JPH052263A - マスク保護装置 - Google Patents
マスク保護装置Info
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- JPH052263A JPH052263A JP3180461A JP18046191A JPH052263A JP H052263 A JPH052263 A JP H052263A JP 3180461 A JP3180461 A JP 3180461A JP 18046191 A JP18046191 A JP 18046191A JP H052263 A JPH052263 A JP H052263A
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- mask
- pellicle frame
- pellicle
- pattern
- frame
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 マスクのパターンの周縁部分においてもペリ
クル枠による光の遮蔽がないマスク保護装置を提供する
ことである。 【構成】 ペリクル枠の内壁の傾斜が外側に開いた傾斜
を有し、その傾斜角が、使用する対物レンズの入射角よ
り大きいように構成した。 【効果】 マスクのパターンの周縁部分においても正常
な検査が可能となる。
クル枠による光の遮蔽がないマスク保護装置を提供する
ことである。 【構成】 ペリクル枠の内壁の傾斜が外側に開いた傾斜
を有し、その傾斜角が、使用する対物レンズの入射角よ
り大きいように構成した。 【効果】 マスクのパターンの周縁部分においても正常
な検査が可能となる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はマスク保護装置に関する
ものである。更に詳しくは半導体集積回路の製造に際し
て使用されるマスクあるいはレチクル（以下「マスク」
と総称する）に対する塵埃付着等を防止するマスク保護
装置に関するものである。
ものである。更に詳しくは半導体集積回路の製造に際し
て使用されるマスクあるいはレチクル（以下「マスク」
と総称する）に対する塵埃付着等を防止するマスク保護
装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のマスク保護装置として、所定の基
板上に形成されたパターン部分よりも広い開口部を有す
る枠の一方の開口面に、メンブレンと呼ばれる透明な薄
膜を張設し、該枠の他方の開口部を、パターン部分が枠
内に含まれるように基板に対して接着等により当接した
ものがある。この装置によりメンブレンはマスク表面か
ら一定距離をもって枠により支持されている。なお、必
要に応じてマスクの表裏いずれの面に対してもメンブレ
ンの張設された枠が当接される。このような保護装置は
ペリクルと通称されており、塵埃などのマスクへの付着
を防止し、マスクを保護する機能を有し、集積回路の生
産性向上に寄与するものである。従来のマスクの保護装
置（以下ペリクルと称する）は図４に示すようなもので
あった。図４は従来のマスクのペリクルの断面の一部を
示す図である。図４に示すようにマスク１のパターン面
１ｂに異物が付着しないように、枠部材（以下、ペリク
ル枠と称する）５ａ、５ｂに透明なメンブレン３ａ、３
ｂが保護膜として貼付けられている。
板上に形成されたパターン部分よりも広い開口部を有す
る枠の一方の開口面に、メンブレンと呼ばれる透明な薄
膜を張設し、該枠の他方の開口部を、パターン部分が枠
内に含まれるように基板に対して接着等により当接した
ものがある。この装置によりメンブレンはマスク表面か
ら一定距離をもって枠により支持されている。なお、必
要に応じてマスクの表裏いずれの面に対してもメンブレ
ンの張設された枠が当接される。このような保護装置は
ペリクルと通称されており、塵埃などのマスクへの付着
を防止し、マスクを保護する機能を有し、集積回路の生
産性向上に寄与するものである。従来のマスクの保護装
置（以下ペリクルと称する）は図４に示すようなもので
あった。図４は従来のマスクのペリクルの断面の一部を
