JPH05226676A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 発光及び受光素子の少なくとも一方を光信号
用ワイヤ等と共に樹脂などにより封止した半導体装置に
おいて、光信号用ケ−ブルとの接続を良好にする。 【構成】 半導体チップ10は、内部に電気的信号の処理
回路及び受光素子を含んで構成されており、光信号のボ
ンディングパッド10b を備えている。リ−ドフレ−ム25
には、光信号用ワイヤ11と対面する位置に、コの字型の
切り込みパタ−ン13からなる溝が設けられている。光信
号用ワイヤ11は、切り込みパターン13に沿ってサイドレ
ール部23に至り、所定の位置へのボンディングが行われ
る。また、切り込みパターン13には光信号用ワイヤ11の
ボンディング面と反対側のリードフレーム25の面に粘着
剤付きのポリイミド等のフィルム15をボンディング以前
に予め貼り付けるようにしている。
用ワイヤ等と共に樹脂などにより封止した半導体装置に
おいて、光信号用ケ−ブルとの接続を良好にする。 【構成】 半導体チップ10は、内部に電気的信号の処理
回路及び受光素子を含んで構成されており、光信号のボ
ンディングパッド10b を備えている。リ−ドフレ−ム25
には、光信号用ワイヤ11と対面する位置に、コの字型の
切り込みパタ−ン13からなる溝が設けられている。光信
号用ワイヤ11は、切り込みパターン13に沿ってサイドレ
ール部23に至り、所定の位置へのボンディングが行われ
る。また、切り込みパターン13には光信号用ワイヤ11の
ボンディング面と反対側のリードフレーム25の面に粘着
剤付きのポリイミド等のフィルム15をボンディング以前
に予め貼り付けるようにしている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置に関し、特に
発光素子及び受光素子の少なくとも一方を有し電気的信
号及び光信号を処理可能である半導体基板を、その交信
に必要な光信号用ワイヤ等と共に樹脂などにより封止し
て構成した半導体装置に関する。
発光素子及び受光素子の少なくとも一方を有し電気的信
号及び光信号を処理可能である半導体基板を、その交信
に必要な光信号用ワイヤ等と共に樹脂などにより封止し
て構成した半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般にＩＣ（集積回路）素子、発光素
子、受光素子などを有する半導体チップとして構成され
る半導体基板を、パッケ−ジングして製造した半導体装
置の一種として、樹脂封止型の半導体装置がある。かか
る半導体装置は、電気的信号を処理できるのみならず光
信号をも処理できるように、リ−ドフレ−ム上に取り付
けた半導体基板を、これに所定の光学的接続を施した光
信号用のワイヤ等と共に樹脂封止している。
子、受光素子などを有する半導体チップとして構成され
る半導体基板を、パッケ−ジングして製造した半導体装
置の一種として、樹脂封止型の半導体装置がある。かか
る半導体装置は、電気的信号を処理できるのみならず光
信号をも処理できるように、リ−ドフレ−ム上に取り付
けた半導体基板を、これに所定の光学的接続を施した光
信号用のワイヤ等と共に樹脂封止している。
【０００３】この種の半導体装置の構造及び製造方法を
図７を参照して説明する。図７は、この種の半導体装置
の内部構造を、その一製造工程における状態で示したも
のである。
図７を参照して説明する。図７は、この種の半導体装置
の内部構造を、その一製造工程における状態で示したも
のである。
【０００４】図７において、半導体基板の一例である半
導体チップ50は、リ−ドフレ−ム55のダイパッド上に取
り付けられている。電気信号用のワイヤ61は、半導体チ
ップ50上に形成された電気信号用のボンディングパッド
50a とリードフレーム55のターミナル部62との間で、結
線されている。
導体チップ50は、リ−ドフレ−ム55のダイパッド上に取
り付けられている。電気信号用のワイヤ61は、半導体チ
ップ50上に形成された電気信号用のボンディングパッド
50a とリードフレーム55のターミナル部62との間で、結
線されている。
【０００５】一方、光信号用ワイヤ51は、半導体チップ
50が有する発光素子又は受光素子の光信号用のボンディ
ングパッド50b と、リードフレーム55のサイドレール部
63との間で、結線されている。尚、サイドレール部63
は、装置の組み立て完成時にはパッケージ本体の外部に
位置し、パッケージ本体から切り離されることとなる。
50が有する発光素子又は受光素子の光信号用のボンディ
ングパッド50b と、リードフレーム55のサイドレール部
63との間で、結線されている。尚、サイドレール部63
は、装置の組み立て完成時にはパッケージ本体の外部に
位置し、パッケージ本体から切り離されることとなる。
【０００６】ワイヤ51、52をこのようにワイヤボンディ
ングした後には、これらの半導体チップ50、ワイヤ51、
52等の部材は、エポキシ樹脂等でトランスファーモール
ド成型封止され、即ち図中破線で示すパッケ−ジ側面64
