリコン１ｃｍ3当たりホウ素原子２×１
０20個よりも高い濃度範囲のホウ素またはシリコン１ｃ
ｍ3当たりゲルマニウム原子５×１０20個よりも高い濃
度範囲のゲルマニウムでドープしたシリコンを含む膜材
料。 - 【請求項２】シリコン１ｃｍ3当たりホウ素原子２×１
０20個よりも高い濃度範囲のホウ素とシリコン１ｃｍ3
当たりゲルマニウム原子５×１０20個よりも高い濃度範
囲のゲルマニウムでドープしたシリコンを含む膜材料。 - 【請求項３】１つまたは複数のエピタキシアル付着した
シリコン層を含み、上記シリコン層のうち少なくとも１
層が、シリコン１ｃｍ3当たりホウ素原子２×１０20個
よりも高い濃度範囲のホウ素でドープしたシリコンと、
シリコン１ｃｍ3当たりゲルマニウム原子５×１０20個
よりも高い濃度範囲のゲルマニウムでドープしたシリコ
ンと、シリコン１ｃｍ3当たりホウ素原子２×１０20個
よりも高い濃度範囲のホウ素及びシリコン１ｃｍ3当た
りゲルマニウム原子５×１０20個よりも高い濃度範囲の
ゲルマニウムでドープしたシリコンとからなる群のうち
から選択されたものである、エピタキシアル・シリコン
膜。 - 【請求項４】化学蒸着を用いて５００〜８５０℃の範囲
の温度で基板表面にシリコンの１つまたは複数の被膜を
エピタキシアルに成長させるステップと、 上記成長の間に、上記シリコン被膜の少なくとも１つ
を、シリコン１ｃｍ3当たりホウ素原子２×１０20個よ
りも高い濃度範囲のホウ素と、シリコン１ｃｍ3当たり
ゲルマニウム原子５×１０20個よりも高い濃度範囲のゲ
ルマニウムと、シリコン１ｃｍ3当たりホウ素原子２×
１０20個よりも高い濃度範囲のホウ素及びシリコン１ｃ
ｍ3当たりゲルマニウム原子５×１０20個よりも高い濃
度範囲のゲルマニウムとからなる群のうちから選択され
たあるドーパントでドープするステップとを含む、請求
項３に記載のエピタキシアル・シリコン膜を作成する方
法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/774,010 US5273829A (en) | 1991-10-08 | 1991-10-08 | Epitaxial silicon membranes |
| US774010 | 1991-10-08 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05226247A true JPH05226247A (ja) | 1993-09-03 |
| JPH07111956B2 JPH07111956B2 (ja) | 1995-11-29 |
Family
ID=25099971
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23081392A Expired - Lifetime JPH07111956B2 (ja) | 1991-10-08 | 1992-08-31 | エピタキシアル・シリコン膜 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US5273829A (ja) |
| JP (1) | JPH07111956B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07147420A (ja) * | 1993-11-25 | 1995-06-06 | Nec Corp | 可変容量装置および該可変容量装置を有する半導体集積回路装置 |
| JP2006186999A (ja) * | 2004-12-27 | 2006-07-13 | General Electric Co <Ge> | エピタキシャル・シリコン膜によって製作した容量性マイクロマシン加工超音波トランスジューサ |
| JP2015523714A (ja) * | 2012-05-21 | 2015-08-13 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | リフレクタ、ペリクル、リソグラフィマスク、膜、スペクトル純度フィルタ、および、装置 |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5738731A (en) | 1993-11-19 | 1998-04-14 | Mega Chips Corporation | Photovoltaic device |
| EP0799495A4 (en) * | 1994-11-10 | 1999-11-03 | Lawrence Semiconductor Researc | Silicon-germanium-carbon compositions and processes thereof |
| US5937312A (en) * | 1995-03-23 | 1999-08-10 | Sibond L.L.C. | Single-etch stop process for the manufacture of silicon-on-insulator wafers |
| US5494849A (en) * | 1995-03-23 | 1996-02-27 | Si Bond L.L.C. | Single-etch stop process for the manufacture of silicon-on-insulator substrates |
| US5976941A (en) * | 1997-06-06 | 1999-11-02 | The Whitaker Corporation | Ultrahigh vacuum deposition of silicon (Si-Ge) on HMIC substrates |
| JPH1138192A (ja) * | 1997-07-17 | 1999-02-12 | Nikon Corp | 多層膜反射鏡 |
| US6410360B1 (en) | 1999-01-26 | 2002-06-25 | Teledyne Industries, Inc. | Laminate-based apparatus and method of fabrication |
| US20020179563A1 (en) * | 2001-06-04 | 2002-12-05 | Horning Robert D. | Application of a strain-compensated heavily doped etch stop for silicon structure formation |