示す図である。図４に示すようにマスク１のパターン面
１ｂに異物が付着しないように、枠部材（以下、ペリク
ル枠と称する）５ａ、５ｂに透明なメンブレン３ａ、３
ｂが保護膜として貼付けられている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、マスク
に付着している異物や欠陥を顕微鏡を使用して、光の透
過、散乱、反射等の状況により検査する時、従来のペリ
クルにおいてペリクル枠の遮光作用により、マスクのパ
ターンの周縁部分に正常な検査が行えない領域が存在し
てしまうという問題があった。
に付着している異物や欠陥を顕微鏡を使用して、光の透
過、散乱、反射等の状況により検査する時、従来のペリ
クルにおいてペリクル枠の遮光作用により、マスクのパ
ターンの周縁部分に正常な検査が行えない領域が存在し
てしまうという問題があった。
【０００４】本発明は上記の課題に鑑み、マスクのパタ
ーンの周縁部分において、光の入射及び射出を妨げるこ
とのないペリクル枠を有するペリクルを提供することを
目的とする。
ーンの周縁部分において、光の入射及び射出を妨げるこ
とのないペリクル枠を有するペリクルを提供することを
目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、マスク基板に
形成された原画パターンを含むパターン領域を塵埃等か
ら保護するために、マスク基板上のパターン領域の周囲
に設けた枠部材の上端に膜部材を張設したマスク保護装
置において、枠部材の内壁は、対向面の間隔が、上端に
向かって広がるように傾斜しているマスク保護装置を構
成した。その枠部材の内壁の傾斜量は、マスク基板の検
査に使用する顕微鏡の対物レンズ側に設けられたとき
は、対物レンズの入射角以上であり、マスク基板を照明
する照明系側に設けられたときは、照明系のコンデンサ
レンズの射出角以上であることが望ましいものとして構
成した。
形成された原画パターンを含むパターン領域を塵埃等か
ら保護するために、マスク基板上のパターン領域の周囲
に設けた枠部材の上端に膜部材を張設したマスク保護装
置において、枠部材の内壁は、対向面の間隔が、上端に
向かって広がるように傾斜しているマスク保護装置を構
成した。その枠部材の内壁の傾斜量は、マスク基板の検
査に使用する顕微鏡の対物レンズ側に設けられたとき
は、対物レンズの入射角以上であり、マスク基板を照明
する照明系側に設けられたときは、照明系のコンデンサ
レンズの射出角以上であることが望ましいものとして構
成した。
【０００６】
【作用】本発明においてはペリクル枠がマスクから上端
に向かって広がるように傾斜し、傾斜角の大きさは対物
レンズに入射する光とコンデンサレンズから射出する光
とがペリクル枠に遮蔽されない大きさである。
に向かって広がるように傾斜し、傾斜角の大きさは対物
レンズに入射する光とコンデンサレンズから射出する光
とがペリクル枠に遮蔽されない大きさである。
【０００７】一般に顕微鏡による検査の際、照明光にむ
らがあり、又は被検箇所からの光が一部遮蔽物によりけ
られると完全な像が結像せず、正常な検査が行われな
い。次にペリクルのペリクル枠により遮光され、正常な
検査が行えないマスクの周縁部分の領域が存在すること
について説明する。
らがあり、又は被検箇所からの光が一部遮蔽物によりけ
られると完全な像が結像せず、正常な検査が行われな
い。次にペリクルのペリクル枠により遮光され、正常な
検査が行えないマスクの周縁部分の領域が存在すること
について説明する。
【０００８】図３にペリクルのマスク１のペリクル枠５
ａ内側周縁部分の光線の進行について示すように、高さ
Ｈのペリクル枠５ａにおいて、ペリクル枠５ａの内側の
距離Ｄの範囲にある領域では、対物レンズ４に入射する
光がペリクル枠５ａにより遮蔽される。距離Ｄは対物レ
ンズ４の開口率ＮＡ及びペリクル枠５ａの高さＨと次の
ような関係にある。 ＮＡ＝Ｎｓｉｎθ ．．．（１） 但し ＮＡ ： 対物レンズの開口率 Ｎ ： 空気の屈折率（Ｎ＝１） θ ： 対物レンズの入射角 θ＝ｓｉｎ-1（ＮＡ／Ｎ） ＝ｓｉｎ-1ＮＡ ．．．（２） Ｄ＝Ｈｔａｎθ ＝Ｈｔａｎ（ｓｉｎ-1ＮＡ） ．．．（３）