を持つパッケ−ジ本体が形成される。更に該パッケ−ジ
本体の外部において、リ−ドフレ−ム55により外部端子
が切断形成され、これにハンダ付けのための表面処理が
施される。
ングした後には、これらの半導体チップ50、ワイヤ51、
52等の部材は、エポキシ樹脂等でトランスファーモール
ド成型封止され、即ち図中破線で示すパッケ−ジ側面64
を持つパッケ−ジ本体が形成される。更に該パッケ−ジ
本体の外部において、リ−ドフレ−ム55により外部端子
が切断形成され、これにハンダ付けのための表面処理が
施される。
【０００７】このようにして作製したパッケージをリー
ドフレーム55のサイドレール部63から切り放す際には、
光信号用ワイヤ51は、パッケージ側面64の表面付近で切
断されることになる。
ドフレーム55のサイドレール部63から切り放す際には、
光信号用ワイヤ51は、パッケージ側面64の表面付近で切
断されることになる。
【０００８】その後、金型パーティング面のリードフレ
ーム55の板厚に相当するパッケージ樹脂表面にある光信
号用ワイヤ51をパッケージ表面の樹脂と共に研磨加工
し、外部接続用の光通信ケーブルとの光学的接続が取れ
るように平滑化して、半導体装置の組み立て処理が完成
する。
ーム55の板厚に相当するパッケージ樹脂表面にある光信
号用ワイヤ51をパッケージ表面の樹脂と共に研磨加工
し、外部接続用の光通信ケーブルとの光学的接続が取れ
るように平滑化して、半導体装置の組み立て処理が完成
する。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】一般に、この種の半導
体装置においては、光信号の交信についての安定性及び
信頼性をより高めることが重要である。従って、複数の
半導体装置間の光学的接続に用いる光信号用ケ−ブル
と、各半導体装置とを接続する際に、両者間で正確な位
置決めをすることが必要となり、このため、半導体装置
のパッケージ表面の所定の位置に光信号用ワイヤを導出
することが極めて重要となる。
体装置においては、光信号の交信についての安定性及び
信頼性をより高めることが重要である。従って、複数の
半導体装置間の光学的接続に用いる光信号用ケ−ブル
と、各半導体装置とを接続する際に、両者間で正確な位
置決めをすることが必要となり、このため、半導体装置
のパッケージ表面の所定の位置に光信号用ワイヤを導出
することが極めて重要となる。
【００１０】しかしながら、上述した従来の技術によれ
ば、パッケージ内部での光信号用ワイヤ51の適当な位置
決め手段が無い。このため、光信号用ワイヤ51のパッケ
ージ表面における導出位置が所定の導出位置からずれて
しまったり、研磨面に対する光信号用ワイヤ51の角度が
ずれてしまったりする。この結果、半導体装置に光信号
用ケ−ブルを接続した際に、光信号用ケ−ブルと光信号
用ワイヤとの間で光軸ずれが発生するなどして、光信号
の正常な導通を確保できない場合が生じてしまうという
問題点があった。
ば、パッケージ内部での光信号用ワイヤ51の適当な位置
決め手段が無い。このため、光信号用ワイヤ51のパッケ
ージ表面における導出位置が所定の導出位置からずれて
しまったり、研磨面に対する光信号用ワイヤ51の角度が
ずれてしまったりする。この結果、半導体装置に光信号
用ケ−ブルを接続した際に、光信号用ケ−ブルと光信号
用ワイヤとの間で光軸ずれが発生するなどして、光信号
の正常な導通を確保できない場合が生じてしまうという
問題点があった。
【００１１】また、前述の表面研磨される被研磨域はト
ランスファーモールド樹脂で覆われており、樹脂中に含
まれるシリカ粉が光信号用ワイヤを導出位置の周囲にも
存在していた。このため、製造段階において、前記パッ
ケージ表面の所定の光信号用ワイヤ導出位置の表面研磨
時に、樹脂中の充填剤であるシリカ粉が被研磨面に当た
り、平滑な研磨加工の妨げとなり、その結果、製造され
た半導体装置をして、光信号用ケ−ブルと光学的に良好
な接続を行うことができないという問題点もあった。
ランスファーモールド樹脂で覆われており、樹脂中に含
まれるシリカ粉が光信号用ワイヤを導出位置の周囲にも
存在していた。このため、製造段階において、前記パッ
ケージ表面の所定の光信号用ワイヤ導出位置の表面研磨
時に、樹脂中の充填剤であるシリカ粉が被研磨面に当た
り、平滑な研磨加工の妨げとなり、その結果、製造され
た半導体装置をして、光信号用ケ−ブルと光学的に良好
な接続を行うことができないという問題点もあった。
【００１２】本発明は上述した従来の問題点に鑑みなさ
れたものであり、光信号用ケ−ブルとの接続を良好に成
し得る半導体装置を提供することを課題とする。
れたものであり、光信号用ケ−ブルとの接続を良好に成
し得る半導体装置を提供することを課題とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本願第１発明の半導体装
置は上述の課題を達成するために、受光素子及び発光素
子の少なくとも一方を有する半導体基板と、該半導体基
板を封止するパッケ−ジ本体と、該パッケ−ジ本体の内
部において半導体基板が取り付けられたリ−ドフレ−ム
