JPH05299530A - 樹脂封止半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
樹脂封止半導体装置及びその製造方法Info
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- JPH05299530A JPH05299530A JP4098044A JP9804492A JPH05299530A JP H05299530 A JPH05299530 A JP H05299530A JP 4098044 A JP4098044 A JP 4098044A JP 9804492 A JP9804492 A JP 9804492A JP H05299530 A JPH05299530 A JP H05299530A
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- Japan
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- semiconductor device
- semiconductor chip
- metal thin
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 リード部のない表面実装型樹脂封止半導体装
置。 【構成】 ダイパッド（４）上の半導体チップ（６）の
端子部をその周辺に設けた導体部（２）に金属細線
（１）により夫々ワイヤボンドし、それを上記夫々の金
属細線の一部が上面に露出するように樹脂封止し、露出
した金属細線をプリント基板上の配線への接合に用い
る。
置。 【構成】 ダイパッド（４）上の半導体チップ（６）の
端子部をその周辺に設けた導体部（２）に金属細線
（１）により夫々ワイヤボンドし、それを上記夫々の金
属細線の一部が上面に露出するように樹脂封止し、露出
した金属細線をプリント基板上の配線への接合に用い
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置に関し、詳細
には樹脂封止型の半導体装置及びその製造方法に関す
る。
には樹脂封止型の半導体装置及びその製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】半導体チップを汚染源及び機械的破壊か
ら保護することを目的とした樹脂封止半導体装置は周知
でありコストが低いこと及び量産性に優れていることに
より広く用いられている。この樹脂封止半導体装置では
ダイパッド上の半導体チップの種々の端子とそれに対応
した、比較的剛性の高いリードを金あるいは銅のような
金属細線で接続した後、樹脂モールドが行われ、しかる
後にリードの露出部分をプリント基板への実装すなわち
挿入あるいは表面実装型に適した形に加工しそして必要
であれば曲げ加工を行った後、メッキを行い、半導体装
置が形成される。
ら保護することを目的とした樹脂封止半導体装置は周知
でありコストが低いこと及び量産性に優れていることに
より広く用いられている。この樹脂封止半導体装置では
ダイパッド上の半導体チップの種々の端子とそれに対応
した、比較的剛性の高いリードを金あるいは銅のような
金属細線で接続した後、樹脂モールドが行われ、しかる
後にリードの露出部分をプリント基板への実装すなわち
挿入あるいは表面実装型に適した形に加工しそして必要
であれば曲げ加工を行った後、メッキを行い、半導体装
置が形成される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】このような樹脂封止後
のリード部分の機械的及び化学的な加工によりいくつか
の問題が生じる。すなわち、この加工によりリード部分
に望ましくない変形が生じる可能性が高く、また、樹脂
封止部の損傷の可能性が高い。これら問題が解決された
としても、このようにしてつくられた半導体装置ではリ
ード部がその縁部から突出するために、その搬送あるい
は保管時にもその変形が生じうる。そのような形成は、
特に表面実装型の装置では大きな問題となる。
のリード部分の機械的及び化学的な加工によりいくつか
の問題が生じる。すなわち、この加工によりリード部分
に望ましくない変形が生じる可能性が高く、また、樹脂
封止部の損傷の可能性が高い。これら問題が解決された
としても、このようにしてつくられた半導体装置ではリ
ード部がその縁部から突出するために、その搬送あるい
は保管時にもその変形が生じうる。そのような形成は、
特に表面実装型の装置では大きな問題となる。
【０００４】すなわち、そのような変形によりしばしば
リード間の接触や、リード平坦度の低下が生じる。特に
この平坦度の低下はプリント基板表面への実装時にリー
ドが部分的にその表面から浮き上がらせ基板への接着を
不可能とすることがある。そのため、半導体装置の保管
や移送のための特殊なトレイ等の保護容器が必要とな
る。
リード間の接触や、リード平坦度の低下が生じる。特に
この平坦度の低下はプリント基板表面への実装時にリー
ドが部分的にその表面から浮き上がらせ基板への接着を
不可能とすることがある。そのため、半導体装置の保管
や移送のための特殊なトレイ等の保護容器が必要とな
る。