ａ内側周縁部分の光線の進行について示すように、高さ
Ｈのペリクル枠５ａにおいて、ペリクル枠５ａの内側の
距離Ｄの範囲にある領域では、対物レンズ４に入射する
光がペリクル枠５ａにより遮蔽される。距離Ｄは対物レ
ンズ４の開口率ＮＡ及びペリクル枠５ａの高さＨと次の
ような関係にある。 ＮＡ＝Ｎｓｉｎθ ．．．（１） 但し ＮＡ ： 対物レンズの開口率 Ｎ ： 空気の屈折率（Ｎ＝１） θ ： 対物レンズの入射角 θ＝ｓｉｎ-1（ＮＡ／Ｎ） ＝ｓｉｎ-1ＮＡ ．．．（２） Ｄ＝Ｈｔａｎθ ＝Ｈｔａｎ（ｓｉｎ-1ＮＡ） ．．．（３）
【０００９】コンデンサレンズ６から射出しマスク１を
照明する光線についても同様である。高さＨ′のペリク
ル枠５ｂにおいて、ペリクル枠５ｂの内側の距離Ｄ′の
範囲にある領域では、対物レンズ４に入射する光がペリ
クル枠５ｂにより遮蔽される。 ＮＡ′＝Ｎｓｉｎφ ．．．（１′） φ＝ｓｉｎ-1（ＮＡ′／ Ｎ） ＝ｓｉｎ-1ＮＡ′ ．．．（２′） Ｄ′＝Ｈ′ｔａｎφ ＝Ｈ′ｔａｎ（ｓｉｎ-1ＮＡ′） ．．（３′） 但し ＮＡ′： コンデンサレンズの開口率 Ｎ ： 空気の屈折率（Ｎ＝１） φ ： コンデンサレンズの射出角
照明する光線についても同様である。高さＨ′のペリク
ル枠５ｂにおいて、ペリクル枠５ｂの内側の距離Ｄ′の
範囲にある領域では、対物レンズ４に入射する光がペリ
クル枠５ｂにより遮蔽される。 ＮＡ′＝Ｎｓｉｎφ ．．．（１′） φ＝ｓｉｎ-1（ＮＡ′／ Ｎ） ＝ｓｉｎ-1ＮＡ′ ．．．（２′） Ｄ′＝Ｈ′ｔａｎφ ＝Ｈ′ｔａｎ（ｓｉｎ-1ＮＡ′） ．．（３′） 但し ＮＡ′： コンデンサレンズの開口率 Ｎ ： 空気の屈折率（Ｎ＝１） φ ： コンデンサレンズの射出角
【００１０】従って対物レンズ４の入射角θと等しいか
又はそれ以上の角度、垂線から開いた傾斜を持つペリク
ル枠２ａであれば、マスク１のペリクル枠内側近接部分
から射出する光線は遮蔽されることがなく対物レンズ４
に入射することとなる。
又はそれ以上の角度、垂線から開いた傾斜を持つペリク
ル枠２ａであれば、マスク１のペリクル枠内側近接部分
から射出する光線は遮蔽されることがなく対物レンズ４
に入射することとなる。
【００１１】又コンデンサレンズ６の射出角φと同一又
はそれ以上の角度、垂線から開いた傾斜を持つペリクル
枠２ｂであれば、コンデンサレンズ６の周縁部から入射
する光線は遮蔽されることがなくマスク１を照明するこ
ととなる。
はそれ以上の角度、垂線から開いた傾斜を持つペリクル
枠２ｂであれば、コンデンサレンズ６の周縁部から入射
する光線は遮蔽されることがなくマスク１を照明するこ
ととなる。
【００１２】
【実施例】本発明の一実施例を図１及び図２により説明
する。図１は本実施例の全体を示す断面図、図２は本実
施例の周縁部分を示す断面図である。マスク１はＩＣや
ＬＳＩ等の半導体集積回路の製造に際して使用されるマ
スクであり、レチクル等と呼ばれるものも含まれてい
る。本実施例のマスク１は、四角形の２．３５ｍｍ厚の
平面状のガラス１ａの表面に、クロムパターン１ｂをガ
ラス１ａの一方の面に形成して構成されている。クロム
パターン１ｂで形成されたパターン領域はほぼ四辺形領
域内に形成され、この領域の周縁わずか外側のマスク１
の面には、ペリクル枠２ａの下端面が接着固定されてい
る。ペリクル枠２ａの下端面は、パターン領域の周縁外
側の全周にわたって設けられ、その内壁の対向面の間隔
がマスク１の両側よりもメンブレン３ａ側において大き
くなっている。その開き量は後述のように、対物レンズ
によるパターン１ｂ周縁の観察にペリクル枠２ａが邪魔
にならない程度である。なお、マスク１を出来るだけ小
型にするために、ペリクル枠２ａはパターン１ｂの領域
の外側に一杯接して設けられている。また、マスク１の
周縁部には搬送用のアームで保持するために、最小約２
ｍｍ幅の保持部１ｃがペリクル枠２ａの外側に残されて
いる。
する。図１は本実施例の全体を示す断面図、図２は本実
施例の周縁部分を示す断面図である。マスク１はＩＣや
ＬＳＩ等の半導体集積回路の製造に際して使用されるマ
スクであり、レチクル等と呼ばれるものも含まれてい
る。本実施例のマスク１は、四角形の２．３５ｍｍ厚の