| CA2759750C (en) * | 2002-02-20 | 2014-02-04 | Acumentrics Corporation | Fuel cell stacking and sealing |
| EP1378947A1 (en) * | 2002-07-01 | 2004-01-07 | Interuniversitair Microelektronica Centrum Vzw | Semiconductor etching paste and the use thereof for localised etching of semiconductor substrates |
| DE10260860B4 (de) * | 2002-12-23 | 2008-07-10 | Robert Bosch Gmbh | Schicht aus Si1-xGex, Verfahren zu deren Herstellung und mikromechanisches Bauelement damit |
| US7232631B2 (en) * | 2003-05-08 | 2007-06-19 | Dai Nippon Prinitng Co., Ltd. | Mask for charged particle beam exposure, and method of forming the same |
| GB2490546A (en) * | 2011-05-06 | 2012-11-07 | Univ Warwick | Semiconductor structure |
| US9152036B2 (en) * | 2013-09-23 | 2015-10-06 | National Synchrotron Radiation Research Center | X-ray mask structure and method for preparing the same |
| CN111508897A (zh) * | 2019-01-31 | 2020-08-07 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 半导体器件及其形成方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5440076A (en) * | 1977-09-05 | 1979-03-28 | Matsushita Electronics Corp | P-type silicon substrate for epitaxial crowth |
| JPS6135449A (ja) * | 1984-07-07 | 1986-02-19 | テレフンケン・エレクトロニク・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング | レントゲンリトグラフイ用マスク |
| JPS6390152A (ja) * | 1986-10-02 | 1988-04-21 | Fujitsu Ltd | 半導体素子形成用基板の製造方法 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3070833D1 (en) * | 1980-09-19 | 1985-08-08 | Ibm Deutschland | Structure with a silicon body that presents an aperture and method of making this structure |
| JPS58192044A (ja) * | 1982-05-06 | 1983-11-09 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 感光体 |
| AU549925B2 (en) * | 1983-11-28 | 1986-02-20 | Nitsuko Ltd. | Automatic telephone hold releasing circuit |
| JPS61110152A (ja) * | 1984-11-05 | 1986-05-28 | Minolta Camera Co Ltd | 感光体 |
| US4778692A (en) * | 1985-02-20 | 1988-10-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for forming deposited film |
| US4885226A (en) * | 1986-01-18 | 1989-12-05 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Electrophotographic photosensitive sensor |
| DE3677005D1 (de) * | 1986-05-06 | 1991-02-21 | Ibm Deutschland | Maske fuer die ionen-, elektronen- oder roentgenstrahllithographie und verfahren zur ihrer herstellung. |
| US5049640A (en) * | 1989-02-23 | 1991-09-17 | Shell Oil Company | Polyetherketones |
| US5259918A (en) * | 1991-06-12 | 1993-11-09 | International Business Machines Corporation | Heteroepitaxial growth of germanium on silicon by UHV/CVD |
| US5286334A (en) * | 1991-10-21 | 1994-02-15 | International Business Machines Corporation | Nonselective germanium deposition by UHV/CVD |
-
1991
- 1991-10-08 US US07/774,010 patent/US5273829A/en not_active Expired - Fee Related
-
1992