と、パッケ−ジ本体の内部において一端が半導体基板に
接続されており他端がパッケ−ジ本体の外部に導出され
た光信号用ワイヤとを備えており、光信号用ワイヤをパ
ッケ−ジ本体に対して位置決めすべくリ−ドフレ−ムに
光信号用ワイヤを固定する固定手段を設けたことを特徴
とする。
置は上述の課題を達成するために、受光素子及び発光素
子の少なくとも一方を有する半導体基板と、該半導体基
板を封止するパッケ−ジ本体と、該パッケ−ジ本体の内
部において半導体基板が取り付けられたリ−ドフレ−ム
と、パッケ−ジ本体の内部において一端が半導体基板に
接続されており他端がパッケ−ジ本体の外部に導出され
た光信号用ワイヤとを備えており、光信号用ワイヤをパ
ッケ−ジ本体に対して位置決めすべくリ−ドフレ−ムに
光信号用ワイヤを固定する固定手段を設けたことを特徴
とする。
【００１４】また、本願第２発明の半導体装置は上述の
課題を達成するために、受光素子及び発光素子の少なく
とも一方を有する半導体基板と、モ−ルド樹脂から構成
されており半導体基板を封止するパッケ−ジ本体と、該
パッケ−ジ本体の内部において半導体基板が取り付けら
れたリ−ドフレ−ムと、パッケ−ジ本体の内部において
一端が半導体基板に接続されており他端がパッケ−ジ本
体の外部に導出された光信号用ワイヤとを備えており、
光信号用ワイヤの導出位置の周囲が硬質の充填剤を含ま
ない樹脂で覆われていることを特徴とする。
課題を達成するために、受光素子及び発光素子の少なく
とも一方を有する半導体基板と、モ−ルド樹脂から構成
されており半導体基板を封止するパッケ−ジ本体と、該
パッケ−ジ本体の内部において半導体基板が取り付けら
れたリ−ドフレ−ムと、パッケ−ジ本体の内部において
一端が半導体基板に接続されており他端がパッケ−ジ本
体の外部に導出された光信号用ワイヤとを備えており、
光信号用ワイヤの導出位置の周囲が硬質の充填剤を含ま
ない樹脂で覆われていることを特徴とする。
【００１５】
【作用】一般に、光信号用ワイヤがパッケージ表面の所
定の導出位置からの位置ずれ及びパッケージ研磨面との
角度ずれを起こす要因は主に、光信号用ワイヤをボンデ
ィングした際に、光信号用ワイヤのボンディングループ
形状が再現性に欠けることにより、後工程での振動や樹
脂封止時に樹脂に押されてボンディングループ形状が変
形してしまうことである。
定の導出位置からの位置ずれ及びパッケージ研磨面との
角度ずれを起こす要因は主に、光信号用ワイヤをボンデ
ィングした際に、光信号用ワイヤのボンディングループ
形状が再現性に欠けることにより、後工程での振動や樹
脂封止時に樹脂に押されてボンディングループ形状が変
形してしまうことである。
【００１６】ここで、本願第１発明によれば、パッケ−
ジ本体の内部において一端が半導体基板に接続されてお
り他端がパッケ−ジ本体の外部に導出された光信号用ワ
イヤを、固定手段によりパッケ−ジ本体に対して位置決
めすべくリ−ドフレ−ムに固定するようにしたので、パ
ッケージ本体表面の所定の位置に光信号用ワイヤを導出
することが可能となる。この結果、パッケージから導出
された光信号用ワイヤと光信号用ケーブルとの接続に必
要な位置ぎめを正確に行うことができ、光信号用ケーブ
ルとの光学的な接続を良好に行うことができる。
ジ本体の内部において一端が半導体基板に接続されてお
り他端がパッケ−ジ本体の外部に導出された光信号用ワ
イヤを、固定手段によりパッケ−ジ本体に対して位置決
めすべくリ−ドフレ−ムに固定するようにしたので、パ
ッケージ本体表面の所定の位置に光信号用ワイヤを導出
することが可能となる。この結果、パッケージから導出
された光信号用ワイヤと光信号用ケーブルとの接続に必
要な位置ぎめを正確に行うことができ、光信号用ケーブ
ルとの光学的な接続を良好に行うことができる。
【００１７】尚、第１発明において、リ−ドフレ−ムに
形成されており光信号用ワイヤが嵌め込まれた溝と、光
信号用ワイヤが嵌め込まれたと反対の側から溝を覆うべ
くリ−ドフレ−ムの溝部分に貼り付けられており光信号
用ワイヤが溝の中において接着された粘着剤付きフィル
ムとから、固定手段を構成すれば、当該半導体装置を樹
脂封止する際に光信号用ワイヤを所定位置に仮止めする
ことができるので、簡単にして極めて正確な位置決めを
することができる。
形成されており光信号用ワイヤが嵌め込まれた溝と、光
信号用ワイヤが嵌め込まれたと反対の側から溝を覆うべ
くリ−ドフレ−ムの溝部分に貼り付けられており光信号
用ワイヤが溝の中において接着された粘着剤付きフィル
ムとから、固定手段を構成すれば、当該半導体装置を樹
脂封止する際に光信号用ワイヤを所定位置に仮止めする
ことができるので、簡単にして極めて正確な位置決めを
することができる。
【００１８】また、本願第２発明によれば、パッケ−ジ
本体は、硬質の充填剤等を含むモ−ルド樹脂から構成さ
れているので、半導体基板を物理的に良好に封止するこ
とができ、他方で、パッケ−ジ本体の内部において一端
が半導体基板に接続されており他端がパッケ−ジ本体の
外部に導出された光信号用ワイヤの導出位置の周囲が、
硬質の充填剤を含まない樹脂で覆われているので、その