平面状のガラス１ａの表面に、クロムパターン１ｂをガ
ラス１ａの一方の面に形成して構成されている。クロム
パターン１ｂで形成されたパターン領域はほぼ四辺形領
域内に形成され、この領域の周縁わずか外側のマスク１
の面には、ペリクル枠２ａの下端面が接着固定されてい
る。ペリクル枠２ａの下端面は、パターン領域の周縁外
側の全周にわたって設けられ、その内壁の対向面の間隔
がマスク１の両側よりもメンブレン３ａ側において大き
くなっている。その開き量は後述のように、対物レンズ
によるパターン１ｂ周縁の観察にペリクル枠２ａが邪魔
にならない程度である。なお、マスク１を出来るだけ小
型にするために、ペリクル枠２ａはパターン１ｂの領域
の外側に一杯接して設けられている。また、マスク１の
周縁部には搬送用のアームで保持するために、最小約２
ｍｍ幅の保持部１ｃがペリクル枠２ａの外側に残されて
いる。
【００１３】ペリクル枠２ａ、２ｂは、例えば、高さ６
ｍｍ、幅１ｍｍ程度である。そしてさらに、マスク１の
パターン１ｂの形成された面とは反対側にもペリクルが
設けられる。このペリクルのペリクル枠２ｂも、下端面
がマスク１ａの表面に接着固定されている。ペリクル枠
２ｂの内壁の対向面の間隔は、マスク１のガラス面１ａ
の側よりも、メンブレン３ｂの側において大きくなって
いる。その開き量は、後述のように、コンデンサーレン
ズからの照明光がクロムパターン１ｂの周縁を照明する
に邪魔にならない程度である。本実施例においては対物
レンズ４側にペリクル枠２ａ、コンデンサーレンズ６側
にペリクル枠２ｂが設けられているが、平面状のガラス
１ａが厚く５ｍｍあるとき等、コンデンサーレンズ６側
のペリクル枠２ｂが設けられていない場合もあることは
当然である。
ｍｍ、幅１ｍｍ程度である。そしてさらに、マスク１の
パターン１ｂの形成された面とは反対側にもペリクルが
設けられる。このペリクルのペリクル枠２ｂも、下端面
がマスク１ａの表面に接着固定されている。ペリクル枠
２ｂの内壁の対向面の間隔は、マスク１のガラス面１ａ
の側よりも、メンブレン３ｂの側において大きくなって
いる。その開き量は、後述のように、コンデンサーレン
ズからの照明光がクロムパターン１ｂの周縁を照明する
に邪魔にならない程度である。本実施例においては対物
レンズ４側にペリクル枠２ａ、コンデンサーレンズ６側
にペリクル枠２ｂが設けられているが、平面状のガラス
１ａが厚く５ｍｍあるとき等、コンデンサーレンズ６側
のペリクル枠２ｂが設けられていない場合もあることは
当然である。
【００１４】ペリクル枠２ａ、２ｂの上端面に張設され
たメンブレン３ａ、３ｂは透明な薄膜であって、マスク
１上のゴミや異物の付着を防止している。ガラス１ａの
表面もしくは裏面とメンブレン３ａもしくは３ｂとの間
隔は、ペリクル枠２ａとペリクル枠２ｂの高さと同じ６
ｍｍであり、例え若干の塵埃等の異物があっても製造工
程においてデフォーカスし、解像されない大きさになっ
ている。
たメンブレン３ａ、３ｂは透明な薄膜であって、マスク
１上のゴミや異物の付着を防止している。ガラス１ａの
表面もしくは裏面とメンブレン３ａもしくは３ｂとの間
隔は、ペリクル枠２ａとペリクル枠２ｂの高さと同じ６
ｍｍであり、例え若干の塵埃等の異物があっても製造工
程においてデフォーカスし、解像されない大きさになっ
ている。
【００１５】図２に示したように、コンデンサーレンズ
６がマスク１の裏面側に、対物レンズ４が表面側（パタ
ーン１ｂ側）に設置されている。
６がマスク１の裏面側に、対物レンズ４が表面側（パタ
ーン１ｂ側）に設置されている。
【００１６】対物レンズ４側に設けられペリクル枠２ａ
がマスク１の垂線に対して外側に傾斜する傾斜角θ′
は、対物レンズ４の入射角θと等しく設定されている。
傾斜角θ′が入射角θより小さいと、パターン１ｂのペ
リクル枠２ａに近接した部分からの光の一部がペリクル
枠２ａにより遮蔽されて対物レンズ４に入射せず、正常
な検査が行われない。傾斜角θ′は入射角θより大きく
てもよいが、メンブレン３ａを保持し又ペリクル枠２ａ
全体を過度に大きくしないために、傾斜角θ′は入射角
θと等しいかやや大きく設定するのが好ましい。
がマスク１の垂線に対して外側に傾斜する傾斜角θ′