【０００５】本発明の目的はこのような種々の問題の根
源となるリード部を有しない表面実装型の樹脂封止型半
導体装置及びその製造方法を提供することである。
源となるリード部を有しない表面実装型の樹脂封止型半
導体装置及びその製造方法を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、従来、
半導体チップの端子部とリードとを接続するために用い
られているワイヤボンド用金属細線自体を樹脂封止され
た半導体装置の上面に露出させてリードに代え、外部実
装プリント基板との接点として用いる。
半導体チップの端子部とリードとを接続するために用い
られているワイヤボンド用金属細線自体を樹脂封止され
た半導体装置の上面に露出させてリードに代え、外部実
装プリント基板との接点として用いる。
【０００７】
【作用】従来、樹脂封止後に機械的加工を必要とするリ
ードがなくなるため、それに起因する諸問題は本来存在
しなくなる。本発明の半導体装置は予めハンダペースト
を配置したプリント基板に上下を逆にして配置され、適
当なリフロー処理により基板に固定される。
ードがなくなるため、それに起因する諸問題は本来存在
しなくなる。本発明の半導体装置は予めハンダペースト
を配置したプリント基板に上下を逆にして配置され、適
当なリフロー処理により基板に固定される。
【０００８】
【実施例】図１は本発明による樹脂封止半導体装置１０
の概略断面図である。図１において、ダイパッド４上に
半導体チップ６が配置される。このダイパッド４の上記
半導体チップ６が配置される領域の外側には絶縁耐熱性
の粘着テープ３が配置され、テープ３の上の、上記半導
体チップ４の端子部に対応した位置に導体部２が配置さ
れる。これら端子部と導体部２は夫々金属細線１で従来
通りにワイヤーポジティングにより接続される。そし
て、全体が適当な樹脂封止体５により封止されて本発明
の半導体装置１０が作られている。
の概略断面図である。図１において、ダイパッド４上に
半導体チップ６が配置される。このダイパッド４の上記
半導体チップ６が配置される領域の外側には絶縁耐熱性
の粘着テープ３が配置され、テープ３の上の、上記半導
体チップ４の端子部に対応した位置に導体部２が配置さ
れる。これら端子部と導体部２は夫々金属細線１で従来
通りにワイヤーポジティングにより接続される。そし
て、全体が適当な樹脂封止体５により封止されて本発明
の半導体装置１０が作られている。
【０００９】図１に示すように、これら金属細線１の中
央部分は樹脂封止体５の上面に露出している。図２は図
１の半導体装置１０の平面図であり、この露出した金属
細線１を示している。
央部分は樹脂封止体５の上面に露出している。図２は図
１の半導体装置１０の平面図であり、この露出した金属
細線１を示している。
【００１０】このような構造を有する半導体装置１０の
プリント基板１２への実装例を図３に示す。図３におい
て、予めハンダペースト１１を所定の個所に塗布した外
部実装プリント基板１２に、半導体装置１０を上下を逆
にして配置し、適当なリフロー装置を用いてハンダペー
ストを溶融し、露出した金属細線１を基板１２上のプリ
ント配線（図示せず）に接合する。
プリント基板１２への実装例を図３に示す。図３におい
て、予めハンダペースト１１を所定の個所に塗布した外
部実装プリント基板１２に、半導体装置１０を上下を逆
にして配置し、適当なリフロー装置を用いてハンダペー
ストを溶融し、露出した金属細線１を基板１２上のプリ
ント配線（図示せず）に接合する。
【００１１】図４ａ及び４ｂは本発明の半導体装置１０
の製造方法の一実施例の主要段階を示している。
の製造方法の一実施例の主要段階を示している。
【００１２】図４ａにおいて、ダイパッド４の周辺部に
絶縁耐熱性粘着テープ３を形成し、そして中央部に配置
されるべき半導体チップ６の種々の端子部に対応して、
導体部２を設ける。そして、中央部に半導体チップ６を
配置し、その端子部と導体部２を夫々金属細線１で接続
する。この際金属細線１の長さは両者を接続した状態で
その中央部分が図４ａに点線１０′で示す樹脂封止部の
上面より突出するように選ぶ。
絶縁耐熱性粘着テープ３を形成し、そして中央部に配置
されるべき半導体チップ６の種々の端子部に対応して、
導体部２を設ける。そして、中央部に半導体チップ６を
配置し、その端子部と導体部２を夫々金属細線１で接続
する。この際金属細線１の長さは両者を接続した状態で
その中央部分が図４ａに点線１０′で示す樹脂封止部の
上面より突出するように選ぶ。
【００１３】次に、図４ｂに示すように上下の金型７
ａ，７ｂ間に配置する。これにより、金属細線１の余剰
長さ部分は上側金型７ａの底壁に線接触する状態とな
る。
ａ，７ｂ間に配置する。これにより、金属細線１の余剰
長さ部分は上側金型７ａの底壁に線接触する状態とな
る。
【００１４】次にこの金型の図示しないスプルー部から
金型内に適当な樹脂を注入する。
金型内に適当な樹脂を注入する。
【００１５】このようにして図１の樹脂封止された半導
体装置が得られる。樹脂封止部５の上面に露出した金属
細線１の面積をプリント基板への接合に充分なものとす
るために、樹脂封止部５の上面を研磨するとよい。接合
の面積を最大とする研磨の深さは金属細線１の半径に対