製造段階において、パッケージ本体の表面における光信
号用ワイヤの導出位置付近の研磨時に、モ−ルド樹脂中
のシリカ粉等で被研磨面を傷つける事のない平滑な研磨
加工が可能となる。この結果、光信号用ケーブルとの光
学的な接続を良好に行うことができる。
本体は、硬質の充填剤等を含むモ−ルド樹脂から構成さ
れているので、半導体基板を物理的に良好に封止するこ
とができ、他方で、パッケ−ジ本体の内部において一端
が半導体基板に接続されており他端がパッケ−ジ本体の
外部に導出された光信号用ワイヤの導出位置の周囲が、
硬質の充填剤を含まない樹脂で覆われているので、その
製造段階において、パッケージ本体の表面における光信
号用ワイヤの導出位置付近の研磨時に、モ−ルド樹脂中
のシリカ粉等で被研磨面を傷つける事のない平滑な研磨
加工が可能となる。この結果、光信号用ケーブルとの光
学的な接続を良好に行うことができる。
【００１９】次に示す本発明の実施例から、本発明のこ
のような作用がより明らかにされ、更に本発明の他の作
用が明らかにされよう。
のような作用がより明らかにされ、更に本発明の他の作
用が明らかにされよう。
【００２０】
【実施例】以下図面を用いて本発明の実施例を詳細に説
明する。
明する。
【００２１】先ず、本実施例の半導体装置の構造及び製
造方法を図１を参照して説明する。図１は、本実施例の
半導体装置の内部構造を、その一製造工程における状態
で示したものである。
造方法を図１を参照して説明する。図１は、本実施例の
半導体装置の内部構造を、その一製造工程における状態
で示したものである。
【００２２】図１において、半導体基板の一例たる半導
体チップ10は、内部に電気的信号の処理回路及び発光素
子又は受光素子を含んで構成されており、その表面に
は、電気的信号を交信するためのボンディングパッド10
a と光信号を交信するためのボンディングパッド10b と
を備えている。半導体チップ10は、例えば銀エポキシ系
の接着剤により、リ−ドフレ−ム25のダイパッド上に取
り付けられている。
体チップ10は、内部に電気的信号の処理回路及び発光素
子又は受光素子を含んで構成されており、その表面に
は、電気的信号を交信するためのボンディングパッド10
a と光信号を交信するためのボンディングパッド10b と
を備えている。半導体チップ10は、例えば銀エポキシ系
の接着剤により、リ−ドフレ−ム25のダイパッド上に取
り付けられている。
【００２３】リ−ドフレ−ム25は、銅系又は42アロイな
どの材料から構成されており、リ−ドフレ−ム25には、
金ワイヤ21がボンディングされる部分に銀メッキが予め
施されている。
どの材料から構成されており、リ−ドフレ−ム25には、
金ワイヤ21がボンディングされる部分に銀メッキが予め
施されている。
【００２４】半導体チップ10の電極パッド10a とリード
フレーム25の端子部22とは、金ワイヤ21により、例えば
超音波を併用したネールヘッドボンディング技術を用い
て結線されている。
フレーム25の端子部22とは、金ワイヤ21により、例えば
超音波を併用したネールヘッドボンディング技術を用い
て結線されている。
【００２５】光信号用ワイヤ11は、光伝送用可撓性のプ
ラスチックなどから構成されている。半導体チップ10が
有する発光素子又は受光素子のボンディングパッド10b
と、リードフレーム25のサイドレール部23とは、光信号
用ワイヤ11により、例えばネールヘッドボンディング技
術を用いて、結線されている。このようにして、該発光
素子又は受光素子と光学的につながった光信号用ワイヤ
11が、パッケージ外部へと導出される。
ラスチックなどから構成されている。半導体チップ10が
有する発光素子又は受光素子のボンディングパッド10b
と、リードフレーム25のサイドレール部23とは、光信号
用ワイヤ11により、例えばネールヘッドボンディング技
術を用いて、結線されている。このようにして、該発光
素子又は受光素子と光学的につながった光信号用ワイヤ
11が、パッケージ外部へと導出される。
【００２６】サイドレール部23は、装置の組み立て完成
後にはパッケージ本体の外部に位置し、パッケージ本体
から切り離されることとなる。
後にはパッケージ本体の外部に位置し、パッケージ本体
から切り離されることとなる。
【００２７】尚、ワイヤ11とのボンディング性を確保す
るために、ボンディング以前に予め半導体チップ10側及
びリードフレーム25側両方の被ボンディング部面に、ワ
イヤ11、ボンディングパッド10b 、並びにリードフレー
ム25と密着性のよい膜によるコーティング処理を行うよ
うにしても良い。この場合には、少なくとも半導体チッ
プ10側は、発光素子又は受光素子を機能ならしめるため
に透光性をもったコーティング膜を用いなければならな
い。また、かかる透光性をもったコ−ティング膜とし
て、アクリル樹脂等の透光性の有機膜等を用いても良い
が、この場合には、特にボンディングの際の加熱温度は
100℃以下で行うことが望ましい。
るために、ボンディング以前に予め半導体チップ10側及
びリードフレーム25側両方の被ボンディング部面に、ワ