は、対物レンズ４の入射角θと等しく設定されている。
傾斜角θ′が入射角θより小さいと、パターン１ｂのペ
リクル枠２ａに近接した部分からの光の一部がペリクル
枠２ａにより遮蔽されて対物レンズ４に入射せず、正常
な検査が行われない。傾斜角θ′は入射角θより大きく
てもよいが、メンブレン３ａを保持し又ペリクル枠２ａ
全体を過度に大きくしないために、傾斜角θ′は入射角
θと等しいかやや大きく設定するのが好ましい。
【００１７】コンデンサーレンズ６側に設けられペリク
ル枠２ｂがマスク１の垂線に対して外側に傾斜する傾斜
角φ′は、コンデンサーレンズ６の射出角φと等しく設
定されている。傾斜角φ′が射出角φより小さいと、コ
ンデンサーレンズ６から射出し、ペリクル枠２ｂに近接
した部分においてガラス１ａに入射する光の一部がペリ
クル枠２ｂにより遮蔽され、パターン１ｂの周縁が照明
されず正常な検査が行われない。傾斜角φ′は射出角φ
より大きくてもよいが、メンブレン３を保持し又ペリク
ル枠２ｂ全体を過度に大きくしないために、傾斜角φ′
は射出角φと等しいかやや大きく設定するのが好まし
い。
ル枠２ｂがマスク１の垂線に対して外側に傾斜する傾斜
角φ′は、コンデンサーレンズ６の射出角φと等しく設
定されている。傾斜角φ′が射出角φより小さいと、コ
ンデンサーレンズ６から射出し、ペリクル枠２ｂに近接
した部分においてガラス１ａに入射する光の一部がペリ
クル枠２ｂにより遮蔽され、パターン１ｂの周縁が照明
されず正常な検査が行われない。傾斜角φ′は射出角φ
より大きくてもよいが、メンブレン３を保持し又ペリク
ル枠２ｂ全体を過度に大きくしないために、傾斜角φ′
は射出角φと等しいかやや大きく設定するのが好まし
い。
【００１８】次に光の進行について説明する。コンデン
サーレンズ６から射出した光は、ペリクル枠２ｂに近接
した部分にあるガラス１ａ面上の点１ｄに入射する。そ
してガラス１ａで屈折して、パターン１ｂの面の点１ｅ
に収斂する。光はこの点１ｅがクロムパターン１ｂのク
ロムがない部分では透過し、クロムがある部分では吸収
又は散乱され、異物や欠陥があるときは異常な散乱をす
るが、ペリクル枠２ａにより遮蔽されることなく対物レ
ンズ４に入射する。
サーレンズ６から射出した光は、ペリクル枠２ｂに近接
した部分にあるガラス１ａ面上の点１ｄに入射する。そ
してガラス１ａで屈折して、パターン１ｂの面の点１ｅ
に収斂する。光はこの点１ｅがクロムパターン１ｂのク
ロムがない部分では透過し、クロムがある部分では吸収
又は散乱され、異物や欠陥があるときは異常な散乱をす
るが、ペリクル枠２ａにより遮蔽されることなく対物レ
ンズ４に入射する。
【００１９】光の一部が遮蔽されるとその点の像が不完
全となり、正常の検査が不可能となるが、本実施例によ
りクロムパターン１ｂの周縁部も含めて正常の検査が可
能となる。
全となり、正常の検査が不可能となるが、本実施例によ
りクロムパターン１ｂの周縁部も含めて正常の検査が可
能となる。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように本発明のマスクのペ
リクルは、対物レンズに入射する光とコンデンサレンズ
から射出する光とがペリクル枠により遮蔽されることが
ないから、検査に際してもマスクのパターンの周縁部に
おいて正常な検査が可能となる。
リクルは、対物レンズに入射する光とコンデンサレンズ
から射出する光とがペリクル枠により遮蔽されることが
ないから、検査に際してもマスクのパターンの周縁部に
おいて正常な検査が可能となる。
【図１】一実施例の全体を示す断面図である。
【図２】一実施例を観察光学系と共に用いた場合の周縁
部分を示す断面図である。
部分を示す断面図である。
【図３】従来のペリクル枠内側周縁部分の光線の進行に
ついて示す図である。
ついて示す図である。
【図４】従来のペリクルの断面図である。
１．．マスク、２ａ、２ｂ．．ペリクル枠、３ａ、３
ｂ．．メンブレン、４．．対物レンズ、５ａ、５ｂ．．
ペリクル枠、６．．コンデンサーレンズ
ｂ．．メンブレン、４．．対物レンズ、５ａ、５ｂ．．
ペリクル枠、６．．コンデンサーレンズ
Claims (3)
- 【請求項１】マスク基板に形成された原画パターンを含