- 1992-08-31 JP JP23081392A patent/JPH07111956B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1993
- 1993-09-13 US US08/120,290 patent/US5357899A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5440076A (en) * | 1977-09-05 | 1979-03-28 | Matsushita Electronics Corp | P-type silicon substrate for epitaxial crowth |
| JPS6135449A (ja) * | 1984-07-07 | 1986-02-19 | テレフンケン・エレクトロニク・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング | レントゲンリトグラフイ用マスク |
| JPS6390152A (ja) * | 1986-10-02 | 1988-04-21 | Fujitsu Ltd | 半導体素子形成用基板の製造方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07147420A (ja) * | 1993-11-25 | 1995-06-06 | Nec Corp | 可変容量装置および該可変容量装置を有する半導体集積回路装置 |
| JP2006186999A (ja) * | 2004-12-27 | 2006-07-13 | General Electric Co <Ge> | エピタキシャル・シリコン膜によって製作した容量性マイクロマシン加工超音波トランスジューサ |
| JP2015523714A (ja) * | 2012-05-21 | 2015-08-13 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | リフレクタ、ペリクル、リソグラフィマスク、膜、スペクトル純度フィルタ、および、装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5357899A (en) | 1994-10-25 |
| JPH07111956B2 (ja) | 1995-11-29 |
| US5273829A (en) | 1993-12-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH05226247A (ja) | エピタキシアル・シリコン膜 | |
| US5906708A (en) | Silicon-germanium-carbon compositions in selective etch processes | |
| US5013681A (en) | Method of producing a thin silicon-on-insulator layer | |
| US4966663A (en) | Method for forming a silicon membrane with controlled stress | |
| US5760426A (en) | Heteroepitaxial semiconductor device including silicon substrate, GaAs layer and GaN layer #13 | |
| US5840616A (en) | Method for preparing semiconductor member | |
| US7579263B2 (en) | Threading-dislocation-free nanoheteroepitaxy of Ge on Si using self-directed touch-down of Ge through a thin SiO2 layer | |
| US5110373A (en) | Silicon membrane with controlled stress | |
| US3634150A (en) | Method for forming epitaxial crystals or wafers in selected regions of substrates | |
| KR100925310B1 (ko) | 고 완화율 및 저 적층 결함 밀도를 갖는 박막 ｓｇｏｉ웨이퍼를 형성하는 방법 | |
| JP2015503215A (ja) | 炭化ケイ素エピタキシャル成長法 | |
| JP2007511892A (ja) | 緩和シリコンゲルマニウム層のエピタキシャル成長 | |
| CN109678106B (zh) | 一种硅基异质集成4H-SiC外延薄膜结构的制备方法 | |
| JP7711317B2 (ja) | ３色３ｄ ｄｒａｍスタックおよび製作する方法 | |
| US7557027B2 (en) | Method of producing microcystalline silicon germanium suitable for micromachining | |
| US11519097B1 (en) | Strained diamond growing and doping method based on chemical vapor deposition (CVD) method | |
| AU651568B2 (en) | Method for forming crystalline deposited film | |
| KR100611108B1 (ko) | 박막 형성 방법 | |
| JP4943172B2 (ja) | シリコンエピタキシャル膜を有するｓｏｓ基板の形成法 | |
| JP2756320B2 (ja) | 結晶の形成方法 | |
| GB2514268A (en) | Silicon carbide epitaxy | |
| JP2651146B2 (ja) | 結晶の製造方法 | |
| CN1747130A (zh) | 基于金属诱导结晶工艺的新型Si基Ge量子点结构制备方法 | |
| JPS62132312A (ja) | 半導体薄膜の製造方法 | |
| CA2204394C (en) | Silicon-germanium-carbon compositions and processes thereof |