イヤ11、ボンディングパッド10b 、並びにリードフレー
ム25と密着性のよい膜によるコーティング処理を行うよ
うにしても良い。この場合には、少なくとも半導体チッ
プ10側は、発光素子又は受光素子を機能ならしめるため
に透光性をもったコーティング膜を用いなければならな
い。また、かかる透光性をもったコ−ティング膜とし
て、アクリル樹脂等の透光性の有機膜等を用いても良い
が、この場合には、特にボンディングの際の加熱温度は
100℃以下で行うことが望ましい。
【００２８】また、半導体チップ10に光信号用ワイヤ11
をボンディングするに際しては、加熱によるワイヤ11の
酸化変質を防止するために、ワイヤ11の先端域のボール
形成部分に不活性ガスを吹きかけた状態でレーザー光線
のエネルギーを照射し、ワイヤ11を加熱熔融することに
よってワイヤボールを形成するのが好ましい。
をボンディングするに際しては、加熱によるワイヤ11の
酸化変質を防止するために、ワイヤ11の先端域のボール
形成部分に不活性ガスを吹きかけた状態でレーザー光線
のエネルギーを照射し、ワイヤ11を加熱熔融することに
よってワイヤボールを形成するのが好ましい。
【００２９】ここで、本実施例では特に、リ−ドフレ−
ム25には、光信号用ワイヤ11と対面する位置に、固定手
段の一例を構成する、コの字型の切り込みパタ−ン13か
らなる溝が設けられている。
ム25には、光信号用ワイヤ11と対面する位置に、固定手
段の一例を構成する、コの字型の切り込みパタ−ン13か
らなる溝が設けられている。
【００３０】図１及び図２に示すように、光信号用ワイ
ヤ11とボンディングパッド10b との間でのボンディング
が終了後、光信号用ワイヤ11は、ワイヤ位置決めのため
に形成されたコの字形の切り込みパターン13に沿ってサ
イドレール部23に至り、所定の位置へのボンディングが
行われる。
ヤ11とボンディングパッド10b との間でのボンディング
が終了後、光信号用ワイヤ11は、ワイヤ位置決めのため
に形成されたコの字形の切り込みパターン13に沿ってサ
イドレール部23に至り、所定の位置へのボンディングが
行われる。
【００３１】従って、本実施例では、光信号用ワイヤ11
を両側からリードフレーム25で挟み光信号用ワイヤ11を
ボンディングした後工程で、光信号用ワイヤ11が移動
し、パッケージ本体表面の所定の位置から位置ずれ及び
研磨面に対する角度ずれをしないように構成されてい
る。
を両側からリードフレーム25で挟み光信号用ワイヤ11を
ボンディングした後工程で、光信号用ワイヤ11が移動
し、パッケージ本体表面の所定の位置から位置ずれ及び
研磨面に対する角度ずれをしないように構成されてい
る。
【００３２】尚、本実施例では特に、ワイヤ位置決めの
ため、コの字形の切り込みパターン14が、組み立て完成
後にはパッケージから切り離されるサイドレール部23に
も形成されている。このため、かかるワイヤ位置決めを
より正確に行える。
ため、コの字形の切り込みパターン14が、組み立て完成
後にはパッケージから切り離されるサイドレール部23に
も形成されている。このため、かかるワイヤ位置決めを
より正確に行える。
【００３３】また、本実施例では更に、パッケージ内の
コの字形の切り込みパターン13には光信号用ワイヤ11の
ボンディング面と反対側のリードフレーム25の面に粘着
剤付きのポリイミド等のフィルム15をボンディング以前
に予め貼り付けるようにしている。これによって、製造
段階において、リードフレーム25のコの字形の切り込み
パターン13の溝と粘着剤付きのフィルム15で光信号用ワ
イヤ11の仮どめを行うことができる。
コの字形の切り込みパターン13には光信号用ワイヤ11の
ボンディング面と反対側のリードフレーム25の面に粘着
剤付きのポリイミド等のフィルム15をボンディング以前
に予め貼り付けるようにしている。これによって、製造
段階において、リードフレーム25のコの字形の切り込み
パターン13の溝と粘着剤付きのフィルム15で光信号用ワ
イヤ11の仮どめを行うことができる。
【００３４】このように、該溝部で光信号用ワイヤ11の
一部が粘着フィルム15と接触するようにワイヤボンド条
件を設定することにより、ワイヤループ形状の一層の安
定化を図ることができる。
一部が粘着フィルム15と接触するようにワイヤボンド条
件を設定することにより、ワイヤループ形状の一層の安
定化を図ることができる。
【００３５】また、使用される光信号用ワイヤ11には光
信号用ワイヤ11内を伝わる光がワイヤ側面から漏れ出し
てしまい、光が減衰することのないよう、ワイヤ側面部
は光を反射する被膜で一様にコーティングされている。
信号用ワイヤ11内を伝わる光がワイヤ側面から漏れ出し
てしまい、光が減衰することのないよう、ワイヤ側面部
は光を反射する被膜で一様にコーティングされている。
【００３６】このようにして、ボンディング終了後、図
２及び図３に示すように、該溝の光信号用ワイヤ11の導
出部分12の周囲を、シリカ粉等の研磨に支障となる硬質
の充填剤を含まない樹脂、例えば直径１ミクロンを越え
る硬質粉を含まないエポキシ樹脂16をポッティング及び