むパターン領域を塵埃等から保護するために、前記マス
ク基板上の前記パターン領域の周囲に設けた枠部材の上
端に膜部材を張設したマスク保護装置において、前記枠
部材の内壁は、対向面の間隔が、前記上端に向かって広
がるように傾斜していることを特徴とするマスク保護装
置。 - 【請求項２】前記枠部材は、前記マスク基板の検査に使
用する顕微鏡の対物レンズ側に設けられ、前記内壁の傾
斜量は、前記対物レンズの入射角以上であることを特徴
とする請求項１に記載のマスク保護装置。 - 【請求項３】前記枠部材は、前記マスク基板を照明する
照明系側に設けられ、前記内壁の傾斜量は、前記照明系
のコンデンサレンズの射出角以上であることを特徴とす
る請求項１に記載のマスク保護装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3180461A JPH052263A (ja) | 1991-06-26 | 1991-06-26 | マスク保護装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3180461A JPH052263A (ja) | 1991-06-26 | 1991-06-26 | マスク保護装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH052263A true JPH052263A (ja) | 1993-01-08 |
Family
ID=16083631
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3180461A Pending JPH052263A (ja) | 1991-06-26 | 1991-06-26 | マスク保護装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH052263A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007219138A (ja) * | 2006-02-16 | 2007-08-30 | Nikon Corp | マスク及び露光装置 |
| JP2008304840A (ja) * | 2007-06-11 | 2008-12-18 | Nikon Corp | マスク保護装置、マスク、露光方法、デバイス製造方法、及び搬送方法 |
| CN101930165A (zh) * | 2009-06-24 | 2010-12-29 | 信越化学工业株式会社 | 防护膜框架及光刻用防护膜 |
| US20110245072A1 (en) * | 2008-12-11 | 2011-10-06 | Synfuels China Co., Ltd. | Method for continuously preparing metal oxides catalyst and apparatus thereof |
| US11635681B2 (en) | 2015-02-03 | 2023-04-25 | Asml Netherlands B.V. | Mask assembly and associated methods |
-
1991
- 1991-06-26 JP JP3180461A patent/JPH052263A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP2008304840A (ja) * | 2007-06-11 | 2008-12-18 | Nikon Corp | マスク保護装置、マスク、露光方法、デバイス製造方法、及び搬送方法 |
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| US11635681B2 (en) | 2015-02-03 | 2023-04-25 | Asml Netherlands B.V. | Mask assembly and associated methods |
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