応するものであるが、金属細線１と樹脂封止部５との密
着性を併せて確保するためには金属細線１の直径の約１
０％に相当するものとするとよいことが判った。
体装置が得られる。樹脂封止部５の上面に露出した金属
細線１の面積をプリント基板への接合に充分なものとす
るために、樹脂封止部５の上面を研磨するとよい。接合
の面積を最大とする研磨の深さは金属細線１の半径に対
応するものであるが、金属細線１と樹脂封止部５との密
着性を併せて確保するためには金属細線１の直径の約１
０％に相当するものとするとよいことが判った。
【００１６】この研磨の工程は上記のように行うことに
替えて、従来の樹脂封止半導体装置におけるリード部の
メッキ加工に先立って行われるホーニング工程を利用し
てもよい。
替えて、従来の樹脂封止半導体装置におけるリード部の
メッキ加工に先立って行われるホーニング工程を利用し
てもよい。
【００１７】
【発明の効果】以上述べたように、本発明の半導体装置
は従来のごときリード部を有さないため、リードに対し
て行われるべき加工工程は一切なく、またリードに起因
する問題はすべて解決される。
は従来のごときリード部を有さないため、リードに対し
て行われるべき加工工程は一切なく、またリードに起因
する問題はすべて解決される。
【図１】本発明の一実施例による半導体装置の概略断面
図。
図。
【図２】図１の半導体装置の平面図。
【図３】図１の半導体装置のプリント基板への実装を示
す図。
す図。
【図４】図１の半導体装置の製造工程の主要部を示す
図。
図。
１ ワイヤボンド金属細線 ２ 導体部 ３ 絶縁耐熱粘着テープ ４ ダイパッド ５ 樹脂封止部 ６ 半導体チップ ７ａ，７ｂ モールド金型
Claims (4)
- 【請求項１】 ダイパッド上に配置され、複数の端子部
を有する半導体チップと、上記半導体チップの配置され
る領域の外側のダイパッド部分に絶縁層を介して、上記
半導体チップの端子部に対応して配置される導体部分
と、上記半導体チップの端子部と上記導体部分とを夫々
接続する金属細線と、上記ダイパッド上の半導体チッ
プ、上記導体部及び上記金属細線を、夫々上記金属細線
の一部のみが上面に露出するように封止する樹脂封止部
と、を特徴として含む樹脂封止半導体装置。 - 【請求項２】 ダイパッド上に複数の端子部を有する半
導体チップを配置すると共にその周辺のダイパッド部分
に絶縁層を介して上記端子部に対応して導体部分を配置
する段階と、上記半導体チップの端子部と上記導体部分
とを夫々充分長い金属細線により接続する段階と、上記
半導体チップ、上記導体部分及び上記金属細線を、上記
夫々の金属細線の一部のみが上側金型の底壁に接触する
ようにして上下の金型により形成される空胴に配置する
段階と、上記空胴に樹脂を注入し樹脂封止する段階を特
徴として含む、樹脂封止半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 前記樹脂封止する段階後に、前記樹脂封
止半導体装置の上面を研磨する段階を有する、請求項２
記載の樹脂封止半導体装置の製造方法。 - 【請求項４】 前記研磨段階は前記金属細線の直径の約
１０％が上記上面からの研磨により除去されるごとくに
行われることを特徴とする請求項３記載の樹脂封止半導
体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4098044A JPH05299530A (ja) | 1992-04-17 | 1992-04-17 | 樹脂封止半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4098044A JPH05299530A (ja) | 1992-04-17 | 1992-04-17 | 樹脂封止半導体装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05299530A true JPH05299530A (ja) | 1993-11-12 |
Family
ID=14209152
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4098044A Pending JPH05299530A (ja) | 1992-04-17 | 1992-04-17 | 樹脂封止半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05299530A (ja) |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US6329711B1 (en) | 1995-11-08 | 2001-12-11 | Fujitsu Limited | Semiconductor device and mounting structure |
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-
1992
- 1992-04-17 JP JP4098044A patent/JPH05299530A/ja active Pending
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