熱硬化する。即ち、その後の封止工程でトランスファー
モールド樹脂17が被研磨域に至らないようにすべく、光
信号用ワイヤ11の周囲を該樹脂16で覆ってしまう。
２及び図３に示すように、該溝の光信号用ワイヤ11の導
出部分12の周囲を、シリカ粉等の研磨に支障となる硬質
の充填剤を含まない樹脂、例えば直径１ミクロンを越え
る硬質粉を含まないエポキシ樹脂16をポッティング及び
熱硬化する。即ち、その後の封止工程でトランスファー
モールド樹脂17が被研磨域に至らないようにすべく、光
信号用ワイヤ11の周囲を該樹脂16で覆ってしまう。
【００３７】その後、エポキシ系のトランスファーモー
ルド樹脂で成型して封止を完成し、更に外部端子の切断
成型を行うと共にそのハンダ付けのための表面処理を行
いパッケージングされる。この際、パッケージをリード
フレーム25のサイドレール部23から切り放す際には、光
信号用ワイヤ11は、パッケージ側面24の表面付近で切断
される。
ルド樹脂で成型して封止を完成し、更に外部端子の切断
成型を行うと共にそのハンダ付けのための表面処理を行
いパッケージングされる。この際、パッケージをリード
フレーム25のサイドレール部23から切り放す際には、光
信号用ワイヤ11は、パッケージ側面24の表面付近で切断
される。
【００３８】その後、図４に示すように、金型パーティ
ング面26のリードフレーム25の板厚に相当するパッケ−
ジ樹脂表面にある光信号用ワイヤ11を、パッケ−ジ表面
の樹脂と共に、所定量（例えば数10ミクロン）機械研磨
し、凹凸が深さ0.5 ミクロン程度の平滑面たる被研磨面
18を形成する。ここで、かかる研磨される樹脂部分は、
樹脂16から構成されているので、研磨表面が傷付けられ
ることがない。この結果、外部接続用の光通信ケーブル
との良好な光学的接続が取れるようになる。
ング面26のリードフレーム25の板厚に相当するパッケ−
ジ樹脂表面にある光信号用ワイヤ11を、パッケ−ジ表面
の樹脂と共に、所定量（例えば数10ミクロン）機械研磨
し、凹凸が深さ0.5 ミクロン程度の平滑面たる被研磨面
18を形成する。ここで、かかる研磨される樹脂部分は、
樹脂16から構成されているので、研磨表面が傷付けられ
ることがない。この結果、外部接続用の光通信ケーブル
との良好な光学的接続が取れるようになる。
【００３９】以上のようにして、図５に示すような半導
体パッケ−ジとして構成された半導体装置31が完成す
る。
体パッケ−ジとして構成された半導体装置31が完成す
る。
【００４０】図５から分かるように、半導体装置31は、
電気的信号を交信するためのアウタリ−ド33がその外周
部に沿って備えられており、また、光信号用ワイヤ11の
導出部分12がパッケ−ジ本体から研磨面において露出し
ている。
電気的信号を交信するためのアウタリ−ド33がその外周
部に沿って備えられており、また、光信号用ワイヤ11の
導出部分12がパッケ−ジ本体から研磨面において露出し
ている。
【００４１】このように構成された半導体装置31は、プ
リント基板等に搭載された後に、図６に示すように、コ
ネクタ40が設けられており光ファイバー等から構成され
た光ケ−ブル41に接続されて、かかる光ケ−ブル41を介
して他の半導体装置と結線される。
リント基板等に搭載された後に、図６に示すように、コ
ネクタ40が設けられており光ファイバー等から構成され
た光ケ−ブル41に接続されて、かかる光ケ−ブル41を介
して他の半導体装置と結線される。
【００４２】この際、本実施例によれば、光信号用ワイ
ヤ11の導出部分12が正確に位置決めされており、且つパ
ッケ−ジ表面の被研磨面18には殆ど傷が着いていないた
め、光ケ−ブル41との光学的な接続を極めて良好に行う
ことができる。
ヤ11の導出部分12が正確に位置決めされており、且つパ
ッケ−ジ表面の被研磨面18には殆ど傷が着いていないた
め、光ケ−ブル41との光学的な接続を極めて良好に行う
ことができる。
【００４３】
【発明の効果】以上詳細に説明したように本願第１発明
によれば、パッケ−ジ本体の外部に導出された光信号用
ワイヤを、固定手段によりパッケ−ジ本体に対して位置
決めすべくリ−ドフレ−ムに固定するようにしたので、
パッケージ本体表面の所定の位置に光信号用ワイヤを導
出することが可能となる。この結果、パッケージから導
出された光信号用ワイヤと光信号用ケーブルとの接続に
必要な位置ぎめを正確に行うことができ、光信号用ケー
ブルとの光学的な接続を良好に行うことができる。
によれば、パッケ−ジ本体の外部に導出された光信号用
ワイヤを、固定手段によりパッケ−ジ本体に対して位置
決めすべくリ−ドフレ−ムに固定するようにしたので、
パッケージ本体表面の所定の位置に光信号用ワイヤを導
出することが可能となる。この結果、パッケージから導
出された光信号用ワイヤと光信号用ケーブルとの接続に
必要な位置ぎめを正確に行うことができ、光信号用ケー
ブルとの光学的な接続を良好に行うことができる。
【００４４】また、本願第２発明によれば、パッケ−ジ
本体の外部に導出された光信号用ワイヤの導出位置の周
囲が、硬質の充填剤を含まない樹脂で覆われているの
で、パッケージ本体の表面における光信号用ワイヤの導
出位置付近の研磨時に、モ−ルド樹脂中のシリカ粉等で
被研磨面を傷つける事のない平滑な研磨加工が可能とな
り、光信号用ケーブルとの光学的な接続を良好に行うこ
とができる。
本体の外部に導出された光信号用ワイヤの導出位置の周
囲が、硬質の充填剤を含まない樹脂で覆われているの
で、パッケージ本体の表面における光信号用ワイヤの導
出位置付近の研磨時に、モ−ルド樹脂中のシリカ粉等で
被研磨面を傷つける事のない平滑な研磨加工が可能とな
り、光信号用ケーブルとの光学的な接続を良好に行うこ
とができる。
【００４５】以上の結果、本発明により、電気的信号及
び光信号の両方を処理し得ると共に、その両方につき極
めて安定性及び信頼性の高い交信を可能とし得、量産性
に優れ、且つ安価な半導体装置を実現できる。
び光信号の両方を処理し得ると共に、その両方につき極
めて安定性及び信頼性の高い交信を可能とし得、量産性
に優れ、且つ安価な半導体装置を実現できる。
【図１】本発明の一実施例の半導体装置の内部構造を、
その一製造工程における状態で示した平面図である。
その一製造工程における状態で示した平面図である。
【図２】図１の実施例の光信号用ワイヤの導出部付近を
示す部分断面図である。
示す部分断面図である。
【図３】図１の実施例の内部構造を、他の製造工程にお
ける状態で示した平面図である。
ける状態で示した平面図である。
【図４】図１の実施例の光信号用ワイヤの導出部付近を
示す側面図である。
示す側面図である。
【図５】図１の実施例の完成状態を示す斜視図である。
【図６】図６の実施例の光ケ−ブルを接続した状態を示
す斜視図である。
す斜視図である。
【図７】従来例の半導体装置の内部構造を、その一製造
工程における状態で示した平面図である。
工程における状態で示した平面図である。
10 半導体チップ 11 光信号用ワイヤ 12 光信号用ワイヤ導出部分 13 パッケージ内のコの字形の切り込みパターン 14 サイドレール部のコの字形の切り込みパターン 15 粘着フィルム 16 硬質の充填材を含まないポティング樹脂 17 トランスファーモールド樹脂 18 パッケージ表面の被研磨域 21 金ワイヤ 22 リ−ドフレ−ムのターミナル部 23 リードフレームのサイドレール部 24 モールド樹脂で成型されたパッケージ側面 25 リードフレーム 26 金型パーティング面 31 半導体装置 40 光ケーブルコネクター 41 光ケーブル
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 33/00 Ｍ 8934−4Ｍ Ｎ 8934−4Ｍ
Claims (3)
- 【請求項１】 受光素子及び発光素子の少なくとも一方
を有する半導体基板と、該半導体基板を封止するパッケ
−ジ本体と、該パッケ−ジ本体の内部において前記半導
体基板が取り付けられたリ−ドフレ−ムと、前記パッケ
−ジ本体の内部において一端が前記半導体基板に接続さ
れており他端が前記パッケ−ジ本体の外部に導出された
光信号用ワイヤとを備えており、前記光信号用ワイヤを
前記パッケ−ジ本体に対して位置決めすべく前記リ−ド
フレ−ムに前記光信号用ワイヤを固定する固定手段を設
けたことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 前記固定手段は、前記リ−ドフレ−ムに
形成されており前記光信号用ワイヤが嵌め込まれた溝
と、前記光信号用ワイヤが嵌め込まれたと反対の側から
前記溝を覆うべく前記リ−ドフレ−ムの溝部分に貼り付
けられており前記光信号用ワイヤが前記溝の中において
接着された粘着剤付きフィルムとを含むことを特徴とす
る請求項１記載の半導体装置。 - 【請求項３】 受光素子及び発光素子の少なくとも一方
を有する半導体基板と、モ−ルド樹脂から構成されてお
り前記半導体基板を封止するパッケ−ジ本体と、該パッ
ケ−ジ本体の内部において前記半導体基板が取り付けら
れたリ−ドフレ−ムと、前記パッケ−ジ本体の内部にお
いて一端が前記半導体基板に接続されており他端が前記
パッケ−ジ本体の外部に導出された光信号用ワイヤとを
備えており、前記光信号用ワイヤの導出位置の周囲が硬
質の充填剤を含まない樹脂で覆われていることを特徴と
する半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4027966A JPH05226676A (ja) | 1992-02-14 | 1992-02-14 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4027966A JPH05226676A (ja) | 1992-02-14 | 1992-02-14 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05226676A true JPH05226676A (ja) | 1993-09-03 |
Family
ID=12235637
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4027966A Pending JPH05226676A (ja) | 1992-02-14 | 1992-02-14 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05226676A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001035400A1 (en) * | 1999-11-09 | 2001-05-17 | Matsushita Electric Industrial Co. Ltd. | Photoelectronic device |
| US7026756B2 (en) | 1996-07-29 | 2006-04-11 | Nichia Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Light emitting device with blue light LED and phosphor components |
-
1992
- 1992-02-14 JP JP4027966A patent/JPH05226676A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7026756B2 (en) | 1996-07-29 | 2006-04-11 | Nichia Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Light emitting device with blue light LED and phosphor components |
| US7071616B2 (en) | 1996-07-29 | 2006-07-04 | Nichia Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Light emitting device with blue light led and phosphor components |
| US7126274B2 (en) | 1996-07-29 | 2006-10-24 | Nichia Corporation | Light emitting device with blue light LED and phosphor components |
| US7215074B2 (en) | 1996-07-29 | 2007-05-08 | Nichia Corporation | Light emitting device with blue light led and phosphor components |
| US7329988B2 (en) | 1996-07-29 | 2008-02-12 | Nichia Corporation | Light emitting device with blue light LED and phosphor components |
| US7362048B2 (en) | 1996-07-29 | 2008-04-22 | Nichia Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Light emitting device with blue light led and phosphor components |
| US7531960B2 (en) | 1996-07-29 | 2009-05-12 | Nichia Corporation | Light emitting device with blue light LED and phosphor components |
| US7682848B2 (en) | 1996-07-29 | 2010-03-23 | Nichia Corporation | Light emitting device with blue light LED and phosphor components |
| US9130130B2 (en) | 1996-07-29 | 2015-09-08 | Nichia Corporation | Light emitting device and display comprising a plurality of light emitting components on mount |
| WO2001035400A1 (en) * | 1999-11-09 | 2001-05-17 | Matsushita Electric Industrial Co. Ltd. | Photoelectronic device |
| US7064898B1 (en) | 1999-11-09 | 2006-06-20 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optoelectronic device |
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